JPS61154130A - 減圧流水洗浄装置 - Google Patents

減圧流水洗浄装置

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Publication number
JPS61154130A
JPS61154130A JP27825284A JP27825284A JPS61154130A JP S61154130 A JPS61154130 A JP S61154130A JP 27825284 A JP27825284 A JP 27825284A JP 27825284 A JP27825284 A JP 27825284A JP S61154130 A JPS61154130 A JP S61154130A
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JP
Japan
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washing
valve
cleaning
reduced pressure
water
Prior art date
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Pending
Application number
JP27825284A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichi Ono
小野　市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61154130A publication Critical patent/JPS61154130A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は半導体製造工程中に於いて、シリコンウェハや
フォトリソグラフィ工程で使用するガラスマスク等の洗
浄に使用す□る減圧流水洗浄装置に関する。
［発明の技術的背景及びその問題点］ 従来、この種の流水洗浄方法は、大気圧下で、流水層中
にカセットに収納した被洗浄物を入れ、流水槽に洗浄水
を流したり、若しくはシャワー状にして吹付けたりして
流水洗浄を行なう方法が主流であった。
しかしながら、このような方法では、被洗浄物の表面に
洗浄中に気泡が付着してしまう。そのため、洗浄効果が
低下し、その結果流水時間が長くなり、洗浄水使用量も
多くなるという欠点があった。
［発明の目的］ 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、被洗浄物の表面への気泡の付着を防止して洗浄効果の
向上した流水洗浄装置を提供することにある。
［発明の概要］ 本発明に係る減圧流水洗浄装置は、洗浄室と、この洗浄
室内に設けられ、被洗浄物が収納される洗浄槽と、この
洗浄槽の中に水を流し、上記被洗浄物を洗浄する手段と
、前記洗浄室から洗浄後の水を排出する手段と、前記洗
浄室内を減圧する手段とを具備してなり、減圧状態で前
記被洗浄物を流水洗浄することにより、発生した気泡を
被洗浄物の表面から速やかに離脱させ、洗浄効果を上げ
るものである。
［発明の実施例］ 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。図
面に於いて、１１は上面に蓋ｉ１ａが設けられた洗浄室
であり、この洗浄室１１内には保持台１２ａ、１２ｂを
介して排水溜め槽１３が設置されている。
排水溜め槽１３には排水管１４が設けられ、この排水管
１４には排水開閉弁１５が取付けられている。ざらに、
排水溜め槽１３内には保持台２８ａ、２８ｂを介して洗
浄槽１６が設置され、この洗浄槽１６内に被洗浄物、例
えばカセット１７内に保持された複数のシリコンウェハ
１８．１８・・・が収納されるようになっている。洗浄
槽１６には給水管１９が設けられ、この給水管１９には
流量調整用絞り弁２０及び給水開閉弁２１が取付けられ
ている。
上記洗浄室１１には、真空装Ｗ（図示せず）に連結され
排気開閉弁２２が取付けられた排気管２３、給気囲閉弁
２４の取付けられた給気管２５、及び真空度調節用絞り
弁２６の取付けられた給気管２１が設けられている。
次に、この減圧流水洗浄装置の動作について説明する。
通常、給水開閉弁２１、流ａｌ１節用絞り弁２０、排水
開閉弁１５、給気開閉弁２４、及び真空度調節用絞り弁
２６はそれぞれ開状態であり、また排気開閉弁２２は開
状態となっている。
この状態に於いて、先ず、！１１ａを外し、シリコンウ
ェハ１８．１８・・・を保持したカセット１７を洗浄槽
１６内に収納する。その後、排水開閉弁１５及び給気開
閉弁２４を閉状態とすると共に、排気開閉弁２２を開状
態にし、真空装置を駆動して洗浄室１１内を減圧する。
真空度は、真空度調節用絞り弁２６により数十〜数百Ｔ
　ｏｒｒの圧力に任意に調節する。その後、給水管２１
から給水を開始し、シリコンウニＡ１８．１８−・・の
洗浄を行なう。この場合、減圧状態で洗浄が行われるた
め、シリコンウェハ１８の表面に付着しようとする気泡
は速やかに離脱する。指定の流水時間が経過して洗浄が
終了すると、排気開閉弁２２を閉、給気開閉弁２４を開
状態にする。
洗浄室１１内が大気圧になると、排水開閉弁１５を開け
、排水溜め槽１３に溜った水を排水し、蓋１１ａを開け
てカセット１７を取り出す。これにより、洗浄が終了す
る。
尚、上記実施例に於いては、排水溜め槽１３を設ける構
成としたが、洗浄室１１自体を排水溜め槽として使用す
る場合には、この排水溜め槽１３を省略する構成として
もよい。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、洗浄中に被洗浄物の表面
への気泡の付着が減少するので、洗浄効果が向上し、従
って流水時間を短縮して洗浄水の節約化を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例に係る減圧流水洗浄装置の構成
を示す断面図である。 １１・・・洗浄室、１３−・・排水溜め槽、１４・・・
排水管、１６・・・洗浄槽、１８・・・シリコンウェハ
、１９・・・給水管、２３・・・排気管、２５．２７・
・・給気管。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 、ｌｌａ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　洗浄室と、この洗浄室内に設けられ、被洗浄物が収納
    される洗浄槽と、この洗浄槽の中に水を流し、上記被洗
    浄物を洗浄する手段と、前記洗浄室から洗浄後の水を排
    出する手段と、前記洗浄室内を減圧する手段とを具備し
    、減圧状態で前記被洗浄物を流水洗浄することを特徴と
    する減圧流水洗浄装置。
JP27825284A 1984-12-27 1984-12-27 減圧流水洗浄装置 Pending JPS61154130A (ja)

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JP27825284A JPS61154130A (ja) 1984-12-27 1984-12-27 減圧流水洗浄装置

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Cited By (5)

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US6641677B1 (en) 1997-03-21 2003-11-04 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6645311B2 (en) 1997-03-21 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6656289B2 (en) 1997-03-21 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6896740B2 (en) 1997-03-21 2005-05-24 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US7163019B2 (en) 1997-03-21 2007-01-16 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US7204889B2 (en) 1997-03-21 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US7422639B2 (en) 1997-03-21 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure

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