JPH05234977A - 半導体ウェハウェット処理装置 - Google Patents
半導体ウェハウェット処理装置Info
- Publication number
- JPH05234977A JPH05234977A JP3120492A JP3120492A JPH05234977A JP H05234977 A JPH05234977 A JP H05234977A JP 3120492 A JP3120492 A JP 3120492A JP 3120492 A JP3120492 A JP 3120492A JP H05234977 A JPH05234977 A JP H05234977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- semiconductor wafer
- washing
- tank
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハウェット処理装置の水洗槽に供給
する純水の水量を実際のウェハの水洗状態や純水の状態
を判断することによって決定し、純水の無駄使いや水洗
不足を解消する。 【構成】水洗槽３内または排水配管内に比抵抗計８また
は比抵抗計８と薬液濃度計９を並設して取り付け、水洗
槽３内の純水状態を測定し、その値に応じて水洗槽３内
に供給する純水の流量を流量調整バルブ５により自動制
御する。
する純水の水量を実際のウェハの水洗状態や純水の状態
を判断することによって決定し、純水の無駄使いや水洗
不足を解消する。 【構成】水洗槽３内または排水配管内に比抵抗計８また
は比抵抗計８と薬液濃度計９を並設して取り付け、水洗
槽３内の純水状態を測定し、その値に応じて水洗槽３内
に供給する純水の流量を流量調整バルブ５により自動制
御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハウェット処
理装置に関し、特に酸処理等を行った後の洗浄装置に関
する。
理装置に関し、特に酸処理等を行った後の洗浄装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェハウェット処理装置
は、図３の構成図に示すように、酸処理等を行なう処理
槽１１と酸処理後半導体ウェハを水洗するための水洗槽
を有している。水洗槽１０はオーバーフロー槽となって
おり、純水が常に供給されている。この純水供給量は、
事前の評価や他の装置の実績により決定される。純水量
調整は、ダイヤフラムバルブ１２またはバイパス付バル
ブ１３のニードル弁により調整され、流量計１４により
流量は測定される。
は、図３の構成図に示すように、酸処理等を行なう処理
槽１１と酸処理後半導体ウェハを水洗するための水洗槽
を有している。水洗槽１０はオーバーフロー槽となって
おり、純水が常に供給されている。この純水供給量は、
事前の評価や他の装置の実績により決定される。純水量
調整は、ダイヤフラムバルブ１２またはバイパス付バル
ブ１３のニードル弁により調整され、流量計１４により
流量は測定される。
【０００３】また、使用時と待機時の純水供給量を変化
させ、待機時には節水を計るようにしている。これはバ
イパス付バルブ１３の開閉により行なわれる。すなわ
ち、バイパス付バルブ１３の開時には大流量（使用
時），バイパス付バルブ１３の閉時には小流量（待機
時）となる。さらに水洗効率を上げるために窒素による
バブリング，超音波振動や揺動を付加した水洗槽も用い
られている。
させ、待機時には節水を計るようにしている。これはバ
イパス付バルブ１３の開閉により行なわれる。すなわ
ち、バイパス付バルブ１３の開時には大流量（使用
時），バイパス付バルブ１３の閉時には小流量（待機
時）となる。さらに水洗効率を上げるために窒素による
バブリング，超音波振動や揺動を付加した水洗槽も用い
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ウェ
ハウェット処理装置の水洗槽では、供給純水の水量は一
定の値になるように管理されているが、初期評価や経験
に基づき、また安全等を考慮し決定されているにすぎな
い。
ハウェット処理装置の水洗槽では、供給純水の水量は一
定の値になるように管理されているが、初期評価や経験
に基づき、また安全等を考慮し決定されているにすぎな
い。
【０００５】これは、実際の半導体ウェハの水洗状態や
純水の状態を判断して決定したものではなく、そのため
純水の無駄使いや半導体ウェハの水洗不足が発生すると
いう問題点があった。
純水の状態を判断して決定したものではなく、そのため
純水の無駄使いや半導体ウェハの水洗不足が発生すると
いう問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハウ
ェット処理管理は、水洗槽内または水洗槽よりの配水配
管内に比抵抗測定器または比抵抗測定器と濃度測定器を
並設して取り付け、純水の比抵抗または不純物濃度を測
定し、その測定値を純水供給量調整コントローラに取り
込み、その測定値に対応した純水が供給されるように純
水供給流量調整バルブの開閉度を調整している。
ェット処理管理は、水洗槽内または水洗槽よりの配水配
管内に比抵抗測定器または比抵抗測定器と濃度測定器を
並設して取り付け、純水の比抵抗または不純物濃度を測
定し、その測定値を純水供給量調整コントローラに取り
込み、その測定値に対応した純水が供給されるように純
水供給流量調整バルブの開閉度を調整している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の構成図である。
る。図１は本発明の実施例１の構成図である。
【０００８】半導体ウェハウェット処理装置１内に酸処
理槽２及び水洗槽３が具備され、半導体ウェハは所定の
処理を酸処理槽２において行ない、手動または自動によ
り水洗槽３に移される。この水洗槽３にて一定時間水洗
ののち、遠心脱水機（図示せず）等により乾燥される。
理槽２及び水洗槽３が具備され、半導体ウェハは所定の
処理を酸処理槽２において行ない、手動または自動によ
り水洗槽３に移される。この水洗槽３にて一定時間水洗
ののち、遠心脱水機（図示せず）等により乾燥される。
【０００９】水洗槽３はオーバーフロー槽となってお
り、常に純水が供給されている。この時、純水の状態を
一定に保つために水洗槽３内に比抵抗計４を取り付け、
純水の状態を測定し、その値をコントローラ部７に取り
込み、流量調整バルブ５の開閉度を決定する。比抵抗値
が小さければ、純水を多量に流すため流量調整バルブ５
の開度は大きくなり、逆に比抵抗値が大きければ、純水
を最小限供給すれば良いため流量調整バルブ５の開度は
小さくなる。
り、常に純水が供給されている。この時、純水の状態を
一定に保つために水洗槽３内に比抵抗計４を取り付け、
純水の状態を測定し、その値をコントローラ部７に取り
込み、流量調整バルブ５の開閉度を決定する。比抵抗値
が小さければ、純水を多量に流すため流量調整バルブ５
の開度は大きくなり、逆に比抵抗値が大きければ、純水
を最小限供給すれば良いため流量調整バルブ５の開度は
小さくなる。
【００１０】ウェハ洗浄時は当然比抵抗値は下がり、流
量調整バルブ５の開度は大きくなり、純水は多量に供給
されることになる。また、未使用時は最小限の純水供給
となる。
量調整バルブ５の開度は大きくなり、純水は多量に供給
されることになる。また、未使用時は最小限の純水供給
となる。
【００１１】なお、この実施例１では、純水量の確認の
ため流量計６は取り付けてある。また純水の排水は処理
槽２の排液と同一で、酸処理系として処理される。
ため流量計６は取り付けてある。また純水の排水は処理
槽２の排液と同一で、酸処理系として処理される。
【００１２】次に本発明の実施例２について、図面を参
照して説明する。図２は本発明の実施例２の構成図であ
る。本実施例では、水洗槽内の純水の状態を測定する方
法として比抵抗計８と薬液濃度計９を並列に設け、水洗
中は濃度計９により純水供給量を決定し、未使用時には
比抵抗計８により純水量を決定する。
照して説明する。図２は本発明の実施例２の構成図であ
る。本実施例では、水洗槽内の純水の状態を測定する方
法として比抵抗計８と薬液濃度計９を並列に設け、水洗
中は濃度計９により純水供給量を決定し、未使用時には
比抵抗計８により純水量を決定する。
【００１３】この方法において、純水供給を場合分けす
ることにより、さらに純水が効率よく使用されるという
利点がある。これは、ウェハ洗浄時には比抵抗値が回復
するまで時間がかかり、実際十分水洗されているにもか
かわらず比抵抗値は小さい（１ＭΩ以下）ままというこ
とがあるため、水洗中は濃度により管理することで、水
洗管理すなわち純水供給量を調整することにした。その
結果、純水の適量使用が可能となる。
ることにより、さらに純水が効率よく使用されるという
利点がある。これは、ウェハ洗浄時には比抵抗値が回復
するまで時間がかかり、実際十分水洗されているにもか
かわらず比抵抗値は小さい（１ＭΩ以下）ままというこ
とがあるため、水洗中は濃度により管理することで、水
洗管理すなわち純水供給量を調整することにした。その
結果、純水の適量使用が可能となる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェハウェット処理装置の水洗槽の純水供給量が比抵抗測
定器や濃度測定器によって測定された純水の状態に応じ
て決められるため、純水の供給が多すぎたり少なすぎた
りすることなく適量供給が可能となり、純水の無駄使い
や半導体ウェハの水洗不足がなくなるという効果を有す
る。
ェハウェット処理装置の水洗槽の純水供給量が比抵抗測
定器や濃度測定器によって測定された純水の状態に応じ
て決められるため、純水の供給が多すぎたり少なすぎた
りすることなく適量供給が可能となり、純水の無駄使い
や半導体ウェハの水洗不足がなくなるという効果を有す
る。
【図１】本発明の実施例１の構成図である。
【図２】本発明の実施例２の構成図である。
【図３】従来の処理装置の構成図である。
１ 半導体ウェハウェット処理装置 ２ 処理槽 ３ 水洗槽 ４ 比抵抗計 ５ 流量調整バルブ ６ 流量計 ７ コントローラ ８ 比抵抗計 ９ 薬液濃度計 １０ 水洗槽 １１ 処理槽 １２ ダイヤフラムバルブ １３ バイパス付バルブ １４ 流量計
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハを酸処理等を行なった後水
洗洗浄を行なう半導体ウェハウェット処理装置におい
て、水洗槽内の純水の比抵抗を測定する比抵抗計と、こ
の比抵抗計からの信号により水洗槽内に供給する純水の
流量を制御する流量調整バルブを有することを特徴とす
る半導体ウェハウェット処理装置。 - 【請求項２】 前記水洗槽内に純水中の薬液濃度を測定
する濃度計を前記比抵抗計に並設した請求項１記載の半
