JP2903284B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法

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JP2903284B2
JP2903284B2 JP12193893A JP12193893A JP2903284B2 JP 2903284 B2 JP2903284 B2 JP 2903284B2 JP 12193893 A JP12193893 A JP 12193893A JP 12193893 A JP12193893 A JP 12193893A JP 2903284 B2 JP2903284 B2 JP 2903284B2
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wafer
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cylindrical wall
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茂樹 青木
英一 白川
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Spray Control Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、被処理体を回転させ
ながら、処理液を供給して被処理体の表面の処理を行う
処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理している。
【0003】上記現像処理を行う場合、ウエハを回転保
持手段であるスピンチャックにて吸着保持して、ウエハ
を水平方向に回転させながら、ウエハの表面に現像液を
供給して現像処理を行う。この場合、ウエハの裏面に現
像液が回り込んでウエハに付着したり、スピンチャック
の回転部に現像液が侵入するのを防止するために、図1
8に示すように、ウエハWの回転中心とほぼ同心の筒体
60の端部をウエハWの裏面周縁部に微小な隙間61を
もって対向させて、毛管現象を利用して現像液Lのウエ
ハ裏面側への浸入を阻止している(特公平3−3420
7号公報参照)。このように構成することにより、ウエ
ハWの裏面周縁部と筒体60の端部平坦面との微小隙間
の毛管現象によって現像液Lの液膜が形成され、この液
膜によって現像液Lのウエハ裏面内方側への浸入を阻止
することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の構造のものにおいては、ウエハ裏面への現像液
Lの流入が無くなると、図19(a),(b)に示すよ
うに、ウエハWの裏面と筒体60の端部との間には液溜
り62が散点した状態で残り、各液溜り62間では現像
液Lがトラップされず、各液溜り62間の隙間から現像
液Lがウエハ裏面内方側へ浸入することがあった。ま
た、一度ウエハ裏面の内方側に浸入した現像液Lはウエ
ハ裏面側で再成長して大きな液滴となってウエハWの裏
面に付着するか、あるいはスピンチャック63の回転駆
動側に浸入して、処理作業に支障をきたすと共に、製品
歩留りを低下させるという問題があった。
【0005】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の裏面内方側への処理液の浸入を阻止し
て、処理能率の向上及び製品歩留りの向上を図れるよう
にした処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、回転保持手段にて保持され
る被処理体を回転させながら、処理液を供給して被処理
体の表面を処理する処理装置を前提とし、上記被処理体
の裏面側の周縁部近傍に筒状壁を周設し、この筒状壁の
被処理体と対向する面に液溜凹部を形成してなることを
特徴とするものである。
【0007】この発明において、上記液溜凹部は筒状壁
の被処理体と対向する面に形成されるものであれば、そ
の形状は任意でよく、例えば筒状壁の被処理体と対向す
る面の外周縁に段差部を形成してもよく、あるいは筒状
壁の端面や筒状壁自体に波形状の液溜凹部を形成するこ
