KR970077252A - 현상처리방법 - Google Patents

현상처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077252A
KR970077252A KR1019970017662A KR19970017662A KR970077252A KR 970077252 A KR970077252 A KR 970077252A KR 1019970017662 A KR1019970017662 A KR 1019970017662A KR 19970017662 A KR19970017662 A KR 19970017662A KR 970077252 A KR970077252 A KR 970077252A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
supplying
nozzle
pure water
developing
liquid
Prior art date
Application number
KR1019970017662A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100340234B1 (ko
Inventor
노리오 셈바
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경엘렉트론 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경엘렉트론 가부시키가이샤 filed Critical 히가시 데쓰로
Publication of KR970077252A publication Critical patent/KR970077252A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100340234B1 publication Critical patent/KR100340234B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
    • G03D5/04—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected using liquid sprays
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 현상처리방법에 관한 것으로, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액이나 레지스트액 등의 처리액을 공급하여 현상처리를 하는 현상처리방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명의 목적은 현상불량을 가능한 한 억제할 수 있는 현상처리방법을 제공하는 것이다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 피처리체에 처리액을 공급하여 현상처리를 하는 현상처리방법으로서, 피처리체 표면상에 순수한 물을 공급하여 상기 피처리체 표면상에 순수한 물의 액막을 형성하는 공정과, 상기 순수한 물의 액막이 형성된 상기 피처리체 표면상에 처리액을 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명은, 현상불량을 가능한 한 억제할 수 있는 현상처리방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명의 현상처리방법은 종래의 방법에서의 경우보다 9할 이상의 개선이 이루어져, 예컨대 반도체 웨이퍼의 표면에 현상액이나 레지스트액등의 처리액을 공급하여 현상처리를 할 수 있다.

Description

현상처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 현상처리방법에 사용되는 도포·현상처리장치를 나타낸 개략도. 제2도는 본 발명의 현상처리방법에 있어서의 현상처리를 설명하기 위한 모식도, 제3도는 본 발명의 현상처리장치에 있어서의 노즐의 구조를 나타낸 단면도.

Claims (22)

