TWI801930B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI801930B
TWI801930B TW110125478A TW110125478A TWI801930B TW I801930 B TWI801930 B TW I801930B TW 110125478 A TW110125478 A TW 110125478A TW 110125478 A TW110125478 A TW 110125478A TW I801930 B TWI801930 B TW I801930B
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Abstract

本發明提供一種在清洗製程中抑制微粒附著於基板表面之基板處理裝置，係包括：用以支撐基板並可旋轉的支撐單元；對基板的第一區域噴灑第一洗滌溶液的第一噴嘴；以及對基板的第二區域噴灑第二洗滌溶液的第二噴嘴；藉此，於第一期間使該基板之第一區域及第二區域被第一洗滌溶液濕潤，惟該基板之部分區域，則不會被該第一洗滌溶液濕潤；並於接續第一期間的第二期間內，該基板之整個頂面被該第一洗滌溶液及該第二洗滌溶液濕潤。

Description

基板處理裝置
本發明涉及一種基板處理裝置，尤指在清洗製程中抑制微粒附著於基板表面的一種基板處理裝置。
於製造半導體裝置或顯示裝置的過程中，經常實施例如包括微影、蝕刻、灰化、離子注入、薄膜沉積等各項製程。在各製程中會使用各種處理劑，而且製程中可能產生污染物及微粒。為解決此一問題，於各製程前、後，執行用以清洗污染物及微粒的清洗製程。
進行清洗製程時，一邊帶動基板旋轉，一邊對基板表面噴灑洗滌溶液。此時，由於距離基板中心較遠區域(例如邊緣區域)之旋轉力較為強勁，導致洗滌溶液厚度可能會變薄；而洗滌溶液厚度變薄的區域，其表面則容易附著污染物及微粒，為現有技術之問題所在。
為解決前述現有技術之問題，本發明提供在清洗製程中抑制微粒附著於基板表面的一種基板處理裝置。
本發明欲解決之問題，並不受限於上述之問題，且未提及或其他欲解決之問題，為該發明所屬領域中具有通常知識者依下述內容所能輕易理解者。
為達成上述目的，本發明提供一種基板處理裝置，在一實施態樣中，所述基板處理裝置包括：支撐單元、第一噴嘴以及第二噴嘴。其中，支撐單元用以支撐基板，且支撐單元是可旋轉的。第一噴嘴對基板的第一區域噴灑第一洗滌溶液。第二噴嘴對基板的第二區域噴灑第二洗滌溶液，且第二區域與第一區域不同。其中，於第一期間，第一噴嘴對第一區域噴灑第一洗滌溶液，使基板的第一區域以及第二區域均被第一洗滌溶液濕潤，且基板的部分區域不被第一洗滌溶液濕潤。其中，於接續第一期間的第二期間，第一噴嘴對第一區域噴灑第一洗滌溶液，且第二噴嘴對第二區域噴灑第二洗滌溶液，使基板的整個頂面被第一洗滌溶液及第二洗滌溶液濕潤。
又，為達成上述目的，在另一實施態樣中，所述基板處理裝置包括：支撐單元、第一噴嘴以及第二噴嘴。其中，支撐單元用以支撐基板，且支撐單元是可旋轉的。第一噴嘴對基板的中心區域噴灑第一濕潤劑。第二噴嘴對基板的中間區域噴灑第二濕潤劑。其中，在支撐單元上置放基板之後，於使基板被旋轉至目標速度的加速期間，第一噴嘴對基板的中心區域噴灑第一洗滌溶液，使基板的中心區域以及中間區域被第一洗滌溶液濕潤，且基板的邊緣區域不會被第一洗滌溶液濕潤。其中，於接續加速期間的定速期間，第一噴嘴對基板的中心區域噴灑第一洗滌溶液，且第二噴嘴對基板的中間區域噴灑第二洗滌溶液。
又，為達成上述目的，在又另一實施態樣中，所述基板處理裝置包括：支撐單元、第一移動噴嘴、第二移動噴嘴、第一固定噴嘴以及第二固定噴嘴。其中，支撐單元用以支撐基板，且支撐單元是可旋轉的。第一移動噴嘴於第一等待位置待命，或往第一供應位置移動以對基板噴灑第一化學溶液。第二移動噴嘴於第二等待位置待命，或往第二供應位置移動以對基板噴灑第二化學溶液。第一固定噴嘴對基板的第一區域噴灑第一洗滌溶液。第二固定噴嘴對基板的第二區域噴灑第二洗滌溶液，且第二區域與第一區域不同。其中，於第一移動噴嘴自第一供應位置噴灑第一化學溶液之後返回第一等待位置的期間，首先第一固定噴嘴噴灑第一洗滌溶液，且相隔一段時間之後，第二固定噴嘴噴灑第二洗滌溶液。
其他實施例之具體事項，則包括於本發明之詳細說明及各圖式。
