JPS6118958A - 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 - Google Patents
半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法Info
- Publication number
- JPS6118958A JPS6118958A JP59139821A JP13982184A JPS6118958A JP S6118958 A JPS6118958 A JP S6118958A JP 59139821 A JP59139821 A JP 59139821A JP 13982184 A JP13982184 A JP 13982184A JP S6118958 A JPS6118958 A JP S6118958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- cleaning
- glass mask
- glass
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置製造工程で使用される、半導体
ウェーハ用ガラスマスクの洗浄方法に関し、特に、マス
ク上のしみ発生を防止する改良に係わる。
ウェーハ用ガラスマスクの洗浄方法に関し、特に、マス
ク上のしみ発生を防止する改良に係わる。
半導体装置製造工程において、従来のガラスマスク洗浄
方法は、第１図に示す洗浄装置の概要構成図のようにし
ていた。（１）はガラスマスクで、回転支持枠（２）上
に載せられ電動機（３）により高速回転される。ポンプ
（４）で加圧した高圧イオン水（６）をノズル（５）か
ら噴出しガラスマスク（１）上面を洗浄する。
方法は、第１図に示す洗浄装置の概要構成図のようにし
ていた。（１）はガラスマスクで、回転支持枠（２）上
に載せられ電動機（３）により高速回転される。ポンプ
（４）で加圧した高圧イオン水（６）をノズル（５）か
ら噴出しガラスマスク（１）上面を洗浄する。
洗浄後は、高圧イオン水（６）の噴出を止め、高速回転
を続行したまま、加熱ランプ（７）によシ乾燥させてい
た。
を続行したまま、加熱ランプ（７）によシ乾燥させてい
た。
この洗浄方法のシーケンスを第２図に示し、ガラスマス
ク（１）は同じ回転数のまま、高圧イオン水（６）Ｋよ
る洗浄と乾燥を行っていた。
ク（１）は同じ回転数のまま、高圧イオン水（６）Ｋよ
る洗浄と乾燥を行っていた。
ガラスマスク（１）を高速回転し純水を当てると。
静電破壊によりパターン暎のクロムはがれが起こるため
、洗浄にはイオン水が使用されている。このイオン水に
は、一般にマグネシウムを純水中に溶解させたものが使
用されている。
、洗浄にはイオン水が使用されている。このイオン水に
は、一般にマグネシウムを純水中に溶解させたものが使
用されている。
上記従来の洗浄方法では、イオン水のマグネシウム溶解
液がそのまま乾き、ガラスマスク（１）上にマグネシウ
ムが残ったり、ポンプ（４）の軸受部から漏れた潤滑油
がイオン水に混入し、これがガラスマスク（１）に欠陥
を残すことがあった。
液がそのまま乾き、ガラスマスク（１）上にマグネシウ
ムが残ったり、ポンプ（４）の軸受部から漏れた潤滑油
がイオン水に混入し、これがガラスマスク（１）に欠陥
を残すことがあった。
従来の洗浄方法によったガラスマスク（１）の洗浄結果
を、第３図及び第４図に棒グラフで示す。第４図は洗浄
されたガラスマスク（１）数と、これらによりそれぞれ
パターンが形成されたチップ（５ｍｍ）各１０個分宛の
しみ発生数との関係を示し、チップ１０個分の発生しみ
数が最多２６個であった。
を、第３図及び第４図に棒グラフで示す。第４図は洗浄
されたガラスマスク（１）数と、これらによりそれぞれ
パターンが形成されたチップ（５ｍｍ）各１０個分宛の
しみ発生数との関係を示し、チップ１０個分の発生しみ
数が最多２６個であった。
また、第４図は洗浄されたガラスマスク（１）数と。
これによりそれぞれパターンが形成されたチップ（５ｍ
ｍ２）各１０個分宛のしみ発生確率との関係を示し、最
高１００チであった。
ｍ２）各１０個分宛のしみ発生確率との関係を示し、最
高１００チであった。
この発明は、ガラスマスクを高速回転させながら高圧イ
オン水で洗浄し、この洗浄後低速回転に落してさらに、
純水により洗浄し、後、再び高速回転させながら加熱乾
燥するようにし、マグネシウムや油分などがガラスマス
ク上に残らないようにする。半導体ウエーノ・用ガラス
マスクの洗浄方法を提供することを目的としている。
オン水で洗浄し、この洗浄後低速回転に落してさらに、
純水により洗浄し、後、再び高速回転させながら加熱乾
燥するようにし、マグネシウムや油分などがガラスマス
ク上に残らないようにする。半導体ウエーノ・用ガラス
マスクの洗浄方法を提供することを目的としている。
この発明の一実施例によるガラスマスクの洗浄方法を、
第５図に示す洗浄装置の概要構成図により説明する。ま
ず、ガラスマスク（１）を回転支持枠（２）上に載せ、
電動機（３）により高速回転しながら。
第５図に示す洗浄装置の概要構成図により説明する。ま
ず、ガラスマスク（１）を回転支持枠（２）上に載せ、
電動機（３）により高速回転しながら。
ポンプ（４）で加圧した高圧イオン水（６）をノズル（
５）から噴出し、ガラスマスク（１）上面を洗浄し、高
圧イオン水（６）の供給を止める。つづいて、ガラスマ
スク（１）を５００ｒｐｍ以下の低速回転に落し、低圧
（１〜２ ｋｇ／Ｃｍ２）の純水０１）を純水ノズル０
１から噴出しガラスマスク（１）を洗浄し、残留イオン
水（６）を洗い落し、マグネシウムや油分が残らないよ
うにする。
５）から噴出し、ガラスマスク（１）上面を洗浄し、高
圧イオン水（６）の供給を止める。つづいて、ガラスマ
スク（１）を５００ｒｐｍ以下の低速回転に落し、低圧
（１〜２ ｋｇ／Ｃｍ２）の純水０１）を純水ノズル０
１から噴出しガラスマスク（１）を洗浄し、残留イオン
水（６）を洗い落し、マグネシウムや油分が残らないよ
うにする。
洗浄後は、純水０１）の供給を止め、再びガラスマスク
（１）を高速回転させ、加熱ランプ（７）で乾燥する。
（１）を高速回転させ、加熱ランプ（７）で乾燥する。
上記一実施例による洗浄方法のシーケンスを第６図に示
す、ガラスマスク（１）の回転数を、高圧イオン水洗浄
と乾燥過程では約２５００ｒｐｍの高速にし、途中の純
水ＯＤによる洗浄では５００ｒｐｍ以下１１００ｒｐま
での低速にしている。
す、ガラスマスク（１）の回転数を、高圧イオン水洗浄
と乾燥過程では約２５００ｒｐｍの高速にし、途中の純
水ＯＤによる洗浄では５００ｒｐｍ以下１１００ｒｐま
での低速にしている。
第７図に純水洗浄によるクロムはがれ発生率とマスク回
転数の相関図で示すように、マスクの回転数が５００ｒ
ｐｍを超えると、クロムはがれが急増する傾向にあるこ
とを見付けたつそのため、純水０１）による洗浄では、
ガラスマスク（１）の回転数は５００ｒｐｍ以下の低速
にすることが必要である。なお。
転数の相関図で示すように、マスクの回転数が５００ｒ
ｐｍを超えると、クロムはがれが急増する傾向にあるこ
とを見付けたつそのため、純水０１）による洗浄では、
ガラスマスク（１）の回転数は５００ｒｐｍ以下の低速
にすることが必要である。なお。
図は純水０１）による３０秒間洗浄の場合を示している
Ｏ 上記一実施例の洗浄方法によったガラスマスク（１）の
洗浄効果の結果を、第８図及び第９図に棒グラフで示す
。第８図は上記従来の第３図に相当し。
Ｏ 上記一実施例の洗浄方法によったガラスマスク（１）の
洗浄効果の結果を、第８図及び第９図に棒グラフで示す
。第８図は上記従来の第３図に相当し。
洗浄されたガラスマスク（１）数と、これらによりそれ
ぞれパターンが形成されたチップ各１０個分宛のしみ発
生数との関係を示し、チップ１０個分の発生しみ数は最
多１個であった。
ぞれパターンが形成されたチップ各１０個分宛のしみ発
生数との関係を示し、チップ１０個分の発生しみ数は最
多１個であった。
また、第９図は上記従来の第４図に相当し、洗浄された
ガラスマスク（１）数と、これらによシそれぞれパター
ンが形成されたチップ各１０個分宛のしみ発生確率との
関係を示し、最大２０俤であった。
ガラスマスク（１）数と、これらによシそれぞれパター
ンが形成されたチップ各１０個分宛のしみ発生確率との
関係を示し、最大２０俤であった。
こうして、ガラスマスク（１）の洗浄不良に起因するチ
ップ内のパターン欠陥発生量は、従来のウェーハ当シ２
０〜３０チから、ウェーハ当り５俤に改善され、良品チ
ップの歩留りは１０チ程度向上された。
ップ内のパターン欠陥発生量は、従来のウェーハ当シ２
０〜３０チから、ウェーハ当り５俤に改善され、良品チ
ップの歩留りは１０チ程度向上された。
以上のように、この発明の方法によれば、ガラスマスク
を高速回転させながら高圧イオン水で洗浄し、つづいて
、低速回転に落して純水により洗浄し、後、再び高速回
転し加熱乾燥するようＫしたので、ガラスマスク上にマ
グネシウムや油分などが残ることがなくなり、半導体ウ
エーノ１のチップのパターン欠陥発生が大幅に低減され
１歩留りが向上される。
を高速回転させながら高圧イオン水で洗浄し、つづいて
、低速回転に落して純水により洗浄し、後、再び高速回
転し加熱乾燥するようＫしたので、ガラスマスク上にマ
グネシウムや油分などが残ることがなくなり、半導体ウ
エーノ１のチップのパターン欠陥発生が大幅に低減され
１歩留りが向上される。
第１図は従来のガラスマスクの洗浄方法を示す洗浄装置
の概要構成図、第２図は第１図による洗浄方法のマスク
回転数と洗浄乾燥過程との関係を示すシーケンス図、第
３図及び第４図は第２図の洗浄方法により洗浄されたマ
スク数と、これらのマスクによりパターンが形成された
チク１６１０個分宛のしみ発生数との関係を示すグラフ
及びしみ発生確率との関係を示すグラフ、第５図はこの
発明の一実施例によるガラスマスクの洗浄方法を示す洗
浄装置の概要構成図、第６図は第５図による洗浄方法の
マスク回転数と洗浄乾燥過程との関係を示すシーケンス
図、第７図は純水洗浄によるクロムはがれ発生率とマス
ク回転数の相関曲線図。 第８図及び第９図は第６図の洗浄方法により洗浄された
マスク数と、これらのマスクによりパターンが形成され
たチップ各ＩＯ個分宛のしみ発生数との関係を示すグラ
フ及びしみ発生確率との関係を示すグラフである。 １・・・ガラスマスク、２・・・回転支持枠、３・・・
電動機、５・・・ノズル、６・・・高圧イオン水、７・
・・加熱ランプ、 １０・・・ノズル、１１・・・純水
なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の概要構成図、第２図は第１図による洗浄方法のマスク
回転数と洗浄乾燥過程との関係を示すシーケンス図、第
３図及び第４図は第２図の洗浄方法により洗浄されたマ
スク数と、これらのマスクによりパターンが形成された
チク１６１０個分宛のしみ発生数との関係を示すグラフ
及びしみ発生確率との関係を示すグラフ、第５図はこの
発明の一実施例によるガラスマスクの洗浄方法を示す洗
浄装置の概要構成図、第６図は第５図による洗浄方法の
マスク回転数と洗浄乾燥過程との関係を示すシーケンス
図、第７図は純水洗浄によるクロムはがれ発生率とマス
ク回転数の相関曲線図。 第８図及び第９図は第６図の洗浄方法により洗浄された
マスク数と、これらのマスクによりパターンが形成され
たチップ各ＩＯ個分宛のしみ発生数との関係を示すグラ
フ及びしみ発生確率との関係を示すグラフである。 １・・・ガラスマスク、２・・・回転支持枠、３・・・
電動機、５・・・ノズル、６・・・高圧イオン水、７・
・・加熱ランプ、 １０・・・ノズル、１１・・・純水
なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）ガラスマスクを高速回転させながら高圧イオン水
を噴出して洗浄し、つづいてガラスマスクを低速回転さ
せながら低圧の純水を噴出して洗浄し、この後、ガラス
マスクを高速回転させながら加熱乾燥する半導体装置用
ガラスマスクの洗浄方法。 - （２）純水の圧力を１〜２ｋｇ／ｃｍ＾２にすることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置用ガ
ラスマスクの洗浄方法。 - （３）ガラスマスクの高速回転を２５００ｒｐｍにする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法。 - （４）ガラスマスクの低速回転を１００〜５００ｒｐｍ
にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいづれかに記載の半導体装置用ガラスマスクの洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139821A JPS6118958A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139821A JPS6118958A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118958A true JPS6118958A (ja) | 1986-01-27 |
| JPS6325661B2 JPS6325661B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=15254249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139821A Granted JPS6118958A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118958A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188323A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の洗浄並びに乾燥方法及び装置 |
| JPS6373628A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 洗浄乾燥処理方法 |
| JPS63177031U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 | ||
| JPS63177034U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 | ||
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPH0283927A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ガラス基板の乾燥装置 |
| JPH02257632A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| JPH0320734A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 洗浄装置 |
| JPH03139832A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03143558A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-19 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03148825A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| KR20020029206A (ko) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | 윤종용 | 세정 가능한 파티클 펠리클 디텍터 박스 |
| JP2002292346A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Sharp Corp | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
| CN102357482A (zh) * | 2011-09-22 | 2012-02-22 | 无锡泰东机械有限公司 | 高效快速在线清洗机 |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59139821A patent/JPS6118958A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188323A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の洗浄並びに乾燥方法及び装置 |
| JPS6373628A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 洗浄乾燥処理方法 |