  1. 피처리체에 처리액을 공급하여 현상처리를 하는 현상처리방법으로서, 피처리체 표면상에 순수한 물을 공급하여 상기 피처리체 표면상에 순수한 물의 액막을 형성하는 공정과, 상기 순수한 물의 액막이 형성된 상기 피처리체 표면상에 처리액을 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 순수한 물의 액막을 형성한 피처리체를 회전시키는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 처리액은 계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 노즐이, 순수한 물 및/또는 처리액이 토출되는 복수의 토출구멍을 가지며, 그 복수의 토출구멍이 직선상에 배열하고 있는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  5. 피처리체에 처리액을 공급하여 현상처리를 하는 현상처리방법으로서, 피처리체 표면근방에 처리액 및 순수한 물을 공급하는 노즐을 위치하는 공정과, 상기 노즐로부터 상기 피처리체 표면상에 순수한 물을 공급하여 상기 피처리체 표면과 상기 노즐과의 사이를 연결하는 순수한 물의 커튼을 형성하는 공정과, 상기 순수한 물의 커튼이 형성된 후에 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  6. 제5항에 있어서, 그 표면상에 순수한 물의 커튼이 형성된 피처리체를 회전시키는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  7. 제5항에 있어서, 처리액은 계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  8. 제5항에 있어서, 노즐이, 순수한 물 및/또는 처리액이 토출되는 복수의 토출구멍을 가지며, 그 복수의 토출구멍이 직선상에 배열하고 있는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  9. 피처리체에 처리액 및 순수한 물을 공급하는 노즐과, 출발지점으로서의 제1의 위치 및 상기 피처리체에 상기 처리액 및 상기 순수한 물을 공급하기 위한 제2의 위치사이에서 상기 노즐을 이동하는 노즐이동수단과, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단과, 상기 노즐에 상기 순수한 물을 공급하기 위한 순수한 물 공급수단과, 상기 노즐이동수단, 상기 처리액 공급수단 및 상기 순수한 물 공급수단의 동작을 제어하는제어수단을 구비하는 현상처리장치를 사용하고, 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하여 현상처리를 하는 현상처리방법으로서, 상기 제어수단이, 대기모드에서 상기 노즐이동수단에 상기 노즐을 제1의 위치로부터 제2의 위치까지 이동시키는 공정과, 상기 제어수단이 상기 노즐의 제어모드를 대기모드로부터 비대기모드로 변경하는 공정과, 상기 제어수단이, 상기 순수한 물 공급수단에 상기 노즐에 상기 순수한 물을 공급시키고, 상기 노즐로부터 상기 피처리체 표면상에 순수한 물을 공급하여 피처리체 표면상에 순수한 물의 액막을 형성하는 공정과, 상기 제어수단이, 상기 처리액 공급수단에 상기 노즐에 상기 처리액을 공급시키고, 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  10. 제9항에 있어서, 현상처리장치가 피처리체를 회전시키는 회전수단을 더욱 구비하고, 제어수단이, 상기 회전수단에 상기 순수한 물의 상기 액막을 형성한 상기 피처리체를 회전시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  11. 제9항에 있어서, 현상처리장치가, 피처리체를 회전시키는 회전수단과, 상기 피처리체 표면상에 린스액을 공급하는 린스액 공급수단을 더욱 구비하고, 제어수단이, 상기 린스액 공급수단에 처리액이 공급된 상기 피처리체에 상기 린스액을 공급하면서, 상기 회전수단에 상기 피처리체를 회전시킴으로써 상기 처리액을 털어내고, 이어서 린스액을 공급하지 않고 상기 회전수단에 상기 피처리체를 회전시킴으로써 상기 피처리체를 건조시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  12. 제11항에 있어서, 처리액을 털어낼 때의 피처리체의 가속도가 상기 피처리체를 건조시킬 때의 피처리체의 가속도보다도 작은 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  13. 제9항에 있어서, 또한 가스흡인수단을 구비하고, 상기 가스흡인수단에 피처리체의 주위가스를 흡인제거하는 현상처리장치에 있어서, 제어수단이, 처리액이 공급된 상기 피처리체를 소정시간 방치하여 상기 처리액을 상기 피처리체에 적용시키는 동안은, 상기 가스흡인수단에 의한 흡인을 정지시키는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  14. 제9항에 있어서, 처리액은 계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  15. 제9항에 있어서, 노즐이, 순수한 물 및/또는 처리액이 토출되는 복수의 토출구멍을 가지며, 그 복수의 노출구멍이 직선상에 배열하고 있는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  16. 피처리체에 처리액 및 순수한 물을 공급하는 노즐과, 출발지점으로서의 제1의 위치 및 상기 피처리체에 상기 처리액 및 상기 순수한 물을 공급하기 위한 제2의 위치의 사이에서 상기 노즐을 이동하는 노즐이동수단과, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단과, 상기 노즐에 상기 순수한 물을 공급하기 위한 순수한 물 공급수단과, 상기 노즐이동수단, 상기 처리액 공급수단 및 상기 순수한 물 공급수단의 동작을 제어하는 제어수단을 구비하는 현상처리장치를 사용하여, 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하여 현상처리를 하는 현상처리방법으로서, 상기 제어수단이, 대기모드에서 상기 노즐이동수단에 상기 노즐을 제1의 위치로부터 제2의 위치까지 이동시키는 공정과, 상기 제어수단이 상기 노즐의 제어모드를 대기모드로부터 비대기모드로 변경하는 공정과, 상기 제어수단이, 상기 순수한 물 공급수단에 상기 노즐에 상기 순수한 물을 공급시키고, 상기 노즐로부터 상기 피처리체 표면상에 상기 순수한 물을 공급하여 상기 피처리체 표면과 상기 노즐과의 사이를 연결하는 순수한 물의 커튼을 형성하는 공정과, 상기 제어수단이, 상기 처리액 공급수단에 상기 노즐에 상기 처리액을 공급시키고, 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  17. 제16항에 있어서, 현상처리장치가 피처리체를 회전시키는 회전수단을 더욱 구비하고, 제어수단이, 상기 회전수단에 상기 순수한 물의 커튼을 형성한 상기 피처리체를 회전시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  18. 제16항에 있어서, 현상처리장치가, 피처리체를 회전시키는 회전수단과, 상기 피처리체 표면상에 린스액을 공급하는 린스액 공급수단을 더욱 구비하고, 제어수단이, 상기 린스액 공급수단에 처리하여 공급된 상기 피처리체에 상기 린스액을 공급하면서, 상기 회전수단에 상기 피처리체를 회전시킴으로써 상기 처리액을 털어내고, 이어서 린스액을 공급하지 않고 상기 회전수단에 상기 피처리체를 회전시킴으로써 상기 피처리체를 건조시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  19. 제18항에 있어서, 처리액을 털어낼 때의 피처리체의 가속도가 상기 피처리체를 건조시킬 때의 피처리체의 가속도보다도 작은 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  20. 제16항에 있어서, 또한 가스흡인수단을 구비하고, 상기 가스흡인수단에 피처리체의 주위가스를 흡인제거하는 현상처리장치에 있어서, 제어수단이, 처리액이 공급된 상기 피처리체를 소정시간 방지하여 상기 처리액을 상기 피처리체에 작용시키는 동안은, 상기 가스흡인수단에 의한 흡인을 정지시키는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  21. 제16항에 있어서, 처리액은 계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
  22. 제16항에 있어서, 노즐이, 순수한 물 및/또는 처리액이 토출되는 복수의 토출구멍을 가지며, 그 복수의 토출구멍이 직선상에 배열하고 있는 것을 특징으로 하는 현상처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970017662A 1996-05-08 1997-05-08 현상처리방법 KR100340234B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-113772 1996-05-08
JP11377296 1996-05-08
JP97-107167 1997-04-24
JP10716797A JP3280883B2 (ja) 1996-05-08 1997-04-24 現像処理方法及び現像処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077252A true KR970077252A (ko) 1997-12-12
KR100340234B1 KR100340234B1 (ko) 2002-11-22

Family

ID=26447223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970017662A KR100340234B1 (ko) 1996-05-08 1997-05-08 현상처리방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5854953A (ko)
JP (1) JP3280883B2 (ko)
KR (1) KR100340234B1 (ko)
SG (1) SG50018A1 (ko)
TW (1) TW460924B (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260707A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
US6248171B1 (en) * 1998-09-17 2001-06-19 Silicon Valley Group, Inc. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
US6689215B2 (en) * 1998-09-17 2004-02-10 Asml Holdings, N.V. Method and apparatus for mitigating cross-contamination between liquid dispensing jets in close proximity to a surface
JP3493322B2 (ja) * 1998-09-25 2004-02-03 Ｓｍｃ株式会社 液だれ防止方法およびシステム
JP3616275B2 (ja) * 1999-05-31 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、それに用いる処理液供給ノズル、および液処理方法
US6602382B1 (en) 1999-10-26 2003-08-05 Tokyo Electron Limited Solution processing apparatus
US6384894B2 (en) 2000-01-21 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Developing method and developing unit
JP3362781B2 (ja) 2000-02-03 2003-01-07 日本電気株式会社 現像処理方法および装置、現像制御装置、情報記憶媒体
US6634806B2 (en) * 2000-03-13 2003-10-21 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4335470B2 (ja) 2000-03-31 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び混合装置
JP3545676B2 (ja) 2000-05-10 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
US6746826B1 (en) 2000-07-25 2004-06-08 Asml Holding N.V. Method for an improved developing process in wafer photolithography
US6692165B2 (en) * 2001-03-01 2004-02-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3869306B2 (ja) * 2001-08-28 2007-01-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像液塗布装置
KR100959740B1 (ko) * 2002-06-07 2010-05-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치
US7550043B2 (en) * 2002-12-20 2009-06-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4199102B2 (ja) * 2003-12-18 2008-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法，基板処理システム及び現像液供給ノズル
US7078355B2 (en) * 2003-12-29 2006-07-18 Asml Holding N.V. Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate
JP4445315B2 (ja) * 2004-04-13 2010-04-07 株式会社東芝 基板処理方法
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
JP4527037B2 (ja) * 2005-09-15 2010-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置
JP4781834B2 (ja) * 2006-02-07 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
KR20080033092A (ko) * 2006-10-11 2008-04-16 쥬키 가부시키가이샤 전자부품의 실장방법 및 장치
JP5308045B2 (ja) * 2008-03-24 2013-10-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像方法
TWI381475B (zh) * 2009-03-23 2013-01-01 Au Optronics Corp 基板處理系統及顯影方法
JP5067432B2 (ja) * 2010-02-15 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5494079B2 (ja) * 2010-03-19 2014-05-14 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
KR20110116522A (ko) * 2010-04-19 2011-10-26 삼성전자주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 처리액 공급 방법
JP5634341B2 (ja) * 2011-06-29 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5909477B2 (ja) * 2013-10-25 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び液供給装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
JP3341033B2 (ja) * 1993-06-22 2002-11-05 忠弘 大見 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置
JPH07230173A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1050606A (ja) 1998-02-20
TW460924B (en) 2001-10-21
KR100340234B1 (ko) 2002-11-22
SG50018A1 (en) 1998-06-15
US5854953A (en) 1998-12-29
JP3280883B2 (ja) 2002-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970077252A (ko) 현상처리방법
KR102438897B1 (ko) 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치, 그리고 기판액 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
TW200623246A (en) Substrate cleaning method and developing apparatus
US6579382B2 (en) Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof
JP2009207984A (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP5390873B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20120049808A (ko) 기판 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 장치
JP6811675B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2008060104A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2018139331A (ja) 基板乾燥方法及び基板処理装置
US6548228B2 (en) Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurity from being attached to wafer surface
JP2008210873A (ja) 基板現像方法および現像装置
JPS6118958A (ja) 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法
JPH07135137A (ja) 現像処理方法および装置
KR20050065668A (ko) 기판 프로세싱 장치 및 방법
JP3703281B2 (ja) 基板処理装置
KR20120060374A (ko) 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법
JPH0862859A (ja) 半導体装置の現像処理方法
JP2864366B2 (ja) 被処理体の現像方法
JPH0639330A (ja) 薬液塗布装置
JPH07122485A (ja) 処理方法及び処理装置
JP3512270B2 (ja) 回転式基板塗布装置
JPH06151405A (ja) 基板乾燥方法
JPS63232431A (ja) 現像方法
JP2003017462A (ja) ガラス基板またはウエハー処理用噴射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130503

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140502

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160427

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term