とができる他、筒状壁の端部外周面に適宜間隔をおいて
設けられる複数の凹部にて液溜凹部を形成することがで
きる。
【0008】また、請求項2記載の発明は、上記第1の
処理装置と同様に回転保持手段にて保持される被処理体
を回転させながら、処理液を供給して被処理体の表面を
処理する処理装置を前提とし、上記被処理体の裏面側の
周縁部近傍に筒状壁を周設し、この筒状壁の被処理体と
対向する面に周溝を形成すると共に、この周溝に液体供
給手段を接続してなることを特徴とするものである。
【0009】この発明において、周溝と液体供給手段と
を連通する通路から分岐される分岐路に洗浄液噴射ノズ
ルを接続することも可能である(請求項3)
【0010】また、請求項4記載の発明は、回転保持手
段にて保持される被処理体の裏面と、この被処理体の裏
面と対向する上記回転保持手段側面との間に、処理液以
外の液体で液膜を形成する工程と、 上記被処理体を回
転させながら被処理体に処理液を供給する工程と、を有
することを特徴とするものである。 この発明において、
液膜を形成する際、被処理体を回転させる方が好ましい
(請求項5)。
【0011】
【作用】上記のように構成される請求項1記載の発明
よれば、被処理体の裏面側の周縁部近傍に筒状壁を周設
し、この筒状壁の被処理体と対向する面に液溜凹部を形
成することにより、被処理体の裏面側に回り込む処理液
を毛管現象によって保持して周方向に連続する液膜を形
成することができる。したがって、被処理体の裏面内方
側への処理液の流れ込みを液膜によって阻止することが
できる。
【0012】また、請求項2記載の発明によれば、上記
筒状壁の被処理体と対向する面に周溝を形成すると共
に、この周溝に液体供給手段を接続することにより、液
体供給手段から周溝内に供給される液体によって周方向
に連続する液盛りを積極的に形成することができ、この
液盛りと被処理体の裏面とが接触して周方向に連続する
液膜を確実に形成することができる。この場合、周溝と
液体供給手段とを連通する通路から分岐される分岐路に
洗浄液噴射ノズルを接続することにより、処理後に洗浄
液噴射ノズルから洗浄液を噴射して被処理体の裏面周縁
部に回り込んだ処理液を除去することができる。
【0013】また、請求項4記載の発明によれば、回転
保持手段にて保持される被処理体の裏面と、この被処理
体の裏面と対向する上記回転保持手段側面との間に、処
理液以外の液体で液膜を形成した状態で、上記被処理体
を回転させながら被処理体に処理液を供給することによ
り、被処理体の裏面と回転保持手段側面との間に液盛り
を形成することができ、この液盛りと被処理体の裏面と
が接触して周方向に連続する液膜を確実に形成すること
ができる。この際、被処理体を回転させながら液体を供
給することにより、更に確実に液膜を形成することがで
きる(請求項5)。
【0014】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を半導体ウ
エハの現像装置に適用した場合について説明する。
【0015】◎第一実施例 図1はこの発明の処理装置の第一実施例の概略断面図、
図2は第一実施例の使用状態の要部断面図が示されてい
る。
【0016】この発明の処理装置は、被処理体である半
導体ウエハW(以下にウエハという)を収容する筒状の
処理容器1と、ウエハWを水平状態に吸着保持する回転
保持手段であるスピンチャック2と、スピンチャック2
の上方に位置して、図示しない処理液供給手段から供給
される現像液L(処理液)をウエハWの表面(上面)に
供給する処理液供給ノズル3とを具備してなり、処理容
器1におけるウエハWの裏面周縁部の近傍位置に現像液
Lのウエハ裏面側への浸入を阻止するための筒状部分の
厚さが3〜5mm程度の筒状壁4を周設してなる。この筒
状壁4は、上端部がウエハWの裏面周縁より0.5〜5
mm程度内方側で、ウエハWの裏面との対向間隔が0.5
〜5mm程度となるように配置する。
【0017】この場合、処理容器1は、スピンチャック
2及びこのスピンチャック2にて保持されるウエハWの
外周を包囲する有底筒状の外容器5と、ウエハWの下方
側に配置される内容器6とで構成されており、内容器6
の上面に上記筒状壁4が周設されている。また、処理容
