JP3129569B2 - 陽極化成装置及び陽極化成法 - Google Patents
陽極化成装置及び陽極化成法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板等を化成処
理する陽極化成装置及び陽極化成法に関する。
理する陽極化成装置及び陽極化成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板を陽極化成することにより、
電解研磨を行うという技術がある。また、ＨＦ溶液中で
シリコンウエハと陽極化成することにより、多孔質シリ
コンが形成されることが発見された（Ａ．Ｕｈｌｉｒ：
Ｂｅｌｌ Ｓｙｓｔ．Ｔｅｃｈ．ｊ．，３５（１９５
６），３３３．）。
電解研磨を行うという技術がある。また、ＨＦ溶液中で
シリコンウエハと陽極化成することにより、多孔質シリ
コンが形成されることが発見された（Ａ．Ｕｈｌｉｒ：
Ｂｅｌｌ Ｓｙｓｔ．Ｔｅｃｈ．ｊ．，３５（１９５
６），３３３．）。
【０００３】多孔質シリコンは１〜１０ｎｍ程度の細長
く伸びた細孔を多数含み、表面積は体積１ｃｍ3 当り
（細孔も含む）２００〜８００ｍ2 に及ぶ（杉山 弘、
入戸野修：日本金属学会会報 第３０巻 第４号（１９
９１））。この多孔質シリコンは電圧を印加することに
より発光する現象が発見され、多孔質シリコンそのもの
に利用価値が見いだされている。また、多孔質シリコン
上にシリコンのエピタキシャル成長が可能である性質を
利用してＳＯＩ基板技術にも応用されている。この基板
作製法は、まずエピタキシャル層を成長させた後に絶縁
基板と張り合わせをおこない、多孔質側のシリコンを研
磨、エッチングにより取り去る。次に多孔質シリコンは
表面積が大きいことからバルクシリコンに比べエッチン
グレートが大きいことを利用して、多孔質層のみをエッ
チングして絶縁基板上に薄膜の単結晶シリコンを残すと
いうものである（特開平５−２１３３８号公報）。
く伸びた細孔を多数含み、表面積は体積１ｃｍ3 当り
（細孔も含む）２００〜８００ｍ2 に及ぶ（杉山 弘、
入戸野修：日本金属学会会報 第３０巻 第４号（１９
９１））。この多孔質シリコンは電圧を印加することに
より発光する現象が発見され、多孔質シリコンそのもの
に利用価値が見いだされている。また、多孔質シリコン
上にシリコンのエピタキシャル成長が可能である性質を
利用してＳＯＩ基板技術にも応用されている。この基板
作製法は、まずエピタキシャル層を成長させた後に絶縁
基板と張り合わせをおこない、多孔質側のシリコンを研
磨、エッチングにより取り去る。次に多孔質シリコンは
表面積が大きいことからバルクシリコンに比べエッチン
グレートが大きいことを利用して、多孔質層のみをエッ
チングして絶縁基板上に薄膜の単結晶シリコンを残すと
いうものである（特開平５−２１３３８号公報）。
【０００４】図５は従来の陽極化成槽の模式図である。
同図において、５０１はウエハ処理面側の薬液槽であ
り、５０２はウエハ裏面側の薬液槽である。処理される
ウエハ５０３は薬液槽５０１と５０２に挟み込まれてい
る。薬液槽５０１とウエハ５０３の間には陽極化成を行
うための処理液５０４が入っている。薬液槽５０１には
処理液の循環を行うために処理液注入口５０５と処理液
排出口５０６が設けられている。注入口５０５は処理中
に発生する気泡を抜く役割も果たす。また、薬液槽５０
１中には電極５０７が設けられている。一方、薬液槽５
０２には電極５０８が設けられており、薬液槽５０２に
は電解液５０９が注入されている。電極５０７と電極５
０８の間に電圧を印加することにより、ウエハ５０３に
電流を流し処理を行うことができる。
同図において、５０１はウエハ処理面側の薬液槽であ
り、５０２はウエハ裏面側の薬液槽である。処理される
ウエハ５０３は薬液槽５０１と５０２に挟み込まれてい
る。薬液槽５０１とウエハ５０３の間には陽極化成を行
うための処理液５０４が入っている。薬液槽５０１には
処理液の循環を行うために処理液注入口５０５と処理液
排出口５０６が設けられている。注入口５０５は処理中
に発生する気泡を抜く役割も果たす。また、薬液槽５０
１中には電極５０７が設けられている。一方、薬液槽５
０２には電極５０８が設けられており、薬液槽５０２に
は電解液５０９が注入されている。電極５０７と電極５
０８の間に電圧を印加することにより、ウエハ５０３に
電流を流し処理を行うことができる。
【０００５】電極５０８を直接ウエハ５０３と接触させ
ない理由は、電極の金属によるウエハの金属汚染を防ぐ
ためである。
ない理由は、電極の金属によるウエハの金属汚染を防ぐ
ためである。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
述したような従来の陽極化成装置では以下のような問題
がある。
述したような従来の陽極化成装置では以下のような問題
がある。
【０００７】陽極化成を行う際には、電流をウエハに流
すために処理液５０４と電解液５０９がウエハを介さず
に導通してはならない。もし、ウエハの周辺部において
微少な液のリークがあった場合、処理中の電流密度はウ
エハ面内で不均一になり、リーク箇所付近ではウエハの
化成厚は他の場所より薄くなる。このため、従来例では
ウエハを押え込む部分にシール材５１０を用いている。
ところが、シール材がウエハ表面を押さえている部分で
は化成反応は起こらないという問題が生じる。
すために処理液５０４と電解液５０９がウエハを介さず
に導通してはならない。もし、ウエハの周辺部において
微少な液のリークがあった場合、処理中の電流密度はウ
エハ面内で不均一になり、リーク箇所付近ではウエハの
化成厚は他の場所より薄くなる。このため、従来例では
ウエハを押え込む部分にシール材５１０を用いている。
ところが、シール材がウエハ表面を押さえている部分で
は化成反応は起こらないという問題が生じる。
【０００８】特に上述のＳＯＩ基板作製技術に於いて
は、このことが問題となるため、ウエハのシール部は外
周０．５ｍｍ以内であることが望ましい。しかしなが
ら、０．５ｍｍのシール部で完全なシールを行うこと
は、従来の構造では非常に困難であるという問題があ
る。ウエハそのものの直径の精度は５インチウエハで±
０．２ｍｍ程度であり、装置の加工精度も考えると０．
５ｍｍというのは誤差の範囲内になってしまう。
は、このことが問題となるため、ウエハのシール部は外
周０．５ｍｍ以内であることが望ましい。しかしなが
ら、０．５ｍｍのシール部で完全なシールを行うこと
は、従来の構造では非常に困難であるという問題があ
る。ウエハそのものの直径の精度は５インチウエハで±
０．２ｍｍ程度であり、装置の加工精度も考えると０．
５ｍｍというのは誤差の範囲内になってしまう。
【０００９】また、何らかの手段で高精度のウエハと装
置を実現したところで、ウエハを装置上に精度良くかつ
容易に効率的にセットすることは非常に困難であるとい
う問題もある。
置を実現したところで、ウエハを装置上に精度良くかつ
容易に効率的にセットすることは非常に困難であるとい
う問題もある。
【００１０】［発明の目的］本発明の目的は、以上の問
題を解決し、装置製造上の誤差、ウエハ径の誤差が生じ
た場合でも、シール面積を増大させることなく完全な密
閉ができ、また効率的にウエハのセッティングが行える
陽極化成槽を提供することにある。
題を解決し、装置製造上の誤差、ウエハ径の誤差が生じ
た場合でも、シール面積を増大させることなく完全な密
閉ができ、また効率的にウエハのセッティングが行える
陽極化成槽を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するための手段として、処理液を収容するための
処理液槽と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電
極と、を具備し、前記一対の電極間に配された被処理基
体に陽極化成を施す陽極化成装置において、該処理液槽
の内側に、配置される該被処理基体の被処理主面に対し
て傾斜した斜面を有するシール材を設け、該被処理基体
の周辺角部を該シール材の該斜面に密着させて、該被処
理基体を保持することを特徴とする陽極化成装置を有す
る。
を解決するための手段として、処理液を収容するための
処理液槽と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電
極と、を具備し、前記一対の電極間に配された被処理基
体に陽極化成を施す陽極化成装置において、該処理液槽
の内側に、配置される該被処理基体の被処理主面に対し
て傾斜した斜面を有するシール材を設け、該被処理基体
の周辺角部を該シール材の該斜面に密着させて、該被処
理基体を保持することを特徴とする陽極化成装置を有す
る。
【００１２】また、処理液を収容するための処理液槽
と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を