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPS63177031U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 | ||
| JPS63177034U (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-16 | ||
| JPH0283927A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Shibaura Eng Works Co Ltd | ガラス基板の乾燥装置 |
| JPH02257632A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| JPH0320734A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 洗浄装置 |
| JPH03139832A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03143558A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-19 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03148825A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| KR20020029206A (ko) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | 윤종용 | 세정 가능한 파티클 펠리클 디텍터 박스 |
| JP2002292346A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Sharp Corp | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
| CN102357482A (zh) * | 2011-09-22 | 2012-02-22 | 无锡泰东机械有限公司 | 高效快速在线清洗机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325661B2 (ja) | 1988-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6118958A (ja) | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 | |
| JP2002009035A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
| KR970077252A (ko) | 현상처리방법 | |
| JP2007216158A (ja) | 過熱蒸気を利用した基板洗浄方法と装置 | |
| KR20050004482A (ko) | 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법 | |
| KR100229239B1 (ko) | 음극선관의 제조방법 | |
| JPH0697136A (ja) | 基板洗浄方法およびその装置 | |
| JP2005259743A (ja) | レジスト剥離装置およびそれを用いたレジスト剥離方法、半導体装置の製造方法 | |
| JPH08229524A (ja) | 液晶用カセット洗浄装置 | |
| JPH05175184A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JPH03274722A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| KR19980050047U (ko) | 웨이퍼 세척 장치 | |
| JPH0528758Y2 (ja) | ||
| KR100502406B1 (ko) | 반도체소자 제조용 유브이테이프 제거장치 및 제거방법 | |
| JPH10189526A (ja) | レチクルの洗浄方法及びその装置 | |
| JP3000997B1 (ja) | 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法 | |
| KR100841995B1 (ko) | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 세정 방법 | |
| JPS63246827A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| SU1496844A1 (ru) | Способ очистки изделий | |
| KR100560642B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비 | |
| JPS63307741A (ja) | 基板面の異物除去装置 | |
| KR20000015083A (ko) | 반도체 씨엠피설비 및 씨엠피방법 | |
| KR20040097602A (ko) | 스핀 스크러버에 의한 반도체 웨이퍼 세정 장치 및 세정방법 | |
| CN112246734A (zh) | 一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺 | |
| JPH08279482A (ja) | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |