KR20080020031A - 반도체 세정 설비 및 그의 퀵 드레인 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 세정 설비 및 그의 퀵 드레인 제어 방법에 관한 것이다. 반도체 세정 설비는 솔레노이드 밸브와 퀵 드레인 밸브 사이에 구비되어, 처리조로부터 급배수되는 세정액의 유량을 측정하고, 퀵 드레인 밸브의 개폐를 여러 단계로 조절하는 보조 컨트롤러를 포함한다. 따라서 본 발명에 의하면, 퀵 드레인 시, 세정액의 유동 및 수압에 의해 웨이퍼가 붙거나 쓰러지는 현상을 제거하여, 웨이퍼 손상 및 공정 사고를 방지한다.
반도체 세정 설비, 세정액, 퀵 드레인, 컨트롤러, 유량 조절

Description

반도체 세정 설비 및 그의 퀵 드레인 제어 방법{SEMICONDUCTOR CLEANING EQUIPMENT AND METHOD FOR CONTROLLING QUICK DRAIN THEREOF}
도 1은 일반적인 반도체 세정 설비의 일부 구성을 도시한 도면;
도 2는 도 1에 도시된 반도체 세정 설비의 드레인 수순을 나타내는 흐름도;
도 3은 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 일부 구성을 도시한 도면; 그리고
도 4는 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 수세조 퀵 드레인 제어 수순을 나타내는 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 반도체 세정 설비 102 : 샤워
104, 114 : 세정액 공급 라인 106 : 씽크
108 : 처리조 110 : 웨이퍼 가이드
112 : 지지대 116 : 보조 컨트롤러
118 : 솔레노이드 밸브 120 : 퀵 드레인 밸브
122 : 배출 라인 124 : 메인 컨트롤러
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼 손상을 방지하기 위하여, 세정 공정을 처리하는 처리조의 퀵 드레인(quick drain) 동작을 제어하는 반도체 세정 설비 및 그 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 세정 공정은 반도체 기판 예를 들어, 웨이퍼 기판 상에 존재하는 파티클(particle) 및 오염물질 등을 제거하는 공정이다. 따라서 세정 공정은 반도체 소자의 제조 수율에 큰 영향을 미치므로 반드시 처리되는 매우 중요한 공정 중 하나이다. 이러한 세정 공정은 약액 또는 순수(DIW) 등을 세정액으로 이용하여 웨이퍼 기판 상의 파티클 또는 오염물질 등을 제거한다.
일반적으로, 세정 공정은 공정 대기(BUFFER), 약액 세정(SC-1, HS 등), 퀵 드레인(QDR), 린스(RINSE), 드라이(DRY) 공정 등을 처리한다. 예컨대, 세정 공정은 다수의 웨이퍼들이 탑재된 카세트가 로더에 장착되어 공정을 대기하고, 약액 처리조 내에서 약액을 이용하여 웨이퍼를 화학적으로 세정한다. 이어서 QDR 처리조 상부에서 QDR 처리조 내부로 공급되는 순수를 이용하여 빠른 시간 내에 웨이퍼 상에 존재하는 약액을 제거한다. 이 때, 순수는 약액이 점도를 갖기 때문에 샤워 방식으로 처리조로 공급된다. 또 린스 처리조 내에서 순수를 이용하여 웨이퍼를 최종적으로 세정하고, 마지막으로 웨이퍼 상에 존재하는 물기를 제거하여 세정 공정을 완료한다. 특히, 퀵 드레인 세정시, 세정액(즉, 순수)이 배출되어 웨이퍼가 대기 중에 노출되는 경우에 공정 불량 발생의 원인이 되기 때문에 세정액이 배출되어 웨이퍼가 대기중에 노출되는 경우를 최소화하기 위하여 처리조 상부에서 샤워를 이용하여 세정액을 분사한다.
그러나 이러한 반도체 세정 설비는 퀵 드레인 세정시, 처리조에서 배출되는 세정액의 유동과 수압으로 인하여 다수의 웨이퍼들이 안착된 가이드 상에서 서로 붙는 문제가 발생된다. 또 단일 웨이퍼의 경우에도 웨이퍼가 쓰러지는 현상이 발생된다. 그러므로 퀵 드레인 공정에서 웨이퍼 손상 및 파손의 우려가 빈번하다.
도 1을 참조하면, 반도체 세정 설비(10)는 퀵 드레인 공정을 처리하기 위하여 QDR 처리조(6, 8)의 내조(8)에는 다수의 웨이퍼(W)가 안착되는 웨이퍼 가이드(12)가 수납된다. 즉, QDR 처리조(6, 8)는 웨이퍼 가이드(12)가 수납되는 내조(8)와, 내조(8)로부터 세정액이 오버플로우(overflow)되어 배출시키는 외조(6)를 포함한다. 내조(8) 상부에는 순수(DIW)가 공급되는 공급 배관(4)에 연결된 샤워(2)를 구비하고, 내조(8) 하부에는 웨이퍼 가이드(12)를 지지하는 지지대(14)를 포함한다.
내조(8)는 순수를 공급하는 공급 배관(16)을 통해 내조(8) 하부에서 상부로 업플로우(upflow)시킨다. 또 내조(8) 하부에는 퀵 드레인 밸브(20)와 퀵 드레인 밸브(20)를 오픈, 클로즈 시키는 솔레노이드 밸브(22)가 전기적으로 연결된다. 또 외조(6) 하부에는 세정액이 급배수되는 배출 라인(24)이 구비된다.
따라서 반도체 세정 설비(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 세정 공정을 처리한다. 즉, 도 2를 참조하면, 단계 S50에서 웨이퍼(W)가 수납된 내조(8) 하부로 핫 순수(hot DIW)를 공급하여 업플로우(upflow) 시키고, 이어서 단계 S52에서 핫 순수를 드레인 시킨다. 단계 S54에서 쿨 순수(cool DIW)를 업플로우 시키고 이어서 단 계 S56에서 쿨 순수를 드레인 시킨다. 이어서 단계 S58에서 퀵 드레인 및 샤워하여 세정 공정을 처리한다. 이 때, 퀵 드레인은 솔레노이드 밸브(22)를 통해 퀵 드레인 밸브를 에어량 조절없이 단지 오픈, 클로즈 시켜서 내조(8)의 순수를 급배수한다.
그러나 이러한 반도체 세정 설비는 세정 공정 중 처리조에서 순수를 퀵 드레인 시, 드레인 유량을 조절하는 기능이 없어 순수의 유동과 수압에 의해 웨이퍼가 서로 붙거나 쓰러지는 현상이 발생된다.
본 발명의 목적은 퀵 드레인 유량을 모니터링하여 퀵 드레인 밸브의 유량을 조절하기 위한 반도체 세정 설비 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 퀵 드레인 유량을 조절하여 웨이퍼 손상을 방지하기 위한 반도체 세정 설비 및 그 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 반도체 세정 설비는 퀵 드레인 밸브의 오픈 동작을 여러 단계로 조절하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 반도체 세정 설비는 급배수 유량을 조절하여 웨이퍼 파손 및 공정 사고를 방지할 수 있다.
본 발명의 반도체 세정 설비는, 세정액을 공급받아서 웨이퍼를 세정하는 처리조와; 상기 처리조 하부에 구비되어 상기 세정액을 급배수시키는 퀵 드레인 밸브와; 상기 퀵 드레인 밸브를 온, 오프 시키는 솔레노이드 밸브와; 상기 퀵 드레인 밸브와 상기 솔레노이드 밸브 사이에 구비되어 상기 솔레노이드 밸브의 오픈 시, 상기 세정액의 급배수 유량을 측정하고, 상기 퀵 드레인 밸브의 유량을 조절하여 급배수 속도를 제어하는 보조 컨트롤러 및; 상기 솔레노이드 밸브의 온, 오프를 제어하여 상기 퀵 드레인 밸브를 오픈, 클로즈 시키고, 상기 솔레노이드 밸브 온 동작시, 상기 보조 컨트롤러로부터 측정된 유량 정보를 받아들여서 상기 세정액의 급배수 유량을 여러 단계로 조절되도록 상기 보조 컨트롤러를 제어하는 메인 컨트롤러를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 보조 컨트롤러는; 상기 급배수 유량을 측정하고, 상기 세정액의 급배수 유량을 여러 단계로 조절하는 스피드 컨트롤러 또는 유량 컨트롤러로 구비된다.
다른 실시예에 있어서, 상기 메인 컨트롤러는; 상기 솔레노이드 밸브의 온, 오프를 제어하고, 상기 보조 컨트롤러로부터 상기 측정된 급배수 유량을 받아들여서 상기 세정액의 급배수 속도를 조절하도록 상기 보조 컨트롤러를 제어한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 반도체 세정 설비의 처리조로부터 세정액을 급배수시키는 제어 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 솔레노이드 밸브를 온 시킨다. 상기 솔레노이드 밸브의 온 동작에 대응하여 퀵 드레인 밸브를 오픈 시킨다. 상기 퀵 드레인 밸브를 통해 상기 세정액을 급배수한다. 상기 급배수되는 세정액의 급배수 유량을 측정한다. 이어서 상기 측정된 급배수 유량에 대응하여 상기 세정액의 급배수 속도를 조절한다.
한 실시예에 있어서, 상기 세정액의 급배수 유량을 측정하는 것은 상기 솔레노이드 밸브와 상기 퀵 드레인 밸브 사이에 구비되는 컨트롤러에 의해 처리된다.
다른 실시예에 있어서, 상기 세정액의 급배수 속도를 조절하는 것은 상기 측 정된 급배수 유량에 대응하여 상기 퀵 드레인 밸브의 유속 및 수압을 여러 단계로 조절한다.
본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 일부 구성을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 반도체 세정 설비(100)는 퀵 드레인 공정을 처리하는 처리조를 구비한다. 처리조는 세정 공정을 처리하는 내조(bath)(108)와 외조(sink)(106)로 이루어진다.
내조(108)는 다수의 웨이퍼(W)가 안착되는 웨이퍼 가이드(110)와, 웨이퍼 가이드(110)를 지지하는 지지대(112) 및, 내조(108) 하부에 순수를 공급하는 세정액 공급 라인(114)이 연결된다. 그리고 내조(108) 상부에는 순수를 분출하는 샤워(102)와, 샤워(102)로 순수를 공급하는 세정액 공급 라인(104)이 구비된다.
내조(108) 하부에는 퀵 드레인 밸브(120)가 구비되며, 퀵 드레인 밸브(120)의 개페를 제어하는 스피드 컨트롤러(또는 유량 컨트롤러)(116)와 솔레노이드 밸브(118)가 상호 전기적으로 연결된다. 스피드 컨트롤러(116)와 솔레노이드 밸브(118)는 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC : 124)와 전기적으로 연결된다. 외 조(106) 하부에는 배출 라인(122)이 구비되어, 퀵 드레인 밸브(120)가 오픈되면 배출 라인(122)으로 세정액이 퀵 드레인 된다.
따라서 본 발명의 반도체 세정 설비(100)는 보조 컨트롤러(즉, 스피드 컨트롤러)(116)를 통해 세정액의 급배수 유량을 측정하고, 퀵 드레인 시, 세정액의 유동 및 수압에 따른 웨이퍼가 쓰러지거나 상호 붙는 현상을 방지하기 위하여, 메인 컨트롤러(즉, PLC)(124)는 보조 컨트롤러(116)으로부터 측정된 급배수 유량을 판별하여 세정액의 유량을 여러 단계로 조절하여 급배수한다.
그리고 도 4는 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 급배수 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 단계 S150에서 메인 컨트롤러(즉, 프로그램어블 로직 컨트롤러)(124)로부터 솔레노이드 밸브(118)를 오픈시킨다. 단계 S152에서 솔레노이드 밸브(118)의 오픈 동작에 대응하여 퀵 드레인 밸브(120)를 오픈시킨다. 퀵 드레인 밸브(120)가 오픈되면 처리조(108, 106)로부터 세정액이 퀵 드레인된다.
단계 S154에서 퀵 드레인 밸브(120)의 오픈되어 세정액이 퀵 드레인되면, 보조 컨트롤러(즉, 스피드 컨트롤러 또는 유량 컨트롤러)(116)는 세정액의 유량을 측정한다.
단계 S156에서 측정된 유량을 모니터링하여 웨이퍼가 쓰러지거나 상호 붙는 현상을 방지하기 위하여, 유량 조절이 필요한지를 판별한다. 판별 결과, 유량 조절이 필요하면 단계 S158로 진행하여 퀵 드레인 밸브(120)의 오픈 상태에 따라 에어량을 여러 단계로 조절하여 퀵 드레인 유량을 조절하고 이어서 단계 S160에서 조절 된 퀵 드레인 밸브(120)의 오픈 상태에 따라 세정액을 퀵 드레인 한다.
이상에서, 본 발명에 퀵 드레인 유량을 조절하기 위한 반도체 세정 설비의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 세정 설비는 솔레노이드 밸브와 퀵 드레인 밸브 사이에 보조 컨트롤러를 구비하여 세정액의 급배수 유량을 모니터링하고, 여러 단계로 급배수 유량을 조절함으로써, 세정액의 퀵 드레인 시 발생되는 웨이퍼 파손 및 공정 사고를 방지시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 반도체 세정 설비에 있어서:
    세정액을 공급받아서 웨이퍼를 세정하는 처리조와;
    상기 처리조 하부에 구비되어 상기 세정액을 급배수시키는 퀵 드레인 밸브와;
    상기 퀵 드레인 밸브를 온, 오프 시키는 솔레노이드 밸브와;
    상기 퀵 드레인 밸브와 상기 솔레노이드 밸브 사이에 구비되어 상기 솔레노이드 밸브의 오픈 시, 상기 세정액의 급배수 유량을 측정하고, 상기 퀵 드레인 밸브의 유량을 조절하여 급배수 속도를 제어하는 보조 컨트롤러 및;
    상기 솔레노이드 밸브의 온, 오프를 제어하여 상기 퀵 드레인 밸브를 오픈, 클로즈 시키고, 상기 솔레노이드 밸브 온 동작시, 상기 보조 컨트롤러로부터 측정된 유량 정보를 받아들여서 상기 세정액의 급배수 유량을 여러 단계로 조절되도록 상기 보조 컨트롤러를 제어하는 메인 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 컨트롤러는;
    상기 급배수 유량을 측정하고, 상기 세정액의 급배수 유량을 여러 단계로 조절하는 스피드 컨트롤러 또는 유량 컨트롤러로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도 체 세정 설비.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 메인 컨트롤러는;
    상기 솔레노이드 밸브의 온, 오프를 제어하고,
    상기 보조 컨트롤러로부터 상기 측정된 급배수 유량을 받아들여서 상기 세정액의 급배수 속도를 조절하도록 상기 보조 컨트롤러를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
  4. 반도체 세정 설비의 처리조로부터 세정액을 급배수시키는 제어 방법에 있어서:
    솔레노이드 밸브를 온 시키고;
    상기 솔레노이드 밸브의 온 동작에 대응하여 퀵 드레인 밸브를 오픈 시키고;
    상기 퀵 드레인 밸브를 통해 상기 세정액을 급배수하고;
    상기 급배수되는 세정액의 급배수 유량을 측정하고; 이어서
    상기 측정된 급배수 유량에 대응하여 상기 세정액의 급배수 속도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비의 제어 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정액의 급배수 유량을 측정하는 것은 상기 솔레노이드 밸브와 상기 퀵 드레인 밸브 사이에 구비되는 보조 컨트롤러에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비의 제어 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 세정액의 급배수 속도를 조절하는 것은 상기 측정된 급배수 유량에 대응하여 상기 퀵 드레인 밸브의 유속 및 수압을 여러 단계로 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비의 제어 방법.
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CN110076128A (zh) * 2019-06-04 2019-08-02 大连达利凯普科技有限公司 单层电容器加工过程的清洗装置
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