JPH01188444A - ウェットエッチング方法 - Google Patents
ウェットエッチング方法Info
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- JPH01188444A JPH01188444A JP989488A JP989488A JPH01188444A JP H01188444 A JPH01188444 A JP H01188444A JP 989488 A JP989488 A JP 989488A JP 989488 A JP989488 A JP 989488A JP H01188444 A JPH01188444 A JP H01188444A
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- Japan
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- etching
- liquid
- base plate
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- etching liquid
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェットエツチング方法に関し、特にシャワ
一方式でエツチングする際の前処理工程を改良したウェ
ットエツチング方法に係わる。
一方式でエツチングする際の前処理工程を改良したウェ
ットエツチング方法に係わる。
（従来の技術）
従来、シャワ一方式でガラス基板をウェットエツチング
するには次のような方法が採用されている。まず、所望
のマスクパターンが形成されたガラス基板を搬送手段に
よりシャワー式ウェットエツチング装置のシャワー室に
搬送した後、シャワー室人口のシャッタを閉じる。つづ
いて、シャワー室内に配置されたシャワーノズルからエ
ツチング液をガラス基板の全面にシャワーしてマスクパ
ターンから露出するガラス基板部分を選択的にエツチン
グして所望のエツチングパターンを形成する。
するには次のような方法が採用されている。まず、所望
のマスクパターンが形成されたガラス基板を搬送手段に
よりシャワー式ウェットエツチング装置のシャワー室に
搬送した後、シャワー室人口のシャッタを閉じる。つづ
いて、シャワー室内に配置されたシャワーノズルからエ
ツチング液をガラス基板の全面にシャワーしてマスクパ
ターンから露出するガラス基板部分を選択的にエツチン
グして所望のエツチングパターンを形成する。
上述した従来のウェットエツチング方法にあっては、ガ
ラス基板をエツチング装置のシャワー室に搬送し、該基
板全面にエツチング液がシャワーされるまでの間にシャ
ワー室に配置されたノズルや配管、或いはその天井から
エツチング液の雫が基板上に落ちることがある。こうし
たエツチング液の雫が落ちた基板表面部分ではエツチン
グがなされるものの、エツチング液の量が少なく、かつ
基板表面が乾燥されて周辺への移動がなされないため、
エツチングすべき箇所に不動態膜が生じる。
ラス基板をエツチング装置のシャワー室に搬送し、該基
板全面にエツチング液がシャワーされるまでの間にシャ
ワー室に配置されたノズルや配管、或いはその天井から
エツチング液の雫が基板上に落ちることがある。こうし
たエツチング液の雫が落ちた基板表面部分ではエツチン
グがなされるものの、エツチング液の量が少なく、かつ
基板表面が乾燥されて周辺への移動がなされないため、
エツチングすべき箇所に不動態膜が生じる。
不動態膜が基板表面に形成されると、この後にエツチン
グ液のシャワーがなされてもエツチングしきれなくなり
、エツチング不良箇所が発生する問題があった。
グ液のシャワーがなされてもエツチングしきれなくなり
、エツチング不良箇所が発生する問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、シャワーエツチング前での基板表面へのエツチ
ング液の雫落下、付着による不動態膜の生成反応時間を
遅らせ、不動態膜の生成前に基板の表面全体に充分な量
のエツチング液をシャワーできるウェットエツチング方
法を提供しようとするものである。
もので、シャワーエツチング前での基板表面へのエツチ
ング液の雫落下、付着による不動態膜の生成反応時間を
遅らせ、不動態膜の生成前に基板の表面全体に充分な量
のエツチング液をシャワーできるウェットエツチング方
法を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、所望のマスクパターンが形成されたガラス基
板にエツチング液をシャワーしてエツチングを行なう方
法において、前記ガラス基板のエツチング前に該基板全
面に水又は希釈エツチング液の液膜を形成することを特
徴とするウェットエツチング方法である。
板にエツチング液をシャワーしてエツチングを行なう方
法において、前記ガラス基板のエツチング前に該基板全
面に水又は希釈エツチング液の液膜を形成することを特
徴とするウェットエツチング方法である。
（作用）
本発明によれば、予めガラス基板の全面に水又は希釈エ
ツチング液の液膜を形成することによって、エツチング
液をシャワーする前にエツチング液の雫が基板上に落ち
るでも該液膜によりその雫が希釈されると共に周辺への
移動がなされる。
ツチング液の液膜を形成することによって、エツチング
液をシャワーする前にエツチング液の雫が基板上に落ち
るでも該液膜によりその雫が希釈されると共に周辺への
移動がなされる。
その結果、雫が落ちた箇所での不動態膜の生成反応を遅
らせることができ、不動態膜の生成前にエツチング液の
シャワーを行なうことができるため、エツチング不良箇
所が発生を防止できる。
らせることができ、不動態膜の生成前にエツチング液の
シャワーを行なうことができるため、エツチング不良箇
所が発生を防止できる。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細説明する。
第１図は、本実施例のウェットエツチング方法に使用す
るシャワーエツチング前処理装置を示す概略斜視図であ
る。図中の１は、図示しないシャワー式ウェットエツチ
ング装置の入口側に配設された処理槽であり、この処理
槽１の開口上部には複数本の搬送ローラ２が配置されて
いる。これらローラ２の一端側には、ベルト３が枢支さ
れており、かつ各ローラ２のうちエツチング装置より遠
い箇所に位置するローラ２の一端はモータ４の駆動軸と
ベルト５を介して連結されている。前記処理槽１の上方
には、バイブシャワ一部材Ｂが配設されている。このパ
イプシャワ一部材６には、前記処理槽ｌ内に配置された
タンク７に配管８を介して連通され、かつ該配管にはポ
ンプ９が設けられている。前記タンク７内には、例えば
希釈エツチング液１０が収容されている。また、前記エ
ツチング装置の人口に近い前記処理槽ｌの上方には角度
調整可能な液切エアーナイフ部材１１が配設されている
。このエアーナイフ部材Ｕには、圧縮空気の導入管１２
が連結されている。
るシャワーエツチング前処理装置を示す概略斜視図であ
る。図中の１は、図示しないシャワー式ウェットエツチ
ング装置の入口側に配設された処理槽であり、この処理
槽１の開口上部には複数本の搬送ローラ２が配置されて
いる。これらローラ２の一端側には、ベルト３が枢支さ
れており、かつ各ローラ２のうちエツチング装置より遠
い箇所に位置するローラ２の一端はモータ４の駆動軸と
ベルト５を介して連結されている。前記処理槽１の上方
には、バイブシャワ一部材Ｂが配設されている。このパ
イプシャワ一部材６には、前記処理槽ｌ内に配置された
タンク７に配管８を介して連通され、かつ該配管にはポ
ンプ９が設けられている。前記タンク７内には、例えば
希釈エツチング液１０が収容されている。また、前記エ
ツチング装置の人口に近い前記処理槽ｌの上方には角度
調整可能な液切エアーナイフ部材１１が配設されている
。このエアーナイフ部材Ｕには、圧縮空気の導入管１２
が連結されている。
次に、上述した第１図の装置を用いてウェットエツチン
グ方法を説明する。
グ方法を説明する。
まず、所定のマスクパターン（レジストパターン）が形
成されたガラス基板１３を搬送ローラ２上に設置した後
、モータ４を駆動してベルト５．３を介して搬送ローラ
を回転させることにより前記ガラス基板１３を搬送し、
パイプシャワ一部材６の下を通過させる。この時、ポン
プ９の駆動によりタンク７内に収容された希釈エツチン
グ液１０が配管８を通してパイプシャワ一部材６に供給
され、該部材６から希釈エツチング液が基板１３の全面
にシャワーされる。つづいて、表面がエツチング液で濡
らされた基板１３を、導入管１２から圧縮空気が供給さ
れた液切エアーナイフ部材１１の下を通過させることに
より、基板１３表面の液量を調整して液膜を形成する。
成されたガラス基板１３を搬送ローラ２上に設置した後
、モータ４を駆動してベルト５．３を介して搬送ローラ
を回転させることにより前記ガラス基板１３を搬送し、
パイプシャワ一部材６の下を通過させる。この時、ポン
プ９の駆動によりタンク７内に収容された希釈エツチン
グ液１０が配管８を通してパイプシャワ一部材６に供給
され、該部材６から希釈エツチング液が基板１３の全面
にシャワーされる。つづいて、表面がエツチング液で濡
らされた基板１３を、導入管１２から圧縮空気が供給さ
れた液切エアーナイフ部材１１の下を通過させることに
より、基板１３表面の液量を調整して液膜を形成する。
次いで、図示しないシャワー式ウェットエツチング装置
の入口からシャワー室内に基板を搬送し、シャッタを閉
じた後、シャワー室内のバイブノズルからエツチング液
を基板の全面にシャワーしてレジストパターンから露出
する基板部分をエツチングした。この時、エツチング室
に搬送された基板全面にエツチング液がシャワーされる
までの間に該シャワー室のノズルや天井からエツチング
液の雫が基板表面に落ちたが、該基板表面に形成された
液膜によりその雫を希釈すると共に周辺に拡散した。そ
の結果、雫が落ちた箇所での不動態膜の生成反応を遅ら
せることができ、不動態膜の生成前にエツチング液のシ
ャワーを行なうことができた。
の入口からシャワー室内に基板を搬送し、シャッタを閉
じた後、シャワー室内のバイブノズルからエツチング液
を基板の全面にシャワーしてレジストパターンから露出
する基板部分をエツチングした。この時、エツチング室
に搬送された基板全面にエツチング液がシャワーされる
までの間に該シャワー室のノズルや天井からエツチング
液の雫が基板表面に落ちたが、該基板表面に形成された
液膜によりその雫を希釈すると共に周辺に拡散した。そ
の結果、雫が落ちた箇所での不動態膜の生成反応を遅ら
せることができ、不動態膜の生成前にエツチング液のシ
ャワーを行なうことができた。
しかして、上記ウェットエツチング後の基板表面を調べ
た結果、前記不動態膜に起因するエツチング不良の発生
が皆無であった。
た結果、前記不動態膜に起因するエツチング不良の発生
が皆無であった。
なお、上記実施例では基板表面に希釈エツチング液の液
膜を形成したが、純水の液膜を形成してもよい。
膜を形成したが、純水の液膜を形成してもよい。
上記実施例では、基板表面にエツチング液（又は純水）
を濡らす手段としてパイプシャワ一部材を用いたが、こ
れに限定されない。例えば、エツチング液等を含浸させ
たローラを基板表面に接触したり、エツチング液中に浸
漬して基板表面をエツチング液で濡らしてもよい。
を濡らす手段としてパイプシャワ一部材を用いたが、こ
れに限定されない。例えば、エツチング液等を含浸させ
たローラを基板表面に接触したり、エツチング液中に浸
漬して基板表面をエツチング液で濡らしてもよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によればシャワーエツチング
前での基板表面へのエツチング液の雫落下、付着による
不動態膜の生成反応時間を遅らせ、不動態膜の生成前に
基板の表面全体に充分な量のエツチング液をシャワーで
き、ひいては不動態膜の生成によるエツチング不良を防
止し、歩留り等を向上したウェットエツチング方法を提
供できる。
前での基板表面へのエツチング液の雫落下、付着による
不動態膜の生成反応時間を遅らせ、不動態膜の生成前に
基板の表面全体に充分な量のエツチング液をシャワーで
き、ひいては不動態膜の生成によるエツチング不良を防
止し、歩留り等を向上したウェットエツチング方法を提
供できる。
第１図は、本発明の実施例でとようしたシャワーエツチ
ング前処理装置を示す概略斜視図である。 ■・・・処理槽、２・・・搬送ローラ、６・・・パイプ
シャワ一部材、ＩＩ・・・液きりエアーナイフ部材、１
３・・・ガラスパ板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
ング前処理装置を示す概略斜視図である。 ■・・・処理槽、２・・・搬送ローラ、６・・・パイプ
シャワ一部材、ＩＩ・・・液きりエアーナイフ部材、１
３・・・ガラスパ板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 所望のマスクパターンが形成されたガラス基板にエッチ
ング液をシャワーしてエッチングを行なう方法において
、前記ガラス基板のエッチング前に該基板全面に水又は
希釈エッチング液の液膜を形成することを特徴とするウ
ェットエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63009894A JP2533149B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウェットエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63009894A JP2533149B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウェットエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188444A true JPH01188444A (ja) | 1989-07-27 |
| JP2533149B2 JP2533149B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=11732834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63009894A Expired - Fee Related JP2533149B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | ウェットエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533149B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425357B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-03-30 | 명재철 | 테프론계 수지의 부식처리방법 및 장치 |
| WO2013054783A1 (ja) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | 株式会社Ｎｓｃ | 枚葉式化学研磨装置 |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63009894A patent/JP2533149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425357B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-03-30 | 명재철 | 테프론계 수지의 부식처리방법 및 장치 |
| WO2013054783A1 (ja) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | 株式会社Ｎｓｃ | 枚葉式化学研磨装置 |
| JP2013086978A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Nsc:Kk | 枚葉式化学研磨装置 |
| CN103889912A (zh) * | 2011-10-13 | 2014-06-25 | 株式会社Ｎｓｃ | 单片式化学研磨装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2533149B2 (ja) | 1996-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |