KR960008999A - 현상처리장치 및 현상처리방법 - Google Patents

현상처리장치 및 현상처리방법 Download PDF

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Abstract

현상처리장치는, 기판보다 작은 크기의 얹어놓는면을 가지며, 이 얹어 놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓인 기판을 스판회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 척과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제l의 세정액노즐과, 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 스핀척과 실질적으로 같은 축에 설치되고, 그 직경이 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀페 링의 윗끝단에 설치되고, 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접대면하여 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하고, 막평성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한, 바깥쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사하고, 또한, 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가진다.

Description

현상처리장치 및 현상처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시형태에 관한 현상처리장치를 나타내는 블록 단면도.
제3도는 본 발명의 실시형태에 관한 현상처리장치를 나타내는 단면도.
제4도는 액체밀폐 링의 평면도.

Claims (19)

  1. 기판보다 작은 크기의 얹어놓는 면을 가지며 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓은 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 컵과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 상기 스핀척과 실질적으로 같은축에 설치되고, 그 직경이 상기 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 상기 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접대면하여 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하며, 상기 액막형성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한 바깥쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사지고, 또한 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가지며, 상기 액막형성부는, 상기 간극에서 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하고, 상기 제1의 벽부는, 상기 간극보다 안쪽의 영역에 현상액이 침입하는 것을 저지하고, 상기 제2의 벽부는, 상기 간극으로부터 현상액이 배출하는 것을 촉진하는 것을 특징으로 하는 기판에 노포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 제2의 세정액 노즐은, 상기 액체밀폐 링보다 안쪽에 위지하는 현상처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 적어도 4개의 제2의 세정액 노즐이 상기 액체밀폐 링의 안에 배치되어 있는 현상처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 액막형성부는, 그 폭이 5∼15㎜의 범위로 형성되고, 상기 간극이 0.5∼1,5㎜의 범위에 들어가도록 배치되는 현상처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 액막형성부는, 제2의 세정액노즐로 부터 간극으로 공급되는 세정액을 포착하고, 고리형상으로 세정액의 액막을 형성하는 현상처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 제1 및 제2의 벽부는, 액막형성부에 오목한 부위 및 볼록한 부위를 형성하는 현상처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 기판은 오리엔테이션 플랫을 가지는 반도체 웨이퍼이며, 상기 액막형성부는 오리엔테이션 플랫보다 안쪽의 웨이퍼 뒷면에 대면하고 있는 현상처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 제2의 액막형성부는 상기 액막형성부의 바깥쪽에 동심원 헝상으로 설치되며, 이 제2의 액막형성부는 기판 뒷면으로부터 뒷면으로 돌아들어오는 현상액을 포착하는 현상처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 액막형성부의 사이에 홈이 형성되어 있는 현상처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 폐액통로가 상기 컵의 하부에 형성되며, 이 폐액통로는 상기 홈에 연이어 통하고 있는 현상처리장치.
  11. 기판보다 작은 크기의 얹어놓는면을 가지며, 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓은 기판을 스판회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 컵과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 상기 스핀척과 실질적으로 같은 축에 형성되고, 그 직경이 상기 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 상기 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접하여 대면하고 기판 뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하며, 상기 액막형성부는, 실질적으로 평탄한 면을 가지고, 상기 간극에서 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는, 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 액막형성부의 평탄면은, 기판의 뒷면과 실질적으로 평행인 현상처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 액막형성부의 평탄면은,기판의 뒷면에 대하여 실질적으로 경사져 있는 현상처리장치.
  14. (a)레지스트 도포면이 위를 향하도록 기판을 챔버내에서 스핀척에 의하여 유지함과 함께, 이 기판의 뒷면의 둘레부에 액막형성수단을 근접대면시켜, 액막형성수단과 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 공정과, (b)챔버내의 배기를 개시함과 함께, 기판을 제l의 회전속도로 회전시키면서 상기 간극에 세정액을 공급하고, 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는 공정과, (c)기판의 회전을 정지시킴과 함께, 챔버내의 배기를 정지하고, 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하여, 기체밀폐적인 챔버내에서 도포레지스트를 현상하는 공정과, (d)기판을 제2의 회전속도로 회전시키면서, 기판의 양면에 세정액을 가하여, 기판의 양면으로부러 현상액을 제거는 공정을 가지는, 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리방법.
  15. 제14항에 있어서, 간극에 형성되는 액막은, 그 폭이 5∼15㎜의 범위내에 있는 현상처리방법.
  16. 제14항에 있어서, 간극이 0.5∼1.5㎜의 범위내에 들어가도록 상기 액막형성수단을 기판뒷면에 근접대면시키는 현상처리방법.
  17. (p)레지스트 도포면이 위를 향하도륵 기판을 스핀척에 의하여 유지함과 함께, 이 기판의 윗면의 둘레부에 액막형성수단을 근접 대면시켜, 액막형성수단과 기판뒷면의 둘레부의 사이에 간극을 형성하는 공정과, (q)기판을 제1의 회전속도로 회전시키면서 상기 간극에 세정액을 공급하고, 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는 공정과, (r)기판의 회전을 일시 정지시켜, 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하면서 기판을 제2의 회전속도로 회전시키는 공정과, (s)기판의 회전을 정지시켜, 기판정지상태로 현상액을 도포레지스트에 작용시키는 공정과, (t)기판을 제3의 회전속도로 회전시키면서, 기판의 양면에 세정액을 가하여, 기판의 양면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 가지는, 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리방법.
  18. 제17항에 있어서, 간극에 형성하는 액막은, 그 폭이 5∼15㎜의 범위내에 있는 현상처리방법.
  19. 제17항에 있어서, 간극이 0.5∼1.5㎜의 범위내에 들어가도록, 상기 액막형성수단을 기판 뒷면에 근접대면시키는 현상처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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