JPS6242535Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6242535Y2 JPS6242535Y2 JP1982186558U JP18655882U JPS6242535Y2 JP S6242535 Y2 JPS6242535 Y2 JP S6242535Y2 JP 1982186558 U JP1982186558 U JP 1982186558U JP 18655882 U JP18655882 U JP 18655882U JP S6242535 Y2 JPS6242535 Y2 JP S6242535Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- resistance
- cleaning
- water tank
- running
- Prior art date
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- Expired
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 89
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は半導体ウエハを薬品処理後に薬品除
去の目的で行なわれる半導体ウエハの洗浄装置に
関する。
去の目的で行なわれる半導体ウエハの洗浄装置に
関する。
従来、半導体ウエハを薬品処理後に薬品除去の
目的で行なわれる半導体ウエハの洗浄は、半導体
ウエハを純水を入れた洗浄装置内に一定時間入れ
ておくことにより行なわれていた。このような洗
浄装置において洗浄中は常に純水の流入及び流出
が行なわれていた。しかして、従来において半導
体ウエハを洗浄装置に入れておく時間（洗浄時
間）は予め決められているものである。つまり、
最も比抵抗回復の遅い薬品を使用し、予想される
最低流量で十分比抵抗が回復する時間を洗浄装置
と決定していた。
目的で行なわれる半導体ウエハの洗浄は、半導体
ウエハを純水を入れた洗浄装置内に一定時間入れ
ておくことにより行なわれていた。このような洗
浄装置において洗浄中は常に純水の流入及び流出
が行なわれていた。しかして、従来において半導
体ウエハを洗浄装置に入れておく時間（洗浄時
間）は予め決められているものである。つまり、
最も比抵抗回復の遅い薬品を使用し、予想される
最低流量で十分比抵抗が回復する時間を洗浄装置
と決定していた。
上記したように洗浄時間は最低流量を想定して
決定されるため、その洗浄時間は実際に必要な時
間より多くなり洗浄装置に流入する純水が無駄に
使用されるという欠点があつた。さらに、洗浄時
間が設定されているため洗浄装置内に入れられた
半導体ウエハの洗浄進行状態に応じて、洗浄の方
法（例えば、洗浄装置に流入する純水の量を変化
させること）を変化させることはできなかつた。
決定されるため、その洗浄時間は実際に必要な時
間より多くなり洗浄装置に流入する純水が無駄に
使用されるという欠点があつた。さらに、洗浄時
間が設定されているため洗浄装置内に入れられた
半導体ウエハの洗浄進行状態に応じて、洗浄の方
法（例えば、洗浄装置に流入する純水の量を変化
させること）を変化させることはできなかつた。
この考案は上記の点に鑑みてなされたもので、
その目的は半導体ウエハを洗浄する洗浄装置にお
いて半導体ウエハの洗浄状態に応じて、洗浄方法
を自動的に制御して純水の無駄な使用を省くよう
にした半導体ウエハの洗浄装置を提供することに
ある。
その目的は半導体ウエハを洗浄する洗浄装置にお
いて半導体ウエハの洗浄状態に応じて、洗浄方法
を自動的に制御して純水の無駄な使用を省くよう
にした半導体ウエハの洗浄装置を提供することに
ある。
半導体ウエハ上の薬品除去量をモニタする純水
の抵孔測定端子を有する流水槽を設け、半導体ウ
エハの洗浄進行状態を純水の抵抗を測定すること
により検出し、半導体ウエハの洗浄工程中におい
て、純水の抵抗が洗浄前の純水の抵抗に等しくな
つたときを洗浄の終了と判定して、流水槽に流入
させる純水の量を少なくしている。
の抵孔測定端子を有する流水槽を設け、半導体ウ
エハの洗浄進行状態を純水の抵抗を測定すること
により検出し、半導体ウエハの洗浄工程中におい
て、純水の抵抗が洗浄前の純水の抵抗に等しくな
つたときを洗浄の終了と判定して、流水槽に流入
させる純水の量を少なくしている。
以下、図面を参照してこの考案の一実施例を説
明する。第１図において、１１は半導体ウエハが
洗浄される流水槽である。上記流水槽１１内には
ウエハキヤリア１２が置かれ、このウエハキヤリ
ア１２内に洗浄すべきウエハ１３が設置されてい
る。また、上記流水槽１１の側面上部には純水抵
抗センサー１４が設けられ、流水槽１１内の純水
１５の抵抗が測定される。上記純水抵抗センサー
１４からの純水１５の抵抗を示すデータはコント
ローラ１６に送られる。しかして、上記流水槽１
１の底部には流水ノズル１７が設けられており、
主純水ライン１８及び抵抗保持用純水ライン１９
がバルブ２０及び２１を介して接続されている。
この抵抗保持用純水ライン１９は上記流水槽１１
で半導体ウエハを洗浄しない場合でも純水の抵抗
が外部から侵入したイオン等により下がつてくる
のを防止するために、この抵抗保持用純水ライン
１９から純水を送つて半導体ウエハを洗浄しない
状態での上記流水槽１１の抵抗を一定に保つてい
る。さらに、上記流水槽１１の底面には排出口２
２が設けられており、排水用バルブ２３の開放に
より上記流水槽１１内の純水が排出される。しか
して、上記バルブ２０，２１，２３の開閉動作は
上記コントローラ１６の制御下に行なわれるもの
である。また、上記コントローラ１６には半導体
ウエハを洗浄前の純水１５の抵抗値が設定され
る。
明する。第１図において、１１は半導体ウエハが
洗浄される流水槽である。上記流水槽１１内には
ウエハキヤリア１２が置かれ、このウエハキヤリ
ア１２内に洗浄すべきウエハ１３が設置されてい
る。また、上記流水槽１１の側面上部には純水抵
抗センサー１４が設けられ、流水槽１１内の純水
１５の抵抗が測定される。上記純水抵抗センサー
１４からの純水１５の抵抗を示すデータはコント
ローラ１６に送られる。しかして、上記流水槽１
１の底部には流水ノズル１７が設けられており、
主純水ライン１８及び抵抗保持用純水ライン１９
がバルブ２０及び２１を介して接続されている。
この抵抗保持用純水ライン１９は上記流水槽１１
で半導体ウエハを洗浄しない場合でも純水の抵抗
が外部から侵入したイオン等により下がつてくる
のを防止するために、この抵抗保持用純水ライン
１９から純水を送つて半導体ウエハを洗浄しない
状態での上記流水槽１１の抵抗を一定に保つてい
る。さらに、上記流水槽１１の底面には排出口２
２が設けられており、排水用バルブ２３の開放に
より上記流水槽１１内の純水が排出される。しか
して、上記バルブ２０，２１，２３の開閉動作は
上記コントローラ１６の制御下に行なわれるもの
である。また、上記コントローラ１６には半導体
ウエハを洗浄前の純水１５の抵抗値が設定され
る。
次に、上記のように構成されたこの考案の動作
を説明する。まず、流水槽１１内にウエハキヤリ
ア１２を入れる前に流水槽１１中の純水１５の抵
抗をコントローラ１６に記憶させる。次に、上記
流水槽１１中に薬品処理後のウエハ１３が入つた
ウエハキヤリア１２を入れる。また、純水洗浄中
の純水は主純水ライン１８及び抵抗保持用純水ラ
イン１９を介して行なわれるもので、この状態に
おいて、排水用バルブ２３はコントローラ１６の
制御により閉状態となつている。このようにし
て、流水ノズル１７から噴出された純水は流水槽
１１内に送られて、ウエハ１３が洗浄される。ま
た、あふれた純水１５は流水槽１１上面より槽外
に流出する。ところで、洗浄を繰り返し行なうリ
ピート洗浄が必要な場合にはコントローラ１６の
制御により排水バルブ２３を開き、バルブ２０，
２１を閉じる。そして、流水槽１１の中の純水１
５を全部排水した後、排水バルブ２３を閉じ、バ
ルブ２０，２１を開いて流水槽１１内に純水１５
を流入させる。ところで、流水槽１１内に純水１
５を満たしてウエハ１３を洗浄している洗浄状態
では純水抵抗センサ１４により洗浄中の純水の抵
抗が測定されて、コントローラ１６に送られる。
このようにして、コントローラ１６に送られた洗
浄中の純水の抵抗がコントローラ１６に設定され
ている半導体ウエハ洗浄前の純水の抵抗値との比
較が行なわれ、洗浄中の抵抗値が洗浄前の抵抗値
の例えば±20％になつた場合、コントローラ１６
は洗浄の終了を検知し、バルブ２０を閉じる信号
を出力する。このことにより、主純水ライン１８
を介しての純水の供給は停止される。以下、抵抗
保持用純水ライン１９を介してのみ純水が流水槽
１１に流入される。ここで、抵抗保持用純水ライ
ン１９を介しての流量は主純水ライン１８を介し
ての流量の1/3に測定されている。
を説明する。まず、流水槽１１内にウエハキヤリ
ア１２を入れる前に流水槽１１中の純水１５の抵
抗をコントローラ１６に記憶させる。次に、上記
流水槽１１中に薬品処理後のウエハ１３が入つた
ウエハキヤリア１２を入れる。また、純水洗浄中
の純水は主純水ライン１８及び抵抗保持用純水ラ
イン１９を介して行なわれるもので、この状態に
おいて、排水用バルブ２３はコントローラ１６の
制御により閉状態となつている。このようにし
て、流水ノズル１７から噴出された純水は流水槽
１１内に送られて、ウエハ１３が洗浄される。ま
た、あふれた純水１５は流水槽１１上面より槽外
に流出する。ところで、洗浄を繰り返し行なうリ
ピート洗浄が必要な場合にはコントローラ１６の
制御により排水バルブ２３を開き、バルブ２０，
２１を閉じる。そして、流水槽１１の中の純水１
５を全部排水した後、排水バルブ２３を閉じ、バ
ルブ２０，２１を開いて流水槽１１内に純水１５
を流入させる。ところで、流水槽１１内に純水１
５を満たしてウエハ１３を洗浄している洗浄状態
では純水抵抗センサ１４により洗浄中の純水の抵
抗が測定されて、コントローラ１６に送られる。
このようにして、コントローラ１６に送られた洗
浄中の純水の抵抗がコントローラ１６に設定され
ている半導体ウエハ洗浄前の純水の抵抗値との比
較が行なわれ、洗浄中の抵抗値が洗浄前の抵抗値
の例えば±20％になつた場合、コントローラ１６
は洗浄の終了を検知し、バルブ２０を閉じる信号
を出力する。このことにより、主純水ライン１８
を介しての純水の供給は停止される。以下、抵抗
保持用純水ライン１９を介してのみ純水が流水槽
１１に流入される。ここで、抵抗保持用純水ライ
ン１９を介しての流量は主純水ライン１８を介し
ての流量の1/3に測定されている。
次に、希HFで処理したSiウエハの洗浄時間と
抵抗回復の例を第２図を用いて説明する。第２図
において、流量はＡ＞Ｂ＞Ｃの順で大きい。ま