具備し、前記一対の電極間に配された被処理基体に陽極
化成を施す陽極化成装置において、該処理液槽の内側
に、配置される該被処理基体の被処理主面に対して傾斜
した斜面を有するシール材を設け、該被処理基体の裏面
側の周辺角部が除去された斜面を該シール材の該斜面に
密着させて、該被処理基体を保持することを特徴とする
陽極化成装置であっても良い。
と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を
具備し、前記一対の電極間に配された被処理基体に陽極
化成を施す陽極化成装置において、該処理液槽の内側
に、配置される該被処理基体の被処理主面に対して傾斜
した斜面を有するシール材を設け、該被処理基体の裏面
側の周辺角部が除去された斜面を該シール材の該斜面に
密着させて、該被処理基体を保持することを特徴とする
陽極化成装置であっても良い。
【００１３】また、処理液を収容するための処理液槽
と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を
具備する陽極化成装置を用いて、前記一対の電極間に配
された被処理基体に陽極化成を施す陽極化成法におい
て、該処理液槽の内側に設けられた斜面を有するシール
材に、該斜面が該被処理基体の被処理主面に対して斜め
になるように該被処理基体を配置して、該被処理基体の
周辺角部を該斜面に密着させた状態で、該被処理基体に
陽極化成処理を施すことを特徴とする陽極化成法でもあ
る。
と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を
具備する陽極化成装置を用いて、前記一対の電極間に配
された被処理基体に陽極化成を施す陽極化成法におい
て、該処理液槽の内側に設けられた斜面を有するシール
材に、該斜面が該被処理基体の被処理主面に対して斜め
になるように該被処理基体を配置して、該被処理基体の
周辺角部を該斜面に密着させた状態で、該被処理基体に
陽極化成処理を施すことを特徴とする陽極化成法でもあ
る。
【００１４】また、処理液を収容するための処理液槽
と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を
具備する陽極化成装置を用いて、前記一対の電極間に配
された被処理基体に陽極化成を施す陽極化成法におい
て、該被処理基体の裏面側の周辺角度を斜めに除去し、
該処理液槽の内側に設けられた斜面を有するシール材
に、該周辺角部が除去されてできた斜面を密着させた状
態で、該被処理基体に陽極化成処理を施すことを特徴と
する陽極化成法でも良い。
と、該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を
具備する陽極化成装置を用いて、前記一対の電極間に配
された被処理基体に陽極化成を施す陽極化成法におい
て、該被処理基体の裏面側の周辺角度を斜めに除去し、
該処理液槽の内側に設けられた斜面を有するシール材
に、該周辺角部が除去されてできた斜面を密着させた状
態で、該被処理基体に陽極化成処理を施すことを特徴と
する陽極化成法でも良い。
【００１５】
【作用】本発明によれば、被処理基体の周辺角部を、斜
めに配設されたシール材で押圧して密着させる構造とす
ることにより、被処理基体のシール材で覆われる面積を
より小さくすることができ、これにより、処理できない
面積を小さくすることができる。
めに配設されたシール材で押圧して密着させる構造とす
ることにより、被処理基体のシール材で覆われる面積を
より小さくすることができ、これにより、処理できない
面積を小さくすることができる。
【００１６】また、被処理面と反対側の面の周辺部をシ
ール材で密着することにより、被処理面をシール材で覆
ってしまうことがなくなる。
ール材で密着することにより、被処理面をシール材で覆
ってしまうことがなくなる。
【００１７】また、真空チャックで被処理基体を支持し
て、シール材に押し当てることにより、位置的に多少の
誤差があっても真空チャックごと動かして位置の微調整
を容易に行なうことができ、効率的なセッティングを行
なうことができる。
て、シール材に押し当てることにより、位置的に多少の
誤差があっても真空チャックごと動かして位置の微調整
を容易に行なうことができ、効率的なセッティングを行
なうことができる。
【００１８】
（第１実施例）図１に本発明による第１実施例の陽極化
成装置の説明図を示す。同図において、１０１は処理面
側の薬液槽であり、１０２は裏面側の薬液槽である。陽
極化成されるウエハ１０３と薬液槽１０２に挟まれた領
域には処理液１０４が満たされている。処理液１０４は
ＨＦの溶液が通常用いられ、ＨＦの濃度により処理面の
構造を制御することができる。また、処理液１０４にア
ルコール等の界面活性作用があるものを混ぜることによ
りウエハ表面に気泡が付着することを防止することがで
きる。処理液は注入口１０５、排出口１０６を用いて循
環させることにより、処理液の濃度の均一化、ウエハ表
面への気泡付着の防止、パーティクル防止の効果を得る
ことができる。
成装置の説明図を示す。同図において、１０１は処理面
側の薬液槽であり、１０２は裏面側の薬液槽である。陽
極化成されるウエハ１０３と薬液槽１０２に挟まれた領
域には処理液１０４が満たされている。処理液１０４は
ＨＦの溶液が通常用いられ、ＨＦの濃度により処理面の
構造を制御することができる。また、処理液１０４にア
ルコール等の界面活性作用があるものを混ぜることによ
りウエハ表面に気泡が付着することを防止することがで
きる。処理液は注入口１０５、排出口１０６を用いて循
環させることにより、処理液の濃度の均一化、ウエハ表
面への気泡付着の防止、パーティクル防止の効果を得る
ことができる。
【００１９】処理槽１０１中には電極１０７が、薬液槽
１０２中には電極１０８がそれぞれ設けられ、電極１０
８は電解液１０９を介してウエハ１０３と導通してい
る。電極１０７と１０８の間に電圧を印加することによ
りウエハ１０３に電流を流し、処理液１０４と接触して
いる部分の処理を行うことができる。
１０２中には電極１０８がそれぞれ設けられ、電極１０
８は電解液１０９を介してウエハ１０３と導通してい
る。電極１０７と１０８の間に電圧を印加することによ
りウエハ１０３に電流を流し、処理液１０４と接触して
いる部分の処理を行うことができる。
【００２０】この実施例で、電極１０８とウエハ１０３
を直接接触させない理由はウエハに金属汚染が起こるこ
とを防止するためである。さらに、電解液１０９中に電
極１０８の金属イオンが溶け出てウエハの金属汚染が起
こることを防止するために、電解液１０９を注入口１１
０から注入し排出口１１１から排出することも効果的で
ある。また、排出口１１１から電解液中に発生する気泡
を抜くこともできる。
を直接接触させない理由はウエハに金属汚染が起こるこ
とを防止するためである。さらに、電解液１０９中に電
極１０８の金属イオンが溶け出てウエハの金属汚染が起
こることを防止するために、電解液１０９を注入口１１
０から注入し排出口１１１から排出することも効果的で
ある。また、排出口１１１から電解液中に発生する気泡
を抜くこともできる。
【００２１】この実施例では、電解液のリークを防ぐた
めにシール部１１２が、処理液のリークを防ぐためにシ
ール部１１３が設けられている。とくに、シール部１１
３はウエハの被処理主面に対して斜めになっているため
に、ウエハとシール材の接触部は面ではなく線となり、
ウエハ表面の外周に接触するだけとなる。
めにシール部１１２が、処理液のリークを防ぐためにシ
ール部１１３が設けられている。とくに、シール部１１
３はウエハの被処理主面に対して斜めになっているため
に、ウエハとシール材の接触部は面ではなく線となり、
ウエハ表面の外周に接触するだけとなる。
【００２２】また、接触面積が小さいために、より小さ
い力でシール材に押し付けても液リークを抑えることが
できる。
い力でシール材に押し付けても液リークを抑えることが
できる。
【００２３】さらに、この構造では、装置の加工精度
や、ウエハ径の加工精度による影響を受けることなくシ
ールを行うことができる。また、セッティングを行う際
にも処理槽１０１に水平方向の自由度をもたせながらウ
エハを挟みこむことによりセッティング時のずれに対す
るマージンも大きくもつことができる。
や、ウエハ径の加工精度による影響を受けることなくシ
ールを行うことができる。また、セッティングを行う際
にも処理槽１０１に水平方向の自由度をもたせながらウ
エハを挟みこむことによりセッティング時のずれに対す
るマージンも大きくもつことができる。
【００２４】ウエハの裏面は反応が起こらないために、
表面に比べシール面積に対する要求は厳しいものではな
いので、この実施例では裏面のシール形状は従来例と同
様になっているが、裏面のシール１１２についても表面
同様に斜面にすることで同様の効果を得ることもでき
る。
表面に比べシール面積に対する要求は厳しいものではな
いので、この実施例では裏面のシール形状は従来例と同
様になっているが、裏面のシール１１２についても表面
同様に斜面にすることで同様の効果を得ることもでき
る。
【００２５】（第２実施例）図２に本発明による第２実
施例の説明図を示す。同図において、２０１は処理槽で
あり、処理液２０２で満たされている。処理液は注入口
２０３、排出口２０４を用いて循環させることにより、
処理液の濃度の均一化、ウエハ表面への気泡付着の防
止、パーティクル防止の効果を得ることができる。
施例の説明図を示す。同図において、２０１は処理槽で
あり、処理液２０２で満たされている。処理液は注入口
２０３、排出口２０４を用いて循環させることにより、
処理液の濃度の均一化、ウエハ表面への気泡付着の防
止、パーティクル防止の効果を得ることができる。
【００２６】ウエハ２０５は電極２０６の上に真空チャ
ックによりセットされている。電極２０６はこの実施例
ではシリコンをコーティングして金属汚染を防止するな
どの方法をとることも可能である。ウエハの表面と対向
する位置に電極２０７が設けられ電極２０６と２０７の
間に電圧を印加することによってウエハの表面を陽極化
成することができる。
ックによりセットされている。電極２０６はこの実施例
ではシリコンをコーティングして金属汚染を防止するな
どの方法をとることも可能である。ウエハの表面と対向
する位置に電極２０７が設けられ電極２０６と２０７の
間に電圧を印加することによってウエハの表面を陽極化
成することができる。
【００２７】この実施例では真空チャック２０６は上下
に可動なアーム２０８を動かすことにより上下でき、ウ
エハ２０５をシール部２０９に押し付けることができ
る。シール部２０９は斜面になっているために、装置の
加工精度やウエハ径の誤差があった場合でも、ウエハ表
面を全く接触することなく処理液のシールを行うことが
できる。
に可動なアーム２０８を動かすことにより上下でき、ウ
エハ２０５をシール部２０９に押し付けることができ
る。シール部２０９は斜面になっているために、装置の
加工精度やウエハ径の誤差があった場合でも、ウエハ表
面を全く接触することなく処理液のシールを行うことが
できる。
【００２８】また、アーム２０８の水平方向の自由度を
もたせることにより、セッティング時のずれに対するマ
ージンも大きくもたせることができる。
もたせることにより、セッティング時のずれに対するマ
ージンも大きくもたせることができる。
【００２９】特にこの実施例ではウエハ表面をシール材
によって接触することがないために、第１実施例で得ら
れた効果に加えて、ウエハ表面全体を陽極化成すること
ができるという効果がある。
によって接触することがないために、第１実施例で得ら
れた効果に加えて、ウエハ表面全体を陽極化成すること
ができるという効果がある。
【００３０】（第３実施例）図３に本発明による第３実
施例の説明図を示す。同図において、３０１は処理液３
０２で満たされている薬液槽であり、３０３は電解液３
０４で満たされている薬液槽である。薬液槽３０１およ
び３０３にはそれぞれ電極３０５，３０６が設けられて
おり、電極間に電圧を印加することによりウエハ３０７
の処理液側の表面を陽極化成することができる。
施例の説明図を示す。同図において、３０１は処理液３
０２で満たされている薬液槽であり、３０３は電解液３
０４で満たされている薬液槽である。薬液槽３０１およ
び３０３にはそれぞれ電極３０５，３０６が設けられて
おり、電極間に電圧を印加することによりウエハ３０７
の処理液側の表面を陽極化成することができる。
【００３１】ウエハ３０７は処理液３０２から与えられ
る圧力Ｐ１と、電解液３０４から与えられる圧力Ｐ２と
の圧力差によりシール部３０８に押しつけられている。
この実施例では、Ｐ１はウエハ表面と処理液の液面の重
力方向の高さの差によって与えられ、Ｐ２ウエハ裏面と
電解液の液面の重力方向の高さの差によって与えられて
いる。
る圧力Ｐ１と、電解液３０４から与えられる圧力Ｐ２と
の圧力差によりシール部３０８に押しつけられている。
この実施例では、Ｐ１はウエハ表面と処理液の液面の重
力方向の高さの差によって与えられ、Ｐ２ウエハ裏面と
電解液の液面の重力方向の高さの差によって与えられて
いる。
【００３２】処理液注入口３０８と電解液注入口３０９
は気泡を抜く役割も果たす。
は気泡を抜く役割も果たす。
【００３３】シール部３０８は斜面になっているため
に、装置の加工精度やウエハ径の誤差があった場合で
も、ウエハ表面を全く接触することなく処理液のシール
を行うことができる。
に、装置の加工精度やウエハ径の誤差があった場合で
も、ウエハ表面を全く接触することなく処理液のシール
を行うことができる。
【００３４】また、この実施例では第２実施例で得られ
た効果に加えて、真空チャックを使わないために装置を
単純化でき、また酸の液体や蒸気を真空系が吸い込む心
配がないという利点がある。
た効果に加えて、真空チャックを使わないために装置を
単純化でき、また酸の液体や蒸気を真空系が吸い込む心
配がないという利点がある。
【００３５】（第４実施例）図４に本発明による第４実
施例の説明図を示す。同図において、４０１は処理槽で
あり、処理液４０２で満たされている。処理液は注入口
４０３、排出口４０４を用いて循環させることにより、
処理液の濃度の均一化、ウエハ表面への気泡付着の防
止、パーティクル防止の効果を得ることができる。
施例の説明図を示す。同図において、４０１は処理槽で
あり、処理液４０２で満たされている。処理液は注入口
４０３、排出口４０４を用いて循環させることにより、
処理液の濃度の均一化、ウエハ表面への気泡付着の防
止、パーティクル防止の効果を得ることができる。
【００３６】ウエハ４０５は電極４０６の上に真空チャ
ックによりセットされている。電極４０６はこの実施例
ではシリコンをコーティングして金属汚染を防止するな
どの方法をとることも可能である。ウエハの表面と対向
する位置に電極４０７が設けられ電極４０６と４０７の
間に電圧を印加することによってウエハの表面を陽極化
成することができる。この実施例では真空チャック４０
６は上下に可動なアーム４０８を動かすことにより上下
でき、ウエハ４０５をシール部４０９に押し付けること
ができる。
ックによりセットされている。電極４０６はこの実施例
ではシリコンをコーティングして金属汚染を防止するな
どの方法をとることも可能である。ウエハの表面と対向
する位置に電極４０７が設けられ電極４０６と４０７の
間に電圧を印加することによってウエハの表面を陽極化
成することができる。この実施例では真空チャック４０
６は上下に可動なアーム４０８を動かすことにより上下
でき、ウエハ４０５をシール部４０９に押し付けること
ができる。
【００３７】シール部４０９は斜面になっているため
に、装置の加工精度やウエハ径の誤差があった場合で
も、ウエハ表面を全く接触することなく処理液のシール
を行うことができる。また、アーム４０８の水平方向の
自由度をもたせることにより、セッティング時のずれに
対するマージンも大きくもたせることができる。
に、装置の加工精度やウエハ径の誤差があった場合で
も、ウエハ表面を全く接触することなく処理液のシール
を行うことができる。また、アーム４０８の水平方向の
自由度をもたせることにより、セッティング時のずれに
対するマージンも大きくもたせることができる。
【００３８】特にこの実施例ではウエハ裏面のシール材
と接触する部分４１０を、ウエハをセットした際にシー
ル部と平行な斜面になるようにカットしてある。このこ
とにより、第２実施例で得られた効果に加えて、シール
面積が増え、液リークをより確実になくすことができる
という効果がある。
と接触する部分４１０を、ウエハをセットした際にシー
ル部と平行な斜面になるようにカットしてある。このこ
とにより、第２実施例で得られた効果に加えて、シール
面積が増え、液リークをより確実になくすことができる
という効果がある。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、被処理基体の周辺角部
を、斜めに配設されたシール材で押圧して密着させる構
造とすることにより、被処理基体のシール材で覆われる
面積をより小さくすることができ、これにより、処理で
きない面積を小さくすることができるという効果が得ら
れる。
を、斜めに配設されたシール材で押圧して密着させる構
造とすることにより、被処理基体のシール材で覆われる
面積をより小さくすることができ、これにより、処理で
きない面積を小さくすることができるという効果が得ら
れる。
【００４０】また、被処理面と反対側の面の周辺部をシ
ール材で密着することにより、被処理面をシール材で覆
ってしまうことがなくなるため、同様に処理出来ない面
積を小さくすることができる。
ール材で密着することにより、被処理面をシール材で覆
ってしまうことがなくなるため、同様に処理出来ない面
積を小さくすることができる。
【００４１】また、多少の位置的な誤差が生じても、従
来のものに比較して容易に密着させることができる。
来のものに比較して容易に密着させることができる。
【００４２】また、真空チャックで被処理基体を支持し
て、シール材に押し当てることにより、位置的に多少の
誤差があっても真空チャックごと動かして位置の微調整
を容易に行なうことができ、効率的なセッティングを行
なうことができる。
て、シール材に押し当てることにより、位置的に多少の
誤差があっても真空チャックごと動かして位置の微調整
を容易に行なうことができ、効率的なセッティングを行
なうことができる。
【００４３】このように、ウエハの直径や装置の寸法に
設計値からの誤差が生じた場合にもシール部の面積を増
大することなく液のシールを行うことができるために、
ウエハの表面をほぼ全面に渡って均一に化成することが
でき、また、ウエハを装置にセットする際のずれに対し
て許容性が大きいために、着脱装置を単純な構造で作る
ことが可能となる。
設計値からの誤差が生じた場合にもシール部の面積を増
大することなく液のシールを行うことができるために、
ウエハの表面をほぼ全面に渡って均一に化成することが
でき、また、ウエハを装置にセットする際のずれに対し
て許容性が大きいために、着脱装置を単純な構造で作る
ことが可能となる。
【図１】本発明による第１実施例の説明図
【図２】本発明による第２実施例の説明図
【図３】本発明による第３実施例の説明図
【図４】本発明による第４実施例の説明図
【図５】従来例の説明図
１０１、１０２ 処理槽 １０３ ウエハ １０４ 処理液 １０５ 注入口 １０６ 排出口 １０７、１０８ 電極 １０９ 電解液 １１２、１１３ シール部
Claims (10)
- 【請求項１】 処理液を収容するための処理液槽と、該
処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を具備
し、前記一対の電極間に配された被処理基体に陽極化成
を施す陽極化成装置において、 該処理液槽の内側に、配置される該被処理基体の被処理
主面に対して傾斜した斜面を有するシール材を設け、該
被処理基体の周辺角部を該シール材の該斜面に密着させ
て、該被処理基体を保持する ことを特徴とする陽極化成
装置。 - 【請求項２】 前記斜面は、前記被処理基体の被処理主
面側の前記周辺角部に密着するように前記処理液槽の内
側に形成されている請求項１記載の陽極化成装置。 - 【請求項３】 前記斜面は、前記陽極化成による反応が
おこらない前記被処理基体の裏面側の前記周辺角部に密
着するように前記処理液槽の内側に形成され、更に、該
周辺角部を該斜面に押し付けるための真空チャックが前
記被処理基体の裏面側に設けられている請求項１記載の
陽極化成装置。 - 【請求項４】 前記斜面は、前記陽極化成による反応が
おこらない前記被処理基体の裏面側の前記周辺角部に密
着するように前記処理液槽の内側に斜め上方を向いて形
成され、前記被処理基体の上方に満たされた処理液の重
力により、該周辺角部が該斜面に押し付けられる構成に
なっている請求項１記載の陽極化成装置。 - 【請求項５】 処理液を収容するための処理液槽と、該
処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を具備
し、前記一対の電極間に配された被処理基体に陽極化成
を施す陽極化成装置において、 該処理液槽の内側に、配置される該被処理基体の被処理
主面に対して傾斜した斜面を有するシール材を設け、該
被処理基体の裏面側の周辺角部が除去された斜面を該シ
ール材の該斜面に密着させて、該被処理基体を保持する
ことを特徴とする 陽極化成装置。 - 【請求項６】 処理液を収容するための処理液槽と、該
処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を具備す
る陽極化成装置を用いて、前記一対の電極間に配された
被処理基体に陽極化成を施す陽極化成法において、 該処理液槽の内側に設けられた斜面を有するシール材
に、該斜面が該被処理基体の被処理主面に対して斜めに
なるように該被処理基体を配置して、該被処理基体の周
辺角部を該斜面に密着させた状態で、該被処理基体に陽
極化成処理を施すことを特徴とする陽極化成法。 - 【請求項７】 前記被処理基体の前記被処理主面側の前
記周辺角部を前記斜面に密着させる請求項６記載の陽極
化成法。 - 【請求項８】 前記陽極化成による反応がおこらない前
記被処理基体の裏面側の前記周辺角部を前記斜面に密着
させるように、真空チャックで前記被処理基体の裏面を
保持する請求項６記載の陽極化成法。 - 【請求項９】 前記陽極化成による反応がおこらない前
記被処理基体の裏面側の前記周辺角部を前記斜面に密着
させるように、前記処理液槽の内側に斜め上方を向いて
形成された前記斜面上に前記被処理基体を配置し、その
上方に満たされた処理液の自重を利用して該周辺角部を
該斜面に押し付ける請求項６記載の陽極化成法。 - 【請求項１０】 処理液を収容するための処理液槽と、
該処理液を通して電流を流す為の一対の電極と、を具備
する陽極化成装置を用いて、前記一対の電極間に配され
た被処理基体に陽極化成を施す陽極化成法において、 該被処理基体の裏面側の周辺角度を斜めに除去し、 該処理液槽の内側に設けられた斜面を有するシール材
に、該周辺角部が除去されてできた斜面を密着させた状
態で、該被処理基体に陽極化成処理を施すことを特徴と
する陽極化成法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05095011A JP3129569B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 陽極化成装置及び陽極化成法 |
| DE69312636T DE69312636T2 (de) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodisierungsapparat mit einer Trägervorrichtung für das zu behandelnde Substrat |
| EP93118093A EP0597428B1 (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
| US08/148,341 US5458755A (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05095011A JP3129569B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 陽極化成装置及び陽極化成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291109A JPH06291109A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3129569B2 true JP3129569B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=14126023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05095011A Expired - Fee Related JP3129569B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-03-31 | 陽極化成装置及び陽極化成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129569B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4873828B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2012-02-08 | ユニチカ株式会社 | 塩素化ポリオレフィン樹脂水性分散体の製造方法 |
| AT510593B1 (de) | 2010-12-15 | 2012-05-15 | Markus Dipl Ing Dr Hacksteiner | Vorrichtung zum metallisieren von wafern |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP05095011A patent/JP3129569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291109A (ja) | 1994-10-18 |
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