JP3342381B2

JP3342381B2 - 陽極化成装置

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Publication number: JP3342381B2
Application number: JP36100997A
Authority: JP
Inventors: 憲二山方; 聡松村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 2002-11-05
Anticipated expiration: 2017-12-26
Also published as: JPH11195639A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電解質溶液中で基
板に陽極化成処理を施す陽極化成装置及び該装置を含む
基板処理装置並びにこれらの装置を用いた基板処理方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】多孔質シリコンは、A.Uhlir及びD.R.Tur
nerにより、弗化水素酸（以降ＨＦと略記する）の水溶
液中において正電位にバイアスされた単結晶シリコンの
電解研磨の研究過程において発見された。その後多孔質
シリコンの反応性に富む性質を利用して、シリコン集積
回路製造工程において厚い絶縁物の形成が必要な素子間
分離工程に応用する検討がなされ、多孔質シリコン酸化
膜による完全分離技術(FIPOS:Full Isolation by Porou
s Oxidized Silicon) などが開発された（K.Imai,Solid
State Electron 24, 159, 1981）。また最近では多孔
質シリコン基板上に成長させたシリコンエピタキシャル
層を、酸化膜を介して非晶質基板上や単結晶シリコン基
板上に貼り合わせる、直接接合技術などへの応用技術が
開発された（特開平5-21338号）。その他の応用例とし
て多孔質シリコンそのものが発光する、所謂フォトルミ
ネッセンスやエレクトロルミネッセンス材料としても注
目されている（特開平6-338631号）。図１９は、シリコ
ン基板に陽極化成処理を施して多孔質シリコンを製造す
る装置の構成を示す図である。この装置は、シリコン基
板１３０１の裏面を金属電極１３０２に密着させ、シリ
コン基板１３０１の表面の外周部分をOリング１３０４
等でシールするようにして陽極化成槽１３０５をシリコ
ン基板１３０１上に配置してなる。槽内には、ＨＦ溶液
１３０３が満たされ、シリコン基板１３０１に対向する
ようにして対向電極１３０６が配置されている。この対
向電極１３０６をマイナス電極とし、金属電極１３０２
をプラス電極として直流電圧を印加することにより、シ
リコン基板１３０１が化成処理される。この方式には大
きな欠点が２つある。１つの欠点は、シリコン基板１３
０１の裏面が直接金属に接触しているために、シリコン
基板１３０１が金属に汚染されることである。そして、
もう１つの欠点は、シリコン基板１３０１の表面の化成
される領域が、ＨＦ溶液に接触している部分だけであ
り、Oリング１３０４の内側にしか多孔質シリコンが形
成されないということである。図２０は、上記の問題点
を解決すべく開発された陽極化成装置（特開昭60-94737
号）の構成を示す図である。この陽極化成装置は、シリ
コン基板１４０１を挟むようにして、耐ＨＦ性のテフロ
ン製の陽極化成槽１４０２a及び１４０２bを配置してな
る（テフロンは、米国du Pont社の商品名）。そして、
陽極化成槽１４０２a、１４０２bには、夫々白金電極１
４０３a、１４０３bが設けられている。陽極化成槽１４
０２a、１４０２bは、シリコン基板１４０１と接する側
壁部に溝を有し、この溝に夫々フッ素ゴム製のOリング
１４０４a 、１４０４bがはめ込まれている。そして、
陽極化成槽１４０２a、１４０２bとシリコン基板１４０
１とは、このOリング１４０４a、１４０４bによりシー
ルされている。このようにしてシールされた陽極化成槽
１４０２a、１４０２bには、夫々ＨＦ溶液１４０５a、
１４０５bが満たされている。この陽極化成槽では、シ
リコン基板が直接金属電極に接触していないため、金属
電極によりシリコン基板が汚染される可能性が小さい。
しかしながら、化成処理を施すシリコン基板は、その表
面及び裏面をOリングによってシールされるために、依
然としてシリコン基板の表面の周辺領域に未化成部分が
残るという問題がある。また、処理すべきシリコン基板
そのものが化成槽に直接組み込まれて一体化する構造で
あるため、シリコン基板の交換作業が迅速にできないと
いう問題点がある。この問題点に鑑みて、シリコン基板
をその周辺（ベベリング）領域で支持する陽極化成装置
が開発された（特開平5-198556号）。この陽極化成装置
に拠れば、金属電極からの汚染を防止できると共に基板
表面の全領域を化成処理できる。また、この陽極化成装
置は、処理するウェハをホルダに固定し、このホルダを
化成槽に固定するという2段のプロセスでウェハを化成
槽内に固定するため、ウェハを直接化成槽に固定してウ
ェハが化成槽の一部をなす従来の装置よりも操作性が格
段に向上している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の特開平5-198556
号に記載の陽極化成装置は、金属汚染が殆ど発生せず、
且つ基板表面の全領域を化成処理することができる極め
て実用性が高い装置である。しかし、より生産性の高い
陽極化成装置が望まれるところである。上記特開平5-19
8556の生産的課題は、基板をホルダーにセットする方法
にある。即ち上記装置に於いて基板をホルダに組み込む
場合は、先ず、ウェハの中心がシール面の中心に一致す
るようにし、且つオリエンテーションフラット等の特殊
形状部分をホルダの対応部分に合わせ、次いで、シール
面をウェハの周辺に押し当ててウェハを固定する必要が
ある。ウェハを固定するためには相応の押し当て圧力が
必要となるので、例えばネジなどが使用される。従って
ロボットを用いて自動的に基板を移載することが困難で
あった。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので
あり、基板の支持方法を改善して、陽極化成処理の効率
化を図ることを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明に係る陽極化成装
置は、電解質溶液中で基板に陽極化成処理を施す陽極化
成装置であって、対向する一対の電極と、基板の片面の
一部を吸着する吸着面を有する保持部と、基板を前記吸
着面に押圧する押圧部とを備え、前記保持部及び前記押
圧部が支持部を構成し、該支持部により基板を前記一対
の電極間に支持することを特徴とする。

【０００５】上記の陽極化成装置において、前記支持部
は、保持した基板の裏面に電解質溶液を接触させるため
の開口部を有することが好ましい。

【０００６】上記の陽極化成装置において、前記保持部
は、基板のベベリング部の内側近傍を吸着する吸着機構
を有し、前記押圧部は、該基板のベベリング部を前記吸
着部の吸着面に押圧することが好ましい。

【０００７】上記の陽極化成装置において、前記吸着機
構は、基板を真空吸着する機構であることが好ましい。

【０００８】上記の陽極化成装置において、前記吸着機
構は、基板の裏面を吸引するための１又は複数の吸引孔
を含むことが好ましい。

【０００９】上記の陽極化成装置において、前記吸着機
構は、基板のベベリング部の内側近傍に沿った環状の溝
を含むことが好ましい。

【００１０】上記の陽極化成装置において、前記吸着面
は、基板の表面側の電解質溶液が該基板の裏面側に回り
込むことを防止するように該基板と密着することが好ま
しい。

【００１１】上記の陽極化成装置において、前記支持部
は、夫々基板の外周の一部を支持する分離可能な複数の
要素支持部からなり、全要素支持部を一体化した状態で
基板の外周の全体を支持可能な状態になることが好まし
い。

【００１２】上記の陽極化成装置において、前記支持部
を構成する各要素支持部は、要素槽壁部材と連結されて
１つのブロックをなし、全ブロックを一体化することに
より、要素槽壁部材により密閉された１つの陽極化成槽
が構成されることが好ましい。

【００１３】上記の陽極化成装置において、前記の各ブ
ロックに属する要素支持部は、基板の外周のうち円周角
が１８０度以内の部分を支持することが好ましい。

【００１４】上記の陽極化成装置において、前記ブロッ
クの個数が２以上であることが好ましい。

【００１５】上記の陽極化成装置において、少なくとも
１つの前記要素槽壁部材が、前記陽極化成槽内に電解質
溶液を注入するための注入口を有することが好ましい。

【００１６】上記の陽極化成装置において、少なくとも
１つの前記要素槽壁部材が、前記陽極化成槽から電解質
溶液を排出するための排出口を有することが好ましい。

【００１７】上記の陽極化成装置において、前記注入口
及び前記排出口を用いて電解質溶液を循環させる手段を
更に備えることが好ましい。

【００１８】上記の陽極化成装置において、前記陽極化
成槽内を洗浄する手段を更に備えることが好ましい。

【００１９】上記の陽極化成装置において、前記陽極化
成槽を展開又は一体化する操作手段を更に備えることが
好ましい。

【００２０】上記の陽極化成装置において、前記操作手
段は、前記陽極化成槽を複数のブロックに分離すること
により前記陽極化成槽を展開することが好ましい。

【００２１】上記の陽極化成装置において、前記複数の
ブロックは、ヒンジにより連結されており、前記操作手
段は、前記ヒンジを軸とて前記陽極化成槽を展開するこ
とが好ましい。

【００２２】上記の陽極化成装置において、前記支持部
を複数備えることが好ましい。

【００２３】上記の陽極化成装置において、前記複数の
支持部は、保持すべき基板の軸方向に直列に配列されて
いることが好ましい。

【００２４】上記の陽極化成装置において、前記複数の
支持部の配列の間隔は、規格の基板キャリアにおける基
板収納用の溝の間隔と略等しいことが好ましい。

【００２５】本発明に係る他の陽極化成装置は、電解質
溶液中で基板に陽極化成処理を施す陽極化成装置であっ
て、複数のブロックからなり展開可能な陽極化成槽と、
前記陽極化成槽内に設けられた対向する一対の電極と、
前記一対の電極間に基板を支持する支持部とを備え、各
ブロックを一体化した状態で前記陽極化成槽は密閉され
ることを特徴とする。

【００２６】上記の他の陽極化成装置において、前記支
持部は、分離可能な複数の要素支持部からなり、各要素
支持部は前記複数のブロックのいずれかに連結されてい
ることが好ましい。

【００２７】上記の他の陽極化成装置において、前記ブ
ロックの個数が２以上であることが好ましい。

【００２８】上記の他の陽極化成装置において、少なく
とも１つの前記ブロックが、前記陽極化成槽内に電解質
溶液を注入するための注入口を有することが好ましい。

【００２９】上記の他の陽極化成装置において、少なく
とも１つの前記ブロックが、前記陽極化成槽から電解質
溶液を排出するための排出口を有することが好ましい。

【００３０】上記の他の陽極化成装置において、前記注
入口及び前記排出口を用いて電解質溶液を循環させる手
段を更に備えることが好ましい。

【００３１】上記の他の陽極化成装置において、前記陽
極化成槽内を洗浄する手段を更に備えることが好まし
い。

【００３２】上記の他の陽極化成装置において、前記陽
極化成槽を展開又は一体化する操作手段を更に備えるこ
とが好ましい。

【００３３】上記の他の陽極化成装置において、前記操
作手段は、前記陽極化成槽を複数のブロックに分離する
ことにより前記陽極化成槽を展開することが好ましい。

【００３４】上記の他の陽極化成装置において、前記複
数のブロックは、ヒンジにより連結されており、前記操
作手段は、前記ヒンジを軸とて前記陽極化成槽を展開す
ることが好ましい。

【００３５】上記の他の陽極化成装置において、前記支
持部を複数備えることが好ましい。

【００３６】上記の他の陽極化成装置において、前記複
数の支持部は、保持すべき基板の軸方向に直列に配列さ
れていることが好ましい。

【００３７】上記の他の陽極化成装置において、前記複
数の支持部の配列の間隔は、規格の基板キャリアにおけ
る基板収納用の溝の間隔と略等しいことが好ましい。

【００３８】本発明に係る基板処理装置は、上記のいず
れかの陽極化成装置と、前記陽極化成装置により処理さ
れた基板を洗浄する洗浄装置と、前記洗浄装置により洗
浄された基板を乾燥させる乾燥装置とを備えることを特
徴とする。

【００３９】上記の基板処理装置において、前記陽極化
成装置は、複数枚の基板を一括して処理することが好ま
しい。

【００４０】上記の基板処理装置において、キャリアに
収容された基板を一括して前記陽極化成装置にセットす
る手段を更に備えることが好ましい。

【００４１】上記の基板処理装置において、前記洗浄装
置及び前記乾燥装置は、複数枚の基板を一括して処理す
ることが好ましい。

【００４２】

【発明の実施の形態】陽極化成反応によるシリコン基板
の多孔質、すなわち、細孔の形成処理は、例えばＨＦ溶
液中で行われる。この処理には、シリコン結晶中の正孔
の存在が不可欠であることが知られており、その反応の
メカニズムは次のように推定される。先ずＨＦ溶液中で
電界を与えられたシリコン基板内の正孔がマイナス側の
表面に誘起される。その結果、表面の未結合手を補償す
る形で存在しているSi-H結合の密度が増加する。このと
きマイナス電極側のＨＦ溶液中のＦ-イオンが、 Si-H結
合に対して求核攻撃を行なって Si-Ｆ結合を形成する。
この反応によりＨ₂分子が発生すると同時にプラス電極
側に１個の電子が放出される。

【００４３】Si-Ｆ結合の分極特性のために表面近傍のS
i-Si結合が弱くなる。この弱いSi-Si結合はＨＦ或いはH
₂Oに攻撃され、結晶正面のSi原子はSiF₄となって結晶表
面から離脱する。その結果、結晶表面に窪みが発生し、
この部分に正孔を優先的に引き寄せる電場の分布（電界
集中）が生じ、この表面異質性が拡大してシリコン原子
の蝕刻が電界に沿って連続的に進行する。なお、陽極化
成処理に使用する溶液は、ＨＦ溶液に限らず、他の電解
質溶液であっても良い。

【００４４】本発明の好適な実施の形態に係る陽極化成
装置では、陽極化成反応面（基板の表面）における電界
の方向を阻害しないように、基板をその裏面とベベリン
グ部で支持する。したがって、この陽極化成装置を使用
することにより、ベベリング部を除き、基板表面の全領
域が陽極化成される。また、この陽極化成装置は、例え
ば、複数のブロックに分離可能な構造を有し、分離した
状態において基板を所定位置にはめ込んだ後、各ブロッ
クを一体化することにより、基板を支持することができ
る。

【００４５】また、この陽極化成装置は、基板を真空吸
着する吸着機構（保持部）と、該吸着機構の吸着面に対
して基板を押圧する押圧部を有し、吸着面に対して基板
を押圧した状態で該基板を吸着するため、基板の表面か
ら裏面への電解質溶液のリークを極めて小さくすること
ができる。したがって、ベベリング部を除き、基板の表
面の全域を略均一に処理することができる。

【００４６】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
基板ホルダの構造を示す断面図である。また、図２は、
図１に示す基板ホルダ１００の構造を示す正面図であ
る。図３は、図１の一部を拡大した図である。１０１
は、シリコン基板である。一般には、陽極化成のために
は正孔の存在が重要であるため、Ｐ型のシリコン基板が
好適であるが、Ｎ型のシリコン基板であっても光を照射
するなどして正孔の生成を促進することにより陽極化成
処理を施すことができる。

【００４７】１０２は、シリコン基板１０１を支持する
ための基板ホルダ１００の本体であり、耐フッ酸性の材
料である四フッ化エチレン樹脂（商品名：テフロン）な
どにより構成される。本体１０２には、支持すべき基板
の直径よりも小さい径の円形若しくは円形に近い形状の
開口部１０４が設けられている。なお、本体１０２は、
陽極化成槽の一部をなすものとすることができる。

【００４８】基板１０１は、本体１０２に組み込まれた
環状の支持部材１０３により支持される。この支持部材
１０３は、例えば、電解質溶液としてフッ酸を使用する
場合には、耐フッ酸性のフッ素ゴム等の材料により構成
することが好ましい。なお、他の電解質溶液を使用する
場合には、当該電解質溶液に対して耐性のある材料で構
成する必要がある。

【００４９】この支持部材１０３には、吸着面１０３１
に通じる吸引孔１０５が設けられており、この吸引孔１
０５内を減圧することにより基板を真空吸着することが
できる。また、支持部材１０２には、吸着面１０３１に
対して基板１０１を押圧する押圧部１０３２が設けられ
ている。これにより、支持部材１０３は、ウェハ１０１
を吸着面１０３１に押圧しながら吸着することができ、
高いシール機能を奏することができる。

【００５０】この基板ホルダ１００は、基板１０１を着
脱する際に３つのブロック１００ａ，１００ｂ，１００
ｃに分離される。各ブロック１００ａ，１００ｂ，１０
０ｃは、夫々本体１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃに要素
支持部材１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃを組み込んでな
る。なお、この例は、３つのブロックに分離可能な基板
ホルダに関するが、各ブロックの要素支持部材が基板の
半周を超えない大きさであれば分割の個数に制限はな
い。最少の分割数は２であるが、この場合、両ブロック
の要素支持部材を基板の半周分（１８０度）に相当する
ブロックにする必要がある。

【００５１】要素支持部材１０３ａには、１又は複数の
吸引孔１０５ａが軸方向に設けられており、これらは本
体１０２ａ内に円弧状に配された吸引孔１０６ａに通じ
ている。この吸引孔１０６ａは、減圧ライン１０７ａを
介して不図示のポンプに通じている。

【００５２】要素支持部材１０３ｂ，１０３ｃには、夫
々１又は複数の吸引孔１０５ｂ，１０５ｃが軸方向に設
けられており、これらは本体１０２ｂ，１０２ｃ内に円
弧状に配された吸引孔１０６ｂ，１０６ｃに通じてい
る。吸引孔１０６ｂ及び１０６ｃは、ブロック１００
ａ，１００ｂ，１００ｃを一体化した際に互いに連結さ
れる。吸引孔１０６ｂは、減圧ライン１０７ｂを介して
不図示のポンプに通じている。

【００５３】この基板ホルダ１００に基板１０１をセッ
トするには、まず、基板ホルダ１００を３つのブロック
に分割した状態で、基板１０１をブロック１００ａに位
置合せする。基板１０１をブロック１００ａに適正に位
置合せすると、基板１０１のベベリング部が、基板１０
１の自重により押圧部１０３２により吸着面１０３側に
押圧されることになる。この状態で吸引孔１０５ａ内を
減圧することにより、基板１０１は、ブロック１００ａ
に支持される。

【００５４】次いで、３つのブロックを一体化すること
により、図１及び図２に示す状態となる。そして、この
状態で、吸引孔１０５ｂ及び１０５ｃ内を減圧すること
により、基板１０１のセットが完了する。

【００５５】基板１０１のセットが完了すると、基板１
０１と支持部材１０３が完全に密着した状態となり、電
解質溶液が吸着面１０３１を介してリークする可能性が
極めて低くなる。

【００５６】図４及び図５は、基板ホルダの他の構成例
を示す図である。なお、図１及び図２に示す基板ホルダ
と同一の構成要素には同一の符号を付している。この構
成例は、支持部材１０３の吸着面１０３１に円弧状の溝
１０５ａ’，１０５ｂ’，１０５ｃ’を設けている点で
図１及び図２に示す構成例と相違する。

【００５７】図６は、上記の基板ホルダの本体を陽極化
成槽の槽壁と一体化した陽極化成装置である。この陽極
化成装置は３つのブロックに分離される。

【００５８】第１のブロックは、前述のブロック１００
ａに相当するブロックであり、陽極化成槽の一部をなす
要素槽壁部材１０２ａ’に、要素支持部材１０３ａ、マ
イナス電極１０８ａ、プラス電極１０８ｂを取り付けた
ものである。電極１０８ａ，１０８ｂの材料は、電解質
溶液によって腐蝕されない材質、例えば白金が好適であ
る。また、第１のブロックの要素槽壁部材１０２ａ’に
は、電解質溶液を供給又は排出するための給排孔１０９
が設けられている。

【００５９】第２のブロックは、前述のブロック１００
ｂに相当するブロックであり、吸引孔１０６ｂを有する
要素槽壁部材１０２ｂ’に要素支持部材１０３ｂを取り
付けたものである。また、第３のブロックは、前述のブ
ロック１００ｃに相当するブロックであり、要素槽壁部
材１０２ｃ’に要素支持部材１０３ｃを取り付けたもの
である。なお、第３のブロックにも同様に吸引孔を設け
てもよい。

【００６０】陽極化成は、基板１０１をセットした後
（第１〜第３のブロックを一体化した後）に、給排孔１
０９を介して左右の槽内に電解質溶液を満たし、電極１
０８ａ，１０８ｂ間に電圧を印加することにより行う。

【００６１】電解質溶液としては、フッ酸が好適であ
る。また、このフッ酸にアルコールを混ぜることも有効
である。アルコールを混ぜることにより、化成反応時に
発生する泡を基板表面から効率的に除去することができ
るからである。化成処理の結果は、フッ酸の濃度、電流
値等の条件に依存する。

【００６２】上記の陽極化成装置の如き構成は、多数枚
の基板を一括して処理する陽極化成装置に適用した場合
により顕著な効果を奏する。図７は、多数枚の基板を一
括して処理可能な陽極化成装置の一例を示す図である。
図７に示す例は、前述の陽極化成装置と同様に、３つの
ブロックからなる陽極化成装置である。

【００６３】このように、複数枚の基板を直列に配列し
て処理する場合、各基板１０１の裏面は、そのプラス電
極側（図中右側）の基板１０１に対してはマイナス電極
としての役割を果たし、そのマイナス電極（図中左側）
側の基板１０１に対してはプラス電極としての役割を果
たす。

【００６４】陽極化成反応には、基板と電解質溶液が接
触することが不可欠であり、また、上記のように、基板
を直列に配列して一括処理する場合には各基板が電極の
役割を果たすため、開口部１０４の存在が重要である。
開口部１０４の径は特に限定されないが、各基板を夫々
均一に処理するためには、開口部１０４の径を大きくす
ることが好ましい。

【００６５】一方、開口部１０４の径を大きくすると、
基板１０１と支持部材１０３の吸着面１０３１との接触
面積が小さくなるため、吸着面１０３１を介しての電解
質溶液のリークの可能性が高くなる他、基板１０１を支
持部材１０３に対して高精度に位置合せする必要も生じ
る。

【００６６】そこで、如何にして開口部１０４の径を大
きくするかが課題となる。この課題は、支持部材１０３
に前述の押圧部１０３２を設けることにより解決され
る。すなわち、押圧部材１０３２を設けることにより、
開口部１０４の径を大きくしつつ、リークを低減すると
共に要求される基板の位置合せの精度を低くすることが
できる。

【００６７】基板の全表面に化成処理を施すため、押圧
部１０３２により押圧する部分は、基板のベベリングの
みとすることが好ましい。なお、押圧部１０３２を設け
ると、該押圧部１０３２の内径が基板１０１の外径より
も小さいために、基板を軸方向（ｘ方向）に移動させて
支持部１０３にセットすることが困難になる。しかしな
がら、この実施の形態に係る陽極化成装置の支持部材
は、円弧状の複数のブロックからなるため、基板を容易
にセットすることができる。

【００６８】図８は、図７に示す陽極化成装置を３つの
ブロックに分割した状態を示す断面図である。各ブロッ
ク１００ａ’，１００ｂ’，１００ｃ’の要素支持部材
１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃの円周角θ１〜θ３は、
１８０度以下にする必要がある。この条件の下で、各ブ
ロックの要素支持部材の円周角θ１〜θ３は、基板１０
１を搬送するための搬送ロボットの仕様に応じて決定す
ることができる。すなわち、円周角θ１〜θ３は、搬送
ロボットが基板１０１を保持する方法、搬送ロボットの
形状、大きさ、搬送ロボットの移動経路等を考慮して決
定すればよい。ここで、各ブロックの要素支持部材の円
周角を１８０度以下にすれば、ブロックの個数は幾つで
あってもよい。

【００６９】基板１０１は、この例では、まず、第１の
ブロック１００ａ’の要素支持部材１０３ａに位置合せ
され、減圧ライン１０７ａを介して吸引孔ａ内を減圧す
ることにより要素支持部材１０３ａの吸着面に吸着され
る。

【００７０】基板１０１が第１のブロック１００ａ’の
要素支持部材１０３ａにより支持された後、第１〜第３
のブロック１００ａ’〜１００ｃ’を一体化することに
より、基板１０１は押圧部により吸着面に押圧される。
この状態で、吸引孔１０５ｂ及び１０５ｃ内を減圧して
基板を真空吸着することにより、基板１０１のセットが
完了する。

【００７１】ここで、少なくとも２系統の減圧用の減圧
ラインを備えることが好ましい。１つは、基板１０１を
最初に第１のブロック１００ａ’に固定するために吸引
孔１０５ａ内を減圧するための減圧ライン１０７ａであ
る。

【００７２】もう１つは、例えば、ブロックを一体化し
た後に、第２及び第３のブロックの吸引孔１０５ｂ及び
１０５ｃ内を減圧するための減圧ライン１０７ｂ又は１
０７ｃである。ここで、ブロックを一体化した際に、第
２及び第３のブロックの吸引孔１０５ｂ及び１０５ｃ
が、図１に示すように、吸引孔１０６ｂ及び１０６ｃに
より連結される構造を有する場合には、吸引孔１０５ｂ
及び１０５ｃのために１つの減圧用の減圧ラインを設け
れば十分である。ただし、図８に示すように、各ブロッ
ク毎に減圧用の減圧ライン（１０７ａ〜１０７ｃ）を設
けてもよい。

【００７３】図９は、３分割式の陽極化成装置の各ブロ
ックの要素槽壁部材を概略的に示す斜視図である。図示
の要素槽壁部材１０２ａ〜１０２ｃは、各ブロックの円
周角を１２０度にした例である。各ブロックの本体の内
側に設けられた溝１１０には、円周角を１２０度とした
要素支持部材がはめ込まれる。

【００７４】図１０は、２分割式の陽極化成装置の両ブ
ロックの要素槽壁部材を概略的に示す斜視図である。図
示の要素槽壁部材１０２ａ及び１０２ｂの円周角は共に
１８０度である。両ブロックの要素槽壁部材の内側に設
けられた溝１１０には、円周角を１８０度とした支持部
材がはめ込まれる。

【００７５】上記のように、円周角を１８０度以下にす
れば、陽極化成装置の分割数は幾つであってもよいが、
分割数を大きくすると、構成が複雑になるのみならず、
各ブロックの要素槽壁部材の繋ぎ部分から電解質溶液が
漏れだすことを防ぐ機構も複雑になる。このような観点
から考えると、２分割又は３分割式が好ましい。

【００７６】次に、前述の陽極化成装置の適用例を説明
する。

【００７７】図１１は、３分割式の陽極化成システムの
概略構成を示す図である。図１１に示す陽極化成システ
ムは、２００ａ、２００ｂ、２００ｃの３つのブロック
で構成される３分割式の陽極化成装置２００を組み込ん
だものである。

【００７８】ブロック２００ａ，２００ｂ，２００ｃ
は、夫々前述のブロック１００ａ’，１００ｂ’，１０
０ｃ’に相当する。第１のブロック１００ａ’の円周角
は１５０度、第２のブロックの円周角は９０度、第３の
ブロックの円周角は１２０度である。各ブロックの要素
槽壁部材は、四フッ化エチレン樹脂（商品名：テフロ
ン）で構成されている。また、各ブロックの要素槽壁部
材に取り付けられた要素支持部材は、フッ素系ゴムで構
成されている。

【００７９】なお、図１１においては、電極等が省略さ
れているが、実際には、３つのブロックが一体化した状
態で、陽極化成装置２００は、密閉された陽極化成槽を
構成する。

【００８０】この陽極化成装置２００には、８インチの
シリコン基板１０１を６．３５ｍｍ間隔で２５枚収容す
ることができるように、支持部材（１０３に相当）が取
り付けられている。

【００８１】以下、この陽極化成システムの動作を説明
する。

【００８２】まず、基板１０１のオリエンテーション・
フラットを真下にして、第１のブロック２００ａ中の任
意の要素支持部材に位置合せする。そして、２５個の要
素支持部材のうち基板１０１が載置された要素支持部材
の吸引孔（１０５ａに相当）を減圧ライン２０７ａによ
り減圧し、当該基板１０１を吸着する。以上の手順を繰
り返すことにより、第１のブロック２００ａに２５枚の
基板１０１をセットすることができる。次いで、第２及
び第３ブロックを圧力ロッド２１０ｂ及び２１０ｃによ
り移動させることにより、展開されていた第１〜第３の
ブロックを一体化する。その後、第２及び第３のブロッ
クの要素支持部材の吸引孔（１０５ｂ，１０５ｃに相
当）を減圧ライン２０７ｂにより減圧し、２５枚の基板
１０１のセットが完了する。

【００８３】次いで、貯液タンク２１６に予め貯えられ
ていたフッ酸とエタノールの混合液（２：１）を液循環
用ポンプ２１５、フィルタ２１４、液給口２１３を通し
て陽極化成装置２００に注入する。注入された混合溶液
は、陽極化成装置２００内を満たすと、オーバーフロー
ライン２１１を通してオーバーフロー槽２１２に排出さ
れる。オーバーフロー槽２１２に排出された混合溶液
は、貯液タンク２１６に帰還する。

【００８４】このような液循環を行いながら、２５枚の
基板１０１の両端に直流電圧を印加する。この時の印加
電圧は、例えば、電流密度が１平方ｃｍ当たり１．０ｍ
Ａの定電流になるように調整することが好ましい。この
条件で、各基板１０１は、毎分１μｍの速さで陽極化成
される。

【００８５】陽極化成処理が終了したら、陽極化成装置
２００内の混合液は、液回収ライン２１７を通して貯液
タンク２１6に戻される。その後、陽極化成装置２００
は、３つのブロックに展開され、２５枚の基板１０１が
取り出される。なお、混合液を廃棄する場合には、廃液
ライン２１８が使用される。

【００８６】なお、上記の陽極化成システムは、陽極化
成装置２００の内部にのみ処理用の混合溶液を満たすも
のであるが、該混合液を満たすための液槽を別途設け、
この液槽内において陽極化成装置２００を使用すること
も可能である。この場合、基板を陽極化成装置にセット
する際には、そのセットに先立って、陽極化成装置２０
０から混合溶液を排出すると共に液槽からも混合溶液を
排出し、基板の搬送ロボットが混合溶液に触れないよう
にすることが好ましい。また、陽極化成装置２００から
基板を取り出す際には、その取り出しに先立って、陽極
化成装置２００内の混合溶液を排出すると共に液槽から
も混合溶液を排出し、基板の搬送ロボットが混合溶液に
触れないようにすることが好ましい。ここで、陽極化成
装置２００からの混合溶液の排出に際しては、例えば陽
極化成装置２００を傾けることにより、基板の支持部の
溝内の混合溶液も排出されるようにすることが好まし
い。

【００８７】図１２は、図１１に示す陽極化成システム
に洗浄用の設備を付加した例を示す図である。この陽極
化成システムは、洗浄用の純水を貯留する純水タンク２
１９と、純水供給用ポンプ２２０と、排水ライン２２１
とを有する。この陽極化成システムでは、陽極化成装置
２００内に純水供給ポンプ２２０により純水を供給する
ことにより基板や陽極化成装置２００内を洗浄すること
ができる。陽極化成装置２００の下部には排水ライン２
２１が連結されており、この排水ライン２２１により陽
極化成装置２００内の純水を排出することができる。排
水ライン２２１から排出された純水は、中和処理の後に
廃棄される。

【００８８】図１３は、図１１又は図１２に示す陽極化
成システムにおける展開方式を変更したものである。な
お、図１３においては、処理用の混合液の循環系や減圧
ライン等は省略されている。この陽極化成システムは、
陽極化成装置２００を展開する機構が前述の陽極化成シ
ステムと異なり、その他の点に関しては同様である。

【００８９】図１３に示す陽極化成装置２００は、夫々
円周角が１２０度の３つのブロック２２０ａ，２００
ｂ，２００ｃにより構成される。第１のブロック２００
ａと第２のブロック２００ｂとはヒンジ２０４により連
結され、第１のブロック２００ａと第３のブロック２０
０ｃとはヒンジ２０３により連結されている。

【００９０】陽極化成装置２００の展開又は一体化は、
夫々多関節圧力ロッド２０１，２０２の昇降により行
う。

【００９１】図１４は、２分割式の陽極化成システムの
概略構成を示す図である。図１４に示す陽極化成システ
ムは、３００ａ，３００ｂの２つのブロックで構成され
る陽極化成装置３００２分割式の陽極化成装置３００を
組み込んだものである。

【００９２】ブロック３００ａ、３００ｂの要素槽壁部
材は、例えば図１０に示す構造を有し、夫々ポリポロピ
レンで構成されている。また、各ブロックの本体に取り
付けられた支持部材は、フッ素系ゴムで構成されてい
る。

【００９３】なお、図１４においては、電極等が省略さ
れているが、実際には、２つのブロックが一体化した状
態で、陽極化成装置３００は、密閉された槽を構成す
る。

【００９４】この陽極化成装置３００には、６インチの
シリコン基板１０１を１０ｍｍ間隔で２５枚収容するこ
とができるように、支持部材（１０３に相当）が取り付
けられている。

【００９５】この陽極化成システムにおいては、まず、
基板１０１のオリエンテーション・フラットを真下にし
て第１のブロック３００ａ中の任意の要素支持部材に位
置合せする。そして、２５個の要素支持部材のうち基板
が１０１が載置された要素支持部材の吸引孔（１０５ａ
に相当）を減圧ライン２０７ａにより減圧し、当該基板
を吸着する。以上の以上の手順を繰り返すことにより、
第１のブロック３００ａに２５枚の基板１０１をセット
することができる。次いで、圧力ロッド３０１により第
２のブロック３００ｂを下降させることにより、展開さ
れていた第１及び第２のブロックを一体化する。その
後、第２のブロックの要素支持部材の吸引孔（１０５ｂ
に相当）を減圧ライン２０７ｂにより減圧し、２５枚の
基板１０１のセットが完了する。

【００９６】なお、化成処理の手順は、図１１に示す陽
極化成システムと同様である。

【００９７】この陽極化成システムでは、２分割方式を
採用している他、基板の間隔を図１１に示す陽極化成装
置２００よりも広くしているため、装置の重量を軽減す
る目的で四フッ化エチレン樹脂よりも軽いポリプロピレ
ン材料を採用している。なお、ポリプロピレンも耐フッ
酸性の材料である。また、この陽極化成システムでは、
圧力ロッド３０１のアームの撓みによる位置合せの精度
の低下を防止する目的で第２のブロック３００ｂを真上
から支持する構成を採用している。

【００９８】次に、図１１に示す陽極化成システムを組
み込んだ基板処理システムの構成例を説明する。図１５
は、本発明の好適な実施の形態に係る基板処理システム
の概略構成を示す図である。この基板処理システムは、
キャリアに収容された２５枚の基板を一括して処理す
る。具体的には、この基板処理システムは、キャリアか
ら基板を取り出して陽極化成システムにセットし、ここ
で化成処理を行った後、処理後の基板を純粋で洗浄し、
更に、洗浄後の基板を乾燥させた後、乾燥後の基板をキ
ャリアに収容する。

【００９９】以下、図１５を参照しながら、この基板処
理システムによる処理手順を更に詳細に説明する。ま
ず、８インチの規格キャリア４０２に２５枚の基板を収
容して、キャリアセット４００上に載置する。

【０１００】この状態で、処理の開始が指示されると、
プッシャー４０１がキャリア４０２の下部の開口部を通
して上昇して、２５枚の基板を突き上げる(）。次い
で、図１６に示すような基板搬送ロボット４０３が上方
から降下し、プッシャー４０１上の２５枚のウェハを掴
む(）。ここで、基板搬送ロボット４０３は、対向す
る２つの支持部４０３ａ及び４０３ｂを有し、この支持
部４０３ａ及び４０３ｂにより２５枚の基板を抱えるよ
うにして掴む。各支持部４０３ａ及び４０３ｂには、溝
４０３ｃが設けられており、各基板は自重により各溝４
０３ｃ内で安定する。

【０１０１】次いで、基板搬送ロボット４０３は、２５
枚の基板を陽極化成システム４０４に搬送する（）。
前述のように、図１１に示す陽極化成システム（４０
４）は、基板を６．３５ｍｍ間隔で支持して処理する。
一方、８インチの基板を収容するための規格キャリア４
０２の溝の間隔も６．３５ｍｍである。したがって、こ
の基板処理システムでは、規格キャリア４０２内におけ
る基板の間隔を維持したまま当該基板を一括して処理す
ることができる。

【０１０２】陽極化成システムにおいて化成処理が終了
すると、基板搬送ロボット４０３は、処理後の２５枚の
基板を一括して純水リンス槽４０５に搬送する(）。
純水リンス槽４０５では、２５枚の基板が基板搬送ロボ
ット４０３により保持された状態で洗浄を行う。これは
キャリアレス洗浄と呼ばれる方法である。

【０１０３】純水リンスが終了すると、基板搬送ロボッ
ト４０３は、２５枚の基板をアルコール蒸気乾燥槽４０
６に搬送する（）。ここでも、２５枚の基板は基板搬
送ロボット４０３により保持された状態で乾燥される。
アルコール蒸気乾燥槽４０６の底部には、エタノールや
イソプロピルアルコール等が入っており、これが加熱さ
れて蒸気が発生している。この蒸気は、槽の上部の冷却
管により凝集され、液体に戻る。この蒸気中に基板を晒
すことにより基板表面の水分をアルコールと置換するこ
とにより基板を乾燥させることができる。

【０１０４】乾燥された基板は、基板搬送ロボット４０
３によりキャリアセット４００の上方に搬送され
（）、その下方のプッシャー４０３のボード上に載置
される(）。次いで、プッシャー４０１が下降してキ
ャリア４０２の底部を通過することにより、２５枚の基
板がキャリア４０２に戻される。

【０１０５】次に、図１４に示す陽極化成システムを組
み込んだ基板処理システムの構成例を説明する。図１７
は、本発明の他の実施の形態に係る基板処理システムの
概略構成を示す図である。この基板処理システムは、キ
ャリアに収容された基板を１枚づつ取り出して陽極化成
システムにセットし、全基板のセットが完了した後に化
成処理を一括して行い、処理後の基板をキャリアに収容
して一括して純粋で洗浄し、更に、洗浄後の基板をキャ
リアに収容したまま乾燥させる。

【０１０６】以下、図１７を参照しながら、この基板処
理システムによる処理手順を更に詳細に説明する。ま
ず、６インチの規格キャリア５０１に２５枚の基板を収
容し、キャリアセット５００上に載置する。

【０１０７】この状態で、処理の開始が指示されると、
枚葉式の基板搬送ロボット５０２は、その先端部の裏面
吸着部（例えば、真空ピンセット）により、１枚づづ基
板の裏面を吸着して陽極化成システム５０４に搬送する
(）。ここで、図１４に示す陽極化成システム（５０
４）は、基板を１０ｍｍ間隔で支持して処理するため、
規格キャリア５０１内における基板の間隔を維持したま
ま当該基板を処理することはできない。そこで、基板の
間隔を変更する手段として、この実施の形態では枚葉式
の基板搬送ロボットが採用されている。

【０１０８】２５枚の基板が陽極化成システム５０４に
移送されたら、キャリア搬送ロボット５０３は、空にな
ったキャリア５０１を純水リンス槽５０５内に予め搬送
する（）。これと並行して、陽極化成システム５０４
では、化成処理が行われる。

【０１０９】化成処理が終了したら、基板搬送ロボット
５０２により、１枚ずつ陽極化成システム５０４から純
水リンス槽５０５内のキャリア内に搬送される（）。
純水リンス槽５０５における洗浄が終了すると、２５枚
の基板は、キャリア搬送ロボット５０３により、キャリ
ア５０１に収容されたままスピン乾燥機５０６に搬送さ
れる(）。

【０１１０】乾燥された基板は、キャリア搬送ロボット
５０３により、キャリア５０１に収容されたままキャリ
アセット５００上に搬送される。なお、スピン乾燥機５
０６の右側にアンローダを設けて、乾燥後の基板を該ア
ンローダに搬送する構成を採用することもできる。

【０１１１】次に、上記の基板処理システム又は陽極化
成装置の適用例として、該装置を工程の一部に用いて半
導体基体を製造する方法を説明する。

【０１１２】図１８は、半導体基体の製造方法を示す工
程図である。概略的に説明すると、この製造方法は、単
結晶シリコン基板に多孔質シリコン層を形成し、該多孔
質シリコン層の上に非多孔質層を形成し、その上に好ま
しくは絶縁膜を形成した第１の基板と、別途用意した第
２の基板とを、該絶縁膜を挟むようにして張り合わせた
後に、第１の基板の裏面から単結晶シリコン基板を除去
し、さらに多孔質シリコン層をエッチングして半導体基
板を製造するものである。

【０１１３】以下、図１８を参照しながら半導体基体の
具体的な製造方法を説明する。

【０１１４】先ず、第１の基板を形成するための単結晶
Ｓｉ基板５１を用意して、その主表面上に多孔質Ｓｉ層
５２を形成する（図１８（ａ）参照）。この多孔質Ｓｉ
層５２は、単結晶基板５１の主表面を上記の基板処理シ
ステム又は陽極化成装置若しくは陽極化成システムによ
り処理することにより形成することができる。

【０１１５】次いで、多孔質Ｓｉ層５２の上に少なくと
も一層の非多孔質層５３を形成する（図１８（ｂ）参
照）。非多孔質層５３としては、例えば、単結晶Ｓｉ
層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層、金属膜層、化合物半
導体層、超伝導体層等が好適である。また、非多孔質層
５３には、ＭＯＳＦＥＴ等の素子を形成しても良い。

【０１１６】非多孔質層５３の上には、ＳｉＯ₂層５４
を形成し、これを第１の基板とすることが好ましい（図
１８（ｃ）参照）。このＳｉＯ₂層５４は、後続の工程
で第１の基板と第２の基板５５とを貼り合わせた際に、
その貼り合わせの界面の界面準位を活性層から離すこと
ができるという意味でも有用である。

【０１１７】次いで、ＳｉＯ₂層５４を挟むようにし
て、第１の基板と第２の基板５５とを室温で密着させる
（図１８（ｄ）参照）。その後、陽極接合処理、加圧処
理、あるいは必要に応じて熱処理を施すこと、あるいは
これらの処理を組合わせることにより、貼り合わせを強
固なものにしても良い。

【０１１８】非多孔質層５３として、単結晶Ｓｉ層を形
成した場合には、該単結晶Ｓｉ層の表面に熱酸化等の方
法によってＳｉＯ₂層５３を形成した後に第２の基板５
５と貼り合わせることが好ましい。

【０１１９】第２の基板５５としては、Ｓｉ基板、Ｓｉ
基板上にＳｉＯ₂層を形成した基板、石英等の光透過性
の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の基
板５５は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれ
ば十分であり、他の種類の基板であっても良い。

【０１２０】なお、図１８（ｄ）は、ＳｉＯ₂層５４を
介して第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた状態を
示しているが、このＳｉＯ₂層５４は、非多孔質層５３
または第２の基板がＳｉでない場合には設けなくても良
い。

【０１２１】また、貼り合わせの際には、第１の基板と
第２の基板との間に絶縁性の薄板を挟んでも良い。

【０１２２】次いで、多孔質Ｓｉ層５３を境にして、第
１の基板を第２の基板より除去する（図１８（ｅ）参
照）。除去の方法としては、研削、研磨或いはエッチン
グ等による第１の方法（第１の基板を廃棄）と、多孔質
層５３を境にして第１の基板と第２の基板とを分離する
第２の方法とがある。第２の方法の場合、分離された第
１の基板に残留した多孔質Ｓｉを除去し、必要に応じて
その表面を平坦化することにより再利用することができ
る。

【０１２３】次いで、多孔質Ｓｉ層５２を選択的にエッ
チングして除去する（図３２（ｆ）参照）。

【０１２４】図１８（ｅ）は、上記の製造方法により得
られる半導体基板を模式的に示している。この製造方法
に拠れば、第２の基板５５の表面の全域に亘って、非多
孔質層５３（例えば、単結晶Ｓｉ層）が平坦かつ均一に
形成される。

【０１２５】例えば、第２の基板５５として絶縁性の基
板を採用すると、上記製造方法によって得られる半導体
基板は、絶縁された電子素子の形成に極めて有用であ
る。

【０１２６】本発明は、上記の実施の形態に記載された
事項によって限定されるものではなく、特許請求の範囲
に記載された技術的思想の範囲内で様々な変形をなし得
る。

【０１２７】

【発明の効果】本発明によれば、基板の支持方法を改善
して、陽極化成処理の効率化を図ることができる。

【０１２８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施の形態に係る基板ホルダの
構造を示す断面図である。

【図２】図１に示す基板ホルダの構造を示す正面図であ
る。

【図３】図１の一部を拡大した図である。

【図４】他の実施の形態に係る基板ホルダの構造を示す
断面図である。

【図５】図４に示す基板ホルダの構造を示す正面図であ
る。

【図６】基板ホルダの本体を陽極化成槽の槽壁と一体化
した陽極化成装置である。

【図７】多数枚の基板を一括して処理可能な陽極化成装
置の一例を示す図である。

【図８】図７に示す陽極化成装置を３つのブロックに分
割した状態を示す断面図である。

【図９】３分割式の陽極化成装置の各ブロックの要素槽
壁部材を概略的に示す斜視図である。

【図１０】２分割式の陽極化成装置の両ブロックの要素
槽壁部材を概略的に示す斜視図である。

【図１１】３分割式の陽極化成システムの概略構成を示
す図である。

【図１２】図１１に示す陽極化成システムに洗浄用の循
環系を付加した例を示す図である。

【図１３】図１１又は図１２に示す陽極化成システムに
おける展開方式を変更した陽極化成システムを示す図で
ある。

【図１４】２分割式の陽極化成システムの概略構成を示
す図である。

【図１５】本発明の好適な実施の形態に係る基板処理シ
ステムの概略構成を示す図である。

【図１６】基板搬送ロボットの概略構成を示す図であ
る。

【図１７】本発明の他の実施の形態に係る基板処理シス
テムの概略構成を示す図である。

【図１８】半導体基体の製造方法を示す工程図である。

【図１９】従来の陽極化成装置の構成を示す図である。

【図２０】従来の陽極化成装置の構成を示す図である。

【符号の説明】

１００基板ホルダ１００ａ，１００ｂ，１００ｃブロック１００ａ’，１００ｂ’，１００ｃ’ ブロック１０１基板１０２本体１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ本体１０２ａ’，１０２ｂ’，１０２ｃ’要素槽壁部材１０３支持部材１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ要素支持部材１０４開口部１０５吸引孔１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ吸引孔１０５ａ’，１０５ｂ’，１０５ｃ’ 溝１０６吸引孔１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ吸引孔１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ減圧ライン１０８ａマイナス電極１０８ｂプラス電極１０９給排口１０３１吸着面１０３２押圧部２００陽極化成装置２００ａ，２００ｂ，２００ｃブロック２０１，２０２関節圧力ロッド２０３，２０４ヒンジ２１０ｂ，２１０ｃ圧力ロッド２１１オーバーフローライン２１２オーバーフロー槽２１３液給口２１４フィルタ２１５液循環用ポンプ２１６貯液タンク２１７液回収ライン２１８廃液ライン２１９純水タンク２２０純水供給用ポンプ２２１排水ライン３００陽極化成装置３００ａ，３００ｂブロック３０１圧力ロッド４００キャリアセット４０１プッシャー４０２キャリア４０３基板搬送ロボット４０３ａ，４０３ｂ支持部４０３ｃ溝４０４陽極化成システム４０５純水リンス槽４０６アルコール蒸気乾燥槽５００キャリアセット５０１キャリア５０２基板搬送ロボット５０３キャリア搬送ロボット５０４陽極化成システム５０５純水リンス槽５０６スピン乾燥機５１単結晶Ｓｉ基板５２多孔質Ｓｉ層５３非多孔質層５４ＳｉＯ₂層５５第２の基板１３０１シリコン基板１３０２金属電極１３０３ＨＦ溶液１３０４ Oリング１３０５陽極化成槽１４０１シリコン基板１４０２ａ，１４０２ｂ陽極化成槽１４０３ａ，１４０３ｂ白金電極１４０４ａ，１４０４ｂ Oリング１４０５ａ，１４０５ｂＨＦ溶液

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平９−66429（ＪＰ，Ａ) 特開平６−291109（ＪＰ，Ａ) 特開平６−151406（ＪＰ，Ａ) 特開平４−372129（ＪＰ，Ａ) 特開平５−217990（ＪＰ，Ａ) 実開昭51−71963（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3063 C25D 17/00 C25D 17/08

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電解質溶液中で基板に陽極化成処理を施
す陽極化成装置であって、対向する一対の電極と、基板の片面の一部を吸着する吸着面を有する保持部と該
基板を前記吸着面に押圧する押圧部とを含む支持部と、を備え、前記支持部は、夫々基板の外周の一部を支持する分離可
能な複数の要素支持部からなり、全要素支持部を一体化
した状態で基板の外周の全体を支持可能な状態になるこ
とを特徴とする陽極化成装置。
【請求項２】前記保持部は、基板のベベリング部の内
側近傍を吸着する吸着機構を有し、前記押圧部は、該基
板のベベリング部を前記吸着部の吸着面に押圧すること
を特徴とする請求項１に記載の陽極化成装置。
【請求項３】前記吸着機構は、基板を真空吸着する機
構であることを特徴とする請求項２に記載の陽極化成装
置。
【請求項４】前記吸着機構は、基板の裏面を吸引する
ための１又は複数の吸引孔を含むことを特徴とする請求
項３に記載の陽極化成装置。
【請求項５】前記吸着機構は、基板のベベリング部の
内側近傍に沿った環状の溝を含むことを特徴とする請求
項３に記載の陽極化成装置。
【請求項６】前記吸着面は、基板の表面側の電解質溶
液が該基板の裏面側に回り込むことを防止するように該
基板と密着することを特徴とする請求項１乃至請求項５
のいずれか１項に記載の陽極化成装置。
【請求項７】前記支持部を構成する各要素支持部は、
要素槽壁部材と連結されて１つのブロックをなし、全ブ
ロックを一体化することにより、要素槽壁部材により密
閉された１つの陽極化成槽が構成されることを特徴とす
る請求項１に記載の陽極化成装置。
【請求項８】電解質溶液中で基板に陽極化成処理を施
す陽極化成装置であって、複数のブロックからなり展開可能な陽極化成槽と、前記陽極化成槽内に設けられた対向する一対の電極と、前記一対の電極間に基板を支持する支持部と、前記陽極化成槽を展開又は一体化する操作手段と、を備え、各ブロックを一体化した状態で前記陽極化成槽
は密閉され、前記複数のブロックは、ヒンジにより連結されており、
前記操作手段は、前記ヒンジを軸として前記陽極化成槽
を展開することを特徴とする陽極化成装置。
【請求項９】前記支持部は、分離可能な複数の要素支
持部からなり、各要素支持部は前記複数のブロックのい
ずれかに連結されていることを特徴とする請求項８に記
載の陽極化成装置。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか１項
に記載の陽極化成装置と、前記陽極化成装置により処理された基板を洗浄する洗浄
装置と、前記洗浄装置により洗浄された基板を乾燥させる乾燥装
置と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】請求項１乃至請求項９のいずれか１項
に記載の陽極化成装置により基板に陽極化成処理を施す
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】請求項１１に記載の基板処理方法を工
程の一部に含むことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方
法。