110:支撐單元
112:支撐梢
114:夾頭梢
120:第一噴嘴
122:第一儲存部
124:第一閥
130:第二噴嘴
132:第二儲存部
134:第二閥
140:第三噴嘴
142:第三儲存部
144:第三閥
150:第一移動噴嘴
152、162:儲存部
154、164:閥門
160:第二移動噴嘴
W:基板
P1:第一區域
P2:第二區域
1000:索引模組
1100:載入埠
1200:傳送架
2000:製程模組
2100:緩衝腔室
2200:傳送腔室
2300:製程腔室
PC1~PC4:製程腔室
DIW1:第一洗滌溶液
DIW2:第二洗滌溶液
RPM1:目標轉速
RPM2:甩乾速度
S10~S30:步驟
S40~S90:步驟
V1:第一方向
V2:第二方向
圖1係用以說明本發明部分實施例之基板處理裝置之平面圖；圖2係用以說明圖1之製程腔室一較佳實施例之概念圖；圖3係用以說明本發明第一實施例之基板處理方法之流程圖；圖4至圖7係用以說明圖3之基板處理方法之中間階段圖；圖8係用以說明本發明第二實施例之基板處理方法之示意圖； 圖9係用以說明本發明第三實施例之基板處理方法之示意圖；圖10係用以說明圖1之製程腔室另一實施例之概念圖；圖11係用以說明本發明第四實施例之基板處理方法之流程圖；圖12至圖14係用以說明圖11之基板處理方法之中間階段圖。
以下藉由本發明之較佳實施例配合所附圖式詳加說明。為使貴審查委員方便了解本發明之優點、特徵及其所能達成之功效，茲配合所附圖式列舉具體實施例，詳細說明如下。然而，本發明並不受限於下列實施例，可藉由彼此不同的多元型態具體實現，而本發明所提供之各實施例，僅為完整地揭露本發明，並向本發明所屬技術領域中具有通常知識者完整地告知本發明之範疇，而其保護範圍，僅限於後附之申請專利範圍所界定者。此外，本發明中所標記之相同的符號，係指相同的構件。
當本發明中指出某元件(elements)或層位於另一元件或層之「上(on)」或「上方(on)」時，其係代表且包含其他層或其他元件介於其間；反之，當某元件被描述為「直接(directly)」位於「上(on)」或「正上方」時，則係代表不會有其他元件或層介於其間。
此外，在以下敘述中可使用空間相對詞彙，例如「下(below)」、「下(beneath)」、「底部(lower)」、「上(above)」、 「上部(upper)」等相似詞彙，為描述容易在此可使用以描述如圖式中所示之一(些)元件或構件與另一(些)元件或構件之關係。此空間相對詞彙除了包含圖式所繪示之方位以外，還包含使用或操作中的裝置之不同方位。舉例而言，如果圖式中的裝置翻轉，描述為在其他元件之「下(below)」或「下(beneath)」的元件，則將定向為其他元件之「上(above)」。因此，例示性用語「下(below)」可涵蓋上方(above)與下方(below)。元件可轉向其他方位，而在此使用的空間相關詞彙則作相對應的解釋。
雖然在此可能使用第一、第二等描述各種元件、構件及/或部分，然而，該些元件、構件及/或部分不應被該些用語所限制。該些用語僅用以區別一元件、構件或部分與另一元件、構件或部分。因此，以下所述之第一元件、第一構件或第一部分在本發明之技術思想內，亦可為第二元件、第二構件或第二部分。
本發明所用名詞係僅為描述特定例示性實施例之目的，而不視為對本發明之限制。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則亦包含複數型式。本發明所使用之用語「包括(comprises)及/或(comprising)」，係指明所述構件、步驟、操作及/或元件之存在，而非排除一或多個其他構件、步驟、操作及/或元件之存在或增添。
除非另有界定，否則本發明所使用之所有用語(包含技術用語與科學用語)，均具有本發明所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解之相同意義。再者，通常使用之字典用語，除非有明白地定義，否則將不作理想化或過度正式性的解釋。
以下藉由本發明之具體實施例配合所附圖式詳加說明；其中，無關乎圖式符號，相同或相對的構件，賦予相同的符號，且不再重複贅述。
以下藉由本發明之較佳實施例配合所附圖式詳加說明。為使貴審查委員方便了解本發明之優點、特徵及其所能達成之功效，茲配合所附圖式列舉具體實施例，詳細說明如下。然而，本發明並不受限於下列實施例，可藉由彼此不同的多元型態具體實現，而本發明所提供之各實施例，僅為完整地揭露本發明，並向本發明所屬技術領域中具有通常知識者完整地告知本發明之範疇，而其保護範圍，僅限於後附之申請專利範圍所界定者。此外，本發明中所標記之相同的符號，係指相同的構件。
當本發明中指出某元件(elements)或層位於另一元件或層之「上(on)」或「上方(on)」時，其係代表且包括其他層或其他元件介於其間；反之，當某元件被描述為「直接(directly)」位於「上(on)」或「正上方」時，則係代表不會有其他元件或層介於其間。
此外，在以下敘述中可使用空間相對詞彙，例如「下(below)」、「下(beneath)」、「底部(lower)」、「上(above)」、「上部(upper)」等相似詞彙，為描述容易在此可使用以描述如圖式中所示之一(些)元件或構件與另一(些)元件或構件之關係。此空間相對詞彙除了包括圖式所繪示之方位以外，還包括使用或操作中的裝置之不同方位。舉例而言，如果圖式中的裝置翻轉，描述為在其他元件之「下(below)」或「下(beneath)」的元件，則將定向為其他元件之「上(above)」。因此，例示性用語「下(below)」可涵蓋上方(above)與下方(below)。元件可轉向其他方位，而在此使用的空間相關詞彙則作相對應的解釋。
雖然在此可能使用第一、第二等描述各種元件、構件及/或部分，然而，該些元件、構件及/或部分不應被該些用語所限制。該些用語僅用以區別一元件、構件或部分與另一元件、構件或部分。因此，以下所述之第一元件、第一構件或第一部分在本發明之技術思想內，亦可為第二元件、第二構件或第二部分。
本發明所用名詞係僅為描述特定例示性實施例之目的，而不視為對本發明之限制。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則亦包括複數型式。本發明所使用之用語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」，係指明所述構件、步驟、操作及/或元件之存在，而非排除一或多個其他構件、步驟、操作及/或元件之存在或增添。
除非另有界定，否則本發明所使用之所有用語(包括技術用語與科學用語)，均具有本發明所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解之相同意義。再者，通常使用之字典用語，除非有明白地定義，否則將不作理想化或過度正式性的解釋。
以下藉由本發明之具體實施例配合所附圖式詳加說明；其中，無關乎圖式符號，相同或相對的構件，賦予相同的符號，且不再重複贅述。
圖1係用以說明本發明部分實施例之基板處理裝置之平面圖。
請參閱圖1所示，本發明部分實施例之基板處理裝置，係包括索引模組(index module)1000與製程模組(process module)2000。
索引模組1000接收來自外部之基板W，並將基板W傳遞至製程模組2000，索引模組1000並可為設備前端模組(EFEM： equipment front end module)且包括載入埠(load port)1100與傳送架(transfer frame)1200。
載入埠1100係供置放用以容置該基板W之容器C，容器C可使用前開式晶圓傳送盒(FOUP：front opening unified pod)，容器C並可藉由空中走行式無人搬運車(OHT：overhead transfer)由外部移入該載入埠1100，或由該載入埠1100向外移出。
傳送架1200係將基板W傳送至置放於載入埠1100之容器C與製程模組2000之間，傳送架1200並可包括索引機器人(index robot)，係於索引軌道(index rail)上作移動。
製程模組2000，係包括：緩衝腔室(buffer chamber)2100；傳送腔室(transfer chamber)2200；及若干製程腔室2300。
緩衝腔室2100提供可供返回之基板W暫時停留的空間，係介於索引模組1000與製程模組2000之間，緩衝腔室2100並可形成有若干緩衝槽(buffer slot)。舉例而言，傳送架1200之索引機器人可從容器C中取出基板W置於緩衝槽內。
傳送腔室2200之傳送機器人可取出置放於緩衝槽之基板W，並將其傳送至該些製程腔室2300中既定的製程腔室(例如PC1)；又，傳送腔室2200之傳送機器人可由該些製程腔室2300其中之一製程腔室(例如PC1)返回另一製程腔室(例如PC2)。
該些製程腔室2300係呈一字排列，但可配置成上下重疊或該些組合型態。如圖所示，部分製程腔室(PC1、PC2)與另一部分製程腔室(PC3、PC4)可配置於傳送腔室2200之兩側。該些製程腔室2300 之配置，並不受限於前述實施例，可考量基板處理裝置之足跡(footprint)或製程效率而進行變更。
圖2係用以說明圖1之製程腔室一較佳實施例之概念圖。
請參閱圖2所示，製程腔室(例如PC1)之內部係供配置用以支撐基板W之支撐單元110，支撐單元110可使基板W作既定速度(指既定轉述)旋轉，支撐單元110並設有由頂面凸出而支撐基板W之支撐梢(support pin)112等。又，支撐單元110之頂面邊緣設有夾頭梢(chuck pin)114，夾頭梢114係於支撐單元110旋轉時，支撐基板W之邊緣，以防止基板W往側向脫離。
支撐單元110之周圍，係包括第一噴嘴120(或可稱之為第一固定噴嘴)與第二噴嘴130(或可稱之為第二固定噴嘴)。第一噴嘴120係對基板W之第一區域P1噴灑第一洗滌溶液，第二噴嘴130則係對與基板W之第一區域P1不同的第二區域P2噴灑第二洗滌溶液。如圖所示，第一區域P1可包括基板W之中心；或者，第一區域P1可位於比二區域P2更接近基板W之中心的位置。換言之，第二區域P2可位於比第一區域P1更接近基板W之邊緣區域的位置。
第一洗滌溶液與第二洗滌溶液可為純水(pure water)或去離子水(DI water、DIW)，但本發明不受限於此。
第一噴嘴120係與第一儲存部122作流體性連接，且第一噴嘴120與第一儲存部122之間設有第一閥124，係可藉由控制部(圖中未示)控制其開啟/關閉。第二噴嘴130係與第二儲存部132作流體性連 接，且第二噴嘴130與第二儲存部132之間設有第二閥134，係可藉由控制部(圖中未示)控制其開啟/關閉。
第一噴嘴120及第二噴嘴130，係可固定設置者。
尤其，第一噴嘴120及第二噴嘴130可於支撐單元110之中心區域偏向側邊配置。換言之，藉此避免與設於支撐單元110之基板W之中心(例如請參見P1)往水平方向及垂直方向重疊。
又，在清洗製程中一邊帶動基板W旋轉，一邊對基板W噴灑洗滌溶液時，由於距離基板W之中心較遠區域的旋轉力較為強勁，導致洗滌溶液厚度可能會變薄。因此，本發明部分實施例之基板處理裝置，係由第一噴嘴120對基板W之第一區域P1(即中心區域)噴灑第一洗滌溶液，並由第二噴嘴130對基板W之第二區域P2(即中間位置)噴灑第二洗滌溶液，從而能防止洗滌溶液厚度在距離基板W之中心較遠區域變薄的情形發生。有關第一洗滌溶液及第二洗滌溶液之噴灑方法，其具體內容則利用圖3至圖9加以說明。
支撐單元110設有第三噴嘴(140)，係對基板W之背面噴灑純水及/或氮氣等流體，且第三噴嘴140可配置於支撐單元110之中心區域(例如P1區域之相對位置)。又，第三噴嘴140係與例如用以儲存純水之第三儲存部142作流體性連接，且第三噴嘴140與第三儲存部142之間設有第三閥144，係可藉由控制部(圖中未示)控制其開啟/關閉。
以下配合圖3至圖7說明本發明第一實施例之基板處理方法。圖3係用以說明本發明第一實施例之基板處理方法之流程圖；圖4至圖7係用以說明圖3之基板處理方法之中間階段圖。
請參閱圖3及圖4，如步驟S10所示，一邊帶動基板W旋轉，一邊於第一期間噴灑第一洗滌溶液。
具體而言，第一噴嘴120係對基板W之第一區域P1噴灑第一洗滌溶液，第一區域P1可包括基板W之中心區域；或者，可比後述之第二區域P2更接近基板W之中心區域。由於基板W正處於旋轉狀態，因此被噴灑於第一區域P1之第一洗滌溶液，便會隨之逐漸往基板W之邊緣方向擴散開來。此時，第一洗滌溶液不僅會擴散至基板W之中心區域，還會擴散至中間(middle)區域。尤其，於第一期間內，並不會散至基板W之部分區域(例如基板W之邊緣區域)。
第二噴嘴130於第一期間係不會對基板W噴灑第二洗滌溶液。
第一噴嘴120於第一期間內之噴灑量可為例如1.2 l/min，但不受限於此。
接著，請參閱圖3、圖5及圖6，如步驟S20所示，一邊帶動基板W旋轉，一邊於第二期間內，由第一噴嘴120對第一區域P1噴灑第一洗滌溶液，並由第二噴嘴130對第二區域P2噴散第二洗滌溶液。
具體而言，第一噴嘴120係於第一期間及第二期間內連續地噴灑第一洗滌溶液。反之，第二噴嘴130係相隔一段時間(即於第一期間內不會噴灑第二洗滌溶液)之後，才會開始噴灑第二洗滌溶液，藉以於第二期間噴灑第二洗滌溶液。
圖5係第二期間之起始點(即由第二噴嘴130開始噴灑第二洗滌溶液之時間點)之狀態示意圖；圖6係第二期間之終了點之狀態示意圖。
尤其，如圖5所示，第二噴嘴130開始噴灑第二洗滌溶液之時間點(即第二期間之起始點)，係第一洗滌溶液已經擴散至第二洗滌溶液被噴灑的位置(即P2)，且第一洗滌溶液尚未擴散至整個基板W之時，即藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜尚未形成於整個基板W之前，抑或藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜已形成至基板W之中心區域及中間區域，但尚未形成於基板W之邊緣區域之時。
有別於本發明之部分實施例，藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜尚未形成之前，由第一噴嘴120與第二噴嘴130同時噴灑第一洗滌溶液與第二洗滌溶液時，第一洗滌溶液與第二洗滌溶液兩者相交會的區域，可能發生異常流量(flow)，進而發生特殊圖(special map/unique map)。
又，藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜尚未形成之前，由第一噴嘴120與第二噴嘴130同時噴灑第一洗滌溶液與第二洗滌溶液時，第二洗滌溶液所觸及的區域及其周圍，可能發生缺陷(defect)。其原因在於，第一洗滌溶液係被噴灑於基板W之中心區域，但第二洗滌溶液則係被噴灑於基板W之中間區域，此時，由於與基板W之中心隔開區域(即中間區域)的旋轉力較為強勁，導致第二洗滌溶液所觸及的區域及其周圍，可能產生微粒所致。
因此，根據本發明部分實施例之基板處理方法，如圖5所示，當第二噴嘴130開始噴灑第二洗滌溶液時，第二洗滌溶液所觸及的區域(請 參見P2)形成有藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜。當已形成藉由第一洗滌溶液所產生之一層液膜時，即使對第二區域P2噴灑第二洗滌溶液，仍能防止前述問題的發生。
另外，藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜尚未形成於整個基板W之前，可藉由噴灑第二洗滌溶液縮短清洗製程時間。又，藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜已形成於整個基板W之後，噴灑第二洗滌溶液時，可能使第二洗滌溶液形成水球(water bomb)。
因此，根據本發明部分實施例之基板處理方法，第二噴嘴130開始噴灑第二洗滌溶液之時間點(即第二期間之起始點)，係第一洗滌溶液已經擴算至第二洗滌溶液被噴灑的位置(即P2)，且第一洗滌溶液尚未擴散於整個基板W之時。
另外，第一噴嘴120於第二期間之噴灑量可為大於第二噴嘴130之噴灑量。舉例而言，第一噴嘴120之噴灑量可為1.2 l/min，第二噴嘴130之噴灑量則可為1 l/min，但本發明不受限於此。
請參閱圖3及圖7，如步驟S30所示，停止噴灑第一洗滌溶液及第二洗滌溶液，並加快基板之轉速，進而執行甩乾動作(即高速甩乾)。
總而言之，本發明係可使用對基板之中心區域P1噴灑第一洗滌溶液之第一噴嘴120，與對基板之中間區域P2噴灑第二洗滌溶液之第二噴嘴130，藉以維持洗滌溶液之液膜在整個基板W上的厚度。又，可藉由相隔一段時段之後，分別噴灑第一洗滌溶液與第二洗滌溶液的方法，對距離基板中心較遠的區域(請參見P2)噴法第二洗滌溶液，從而解決可 能發生的諸多問題。又，藉由第一洗滌溶液所產生的一層液膜尚未形成於整個基板W之前，噴灑第二洗滌溶液，從而能縮短清洗製程時間。
圖8係用以說明本發明第二實施例之基板處理方法之示意圖。
請參閱圖8所示，首先，將基板W置放於支撐單元(請參見圖2之110)上。
期間(0~t1)係加速區間，用以使支撐單元110開始作旋轉，直至達到目標速度PPM1為止，目標速度RPM1可為例如約500rpm。
於加速區間內，第一噴嘴(請參見圖2之120)係對第一區域(即中心區域)噴灑第一洗滌溶液DIW1，藉以開始形成藉由第一洗滌溶液DIW1所產生的一層液膜。於加速區間內，液膜並不會形成至基板W之部分區域(即邊緣區域)。
另外，於加速區間內，轉速係低於目標速度RPM1。由於對作相對低速旋轉的基板W噴法第一洗滌溶液DIW1，因此能將噴灑第一洗滌溶液DIW1時所能引發的問題(例如微粒的形成等)降到最低程度。
期間(t1~t2)係定速區間，用以使第一單元110作定速旋轉。
於定速區間內，第一噴嘴120係噴灑第一洗滌溶液DIW1，第二噴嘴(請參見圖2之130)則係噴灑第二洗滌溶液DIW2。此時，第一噴嘴係對第一區域(即中心區域)噴灑第一洗滌溶液DIW1，第二噴嘴130則係對第二區域(即中間區域)噴灑第二洗滌溶液DIW2。如前所述， 當第二噴嘴130噴灑第二洗滌溶液DIW2時，基板W之邊緣區域並不會形成藉由第一洗滌溶液DIW1所產生的一層液膜。
期間(t2~t3)係進行高速甩乾的區間。進入高速甩乾之前，停止噴灑第一洗滌溶液及第二洗滌溶液，並將支撐單元110之轉速調高，使支撐單元單元110之轉速達到甩乾速度RPM2。甩乾速度RPM2可為例如約1500rpm。
期間(t2~t3)之後，清洗動作便會結束。
另外，雖未圖示，但於加速期間(0~t1)加快轉速時，可使第一洗滌溶液DIW1快速地擴算至基板W之邊緣區域。此一情形，時間t1之前，便能開始噴灑第二洗滌溶液DIW2。
即，加速區間(0~t1)係包括前區間與後區間。於加速區間(0~t1)之前區間，係由第一噴嘴120對基板W之中心區域噴灑第一洗滌溶液，第二噴嘴130則不會噴灑第二洗滌溶液；於加速區間(0~t1)之後區間，係由第一噴嘴120對基板W之中心區域噴灑第一洗滌溶液，並可由第二噴嘴130對基板W之中間區域噴灑第二洗滌溶液。
圖9係用以說明本發明第三實施例之基板處理方法之示意圖。基於方便說明，以下主要說明與圖8不同之處。
請參見圖9，首先，將基板W置放於支撐單元110上。
於期間(0~t11)內將支撐單元110之轉速調高，使其達到目標轉速RPM1，且期間(0~t11)係對基板W噴灑第一洗滌溶液DIW1。
於期間(t11~t2)內使支撐單元110旋轉至目標速度RPM1。
在此，當期間(0~t11)之加速緩慢進行時，即使支撐單元110之轉速已達到目標速度RPM1，但藉由第一洗滌溶液DIW1所產生的液膜仍有可能不會形成至第二區域(即中間區域)。
此一情形，靜待至藉由第二洗滌溶液DIW1所產生的一層液膜形成至第二區域(即中間區域)之後，才會開始噴灑第二洗滌溶液DIW2。如圖9所示，可不必在時間t11開始噴灑第二洗滌溶液DIW2，而是延遲一段時間之後，再開始噴灑第二洗滌溶液DIW2。
於期間(t2~t3)內將支撐單元110之轉速維持在甩乾速度RPM1，藉以對基板W進行甩乾的動作。
圖10係用以說明圖1之製程腔室另一實施例之概念圖。基於方便說明，以下主要說明與圖2不同之處。
請參見圖10，製程腔室(例如PC1)之內部配置有一支撐單元110，係用以支撐基板W，支撐單元110可藉由既定速度(即既定轉速)使基板W旋轉。
支撐單元110，其周圍包括第一噴嘴120與第二噴嘴130，且第一噴嘴120及第二噴嘴130係可固定設定者。又，第一噴嘴120及第二噴嘴130可由中心區域(請參見P1)偏向側邊配置。換言之，藉此避免與設於支撐單元110之基板W之中心(P1)往水平方向及垂直方向重疊。
又，支撐單元110，其上面可供置放第一移動噴嘴150與第二移動噴嘴160。
第一移動噴嘴150係於第一等待位置待命，並往第一供應位置移位，藉以對基板W之上面噴灑第一藥劑，第一移動噴嘴150並與一用以儲存第一藥劑(例如HF)之儲存部152作流體性連接，且第一移動噴嘴150與儲存部152之間設有一閥門154，係可藉由控制部(未圖示)控制其開啟/關閉。
第二移動噴嘴160係於第二等待位置待命，並往第二供應位置移位，藉以對基板W之上面噴灑第二藥劑，第二移動噴嘴160並與一用以儲存第二藥劑(例如SC1)之儲存部162作流體性連接，且第二移動噴嘴160與儲存部162之間設有一閥門164，係可藉由控制部(未圖示)控制其開啟/關閉。
對基板W噴灑第一藥劑及第二藥劑之前，可先對基板W噴灑第一洗滌溶液及第二洗滌溶液，即預濕潤(pre-wetting)。又，噴灑第一藥劑後噴灑二藥劑之前，可先對基本W噴灑第一洗滌溶液及第二洗滌溶液。具體的清洗方法，則請參閱後述有關圖11至圖14之說明。
圖11係用以說明本發明第四實施例之基板處理方法之流程圖；圖12至圖14係用以說明圖11之基板處理方法之中間階段圖。
首先，請參閱圖11，如步驟S40所示，噴灑洗滌溶液(預濕潤)。此時，第一噴嘴120及第二噴嘴130之間會相隔一段時間之後，分別噴灑第一洗滌溶液及第二洗滌溶液。
接著，請參見圖11圖12，如步驟S50所示，由第一移動噴嘴150對基板W噴灑第一藥劑(例如HF)。此時，第一移動噴嘴150係於第一供應位置(例如基板W中心區域之上面)噴灑第一藥劑。
接著，請參閱圖11及圖13，如步驟S60所示，噴灑洗滌溶液。
具體而言，當第一噴嘴150由第一供應位置移往第一等待位置(請參見圖式符號之第一方向V1)時，同一時間第二噴嘴160則由第二等待位置移往第一供應位置(請參見圖式符號之第二方向V2)。第一供應位置與第二位職可為實質相同，但不受限於此。
基板W可在第一移動噴嘴150及第二移動噴嘴160移動時間內完成甩乾作業。當基板W完成甩乾作業時，容易發生微粒等所引起的缺陷(defect)。因此，於第一移動噴嘴150及第二移動噴嘴160之移動時間內，由第一噴嘴120及第二噴嘴130之間會相隔一段時間之後，分別噴灑第一洗滌溶液及第二洗滌溶液，進而以第一洗滌溶液DIW1及第二洗滌溶液DIW2使基板W維持濕潤(wet)狀態。
如前所述，第一噴嘴120及第二噴嘴130係由支撐單元110之中心區域偏向側邊配置，其原因在於：於第一移動噴嘴150及/或第二移動噴嘴160移動期間，須由第一噴嘴120及第二噴嘴130噴灑第一洗滌溶液DIW1及第二洗滌溶液DIW2，因此第一噴嘴120及第二噴嘴130必須位於第一移動噴嘴150及第二移動噴嘴160之移動路徑不受阻礙的位置所致。
接著，請參閱第11及圖14，如步驟S70所示，由第二移動噴嘴160對基板W噴灑第二藥劑(例如SC1)。此時，第二移動噴嘴160係於第二供應位置(例如基板W中心區域之上面)噴灑第二藥劑。
接著，請參閱圖11，如步驟S80所示，噴灑洗滌溶液。此時，由第一噴嘴120及第二噴嘴130之間會相隔一段時間之後，分別噴灑第一洗滌溶液DIW1及第二洗滌溶液DIW2。
接著，請參閱圖12，如步驟S90所示，停止噴灑第一洗滌溶液DIW1及第二洗滌溶液DIW2，並調高基板之轉速，進而執行甩乾動作(即高速甩乾)。
以上已將本發明做一詳細說明，惟以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，當不能限定本發明實施之範圍，即本發明所屬技術區域中具有通常知識者依本發明申請專利範圍所為之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍。
110:支撐單元
112:支撐梢
114:夾頭梢
120:第一噴嘴
122:第一儲存部
124:第一閥
130:第二噴嘴
132:第二儲存部
134:第二閥
140:第三噴嘴
142:第三儲存部
144:第三閥
W:基板
P1:第一區域
P2:第二區域

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，包括：一支撐單元，用以支撐基板，且該支撐單元是可旋轉的；一第一噴嘴，對該基板的一第一區域噴灑一第一洗滌溶液；以及一第二噴嘴，對該基板的一第二區域噴灑一第二洗滌溶液，且該第二區域與該第一區域不同；其中，於一第一期間，該第一噴嘴對該第一區域噴灑該第一洗滌溶液，使該基板的該第一區域以及該第二區域均被該第一洗滌溶液濕潤，且該基板的部分區域不被該第一洗滌溶液濕潤；其中，於接續該第一期間的一第二期間，該第一噴嘴對該第一區域噴灑該第一洗滌溶液，且該第二噴嘴對該第二區域噴灑該第二洗滌溶液，使該基板的整個頂面被該第一洗滌溶液及該第二洗滌溶液濕潤；其中，該第一噴嘴及該第二噴嘴被固設，且在一水平方向以及一垂直方向上，該第一噴嘴及該第二噴嘴均不與該基板的一中心區域重疊。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該第二區域比該第一區域更接近該基板的一邊緣區域。
