TWI381475B - 基板處理系統及顯影方法 - Google Patents

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Chengchu Tseng
Shihchao Shu
Singsing Lin
Mengjung Liu
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Au Optronics Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

基板處理系統及顯影方法
本發明是有關於一種基板處理系統,且特別是有關於一種應用於微影製程中的基板處理系統。
一般在半導體或液晶顯示器的基板進行微影製程時,習知的作法係將基板上先顯影的部分,對其先進行水洗的步驟,如此即可平衡基板上左右部分具有顯影時間差的問題。
然而,由於機台是處於連續運作的狀態,亦即在生產的過程中,對基板的處理是一片接著一片的連續動作。因此,當以上述方法(即對先顯影的部分先進行水洗)處理基板時,在基板進行顯影步驟的過程中,水洗噴頭中殘餘的水汽,可能會因為機台的運作而產生震動,造成漏出的情況,進而導致基板上有顯影不良的問題發生。
本發明的目的是在提供一種基板處理系統,藉以解決基板上顯影不良的問題。
本發明的另一目的是在提供一種顯影方法,藉以改善基板的顯影製程及其顯影品質。
本發明之一技術樣態係關於一種基板處理系統,其包含一水洗管路裝置、一噴灑裝置以及一氣體管路裝置。水洗管路裝置係用以控制水之通入。噴灑裝置經由一輸送管路連接水洗管路裝置,並用以對基板噴灑液態物質。氣體管路裝置與水洗管路裝置並聯相接,且經由輸送管路連接噴灑裝置,並用以控制氣體之通入,將輸送管路以及噴灑裝置中殘餘之物體噴出。
本發明之另一技術樣態係關於一種顯影方法,其包含:藉由一噴灑裝置對一基板噴灑顯影劑;透過一輸送管路通入水至噴灑裝置;藉由噴灑裝置對基板噴灑水;在噴灑裝置對基板噴灑水之後,透過輸送管路通入氣體至噴灑裝置;以及藉由通入之氣體將輸送管路以及噴灑裝置中殘餘之物體噴出。
根據本發明之技術內容,應用前述基板處理系統或顯影方法,可解決產品在黃光製程中因漏水所造成顯影不良的問題,改善顯影的品質,以提升產品的特性。
第1圖係依照本發明之實施例繪示一種基板處理系統的示意圖。基板處理系統100包括水洗管路裝置102、氣體管路裝置104、噴灑裝置106以及輸送管路108。其中,水洗管路裝置102係用以控制水(如:純水或去離子水)之通入與否,噴灑裝置106係經由輸送管路108與水洗管路裝置102連接,並經由噴嘴對基板110噴灑液態物質(例如:去離子水或顯影劑等),而氣體管路裝置104則是與水洗管路裝置102並聯相接,且經由輸送管路108與噴灑裝置106連接,並用以控制氣體(例如:乾空氣)之通入與否,藉由通入之氣體將輸送管路108以及噴灑裝置106中殘餘之物體(例如:殘餘水汽)噴出。在本實施例中,氣體管路裝置104可藉由交換閥或控制閥112與水洗管路裝置102並聯相接,且氣體管路裝置104和水洗管路裝置102均與輸送管路108連接,而噴灑裝置106係自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動,而對基板110噴灑經水洗管路裝置102通入之去離子水,或者對基板110噴灑顯影劑。
此外,噴灑裝置106可包含水噴灑器116,其用以自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動,對基板110噴灑水洗管路裝置102所控制而通入之純水或去離子水(DI water)。另外,噴灑裝置106中亦可包括顯影劑噴灑器126,其用以自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動,對基板110噴灑顯影劑。
再者,基板處理系統100更可包括偵測裝置120,其直接或間接地與氣體管路裝置104電性連接。在一實施例中,偵測裝置120可用以偵測噴灑裝置106對基板110噴灑去離子水之後所在的位置,並在偵測噴灑裝置106所在位置之後,驅動氣體管路裝置104,以藉由乾空氣將輸送管路108以及噴灑裝置106中殘餘之去離子水噴出。在另一實施例中,偵測裝置120則是可用以偵測噴灑裝置106是否完成對基板110噴灑去離子水之動作,並在噴灑裝置106完成對基板110噴灑去離子水之動作後,控制氣體管路裝置104,以藉由乾空氣將輸送管路108和噴灑裝置106中殘餘之去離子水噴出。
第2圖和第3圖係依照本發明之實施例繪示一種顯影製程中基板處理系統作動的示意圖。在本實施例中,在噴灑裝置106自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動,而對基板110噴灑顯影劑之後,噴灑裝置106會回到基板110原先之一側,接續對先顯影之部分進行水洗。此時,水洗管路裝置102控制去離子水的通入,使其經由輸送管路108傳輸至噴灑裝置106中,然後噴灑裝置106再自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動,對基板110進行水洗的動作(如第2圖所示)。
接著,當噴灑裝置106移動至基板110相對之另一側時,水洗管路裝置102會關閉去離子水的通入。此時,偵測裝置120會偵測噴灑裝置106所在的位置或是其所完成的噴灑動作,然後直接或間接地將偵測信號傳送至氣體管路裝置104,驅動氣體管路裝置104而使乾空氣通入,藉以將輸送管路108和噴灑裝置106中殘餘之去離子水噴出。
第4圖係依照本發明之實施例繪示一種顯影方法的流程圖。請同時參照第1圖和第4圖。首先,自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動噴灑裝置106,藉由噴灑裝置106對基板110噴灑顯影劑,以進行顯影步驟(步驟402)。接著,透過輸送管路108通入純水或去離子水至噴灑裝置106中(步驟404)。再者,自基板110之一側朝基板110相對之另一側移動噴灑裝置106,藉由噴灑裝置106對基板110噴灑純水或去離子水,以進行水洗步驟(步驟406)。
然後,當噴灑裝置106移動至基板110相對之另一側,且完成對基板110噴灑純水或去離子水之動作後,對噴灑裝置106所在的位置進行偵測(步驟408)。接著,根據偵測的結果透過輸送管路108通入氣體(如:乾空氣)至噴灑裝置106中(步驟410)。之後,再藉由通入之氣體將輸送管路108和噴灑裝置106中殘餘之純水或去離子水噴出(步驟412),以防止噴灑裝置106對下一片基板噴灑顯影劑而進行顯影步驟時,噴灑裝置106因機構作動的震動造成漏水,而造成顯影不良。在另一實施例中,更可偵測噴灑裝置106是否完成對基板水洗之步驟,若噴灑裝置106完成對基板水洗之步驟,則透過輸送管路108通入氣體至噴灑裝置106中。
由上述本發明之實施例可知,應用前述之基板處理系統或顯影方法,可解決產品在黃光製程中因漏水所造成顯影不良的問題,改善顯影的品質,以提升產品的特性。。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何具有本發明所屬技術領域之通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100...基板處理系統
102...水洗管路裝置
104...氣體管路裝置
106...噴灑裝置
108...輸送管路
110...基板
112...控制閥
116...水噴灑器
120...偵測裝置
126...顯影劑噴灑器
402~412...步驟
第1圖係依照本發明之實施例繪示一種基板處理系統的示意圖。
第2圖和第3圖係依照本發明之實施例繪示一種顯影製程中基板處理系統作動的示意圖。
第4圖係依照本發明之實施例繪示一種顯影方法的流程圖。
100...基板處理系統
102...水洗管路裝置
104...氣體管路裝置
106...噴灑裝置
108...輸送管路
110...基板
112...控制閥
116...水噴灑器
120...偵測裝置
126...顯影劑噴灑器

Claims (15)

  1. 一種基板處理系統,包含:一水洗管路裝置,用以控制水之通入;一噴灑裝置,經由一輸送管路連接該水洗管路裝置,並用以對該基板噴灑液態物質;以及一氣體管路裝置,與該水洗管路裝置並聯相接,且經由該輸送管路連接該噴灑裝置,並用以控制氣體之通入,在該水洗管路裝置關閉水之通入後將該輸送管路以及該噴灑裝置中殘餘之物體噴出。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統,更包含:一偵測裝置,直接或間接地電性連接於該氣體管路裝置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統,其中該偵測裝置係用以偵測該噴灑裝置對該基板噴灑液體物質之後所在位置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理系統,其中該偵測裝置在偵測該噴灑裝置所在位置之後,驅動該氣體管路裝置將該輸送管路以及該噴灑裝置中殘餘之物體噴出。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統,其中該偵測裝置係用以偵測該噴灑裝置是否完成對該基板噴灑液態物質之動作。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理系統,其中當該噴灑裝置完成對該基板噴灑液態物質之動作後,該偵測裝置控制該氣體管路裝置將該輸送管路以及該噴灑裝置中殘餘之物體噴出。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統,其中該噴灑裝置更包含:一水噴灑器,用以對該基板噴灑水。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統,其中該噴灑裝置更包含:一水噴灑器,用以自該基板之一側朝該基板相對之另一側移動而對該基板噴灑該水洗管路裝置所控制而通入之水。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統,其中該噴灑裝置更包含:一顯影劑噴灑器,用以對該基板噴灑顯影劑。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統,其 中該噴灑裝置更包含:一顯影劑噴灑器,用以自該基板之一側朝該基板相對之另一側移動而對該基板噴灑顯影劑。
  11. 一種顯影方法,包含:藉由一噴灑裝置對一基板噴灑顯影劑;透過一輸送管路通入水至該噴灑裝置;藉由該噴灑裝置對該基板噴灑水;在該噴灑裝置對該基板噴灑水之後,透過該輸送管路通入氣體至該噴灑裝置;以及藉由通入之氣體將該輸送管路以及該噴灑裝置中殘餘之物體噴出。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯影方法,更包含:偵測該噴灑裝置對該基板噴灑水之後所在位置;以及根據偵測結果通入氣體至該噴灑裝置。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯影方法,更包含:偵測該噴灑裝置是否完成對該基板噴灑水之動作;以及當該噴灑裝置完成對該基板噴灑水之動作後,通入氣體至該噴灑裝置。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之顯影方法,其中對 該基板噴灑顯影劑之步驟更包含:自該基板之一側朝該基板相對之另一側移動該噴灑裝置而對該基板噴灑顯影劑。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之顯影方法,其中對該基板噴灑水之步驟更包含:自該基板之一側朝該基板相對之另一側移動該噴灑裝置而對該基板噴灑水。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5854953A (en) * 1996-05-08 1998-12-29 Tokyo Electron Limited Method for developing treatment
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