JPH03200328A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH03200328A JPH03200328A JP34105089A JP34105089A JPH03200328A JP H03200328 A JPH03200328 A JP H03200328A JP 34105089 A JP34105089 A JP 34105089A JP 34105089 A JP34105089 A JP 34105089A JP H03200328 A JPH03200328 A JP H03200328A
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- JP
- Japan
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- tank
- washing liquid
- cleaning
- outer tank
- inner tank
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 44
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体ウェハ表面を洗浄する装置に関し、特に
洗浄槽の構造に関するものである。
洗浄槽の構造に関するものである。
従来のこの種の洗浄を実行する洗浄槽を第２図に示す。
この第２図の従来の洗浄槽は、形体として通常矩形とな
っており、この槽で洗浄液にウェハ１を浸す。また洗浄
効果を高めるため、超音波エネルギーの助けにより洗浄
を行うだけで十分であった。
っており、この槽で洗浄液にウェハ１を浸す。また洗浄
効果を高めるため、超音波エネルギーの助けにより洗浄
を行うだけで十分であった。
しかし、集積回路が微細化するに従い、第４図に示すよ
うに、例えばトレンチ溝に代表されるように、ウェハ表
面の凹凸が大きくなり、この凹凸のすみずみまで洗浄す
ることが要求される場合には、このようなトレンチ穴の
洗浄を行うために第２図に示したような槽に常圧状態で
単にウェハを浸しただけでは、穴の細部まで洗浄液を入
れることは不可能であった。また、この場合、超音波エ
ネルギーを加えても完全な洗浄を実現することはできな
い。
うに、例えばトレンチ溝に代表されるように、ウェハ表
面の凹凸が大きくなり、この凹凸のすみずみまで洗浄す
ることが要求される場合には、このようなトレンチ穴の
洗浄を行うために第２図に示したような槽に常圧状態で
単にウェハを浸しただけでは、穴の細部まで洗浄液を入
れることは不可能であった。また、この場合、超音波エ
ネルギーを加えても完全な洗浄を実現することはできな
い。
そこで、第４図のようなトレンチ溝の洗浄に減圧下でウ
ェハを処理液に浸し、常圧又はさらに加圧することによ
りトレンチ穴の細部まで洗浄液を入れ、洗浄を完全に行
うことが考えられる。さらに洗浄を完全なものにするた
めに超音波を加えることが必要である。
ェハを処理液に浸し、常圧又はさらに加圧することによ
りトレンチ穴の細部まで洗浄液を入れ、洗浄を完全に行
うことが考えられる。さらに洗浄を完全なものにするた
めに超音波を加えることが必要である。
この超音波エネルギーアシスト減圧可能な洗浄槽を実現
するために、 ■ 減圧時の外圧に対し、十分な強度をもつこと。
するために、 ■ 減圧時の外圧に対し、十分な強度をもつこと。
■ 槽の材料として超音波の透過特性のよいもの。
■ 洗浄液に対して浸されないもの。
■ ウェハに対して槽目体から異物がつかないようにす
るため、槽目体に対して洗浄液の染み込みにくい種材質
、 が必要となる。
るため、槽目体に対して洗浄液の染み込みにくい種材質
、 が必要となる。
例えば、洗浄液が酸系統の場合、材質として石英などの
Ｓｉ０ｇ系統が適当である。
Ｓｉ０ｇ系統が適当である。
〔発明が解決しようとする課題］
ところで、石英でこのための洗浄槽を実現するためには
、減圧時の外圧に対して十分な強度を確保する目的で、
種形状は第３図に示すような円柱形状が必要となる。
、減圧時の外圧に対して十分な強度を確保する目的で、
種形状は第３図に示すような円柱形状が必要となる。
しかしながら、円柱形の処理槽は矩形の処理槽に比して
、体積が２〜１０倍大きくなるため、使用する洗浄液が
多く、洗浄液の使用効率が悪い、という問題があった。
、体積が２〜１０倍大きくなるため、使用する洗浄液が
多く、洗浄液の使用効率が悪い、という問題があった。
この発明は、上記のような従来のものの問題点を解決す
るためになされたもので、減圧状態でウェハに洗浄液を
供給できる半導体ウェハの洗浄装置を得ることを目的と
している。
るためになされたもので、減圧状態でウェハに洗浄液を
供給できる半導体ウェハの洗浄装置を得ることを目的と
している。
この発明にかかる半導体ウェハの洗浄装置は、石英槽を
２重槽として、減圧にする槽と洗浄液を入れる槽とを分
けるようにしたものである。
２重槽として、減圧にする槽と洗浄液を入れる槽とを分
けるようにしたものである。
この発明においては、洗浄液を入れる内槽を洗浄に必要
なスペースのみとしたから、使用する洗浄液は最小限と
なる。
なスペースのみとしたから、使用する洗浄液は最小限と
なる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による洗浄装置を示し、図に
示されるように、槽の構成は、外槽１１と蓋１３とで密
閉構造にできるようになっており、外槽１１の内に内槽
１２がある。内槽１２の両端が外槽１１に接しており、
外槽１１を内側から外力を支えるようなリム構造になっ
ている。
示されるように、槽の構成は、外槽１１と蓋１３とで密
閉構造にできるようになっており、外槽１１の内に内槽
１２がある。内槽１２の両端が外槽１１に接しており、
外槽１１を内側から外力を支えるようなリム構造になっ
ている。
このリム構造が外槽１１．内槽１２全体を減圧にした時