  3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中，該基板的某些區域不被該第一洗滌溶液濕潤，且該某些區域包括該邊緣區域。
  4. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該第一期間包括該基板的轉速增加的期間。
  5. 如請求項1或4所述的基板處理裝置，其中，該第二期間包括該基板的轉速呈一定速的期間。
  6. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中，在該第二期間，該第一噴嘴的一噴灑量大於該第二噴嘴的一噴灑量。
  7. 一種基板處理裝置，包括：一支撐單元，用以支撐基板，且該支撐單元是可旋轉的；一第一噴嘴，對該基板的一中心區域噴灑一第一濕潤劑；以及一第二噴嘴，對該基板的一中間區域噴灑一第二濕潤劑；其中，在該支撐單元上置放該基板之後，於使該基板被旋轉至一目標速度的一加速期間，該第一噴嘴對該基板的該中心區域噴灑該第一洗滌溶液，使該基板的該中心區域以及該中間區域被該第一洗滌溶液濕潤，且該基板的一邊緣區域不會被該第一洗滌溶液濕潤；其中，於接續該加速期間的一定速期間，該第一噴嘴對該基板的該中心區域噴灑該第一洗滌溶液，且該第二噴嘴對該基板的該中間區域噴灑該第二洗滌溶液。
  8. 如請求項7所述的基板處理裝置，其中，於該加速期間的一前期間，該第一噴嘴對該基板的中心區域噴灑該第一洗滌溶液，且該第二噴嘴不對該基板的中心區域噴灑該第二洗滌溶液；於該加速期間的一後期間，該第一噴嘴對該基板的中心區域噴灑該第一洗滌溶液，且該第二噴嘴對該基板之中間區域噴灑該第二洗滌溶液。
  9. 如請求項7所述的基板處理裝置，其中，該第一噴嘴及該第二噴嘴被固設，且在一水平方向以及一垂直方向上，該第一噴嘴及該第二噴嘴均不與該基板的一中心區域重疊。
  10. 如請求項7所述的基板處理裝置，其中，在該定速期間，該第一噴嘴的一噴灑量大於該第二噴嘴的一噴灑量。
  11. 一種基板處理裝置，包括：一支撐單元，用以支撐基板，且該支撐單元是可旋轉的；一第一移動噴嘴，於一第一等待位置待命，或往一第一供應位置移動以對該基板噴灑一第一化學溶液；一第二移動噴嘴，於一第二等待位置待命，或往一第二供應位置移動以對該基板噴灑一第二化學溶液；一第一固定噴嘴，對該基板的一第一區域噴灑一第一洗滌溶液；以及一第二固定噴嘴，對該基板的一第二區域噴灑一第二洗滌溶液，且該第二區域與該第一區域不同；其中，於該第一移動噴嘴自該第一供應位置噴灑該第一化學溶液之後返回該第一等待位置的期間，首先該第一固定噴嘴噴灑該第一洗滌溶液，且相隔一段時間之後，該第二固定噴嘴噴灑該第二洗滌溶液。
  12. 如請求項11所述的基板處理裝置，其中，於該第二移動噴嘴自該第二等待位置往該第二供應位置移動的期間，首先該第一 固定噴嘴噴灑該第一洗滌溶液，且相隔一段時間之後，該第二固定噴嘴噴灑該第二洗滌溶液。
  13. 如請求項12所述的基板處理裝置，其中，該第一移動噴嘴返回第一等待位置以及該第二移動噴嘴返回該第二供應位置係同步進行。
  14. 如請求項11所述的基板處理裝置，其中，該第二區域比該第一區域更接近該基板的一邊緣區域。
  15. 如請求項11所述的基板處理裝置，其中，該第一噴嘴及該第二噴嘴被固設，且在一水平方向以及一垂直方向上，該第一噴嘴及該第二噴嘴均不與該基板的一中心區域重疊。
  16. 如請求項11所述的基板處理裝置，其中，在該支撐單元上置放該基板之後，於使該基板被旋轉至一目標速度的一加速期間，該第一固定噴嘴對該基板噴灑該第一洗滌溶液，且該第二固定噴嘴不噴灑該第二洗滌溶液。
  17. 如請求項16所述的基板處理裝置，其中，於接續該加速期間的該定速期間，該第一固定噴嘴噴灑該第一洗滌溶液，且該第二固定噴嘴噴灑該第二洗滌溶液。
  18. 如請求項17所述的基板處理裝置，其中，於該定速期間，該第一固定噴嘴的一噴灑量大於該第二固定噴嘴的一噴灑量。
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