た、Ｃは予測される最低流量であり、従来方法で
あると洗浄時間は20分位に設定されている。しか
し、この考案に係る半導体ウエハの洗浄装置を用
いると流量Ａの場合は７分、流量Ｂの場合は12
分、流量Ｃの場合は18分となる。このように流量
により洗浄時間が追随する。第２図の場合、平均
洗浄時間は40％短縮される。また、洗浄終了後は
自動的に洗浄時の1/3位になるから純水の使用量
も大幅に減少させることができる。
抵抗回復の例を第２図を用いて説明する。第２図
において、流量はＡ＞Ｂ＞Ｃの順で大きい。ま
た、Ｃは予測される最低流量であり、従来方法で
あると洗浄時間は20分位に設定されている。しか
し、この考案に係る半導体ウエハの洗浄装置を用
いると流量Ａの場合は７分、流量Ｂの場合は12
分、流量Ｃの場合は18分となる。このように流量
により洗浄時間が追随する。第２図の場合、平均
洗浄時間は40％短縮される。また、洗浄終了後は
自動的に洗浄時の1/3位になるから純水の使用量
も大幅に減少させることができる。
以上説明したようにこの考案によれば、半導体
ウエハを洗浄する洗浄装置において半導体ウエハ
の洗浄状態に応じて洗浄方法を自動的に制御した
ので、純水の無駄な使用を省くようにした半導体
ウエハの洗浄装置を提供することができる。
ウエハを洗浄する洗浄装置において半導体ウエハ
の洗浄状態に応じて洗浄方法を自動的に制御した
ので、純水の無駄な使用を省くようにした半導体
ウエハの洗浄装置を提供することができる。
第１図はこの考案の一実施例の半導体ウエハの
洗浄装置を示す図、第２図はSiウエハの洗浄時間
と抵抗回復の例を示す図である。 １１……流水槽、１２……ウエハキヤリア、１
４……純水抵抗センサ、１８……主純水ライン、
１９……抵抗保持用純水ライン。
洗浄装置を示す図、第２図はSiウエハの洗浄時間
と抵抗回復の例を示す図である。 １１……流水槽、１２……ウエハキヤリア、１
４……純水抵抗センサ、１８……主純水ライン、
１９……抵抗保持用純水ライン。
Claims (1)
- 半導体ウエハを洗浄する純水を蓄える流水槽
と、上記流水槽内の上部の純水の抵抗を検出する
純水抵抗センサと、上記流水槽に純水を送る主純
水ラインと、上記流水槽に純水を送る抵抗保持用
純水ラインと、上記純水抵抗センサにより検出さ
れる洗浄中の流水槽内の抵抗が洗浄前の純水の抵
抗値の所定範囲に入つた場合に上記純水ラインを
介しての純水の流入を停止し、上記抵抗保持用純
水ラインを介してのみ流水槽に純水を送るコント
ローラとを具備したことを特徴とする半導体ウエ
ハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18655882U JPS5989535U (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18655882U JPS5989535U (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989535U JPS5989535U (ja) | 1984-06-18 |
| JPS6242535Y2 true JPS6242535Y2 (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=30402932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18655882U Granted JPS5989535U (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989535U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341729A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5274279A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-22 | Toshiba Corp | Washing of semiconductor wafers |
| JPS5311957B2 (ja) * | 1973-08-03 | 1978-04-25 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311957U (ja) * | 1976-07-13 | 1978-01-31 |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP18655882U patent/JPS5989535U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311957B2 (ja) * | 1973-08-03 | 1978-04-25 | ||
| JPS5274279A (en) * | 1975-12-17 | 1977-06-22 | Toshiba Corp | Washing of semiconductor wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5989535U (ja) | 1984-06-18 |
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