、外槽１１に加わる外圧に対して補強する構造になって
いる。
、外槽１１に加わる外圧に対して補強する構造になって
いる。
内槽１２の内下部に洗浄液又は純水を供給する供給口１
４が設けられている。内槽１２をあふれた洗浄液は外槽
１１を経てドレイン口１７より、槽より排出される。
４が設けられている。内槽１２をあふれた洗浄液は外槽
１１を経てドレイン口１７より、槽より排出される。
外槽は円形柱とし、減圧の外圧が一部に集中しない構造
、内槽は矩形柱とし、洗浄液を最小にできる構造にする
。例えば２００ｍｍφの１枚のウェハの場合、内槽はａ
は１０ ｍｍ 〜６０ ｍｍ、 ｂは２２０ｍｍ〜３０
０ｍｍとし、外槽は２２０ｍｍ〜３０６ｍｍの径となる
。
、内槽は矩形柱とし、洗浄液を最小にできる構造にする
。例えば２００ｍｍφの１枚のウェハの場合、内槽はａ
は１０ ｍｍ 〜６０ ｍｍ、 ｂは２２０ｍｍ〜３０
０ｍｍとし、外槽は２２０ｍｍ〜３０６ｍｍの径となる
。
このような本実施例では、減圧状態で洗浄処理する場合
、内槽ａ＝１０ｍｍ、ｂ＝２２０ｍｍ。
、内槽ａ＝１０ｍｍ、ｂ＝２２０ｍｍ。
高さ２２０ ｍｍ、外槽２２０ｍｍφ、高さ２２０ｍｍ
とすると、第２図の槽では８．３６２ｆｆを、本発明の
槽では０．５２に洗浄液の使用量を減らすことができる
。
とすると、第２図の槽では８．３６２ｆｆを、本発明の
槽では０．５２に洗浄液の使用量を減らすことができる
。
以上のように、この発明にかかる半導体ウェハの洗浄装
置によれば、石英槽を２重槽として、減圧にする槽と洗
浄液を入れる槽とを分けるようにし、洗浄液を入れる内
槽を洗浄に必要なスペースのみとしたから、使用する洗
浄液は最小限となり、洗浄液の使用量を大幅に減らすこ
とができる効果がある。
置によれば、石英槽を２重槽として、減圧にする槽と洗
浄液を入れる槽とを分けるようにし、洗浄液を入れる内
槽を洗浄に必要なスペースのみとしたから、使用する洗
浄液は最小限となり、洗浄液の使用量を大幅に減らすこ
とができる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例による洗浄装置の正面
図、第１図（ｂ）はその平面図、第１図（Ｃ）はその外
槽、内槽のみの投影図、第２図は従来の常圧対応の洗浄
槽（矩形）を示す図、第３図は従来の減圧対応の洗浄槽
（円柱）を示す図、第４図はトレンチキャパシターのデ
バイス断面図である。 図において、１１は外槽、１２は内槽、１３は蓋、１４
は供給口、１７はドレイン口である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第 図
図、第１図（ｂ）はその平面図、第１図（Ｃ）はその外
槽、内槽のみの投影図、第２図は従来の常圧対応の洗浄
槽（矩形）を示す図、第３図は従来の減圧対応の洗浄槽
（円柱）を示す図、第４図はトレンチキャパシターのデ
バイス断面図である。 図において、１１は外槽、１２は内槽、１３は蓋、１４
は供給口、１７はドレイン口である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第 図
Claims (2)
- （１）２重槽構造をもつ処理槽を備えた半導体ウェハの
洗浄装置において、 上記外槽と内槽ともに減圧にでき、 処理液を内槽へ注入でき、 内槽から外槽へオーバーフローが可能なことを特徴とす
る洗浄処理装置。 - （２）上記処理槽において、 内槽を外槽に対してリム構造とした減圧時に外圧に対す
る補強構造を持つことを特徴とする洗浄処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34105089A JPH03200328A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34105089A JPH03200328A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200328A true JPH03200328A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18342772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34105089A Pending JPH03200328A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200328A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154130A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 減圧流水洗浄装置 |
| JPS62165938A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 処理方法 |
| JPS6310531A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 処理方法 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP34105089A patent/JPH03200328A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154130A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 減圧流水洗浄装置 |
| JPS62165938A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 処理方法 |
| JPS6310531A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 処理方法 |
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