器1の底部には図示しない排気装置に接続する排気口7
が設けられると共に、図示しない排液装置に接続する排
液口8が設けられている。なお、筒状壁4の内方側には
ウエハWの裏面周縁部に向って洗浄用のリンス液を噴射
するリンス液噴射ノズル9が配設されている。
【0018】上記筒状壁4のウエハWの裏面周縁部と対
向する上面(上端部分)には、外側が低くなるように幅
が2〜3mm程度の底面10aと高さが0.5〜5mm程度
の垂直面10bとからなる段差部10が周設されてお
り、この段差部10でウエハWの裏面周縁部側に回り込
む現像液Lの液溜部を構成している。この筒状壁4は、
例えばナイロンあるいはセラミックス等のような耐水性
及び吸水性を有する部材にて形成する方が望ましい。
【0019】上記のように、筒状壁4のウエハ裏面と対
向する面に段差部10を周設することにより、処理中に
ウエハWの上面に塗布された現像液LがウエハWの周縁
部から溢れ落ちて裏面内方側に回り込むのを毛管現象に
よって受け止めることができ、更に段差部10の底面1
0aと垂直面10bに沿って周方向へ液膜が成長し、ウ
エハWの裏面周縁部と筒状壁4との隙間に液膜11を容
易に確実に形成することができる。更に、ウエハWが回
転している状態で以上の現象が起こる場合、より迅速に
液膜11が形成される。したがって、現像液Lの筒状壁
4より内側のウエハ内方側への浸入を完全に阻止するこ
とができる。
【0020】また、現像液Lの流れ込みが一時中断し再
度流れ込む場合、もしくは、別の場所から現像液Lがウ
エハWの裏面へ流れ込む場合にも段差部10により形成
された液膜11が存在するため、筒状壁4より内側のウ
エハ内方側へ現像液Lが浸入することはない(図3参
照)。
【0021】上記説明では筒状壁4のウエハとの対向面
に段差部10を設けて液膜11を形成する場合について
説明したが、段差部10以外の形状によって液溜部を形
成するようにしてもよい。
【0022】すなわち、例えば図4及び図5に示すよう
に、上端部の外側にテーパーを形成した筒状壁4のウエ
ハ対向面に垂直方向に起伏する波形状部13によって液
溜部13aを形成してもよく、あるいは、図6及び図7
に示すように、筒状壁4全体を水平方向に起伏する波形
筒状に形成して、その樋状凹所14にて液溜部を形成す
るようにしてもよい。更には、図8及び図9に示すよう
に、筒状壁4の上端外側に傾斜状のウエハ対向面16を
形成すると共に、このウエハ対向面16に適宜間隔をお
いて凹部15を削り出し加工等によって設けることによ
って液溜部を形成してもよい。
【0023】上記のように液溜部を波形状部13、樋状
凹所14及び凹部15にて形成することにより、上述と
同様に、ウエハWの表面に塗布された現像液Lがウエハ
裏面側に回り込むのを受け止めることができ、毛管現象
によってウエハWの裏面周縁部と筒状壁4との間に液膜
11を形成することができる。また、現像液Lのウエハ
裏面側への流れ込みが無くなった場合にも、上記液溜部
13,14,15に受け止められた液滴が毛管現象によ
って外側に成長し、隣接する液滴同士が結合して液膜1
1を形成する。したがって、現像液Lの流れ込みが一時
中断し再度流れ込む場合、もしくは、別の場所から現像
液LがウエハWの裏面へ流れ込む場合においても、ウエ
ハWの裏面内方側への現像液Lの浸入を阻止することが
できる。
【0024】◎第二実施例 図10はこの発明の処理装置の第二実施例の要部断面
図、図11は第二実施例の使用状態の要部断面図が示さ
れている。
【0025】第二実施例における処理装置は、ウエハ裏
面と筒状壁4との間に積極的に液膜11を形成するよう
にした場合である。すなわち、筒状壁4のウエハとの対
向面に周溝17を形成すると共に、この周溝17の底部
に連通する通路18にバルブ19を介して液体供給手段
であるリンス液供給源20を接続して、リンス液供給源
20からリンス液Rを周溝17内に供給して強制的に液
溜り17a(液盛り)及び液膜11を形成するようにし
た場合である。この場合、通路18は周方向に適宜間隔
をおいて1個又は複数個設けられる(図12参照)。
のように構成することにより、ウエハWを回転させなが
らリンス液供給源20からリンス液Rを周溝17内に供
給して、液溜り17及び液膜を形成することができる。
【0026】上記のように、筒状壁4に設けられた周溝
17内に予めリンス液Rを供給して液膜11を形成する
ことにより、処理中にウエハWの表面に塗布された現像
液Lがウエハ上面から零れてウエハ裏面側に回り込む場
合、既に形成された液膜11によって遮られるか、ある
いは液膜11を形成するリンス液Rに吸収されるので、
ウエハ内方側へ現像液Lが浸入するするのを阻止するこ
とができる。
【0027】◎第三実施例 図13はこの発明の処理装置の第三実施例の要部断面
図、図14は第三実施例の使用状態の要部断面図、図1
5は第三実施例の別の使用状態の要部断面図が示されて
いる。
【0028】第三実施例における処理装置は、ウエハ裏
面と筒状壁4との間に積極的に液膜11を形成すると共
に、筒状壁4に洗浄液供給手段を具備させるようにした
場合である。すなわち、上記第二実施例と同様に、筒状
壁4のウエハとの対向面に周溝17を形成すると共に、
通路18及びバルブ19を介して周溝17とリンス液供
給源20とを接続し、そして通路18から分岐される分
岐路21にリンス液噴射ノズル9(洗浄液噴射ノズル)
を接続した場合である。
【0029】この場合、分岐路21のウエハ裏面側開口
に設けられた噴口によってリンス液噴射ノズル9を形成
する。また、リンス液噴射ノズル9から噴射されるリン
ス液Rがウエハ裏面周縁部に衝突するように分岐路21
が開口する面を傾斜面22としている。また、通路18
は、周溝17の底部に連通するL字状の通路基部18a
と、この通路基部18aに連通する通路基部18aより
小径の垂直部18bとで構成されており、通路18の垂
直部18bの上端側に分岐路21が延在されて設けられ
ている。
【0030】上記のように通路18と分岐路21を形成
することにより、リンス液供給源20から供給されるリ
ンス液の流速を遅くすれば、リンス液Rは周溝17内に
供給されて液膜11を形成し、リンス液Rの流速を速く
すると、リンス液Rは分岐路21を通ってリンス液噴射
ノズル9から噴射されてウエハWの裏面周縁部の洗浄に
供される。これはリンス液の流速と通路18及び分岐路
21の圧力損失との関係によるものである。このリンス
液の流速と通路18及び分岐路21の圧力損失の関係を
図16を参照して以下に説明する。例えば通路18の通
路基部18aの直径を3mmとし、通路基部18aの水平
及び垂直方向の寸法をそれぞれ5mmとし、分岐路21及
び通路18の垂直部18bの直径を2mmとすると共に、
分岐路21と垂直部18bとの垂直方向の寸法を10mm
として、リンス液の代りに水を使用して、流量を50cc
/min の場合と100cc/min の場合について実験を行
ったところ、以下のような結果が得られた。
【0031】 流量が50cc/min の場合 通路基部18aの圧力損失:1.822mmH2 O 分岐路21と垂直部18bの圧力損失:2.168mmH
2 O 流量が100cc/min の場合 通路基部18aの圧力損失:6.436mmH2 O 分岐路21と垂直部18bの圧力損失:4.336mmH
2 O 上記実験の結果、水の流量が50cc/min の場合では分
岐路21側の圧力損失に対して通路基部側の圧力損失が
小さいため、水は通路基部18a側に流れる。これに対
して、水の流量が100cc/min の場合には逆に通路基
部18a側の圧力損失に対して分岐路21側の圧力損失
が小さいため、水は分岐路21側に流れる。この原理を
利用することによって、処理時には、リンス液の流速を
遅くして周溝17内にリンス液Rを供給すると、リンス
液Rが周溝17内に溜って環状の液膜11を形成するこ
とができる。また、処理後のウエハ裏面の洗浄時には、
リンス液の流速を速くすると、通路18側の圧力損失が
大きいため、リンス液Rは分岐路21側を流れてリンス
液噴射ノズル9からウエハWの裏面周縁部に向って噴射
されてウエハ裏面に回り込んだ現像液Lの除去に供され
る。
【0032】上記のように構成されるこの発明の処理装
置はウエハの現像装置として単独で使用される他、後述
するウエハのレジスト塗布・現像装置に組込んで使用す
ることができる。
【0033】上記レジスト塗布・現像装置は、図17に
示すように、ウエハWに種々の処理を施す処理機構ユニ
ット40と、処理機構ユニット40にウエハWを自動的
に搬入及び搬出する搬入・搬出機構30とで主要部が構
成され、処理機構ユニット40と搬入・搬出機構30と
の間には、ウエハWの受渡しを司る中継手段としてのウ
エハ支持ピン等を有するウエハ支持機構(図示せず)を
備えたキャリアステーション50を配置してなる。
【0034】上記搬入・搬出機構30は、未処理のウエ
ハWを適宜間隔をおいて多段状に収容するウエハキャリ
ア31と、処理済みのウエハWを適宜間隔をおいて多段
状に収容するウエハキャリア32と、これらウエハキャ
リア31,32との間でウエハWを搬入及び搬出する搬
入・搬出手段33とを有する。この場合、搬入・搬出手
段33は、ウエハWを吸着保持するアーム34と、この
アーム34をX,Y(水平)、Z(垂直)及びθ(回
転)方向に移動させる移動機構35とで構成されてい
る。
【0035】一方、上記処理機構ユニット40は、ウエ
ハWに所定の処理を施す複数の処理機構と、これら処理
機構との間でウエハWを搬入及び搬出する搬送手段42
とを具備する。この場合、搬送手段42は、処理機構ユ
ニット40と搬入・搬出機構30との間に配置されたキ
ャリアステーション50からX方向に形成された搬送路
43に沿って移動自在な搬送台44と、この搬送台44
上にX,Y,Z及びθ方向に移動自在に搭載されてウエ
ハWを保持するメインアーム45とで構成されている。
また、搬送路43の一方の側には、ウエハWとレジスト
膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理を
行うアドヒージョン処理機構41aと、ウエハWに塗布
されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発させるため
のプリベーク機構41bと、加熱処理されたウエハWを
冷却する冷却機構41cが配置されている。搬送路43
の他方の側には、ウエハWの表面にレジスト液を塗布す
るレジスト塗布機構41dと、所定のパターンが露光さ
れたレジスト膜を現像処理するこの発明の処理装置であ
る2つの現像機構Aが並列配置されている。
【0036】上記のように構成されるレジスト塗布・現
像装置において、まず、未処理のウエハWは、搬入・搬
出機構30のアーム34によってウエハキャリア31か
ら取り出され、キャリアステーション50に搬送され
る。次に、キャリアステーション50上のウエハWは、
搬送手段42のメインアーム45に保持されて、各処理
機構41a〜41d,Aへ順次搬送されて、適宜処理が
施される。そして、処理後のウエハWは、再びメインア
ーム45によってキャリアステーション50に搬送さ
れ、アーム34によってウエハキャリア32へ収容され
て、ウエハWの処理作業は完了する。
【0037】なお、上記実施例では、この発明の処理装
置を半導体ウエハの塗布現像装置に適用した場合につい
て説明したが、半導体ウエハ以外のLCD基板やCD等
の被処理体の処理装置にも適用できることは勿論であ
る。
【0038】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置は、上記のように構成されているので、以下のよう
な効果が得られる。
【0039】1)請求項1に記載の処理装置によれば、
被処理体の裏面側の周縁部近傍に筒状壁を周設し、この
筒状壁の被処理体と対向する面に液溜凹部を形成するの
で、被処理体の裏面内方側への処理液の流れ込みを液膜
によって阻止することができ、処理能率の向上及び製品
歩留りの向上を図ることができる。
【0040】2)請求項2に記載の処理装置によれば、
筒状壁の被処理体と対向する面に周溝を形成すると共
に、この周溝に液体供給手段を接続するので、被処理体
の裏面周縁部と筒状壁との間に周方向に連続する液膜を
積極的に形成することができ、更に確実に処理液の被処
理体裏面への浸入を阻止することができる。
【0041】3)請求項3記載の処理装置によれば、周
溝と液体供給手段とを連通する通路から分岐される分岐
路に洗浄液噴射ノズルを接続するので、別途に処理液洗
浄手段を設けることなく、処理後に洗浄液噴射ノズルか
ら洗浄液を噴射して被処理体の裏面に流れ込んだ処理液
を除去することができる。
【0042】4)請求項4記載の処理方法によれば、回
転保持手段にて保持される被処理体の裏面と、この被処
理体の裏面と対向する上記回転保持手段側面との間に、
処理 液以外の液体で液膜を形成した状態で、上記被処理
体を回転させながら被処理体に処理液を供給することに
より、被処理体の裏面と回転保持手段側面との間に液盛
りを形成することができ、この液盛りと被処理体の裏面
とが接触して周方向に連続する液膜を確実に形成するこ
とができる。
【0043】5)請求項5記載の処理方法によれば、液
膜を形成する際、被処理体を回転させることにより、上
記4)に加えて更に確実に液膜を形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の処理装置の第一実施例の概略断面図
である。
【図2】第一実施例の処理装置の使用状態を示す要部断
面図である。
【図3】第一実施例の処理装置の液膜形成状態を示す説
明図である。
【図4】第一実施例における液溜部の第1変形例を示す
断面図である。
【図5】図4に示す液溜部の斜視図である。
【図6】第一実施例における液溜部の第2変形例を示す
断面図である。
【図7】図6に示す液溜部の斜視図である。
【図8】第一実施例における液溜部の第3変形例を示す
断面図である。
【図9】図8に示す液溜部の斜視図である。
【図10】この発明の処理装置の第二実施例を示す要部
断面図である。
【図11】第二実施例の使用状態を示す要部断面図であ
る。
【図12】第二実施例における筒状壁を示す断面斜視図
である。
【図13】この発明の処理装置の第三実施例を示す要部
断面図である。
【図14】第三実施例の使用状態を示す要部断面図であ
る。
【図15】第三実施例における洗浄状態を示す要部断面
図である。
【図16】第三実施例の原理構造を示す説明図である。
【図17】この発明の処理装置を適用するレジスト塗布
・現像装置の概略平面図である。
【図18】従来の処理装置の概略断面図である。
【図19】従来の処理装置の液膜形成状態を示す説明図
である。
【符号の説明】
2 スピンチャック(回転保持手段) 4 筒状壁 9 リンス液噴射ノズル(洗浄液噴射ノズル) 10 段差部(液溜部) 11 液膜 13 波形状部(液溜部) 14 樋状凹所(液溜部) 15 凹部(液溜部) 17 周溝 18 通路 20 リンス液供給源(液体供給手段) 21 分岐路 W 半導体ウエハ(被処理体) L 現像液(処理液) R リンス液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転保持手段にて保持される被処理体を
    回転させながら、処理液を供給して被処理体の表面を処
    理する処理装置において、 上記被処理体の裏面側の周縁部近傍に筒状壁を周設し、 上記筒状壁の被処理体と対向する面に液溜凹部を形成し
    てなることを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 回転保持手段にて保持される被処理体を
    回転させながら、処理液を供給して被処理体の表面を処
    理する処理装置において、 上記被処理体の裏面側の周縁部近傍に筒状壁を周設し、 上記筒状壁の被処理体と対向する面に周溝を形成すると
    共に、この周溝に液体供給手段を接続してなることを特
    徴とする処理装置。
  3. 【請求項3】 周溝と液体供給手段とを連通する通路か
    ら分岐される分岐路に洗浄液噴射ノズルを接続してなる
    ことを特徴とする請求項2記載の処理装置。
  4. 【請求項4】 回転保持手段にて保持される被処理体の
    裏面と、この被処理体の裏面と対向する上記回転保持手
    段側面との間に、処理液以外の液体で液膜を形成する工
    程と、 上記被処理体を回転させながら被処理体に処理液を供給
    する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。
  5. 【請求項5】 液膜を形成する際、被処理体を回転させ
    ることを特徴とする請求項4記載の処理方法。
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