KR20050063388A - 습식 스테이션의 배기장치 - Google Patents

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KR20050063388A
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구종민
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동부아남반도체 주식회사
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Abstract

반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 세정, 산화막 식각 등에 이용되는 습식 스테이션의 배기장치에 관한 것으로, 본 발명의 배기장치는, 습식 스테이션에 설치되는 배기 덕트; 상기 배기 덕트(duct)의 내부로 파우더 제거용 탈이온수를 분사하는 노즐부; 상기 노즐부와 연결되는 탈이온수 공급부; 및 상기 노즐부와 탈이온수 공급부를 연결하는 연결 라인상에 설치되어 탈이온수를 공급 또는 차단하는 밸브부를 포함하며, 상기 밸브부는 웨이퍼를 습식 처리하는 용액을 배출하기 위한 배출 신호가 입력된 경우 개방 작동된다.

Description

습식 스테이션의 배기장치{EXHAUST APPARATUS OF WET STATION}
본 발명은 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 세정, 산화막 식각 등에 이용되는 습식 스테이션의 배기장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 과정에서는 반도체 웨이퍼 상에 박막을 증착한 다음, 증착된 박막을 원하는 패턴으로 형성하기 위해 감광 물질을 도포하고, 도포된 감광 물질을 패턴 마스크를 통해 노광한 후 화학 약품으로 식각하며, 잔여 감광 물질을 제거함으로써 원하는 패턴을 얻는 일련의 패턴 처리 공정을 거친다. 이러한 패턴 처리 공정에는 식각후 웨이퍼 상의 이물질을 제거하기 위한 세정과 린스 및 건조 등의 후처리 작업을 필요로 한다.
습식 스테이션은 상기한 식각, 세정, 린스, 건조 등의 후처리 작업을 진행하기 위한 장치로서, 통상적으로, 복수의 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 캐리어를 작업 위치로 이송하기 위한 로더(loader)와, 식각 또는 세정이 이루어지는 다수의 용액조와, 웨이퍼를 건조시키는 스핀 건조기 및 작업이 완료된 웨이퍼 캐리어를 이송시키는 언로더(unloader)를 구비하고 있으며, 특히 용액조는 그 작업의 성격에 따라 화학 처리조(chemical bath)와 세정 처리조(rinse bath) 및 최종 세정 처리조(final rinse bath)를 구비하고 있다.
또한, 상기한 습식 스테이션은 웨이퍼를 처리할 때 발생되는 화학 연기 또는 그 속에 포함된 미립자를 배기하기 위한 배기장치를 구비하는데, 상기한 배기장치는 습식 스테이션에 설치되는 배기 덕트와, 상기 배기 덕트 내에 설치되어 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형상의 배기 댐퍼 및 배기 덕트와 주 배기관을 연결하는 연결 덕트를 포함할 수 있다.
그런데, 상기한 구성의 배기장치에 의하면, 배기 덕트 등에 파우더가 형성되어 쌓이게 되고, 이로 인해 제품의 수율 및 장비 가동률이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 배기 덕트 등의 내부에 쌓이는 파우더를 제거할 수 있도록 한 습식 스테이션의 배기장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
습식 스테이션에 설치되는 배기 덕트;
상기 배기 덕트의 내부로 파우더 제거용 탈이온수를 분사하는 노즐부;
상기 노즐부와 연결되는 탈이온수 공급부; 및
상기 노즐부와 탈이온수 공급부를 연결하는 연결 라인상에 설치되어 탈이온수를 공급 또는 차단하는 밸브부
를 포함하는 습식 스테이션의 배기장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 밸브부는 배출 신호가 입력된 경우 개방되어 상기 배기 덕트에 탈이온수를 공급한다. 그리고, 배기 덕트는 증기의 흐름을 단속하기 위한 배기 댐퍼를 더욱 포함할 수 있으며, 또한 배기 덕트와 주 배기관을 연결 덕트에 의해 연결할 수도 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안되며, 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 습식 스테이션의 배기장치를 나타내는 개략적인 구성도를 도시한 것이다.
도시한 바와 같이, 습식 스테이션(10)에는 원통형상의 배기 덕트(22)가 설치되어 있으며, 배기 덕트(22)에는 이 덕트(22)를 주 배기관(24)과 연결하는 연결 덕트(26)가 설치되어 있다. 그리고, 상기 배기 덕트(22)에는 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형상의 배기 댐퍼(28)가 설치되어 있다. 여기에서, 상기 배기 댐퍼(28)는 수동 또는 자동으로 개폐량이 조절될 수 있다.
이러한 구성의 배기장치(20)에 있어서, 파우더가 쌓일 가능성이 농후한 부분에는 덕트(22)의 내부로 파우더 제거용 탈이온수를 분사하는 노즐(30)이 설치되어 있다. 상기 도 1에서는 한 개의 노즐(30)만 도시하고 있지만, 상기한 노즐(30)의 설치 위치는 제한적이지 않다.
상기한 노즐(30)은 연결 라인(32)을 통해 탈이온수 공급부(34)에 연결되어 있으며, 상기 연결 라인(32)상에는 탈이온수를 공급 및 차단하기 위한 개폐 밸브(36)가 설치되어 있다. 여기에서, 상기 개폐 밸브(36)는 에어 밸브 또는 솔레노이드 밸브 등의 개폐 수단중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 개폐 밸브(36)는 화학 처리조 등의 용액조에 담겨져 있는 약액을 배출하기 위한 배출 신호에 따라 개폐되도록 구성할 수 있다.
이러한 구성에 의하면, 상기 노즐(30)에서 분사된 탈이온수로 인해 덕트(22) 내부의 파우더를 제거할 수 있으므로, 상기 파우더로 인한 장비 가동률 및 제품 수율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
상술한 본 발명에 따르면, 배기 덕트 또는 연결 덕트 등의 내부에 파우더가 쌓이게 되고, 이 파우더로 인해 약액 또는 세정액 등의 공급이 원활하게 이루어지지 않음과 동시에 웨이퍼 상에 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 장비 가동률 저하를 방지할 수 있으며, 제품 수율을 향상시킬 수 있는 등의 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 습식 스테이션의 배기장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.

Claims (4)

  1. 습식 스테이션에 설치되는 배기 덕트;
    상기 배기 덕트의 내부로 파우더 제거용 탈이온수를 분사하는 노즐부;
    상기 노즐부와 연결되는 탈이온수 공급부; 및
    상기 노즐부와 탈이온수 공급부를 연결하는 연결 라인상에 설치되어 탈이온수를 공급 또는 차단하는 밸브부
    를 포함하는 습식 스테이션의 배기장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 밸브부는 웨이퍼를 습식 처리하는 용액을 배출하기 위한 배출 신호가 입력된 경우 개방 작동되는 습식 스테이션의 배기장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 배기 덕트는 증기의 흐름을 단속하기 위한 배기 댐퍼를 더욱 포함하는 습식 스테이션의 배기장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 배기 덕트와 주 배기관이 연결 덕트에 의해 연결되는 습식 스테이션의 배기장치.
KR1020030094787A 2003-12-22 2003-12-22 습식 스테이션의 배기장치 KR20050063388A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101522674B1 (ko) * 2013-06-10 2015-06-25 (주)티티에스 공정가스 배기 장치
CN104950488A (zh) * 2015-05-28 2015-09-30 深圳市华星光电技术有限公司 面板湿制程排气装置
US11565287B2 (en) 2018-02-27 2023-01-31 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method and computer-readable recording medium

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