導体ウェハウェット処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120492A JPH05234977A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体ウェハウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120492A JPH05234977A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体ウェハウェット処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234977A true JPH05234977A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12324891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3120492A Withdrawn JPH05234977A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 半導体ウェハウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234977A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746233A (en) * | 1996-01-17 | 1998-05-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and method therefor |
| US5896874A (en) * | 1996-07-02 | 1999-04-27 | Hirama Rika Kenkyujo Ltd. | Apparatus for controlling resist stripping solution |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3120492A patent/JPH05234977A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746233A (en) * | 1996-01-17 | 1998-05-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Washing apparatus and method therefor |
| US5896874A (en) * | 1996-07-02 | 1999-04-27 | Hirama Rika Kenkyujo Ltd. | Apparatus for controlling resist stripping solution |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5069235A (en) | Apparatus for cleaning and rinsing wafers | |
| KR100598913B1 (ko) | 약액 혼합 공급 장치 및 그 방법 | |
| JPH05234977A (ja) | 半導体ウェハウェット処理装置 | |
| JP2000286224A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0359345B2 (ja) | ||
| JPH03237717A (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| JPH0945656A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001217219A (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
| JPS6242535Y2 (ja) | ||
| JP3259412B2 (ja) | ウエハ洗浄方法 | |
| JPS62109322A (ja) | 半導体基板水洗装置 | |
| JPS61154130A (ja) | 減圧流水洗浄装置 | |
| JPH07146287A (ja) | 水質監視装置 | |
| KR19990018790U (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
| JPH05331652A (ja) | 湿式成膜装置 | |
| JPS62188324A (ja) | 水洗装置 | |
| JPS63308321A (ja) | 半導体ウェハ水洗装置 | |
| JPH0413563Y2 (ja) | ||
| JPH10161751A (ja) | 液体の流量制御方法、及び液体の流量制御装置 | |
| JPH09308875A (ja) | 純水比抵抗値制御装置 | |
| JP2534385Y2 (ja) | 基板表面処理装置の温純水供給装置 | |
| JPH06130030A (ja) | 水中アンモニア自動測定装置 | |
| JPH10143255A (ja) | 液管理装置 | |
| JPH0697146A (ja) | スチームを用いた基板処理方法 | |
| JPS62114228A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |