JP2002332598A

JP2002332598A - 液処理装置

Info

Publication number: JP2002332598A
Application number: JP2001141464A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Sato; 浩佐藤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-05-11
Filing date: 2001-05-11
Publication date: 2002-11-22

Abstract

(57)【要約】【課題】基板との接触抵抗の均一性を確保し易い液処
理装置を提供する【解決手段】液処理装置の第１の電極を、開口部が形
成された電極基体とその開口部に取り付けられた複数の
補助電極から構成する。電極基体の開口部に複数の補助
電極を適宜に取り付けることで、基板のパターン等に対
応して基板と接触する箇所を容易に変更できる。その結
果、接触抵抗の均一性の確保が容易となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板に液処理を施す液処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と
いう。）等の基板に金属膜等を形成する処理装置とし
て、液相で膜を形成するメッキ処理装置が用いられる。
メッキ処理装置は、物理的気相成長処理装置（ＰＶＤ処
理装置）よりも成膜速度に優れ、集積度の高い半導体デ
バイスの製造に適する。メッキ処理装置では、基板にそ
の外形に対応した形状の電極を接続して通電することで
基板上に金属膜等を形成する。例えば、８インチのウエ
ハでは、ウエハ周縁から３〜５ｍｍ程度のリング状の領
域においてウエハと電気的接続が可能な電極を用いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
には結晶方向を示すノッチ（切り欠き）が形成されてい
る。このため、ノッチのある箇所とない箇所で基板と電
極との接触面積が異なり、ウエハと電極間の接触抵抗が
ウエハの周方向で不均一になる可能性がある。また、基
板上に半導体素子を形成する領域の形状（チップパター
ン）も基板と電極の接触面積に影響を与え、接触抵抗の
分布の不均一の要因となりうる。このような接触抵抗の
分布の不均一は、ウエハ通電時の電流密度の不均一、ひ
いては金属膜等の膜厚の不均一をもたらす要因となる。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもの
で、基板との接触抵抗の均一性を確保し易い液処理装置
を提供することを目的としている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本明に係る液処理装置は、処理液を収容する処理液
槽と、開口部が形成された電極基体と該開口部に取り付
けられた補助電極から構成され、かつ基板に接触可能な
第１の電極と、前記処理液槽に配設され、前記第１の電
極との間に電圧が印加される第２の電極と、を具備する
ことを特徴とする。電極基体の開口部に補助電極を取り
付けることで、第１の電極の形状、の大きさを調節で
き、基板の形状、チップパターンに容易に対応できる。
この結果、基板と第１の電極との接触面積の調節が容易
となり、接触抵抗の均一性の確保が容易になる。

【０００５】ここで、前記開口部と前記補助電極が、互
いに対応する凹部または凸部のいずれかを有してもよ
い。互いに対応する凹部または凸部を用いて、開口部に
補助電極を容易に取り付けることができる。また、前記
複数の補助電極が、互いに対応する凹部または凸部のい
ずれかを有してもよい。互いに対応する凹部または凸部
を用いて補助電極同士を組み合わせ、第１の電極の形
状、大きさを調節できる。

【０００６】さらに、前記補助電極が前記基板と電気的
に接続する第１の電気接続部を有しても差し支えなく、
前記電極基体が前記基板と電気的に接続する第２の電気
接続部を有してもよい。これらの電気接続部は、互いに
同一平面となる接続面でも良いし、弾性を有する電気接
点でも差し支えない。またさらに、前記液処理装置が、
前記基板を保持する基板保持部を具備し、前記第１の電
極が前記基板保持部に設置されていても差し支えない。

【０００７】加えて、前記電極基体、補助電極が、それ
ら自身を封止する第１、第２の封止部材を有しても差し
支えない。このとき、前記第１の封止部材と前記第２の
封止部材のそれぞれが互いに接触する接触部を有する
と、封止部材の隙間からの処理液の浸入を防止できる。
さらに加えて前記補助電極が、前記基板と接触する第３
の封止部材を有してもよい。第３の封止部材によって基
板を封止することが可能となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明の
実施の形態に係るメッキ処理装置について説明する。図
１は本実施の第１の形態に係るメッキ処理装置１０を示
す模式的な垂直断面図である。図１に示すように、この
メッキ処理装置１０では、装置全体が密閉構造のハウジ
ング１２で覆われている。このハウジング１２は樹脂等
の耐食性の材料で構成されている。

【０００９】ハウジング１２の内部には、メッキ液Ｌを
収容するメッキ液槽１４と、メッキ液槽１４の真上に位
置しウエハＷを保持および回転させるドライバ１６とが
配設されている。また、メッキ液槽１４の上部付近のハ
ウジング１２には洗浄ノズル１８及びその下側に配設さ
れた排気口２０を内蔵したセパレータ２２が配設されて
いる。このセパレータ２２の中央には、ドライバ１６に
保持されたウエハＷが通過できる貫通孔が設けられてい
る。さらに、ハウジング１２にはウエハＷをメッキ処理
装置１０内に搬出入するゲートバルブ２４が設けられて
いる。

【００１０】メッキ液槽１４は、内槽１４ａと、内槽１
４ａの内側に同心的に配設された外槽１４ｂとの２重槽
から構成されている。内槽１４ａは有底の略円筒形に形
成されており、内槽１４ａの開口面は略水平に維持され
ている。また、メッキ液Ｌで内槽１４ａを満たしたとき
に後述するメッキ位置（ＩＶ）にあるウエハＷの被メッ
キ面がメッキ液Ｌの液面よりも低くなるように、内槽１
４ａは設置されている。

【００１１】内槽１４ａの内部には内槽１４ａの底面側
から上面に向けてメッキ液Ｌを噴出させる噴出管２８
が、内槽１４ａの底面の略中心から内槽１４ａの深さ方
向略中間付近まで突出している。噴出管２８の周囲には
第２の電極としてのアノード電極３０が内槽１４ａと同
心的に配設されている。また、このアノード電極３０は
図示しない外部電源と電気的に接続され、この電源を投
入することによりアノード電極３０とウエハＷとの間に
電界が形成される。

【００１２】噴出管２８の端部外周と内槽１４ａとの間
には内槽１４ａを上下に仕切り分ける隔膜３２がアノー
ド電極３０の上方に設けられている。隔膜３２で仕切ら
れた内槽１４ａの上側（以下「内槽の上側」という）に
は噴出管２８からメッキ液Ｌが供給され、隔膜３２で仕
切られた内槽１４ａの下側（以下「内槽の下側」とい
う）には後述する循環配管３６からメッキ液Ｌが供給さ
れる。また、この隔膜３２はイオンを透過するが、アノ
ード電極３０を溶解させたときに生じる不純物及びウエ
ハＷの被メッキ面にメッキ処理中に発生する例えば酸素
及び水素のような気泡を透過させないように構成されて
いる。

【００１３】さらに、内槽１４ａの底面の中心から偏心
した位置には循環配管３４、３６が設けられており、こ
の循環配管３４、３６の間には図示しないポンプが配設
されている。このポンプを作動させることで内槽１４ａ
の下側にメッキ液Ｌを循環できる。

【００１４】外槽１４ｂは、内槽１４ａと同様に有底の
略円筒形に形成されており、外槽１４ｂの開口面は略水
平に維持されている。外槽１４ｂの底部には排出口が２
箇所設けられており、この排出口には配管３７が接続さ
れている。この配管３７と噴出管２８との間にはポンプ
３８が配設されている。また、配管３７にはメッキ液Ｌ
を収容した図示しないタンクが接続され、メッキ液Ｌを
内槽１４ａに供給するようになっている。

【００１５】ドライバ１６は、ウエハＷを保持する基板
保持部３９と、ウエハＷを略水平面内で回転させる回転
駆動部４０とから構成されている。回転駆動部４０は、
図示しないモータを有しこのモータの動作によって基板
保持部３９、及び基板保持部３９に保持されたウエハＷ
が回転する。回転駆動部４０の外側容器には回転駆動部
４０を支持する支持梁４２が取り付けられており、支持
梁４２の端はハウジング１２の内壁に対してガイドレー
ル４４を介して昇降可能に取り付けられている。

【００１６】支持梁４２は更に上下方向に伸縮自在なシ
リンダ４６を介してハウジング１２に取り付けられてお
り、このシリンダ４６を駆動させることにより支持梁４
２に支持されたドライバ１６がガイドレール４４に沿っ
て上下動してウエハＷを昇降させる。具体的には図１に
示すように、ドライバ１６の基板保持部３９に保持され
たウエハＷは、メッキ液槽１４の中心軸上にある主に４
つの異なる高さの位置との間で昇降する。この４つの位
置は、搬送のための搬送位置（Ｉ）と、ウエハＷのメッ
キ形成面を例えば純水のような洗浄液で洗浄処理するた
めのウエハ洗浄位置（ＩＩ）と、後述するスピンドライ
を行うためのスピンドライ位置（ＩＩＩ）と、ウエハＷ
の被メッキ面にメッキ膜を形成するためのメッキ位置
（ＩＶ）である。

【００１７】搬送位置（Ｉ）、ウエハ洗浄位置（ＩＩ）
はメッキ液槽１４の内槽１４ａ内にメッキ液Ｌを一杯に
したときのメッキ液Ｌの液面より上方にあり、スピンド
ライ位置（ＩＩＩ）及びメッキ位置（ＩＶ）はメッキ液
Ｌの液面より下方にある。

【００１８】（基板保持部の構造の詳細）次に本実施の
形態に係る基板保持部３９の詳細について説明する。図
２（Ａ）、（Ｂ）は、いずれも図１円内の基板保持部３
９を拡大した模式的な垂直断面図であり、それぞれウエ
ハＷをカソード電極６０に接触させて電気的に接続する
前後の状態を表す。基板保持部３９はウエハＷを出し入
れする窓４８を有する中空のホルダー５０を有し、１枚
のウエハＷをホルダー５０内（基板保持部３９内）に略
水平に保持できるようになっている。基板保持部３９の
内部には、ウエハＷを押圧する押圧部５２およびウエハ
Ｗを吸引して保持するチャック５４が備えられている。
押圧部５２は、エアシリンダー等の押圧部５２に接続さ
れ基板保持部３９に載置されたウエハＷの裏面を押圧
し、ウエハＷを固定する。

【００１９】チャック５４は、少なくとも１箇所以上、
例えば３箇所に吸引溝が形成されたいわゆる真空チャッ
クである。これらの吸引溝には図示しない真空ポンプが
接続され、真空ポンプの動作により吸引溝内の空気が吸
引される。この吸引によりチャック５４にウエハＷを吸
着させ、保持できる。チャック５４は、エアシリンダー
等の昇降機構に接続され、ウエハＷを吸着したまま基板
保持部３９内を昇降できる。

【００２０】ホルダー５０には開口部５６が形成されて
いる。この開口部５６から基板保持部３９内に保持され
たウエハＷの被メッキ面が露出され、メッキ膜が形成さ
れる。基板保持部３９内には、さらにウエハＷに電圧を
印加するためのカソード電極６０、基板保持部３９内部
をメッキ液Ｌの侵入から保護する封止部材７０、カソー
ド電極６０と封止部材７０を押さえて固定するための封
止押さえ部材８０を有する。カソード電極６０には、図
示しないリード線を通じて外部電源が接続され、リード
線を介して電圧が印加される。ここで、カソード電極６
０は封止部材７０を構成する封止部と一体となったブロ
ックにより構成され、その形状を適宜に変更できる。な
お、この詳細は後述する。基板保持部３９に保持される
ウエハＷの被メッキ面には、例えばＰＶＤ処理装置によ
り予め銅の薄膜、いわゆるシード層が形成されている。
その結果、カソード電極６０に印加された電圧がウエハ
Ｗの被メッキ面にも印加される。

【００２１】（ホルダーの詳細）ホルダー５０は、ホル
ダー側部５０ａおよびホルダー底部５０ｂから構成され
ている。ホルダー側部５０ａは、略円筒形状である。ま
た、ホルダー底部５０ｂは、略円状の開口部５６が形成
された略リング形状であり、ホルダー側部５０ａと一体
に構成されている。

【００２２】（カソード電極および封止部材の詳細）前
述のように基板保持部３９の内側には、ウエハＷの被メ
ッキ面に電圧を印加するためのカソード電極６０が配設
されている。カソード電極６０は、封止部材７０と一体
となったブロック構造から構成される。図３、図４はそ
れぞれ、封止部材７０と一体となったカソード電極６０
を上面、下面からみた状態を表す平面図および底面図で
ある。カソード電極６０は、導電性の材料からなる電極
基体６２、補助電極６４、６６から構成され、開口部６
８を有する。また、封止部材７０は、電極基体封止部７
２、補助電極封止部７４、基板封止部７６から構成さ
れ、開口部７８を有する。電極基体封止部７２、補助電
極封止部７４、基板封止部７６はそれぞれ、電極基体６
２、補助電極６４、６６と一体となっている。

【００２３】図５（Ａ）は電極基体封止部７２と一体に
なった電極基体６２を上面からみた状態を表す平面図で
あり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の小円内を拡大して表し
た部分拡大斜視図である。また、図６（Ａ）、（Ｂ）は
それぞれ、電極基体封止部７２と一体になった電極基体
６２を下面および側面からみた状態を表す底面図および
側面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、補助電
極封止部７４（７４Ａ、７４Ｂ）と一体に形成された補
助電極６４（６４Ａ、６４Ｂ）を表す斜視図である。こ
のように補助電極６４は、異なった複数の形状を採りう
る。図８（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、基板封止部７６
（７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ）と一体に形成された補助電
極６６（６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ）を表す斜視図であ
る。このように補助電極６６は、異なった複数の形状を
採りうる。

【００２４】以下図２〜８に基づき、カソード電極６０
の詳細を説明する。電極基体６２は、略平面円盤状の導
電体から構成され、開口部６２２を有する。開口部６２
２は、略同一の長さの線分を縦横に結合して構成された
多角形になっている。電極基体６２の上面には、開口部
６２２の周縁にそって複数の略円柱状の凹部６２４が形
成されている。電極基体６２には、ゴム、合成樹脂等弾
力性を有する材料から形成された電極基体封止部７２が
結合されている。電極基体封止部７２は開口部６２２と
略同一寸法、同一形状の開口部７２２を有する。電極基
体６２と電極基体封止部７２との結合は、例えば接着剤
を用いて行える。

【００２５】補助電極６４は、底面が略正方形の直方体
のブロックから構成され、その上面にはそれぞれの側面
に対応して略円柱状の凸部６４２あるいは凹部６４４が
形成されている。さらに補助電極６４の底面には、底面
と略同一形状同一寸法の補助電極封止部７４が結合され
ている。補助電極６４と補助電極封止部７４との結合
は、例えば接着剤を用いて行える。

【００２６】補助電極６６は、底面が略正方形の直方体
のブロックから構成され、その上面にはそれぞれの側面
に対応して凸部６６２あるいは凹部６６４が形成されて
いる。ここで、補助電極６６の一または二の側面には、
凸部６６２、凹部６６４のいずれも形成されていない。
補助電極６６には、基板封止部７６が結合されている。
基板封止部７６は、底面部７６２と側面部７６４から構
成される。底面部７６２は、補助電極の底面と略同一形
状、同一寸法である。側面部７６４は、補助電極６６の
凸部６６２、凹部６６４のいずれも形成されていない側
面に対応し、かつ補助電極６６の上面より少し突き出し
た形状をしている。この突き出した部位はウエハＷと接
触する基板接触部７６６である。なお、補助電極６６と
基板封止部７６との結合は、例えば接着剤を用いて行う
ことができる。

【００２７】補助電極６４の凸部６４２は、電極基体６
２の凹部６２４と対応する形状を有する。このため、凸
部６４２を凹部６２４に合わせて電極基体６２の上面方
向から差し込むことで、電極基体６２の開口部６２２に
補助電極６４を取り付けることができる。さらに凸部６
４２、６６２と凹部６２４、６４４、６６４はそれぞ
れ、略同一形状、同一寸法である。このため、これらの
凸部６４２、６６２と凹部６４４、６６４を対応させる
ことで、補助電極６４と補助電極６６あるいは補助電極
６４、６６同士を互いに組み合わせることができる。こ
のようにして、電極基体６２に複数の補助電極６４、６
６を取り付けることで、カソード電極６０の形状を自在
に変更できる。

【００２８】このとき、隣接する電極基体封止部７２、
補助電極封止部７４、基板封止部７６は、互いに一また
は二の面が接触する。カソード電極６０を組み立てたと
きに、この接触する面同士の間にある程度強い応力が作
用することが、メッキ液Ｌの侵入を防止する上で好まし
い。このためには、補助電極封止部７４、基板封止部７
６を補助電極６４、６６の底面より少しだけ大きくして
おくのがよい。

【００２９】組み立てられたカソード電極６０の最内周
（開口部６８）には、基板封止部７６と一体となった補
助電極６６が配置される。基板封止部７６は互いに側面
部７６４の端面７６８が隣接するように配置される。端
面７６８が互いに適度の応力で接触していれば、その面
間からのメッキ液Ｌの浸入が防止される。補助電極６６
を取り付けたときに基板封止部７６の隣接する端面７６
８が互いにほぼ同一の方向であるのが、メッキ液Ｌの浸
入防止上好ましい。このために、端面７６８は一点鎖線
で表すように必要に応じて、略４５°斜め方向に形成さ
れる。

【００３０】補助電極６４の厚み（高さ）は電極基体６
２の厚みと同一であり、また補助電極封止部７４の厚さ
は電極基体封止部７２の厚さと略同一としている。この
ため、電極基体６２に補助電極６４を取り付けたとき、
電極基体６２と補助電極６４の上面、および電極基体封
止部７２の底面と補助電極封止部７４の底面それぞれ
は、互いに一致する。また、基板封止部７６の基板接触
部７６６は互いに略同一の高さである。その結果、基板
接触部７６６は、カソード電極６０の開口部６８の周に
沿って、ウエハＷと隙間なく接触し、メッキ液Ｌの浸入
を防止できる。

【００３１】このように、電極基体６２に補助電極６
４、６６を取り付けることで、全体として平板状のカソ
ード電極６０が形成される。また、この取り付けは、補
助電極６４、６６と一体の補助電極封止部７４、基板封
止部７６の取り付けをも意味し、その結果全体として略
平板状の封止部材７０が構成される。この封止部材７０
を構成する電極基体封止部７２、補助電極封止部７４、
基板封止部７６は、互いに適度の応力で接触しているこ
とから、これらの隙間からのメッキ液Ｌの浸入が防止さ
れ、一体の封止部材７０として機能する。以上のよう
に、カソード電極６０は、電極基体６２にブロック構造
の補助電極６４、６６を取り付けることで形成されるこ
とから、その組み合わせ方を変え形状を自在に変更でき
る。ウエハＷのノッチやチップパターンに応じてカソー
ド電極６０の形状を変更することで、ウエハＷの周方向
における接触面積、ひいては接触抵抗の均一性が保たれ
る。

【００３２】（シール押さえ部の詳細）封止押さえ部材
８０は、全体としてはホルダー側部５０ａの内径と略等
しい外形を有する略円筒形状をしている。この円筒の内
径はホルダー底部５０ｂに近づくに従って小さくなり、
従って封止押さえ部材８０の肉厚が厚くなっている。ま
た、封止押さえ部材８０の底部はカソード電極６０に対
応した形状をしており、カソード電極６０および封止部
材７０を押圧する。この結果、封止部材７０はホルダー
底部５０ｂに押しつけられ、封止部材７０とホルダー底
部５０ｂ間からのメッキ液Ｌの侵入が防止される。

【００３３】（メッキ処理行程の流れ）次に、メッキ処
理装置１０で行われるメッキ処理行程の流れについて説
明する。図９は本実施の形態に係るメッキ処理装置１０
で行われるメッキ処理行程の流れを示したフローチャー
トである。以下、メッキ処理装置１０によるメッキ処理
の流れについて図９に沿って説明する。

【００３４】（１）基板保持部３９内へのウエハＷの搬
入が行われる（ステップＳ１）。メッキ処理装置１０の
側壁に設けられたゲートバルブ２４が開き、搬送位置
（Ｉ）に待機しているドライバ１６の基板保持部３９内
へ窓４８を通して、未処理のウエハＷを保持する図示し
ないアームが挿入される。このアームは、基板保持部３
９内にウエハＷの被メッキ面をメッキ液Ｌの液面に向け
て略水平に載置する。

【００３５】この搬入に際して、基板保持部３９内にウ
エハＷのノッチやチップパターンに対応したカソード電
極６０を予め設置しておく。図１０は、ウエハＷのノッ
チに対応したカソード電極６０の例を示す。図１０
（Ａ）がノッチＮを有するウエハＷを示す正面図であ
り、図１０（Ｂ）が図１０（Ａ）の小円の部分を拡大し
てカソード電極６０の電極パターン（補助電極６４、６
６の取り付け状態）と対比して示す図である。図１０
（Ａ）には、参考としてリング状のカソード電極９０を
示している。このカソード電極９０は、ノッチＮにおい
てカソード電極との接触面積が小さくなる。これに対し
て、図１０（Ｂ）に示すように、ノッチの形状に対応し
てカソード電極６０を構成することで、ノッチＮにおい
てもウエハＷとカソード電極６０の接触面積を確保でき
る。

【００３６】図１１は、ウエハＷのチップパターンに対
応したカソード電極６０の１例を示す平面図である。こ
こで、ウエハＷおよびチップパターンＰは２点鎖線で表
している。チップパターンＰの外形に対応してカソード
電極６０を構成することで、ウエハＷの周縁のいずれに
おいても接触面積を確保することが可能となる。

【００３７】基板保持部３９内にウエハＷを載置する際
に、押圧部５２およびチャック５４は、基板保持部３９
の上方に引き上げられている。また、詳細にはウエハＷ
を封止部材７０の基板封止部７６上に載置する（図２
（Ａ）参照）。

【００３８】（２）ウエハＷを基板封止部７６上に載置
した後、ゲートバルブ２４が閉じられるとともに、押圧
部５２によりウエハＷの裏面が押圧される（ステップＳ
２）。この押圧により基板封止部７６が弾性変形し、ウ
エハＷとカソード電極６０の上面が接触する（図２
（Ｂ）参照）。電極基体６２、補助電極６４、６６の上
面が同一平面上にあることから、この接触はカソード電
極６０の上面上の広い範囲で行われる。即ち、カソード
電極の上面がウエハＷと接触する接触面として機能す
る。さらに、押圧により基板封止部７６とウエハＷとが
強く密着し、メッキ液Ｌの基板保持部３９内への浸入の
防止が可能となる。

【００３９】（３）その後、ドライバ１６がシリンダ４
６の駆動で下降して、ウエハＷをメッキ位置（ＩＶ）に
降下させ、ウエハＷをメッキ液Ｌに浸漬する（ステップ
Ｓ３）。ウエハＷの被メッキ面および基板保持部３９の
底面（ホルダー底部５０ｂ）は大気中からメッキ液Ｌ内
に移行する。なお、このときメッキ液槽１４の内槽１４
ａ内にはメッキ液Ｌが一杯に満たされている。

【００４０】（４）ウエハＷをメッキ位置（ＩＶ）に位
置させた後、ウエハＷの被メッキ面に例えば銅のメッキ
膜の形成が行われる（ステップＳ４）。メッキ膜の形成
は、アノード電極３０とカソード電極６０との間に電圧
を印加することにより行われ、被メッキ面に十分な厚さ
のメッキ膜を形成された後に電圧の印加を停止してメッ
キ膜の形成を終了する。メッキ膜の形成が完了したら、
図示しないポンプを作動させ、メッキ液槽１４内のメッ
キ液Ｌの液面を低下させる。

【００４１】（５）次にウエハＷのスピンドライによ
り、ウエハＷのメッキ形成面に付着している余分なメッ
キ液Ｌを取り除く（ステップＳ５）。スピンドライに先
立ち、ドライバ１６がシリンダ４６の駆動で上昇して、
ウエハＷをスピンドライ位置（ＩＩＩ）に上昇させる。
そして、基板保持部３９が回転駆動部４０の駆動で略水
平面内で回転してスピンドライを行い、ウエハＷのメッ
キ形成面に付着している余分なメッキ液Ｌを取り除く。

【００４２】（６）ウエハＷのメッキ膜形成面を洗浄す
る（ステップＳ６）十分にスピンドライを行った後、シ
リンダ４６の駆動により、ウエハＷをウエハ洗浄位置
（ＩＩ）まで上昇させる。その後、セパレータ２２に内
蔵されている洗浄ノズル１８から純水をウエハＷのメッ
キ膜形成面に向けて噴射して、ウエハＷのメッキ膜形成
面を洗浄する。このとき、基板保持部３９が回転駆動部
４０の駆動により略水平面内で回転される。

【００４３】（７）ウエハＷの洗浄が完了したら、基板
保持部３９内からウエハＷが搬出される（ステップＳ
７）。ウエハＷの搬出の際には、シリンダ４６によりウ
エハＷが搬送位置（Ｉ）まで上昇される。ウエハＷの搬
送に際し、チャック５４がウエハＷの裏面を吸引し基板
保持部３９内を上昇する。この結果、基板封止部７６
は、ウエハＷから離間する。さらに、ゲートバルブ２４
が開き、基板保持部３９の窓４８を通して、図示しない
アームが伸長してメッキ膜が形成されたウエハＷを受け
取る。その後、アームがメッキ処理装置１０内からウエ
ハＷを搬出する。

【００４４】（他の実施形態）本発明は上記実施形態に
限定されるものではなく、種々に拡張、変更可能であ
り。これら拡張、変更された実施形態も本発明の技術的
範囲に含まれる。（１）上記実施形態では、凹部および凸部を円柱形状と
しているが、他の形状であっても差し支えない。例え
ば、多角柱形状、円錐形状、角錐形状等を採り得る。（２）上記実施形態では電極基体６２、補助電極６４、
６６のみに凹部、凸部を形成したが、電極基体封止部７
２、補助電極封止部７４、基板封止部７６のそれぞれに
互いに対応する凹部、凸部を形成しても差し支えない。
この凹部、凸部によって電極基体封止部７２等を結合す
ることで、封止部材７０からのメッキ液Ｌの浸入をより
確実に防止できる。この凹部、凸部は、電極基体６２等
と電極基体封止部７２等に別個に形成しても良いし、一
体に形成してもよい。また、凹部、凸部の形成と別個あ
るいは同時に、電極基体封止部７２等が結合する面を接
着剤等で一時的に接着することもできる。

【００４５】（３）上記実施形態ではカソード電極６０
がメッキ液Ｌに接触しないドライ電極であるが、本発明
をカソード電極６０がメッキ液Ｌに接触するウェット電
極に適用しても差し支えない。この場合、封止部材７０
は必ずしも必要がない。但し、ウエハＷに接触する部位
以外を封止部材７０で封止する等しても差し支えない。（４）上記実施形態ではウエハＷとの接触はカソード電
極６０上面全体で行ったが、カソード電極６０にウエハ
Ｗとの導通を行う電気接点を設けても差し支えない。例
えば、カソード電極に板ばね等弾性のある接点を複数設
けることで、ウエハＷとの導通を図ることができる。（５）また、上記実施の形態では、基板としてウエハＷ
を使用して説明しているが、液晶用のＬＣＤガラス基板
を使用することも可能である。さらに、上記実施の形態
では、液処理をメッキ処理として説明しているが、液を
使用しかつ基板との導通を行うものであれば適用するこ
とが可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、第１の電極を電極
基体及びその開口部に取り付けられる補助電極から構成
することで、第１の電極の形状を容易に変更可能とな
り、基板の形状等（ノッチ、チップパターン）に容易に
対応できる。その結果、第１の電極と基板との接触面積
を確保し、基板との接触抵抗の均一性の確保が容易なメ
ッキ処理装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の第１の形態に係るメッキ処理装置を
示す模式的な垂直断面図である。

【図２】図１に示した基板保持部の一部を拡大した模
式的な垂直断面図である。

【図３】封止部材と一体となったカソード電極を上面
からみた状態を表す平面図である。

【図４】封止部材と一体となったカソード電極を下面
からみた状態を表す底面図である。

【図５】電極基体封止部と一体になった電極基体を上
面からみた状態を表す平面図、およびその一部を拡大し
て表した部分拡大斜視図である。

【図６】電極基体封止部と一体になった電極基体を下
面および側面からみた状態を表す底面図および側面図で
ある

【図７】補助電極封止部と一体に形成された補助電極
を表す斜視図である。

【図８】基板封止部と一体に形成された補助電極を表
す斜視図である。

【図９】本発明の第１実施形態に係るメッキ処理装置
で行われるメッキ処理行程の流れを示したフローチャー
トである。

【図１０】ノッチを有するウエハおよびこのノッチに
対応したカソード電極の１例を示す平面図および部分拡
大平面図である。

【図１１】ウエハのチップパターンに対応したカソー
ド電極の１例を示す平面図である。

【符号の説明】

１０… メッキ処理装置１２… ハウジング１４… メッキ液槽１４ｂ…外槽１４ａ…内槽１６… ドライバ１８… 洗浄ノズル２０… 排気口２２… セパレータ２４… ゲートバルブ２８… 噴出管３０… アノード電極３２… 隔膜３４、３６… 循環配管３７… 配管３８… ポンプ３９… 基板保持部４０… 回転駆動部４２… 支持梁４４… ガイドレール４６… シリンダ４８… 窓５０… ホルダー５０ａ…ホルダー側部５０ｂ…ホルダー底部５０１、５０２…側面５２… 押圧部５４… チャック５６… 開口部５８… 溝６０… カソード電極６２… 電極基体６４（６４Ａ、６４Ｂ）…補助電極６６（６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ）…補助電極６８… 開口部６２２…開口部６２４、６４４、６６４…凹部６４２、６６２…凸部７０… 封止部材７２… 電極基体封止部７２２…開口部７４（７４Ａ、７４Ｂ）…補助電極封止部７６（７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ）…基板封止部７６２…底面部７６４…側面部７６６…基板接触部７６８…端面７８… 開口部８０… 封止押さえ部材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液を収容する処理液槽と、開口部が形成された電極基体と該開口部に取り付けられ
た複数の補助電極から構成され、かつ基板に接触可能な
第１の電極と、前記処理液槽に配設され、前記第１の電極との間に電圧
が印加される第２の電極と、を具備することを特徴とす
る液処理装置。
【請求項２】前記開口部と前記補助電極が、互いに対
応する凹部または凸部のいずれかを有することを特徴と
する請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】前記補助電極が、互いに対応する凹部ま
たは凸部のいずれかを有することを特徴とする請求項１
記載の液処理装置。
【請求項４】前記補助電極が前記基板と電気的に接続
する第１の電気接続部を有することを特徴とする請求項
１記載の液処理装置。
【請求項５】前記電極基体が前記基板と電気的に接続
する第２の電気接続部を有することを特徴とする請求項
４記載の液処理装置。
【請求項６】前記第１、第２の電気接続部が、互いに
同一平面となる接続面であることを特徴とする請求項５
記載の液処理装置。
【請求項７】前記第１、第２の電気接続部の少なくと
もいずれかが、弾性を有する電気接点であることを特徴
とする請求項５記載の液処理装置。
【請求項８】前記液処理装置が、前記基板を保持する
基板保持部を具備し、前記第１の電極が前記基板保持部に設置されていること
を特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項９】前記電極基体が、該電極基体を封止する
第１の封止部材を有することを特徴とする請求項１記載
の液処理装置。
【請求項１０】前記補助電極が、該補助電極を封止す
る第２の封止部材を有することを特徴とする請求項９記
載の液処理装置。
【請求項１１】前記第１の封止部材と前記第２の封止
部材のそれぞれが互いに接触する接触部を有することを
特徴とする請求項１０記載の液処理装置。
【請求項１２】前記補助電極が、前記基板と接触する
第３の封止部材を有することを特徴とする請求項１記載
の液処理装置。