JP2533149B2 - ウェットエッチング方法 - Google Patents
ウェットエッチング方法Info
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- JP2533149B2 JP2533149B2 JP63009894A JP989488A JP2533149B2 JP 2533149 B2 JP2533149 B2 JP 2533149B2 JP 63009894 A JP63009894 A JP 63009894A JP 989488 A JP989488 A JP 989488A JP 2533149 B2 JP2533149 B2 JP 2533149B2
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- etching
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- shower
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ウェットエッチング方法に関し、特にシャ
ワー方式でエッチングする際の前処理工程を改良したウ
ェットエッチング方法に係わる。
ワー方式でエッチングする際の前処理工程を改良したウ
ェットエッチング方法に係わる。
（従来の技術） 従来、シャワー方式でガラス基板をウェットエッチン
グするには次のような方法が採用されている。まず、所
望のマスクパターンが形成されたガラス基板を搬送手段
によりシャワー式ウェットエッチング装置のシャワー室
に搬送した後、シャワー室入口のシャッタを閉じる。つ
づいて、シャワー室内に配置されたシャワーノズルから
エッチング液をガラス基板の全面にシャワーしてマスク
パターンから露出するガラス基板部分を選択的にエッチ
ングして所望のエッチングパターンを形成する。
グするには次のような方法が採用されている。まず、所
望のマスクパターンが形成されたガラス基板を搬送手段
によりシャワー式ウェットエッチング装置のシャワー室
に搬送した後、シャワー室入口のシャッタを閉じる。つ
づいて、シャワー室内に配置されたシャワーノズルから
エッチング液をガラス基板の全面にシャワーしてマスク
パターンから露出するガラス基板部分を選択的にエッチ
ングして所望のエッチングパターンを形成する。
上述した従来のウェットエッチング方法にあっては、
ガラス基板をエッチング装置のシャワー室に搬送し、該
基板全面にエッチング液がシャワーされるまでの間にシ
ャワー室に配置されたノズルや配管、或いはその天井か
らエッチング液の雫が基板上に落ちることがある。こう
したエッチング液の雫が落ちた基板表面部分ではエッチ
ングがなされるものの、エッチング液の量が少なく、か
つ基板表面が乾燥されて周辺への移動がなされないた
め、エッチングすべき箇所に不動態膜が生じる。不動態
膜が基板表面に形成されると、この後にエッチング液の
シャワーがなされてもエッチングしきれなくなり、エッ
チング不良箇所が発生する問題があった。
ガラス基板をエッチング装置のシャワー室に搬送し、該
基板全面にエッチング液がシャワーされるまでの間にシ
ャワー室に配置されたノズルや配管、或いはその天井か
らエッチング液の雫が基板上に落ちることがある。こう
したエッチング液の雫が落ちた基板表面部分ではエッチ
ングがなされるものの、エッチング液の量が少なく、か
つ基板表面が乾燥されて周辺への移動がなされないた
め、エッチングすべき箇所に不動態膜が生じる。不動態
膜が基板表面に形成されると、この後にエッチング液の
シャワーがなされてもエッチングしきれなくなり、エッ
チング不良箇所が発生する問題があった。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされ
たもので、シャワーエッチング前での基板表面へのエッ
チング液の雫落下、付着による不動態膜の生成反応時間
を遅らせ、不動態膜の生成前に基板の表面全体に充分な
量のエッチング液をシャワーできるウェットエッチング
方法を提供しようとするものである。
たもので、シャワーエッチング前での基板表面へのエッ
チング液の雫落下、付着による不動態膜の生成反応時間
を遅らせ、不動態膜の生成前に基板の表面全体に充分な
量のエッチング液をシャワーできるウェットエッチング
方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、所望のマスクパターンが形成されたガラス
基板にエッチング液をシャワーしてエッチングを行なう
方法において、前記ガラス基板のエッチング前に該基板
全面に水又は希釈エッチング液の液膜を形成することを
特徴とするウェットエッチング方法である。
基板にエッチング液をシャワーしてエッチングを行なう
方法において、前記ガラス基板のエッチング前に該基板
全面に水又は希釈エッチング液の液膜を形成することを
特徴とするウェットエッチング方法である。
（作用） 本発明によれば、予めガラス基板の全面に水又は希釈
エッチング液の液膜を形成することによって、エッチン
グ液をシャワーする前にエッチング液の雫が基板上に落
ちるても該液膜によりその雫が希釈されると共に周辺へ
の移動がなされる。その結果、雫が落ちた箇所での不動
態膜の生成反応を遅らせることができ、不動態膜の生成
前にエッチング液のシャワーを行なうことができるた
め、エッチング不良箇所が発生を防止できる。
エッチング液の液膜を形成することによって、エッチン
グ液をシャワーする前にエッチング液の雫が基板上に落
ちるても該液膜によりその雫が希釈されると共に周辺へ
の移動がなされる。その結果、雫が落ちた箇所での不動
態膜の生成反応を遅らせることができ、不動態膜の生成
前にエッチング液のシャワーを行なうことができるた
め、エッチング不良箇所が発生を防止できる。
（発明の実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細説明す
る。
る。
第１図は、本実施例のウェットエッチング方法に使用
するシャワーエッチング前処理装置を示す概略斜視図で
ある。図中の１は、図示しないシャワー式ウェットエッ
チング装置の入口側に配設された処理槽であり、この処
理槽１の開口上部には複数本の搬送ローラ２が配置され
ている。これらローラ２の一端側には、ベルト３が枢支
されており、かつ各ローラ２のうちエッチング装置より
遠い箇所に位置するローラ２の一端はモータ４の駆動軸
とベルト５を介して連結されている。前記処理槽１の上
方には、パイプシャワー部材６が配設されている。この
パイプシャワー部材６には、前記処理槽１内に配置され
たタンク７に配管８を介して連通され、かつ該配管には
ポンプ９が設けられている。前記タンク７内には、例え
ば希釈エッチング液10が収容されている。また、前記エ
ッチング装置の入口に近い前記処理槽１の上方には角度
調整可能な液切エアーナイフ部材11が配設されている。
このエアーナイフ部材11には、圧縮空気の導入管12が連
結されている。
するシャワーエッチング前処理装置を示す概略斜視図で
ある。図中の１は、図示しないシャワー式ウェットエッ
チング装置の入口側に配設された処理槽であり、この処
理槽１の開口上部には複数本の搬送ローラ２が配置され
ている。これらローラ２の一端側には、ベルト３が枢支
されており、かつ各ローラ２のうちエッチング装置より
遠い箇所に位置するローラ２の一端はモータ４の駆動軸
とベルト５を介して連結されている。前記処理槽１の上
方には、パイプシャワー部材６が配設されている。この
パイプシャワー部材６には、前記処理槽１内に配置され
たタンク７に配管８を介して連通され、かつ該配管には
ポンプ９が設けられている。前記タンク７内には、例え
ば希釈エッチング液10が収容されている。また、前記エ
ッチング装置の入口に近い前記処理槽１の上方には角度
調整可能な液切エアーナイフ部材11が配設されている。
このエアーナイフ部材11には、圧縮空気の導入管12が連
結されている。
次に、上述した第１図の装置を用いてウェットエッチ
ング方法を説明する。
ング方法を説明する。
まず、所定のマスクパターン（レジストパターン）が
形成されたガラス基板13を搬送ローラ２上に設置した
後、モータ４を駆動してベルト５、３を介して搬送ロー
ラを回転させることにより前記ガラス基板13を搬送し、
パイプシャワー部材６の下を通過させる。この時、ポン
プ９の駆動によりタンク７内に収容された希釈エッチン
グ液10が配管８を通してパイプシャワー部材６に供給さ
れ、該部材６から希釈エッチング液が基板13の全面にシ
ャワーされる。つづいて、表面がエッチング液で濡らさ
れた基板13を、導入管12から圧縮空気が供給された液切
エアーナイフ部材11の下を通過させることにより、基板
13表面の液量を調整して液膜を形成する。次いで、図示
しないシャワー式ウェットエッチング装置の入口からシ
ャワー室内に基板を搬送し、シャッタを閉じた後、シャ
ワー室内のハイプノズルからエッチング液を基板の全面
にシャワーしてレジストパターンから露出する基板部分
をエッチングした。この時、エッチング室に搬送された
基板全面にエッチング液がシャワーされるまでの間に該
シャワー室のノズルや天井からエッチング液の雫が基板
表面に落ちたが、該基板表面に形成された液膜によりそ
の雫を希釈すると共に周辺に拡散した。その結果、雫が
落ちた箇所での不動態膜の生成反応を遅らせることがで
き、不動態膜の生成前にエッチング液のシャワーを行な
うことができた。
形成されたガラス基板13を搬送ローラ２上に設置した
後、モータ４を駆動してベルト５、３を介して搬送ロー
ラを回転させることにより前記ガラス基板13を搬送し、
パイプシャワー部材６の下を通過させる。この時、ポン
プ９の駆動によりタンク７内に収容された希釈エッチン
グ液10が配管８を通してパイプシャワー部材６に供給さ
れ、該部材６から希釈エッチング液が基板13の全面にシ
ャワーされる。つづいて、表面がエッチング液で濡らさ
れた基板13を、導入管12から圧縮空気が供給された液切
エアーナイフ部材11の下を通過させることにより、基板
13表面の液量を調整して液膜を形成する。次いで、図示
しないシャワー式ウェットエッチング装置の入口からシ
ャワー室内に基板を搬送し、シャッタを閉じた後、シャ
ワー室内のハイプノズルからエッチング液を基板の全面
にシャワーしてレジストパターンから露出する基板部分
をエッチングした。この時、エッチング室に搬送された
基板全面にエッチング液がシャワーされるまでの間に該
シャワー室のノズルや天井からエッチング液の雫が基板
表面に落ちたが、該基板表面に形成された液膜によりそ
の雫を希釈すると共に周辺に拡散した。その結果、雫が
落ちた箇所での不動態膜の生成反応を遅らせることがで
き、不動態膜の生成前にエッチング液のシャワーを行な
うことができた。
しかして、上記ウェットエッチング後の基板表面を調
べた結果、前記不動態膜に起因するエッチング不良の発
生が皆無であった。
べた結果、前記不動態膜に起因するエッチング不良の発
生が皆無であった。
なお、上記実施例では基板表面に希釈エッチング液の
液膜を形成したが、純水の液膜を形成してもよい。
液膜を形成したが、純水の液膜を形成してもよい。
上記実施例では、基板表面にエッチング液（又は純
水）を濡らす手段としてパイプシャワー部材を用いた
が、これに限定されない。例えば、エッチング液等を含
浸させたローラを基板表面に接触したり、エッチング液
中に浸漬して基板表面をエッチング液で濡らしてもよ
い。
水）を濡らす手段としてパイプシャワー部材を用いた
が、これに限定されない。例えば、エッチング液等を含
浸させたローラを基板表面に接触したり、エッチング液
中に浸漬して基板表面をエッチング液で濡らしてもよ
い。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によればシャワーエッチン
グ前での基板表面へのエッチング液の雫落下、付着によ
る不動態膜の生成反応時間を遅らせ、不動態膜の生成前
に基板の表面全体に充分な量のエッチング液をシャワー
でき、ひいては不動態膜の生成によるエッチング不良を
防止し、歩留り等を向上したウェットエッチング方法を
提供できる。
グ前での基板表面へのエッチング液の雫落下、付着によ
る不動態膜の生成反応時間を遅らせ、不動態膜の生成前
に基板の表面全体に充分な量のエッチング液をシャワー
でき、ひいては不動態膜の生成によるエッチング不良を
防止し、歩留り等を向上したウェットエッチング方法を
提供できる。
第１図は、本発明の実施例でとようしたシャワーエッチ
ング前処理装置を示す概略斜視図である。 １……処理槽、２……搬送ローラ、６……パイプシャワ
ー部材、11……液きりエアーナイフ部材、13……ガラス
基板。
ング前処理装置を示す概略斜視図である。 １……処理槽、２……搬送ローラ、６……パイプシャワ
ー部材、11……液きりエアーナイフ部材、13……ガラス
基板。
Claims (1)
- 【請求項１】所望のマスクパターンが形成されたガラス
基板にエッチング液をシャワーしてエッチングを行なう
方法において、前記ガラス基板のエッチング前に該基板
全面に水又は希釈エッチング液の液膜を形成することを
特徴とするウェットエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63009894A JP2533149B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウェットエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63009894A JP2533149B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウェットエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188444A JPH01188444A (ja) | 1989-07-27 |
| JP2533149B2 true JP2533149B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=11732834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63009894A Expired - Fee Related JP2533149B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウェットエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533149B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425357B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-03-30 | 명재철 | 테프론계 수지의 부식처리방법 및 장치 |
| JP5383769B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2014-01-08 | 株式会社Ｎｓｃ | 枚葉式化学研磨装置 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63009894A patent/JP2533149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01188444A (ja) | 1989-07-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |