KR100766342B1 - 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법 - Google Patents

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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 처리조의 파손 및 변형을 방지할 수 있는 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법에 관한 것이다. 웨트 스테이션의 처리조를 세척하는 방법은 처리조에 채워진 처리액을 드레인시키고, 상기 처리조에 제1 온도의 세척액을 공급하여 상기 처리조를 1차적으로 세척하며, 상기 처리조에 제2 온도의 세척액을 공급하여 상기 처리조를 2차적으로 세척하되, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다.
웨트 스테이션, 처리조, 온도센서

Description

웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법{WET STATION AND METHOD FOR CLEANING A WET STATION}
도 1은 본 발명에 따른 웨트 스테이션을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨트 스테이션 세척방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 웨트 스테이션이 작동하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조에 공급되는 순수의 온도(T4)를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조의 온도(T1)를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리조에 공급되는 순수의 온도(T4)를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리조의 온도(T1)를 나타내는 그래프이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 처리조 200 : 처리액 공급유닛
300 : 세척유닛 320 : 순수공급라인
340a : 제1 라인 340b : 제2 라인
360 : 밸브 370 : 온도센서
380 : 제어기 400 : 린스조
420 : 린스액 공급라인 500 : 순수탱크
본 발명은 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 처리조의 파손을 방지할 수 있는 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정은 확산(diffusion) 공정, 사진(photo lithography) 공정, 식각(etching) 공정 등을 포함하며, 각각의 공정 사이에는 기판을 세척하는 세척공정이 포함된다. 세척공정에는 약액 또는 순수 등을 이용하여 기판을 세척하는 습식세척방식이 있으며, 여기에는 웨트 스테이션(wet station)이 사용된다.
웨트 스테이션은 복수의 처리조들을 포함하며, 처리조들에는 고온의 약액 또는 순수 등이 채워져 있다. 기판은 약액 또는 순수가 채워진 복수의 처리조를 순차적으로 경유하면서 세척공정을 수행하게 된다.
한편, 처리조를 점검하거나 보수할 필요가 있는 경우 처리조의 내부를 살펴 볼 필요가 있다. 따라서, 이를 위하여 처리조의 내부에 채워진 약액은 드레인된다. 처리조 내의 약액이 드레인된 후에도 처리조 내에 약액이 잔존할 수 있으며 이는 인체에 위험할 수 있으므로, 상온의 순수를 이용하여 처리조 내부를 세척한다.
그러나, 처리조는 고온의 약액으로 인하여 약 120∼150℃ 를 유지하며, 약액이 드레인된 후에도 처리조는 고온을 유지하고 있다. 고온의 처리조에 상온의 순수를 공급하면 처리조는 급격한 온도변화를 겪게 되며, 급격한 온도변화는 처리조의 변형 내지 변형으로 인한 파손을 일으킬 수 있다. 특히, 약액이 채워지는 처리조의 내부는 처리조의 내부와 반응하는 것을 방지하기 위하여 석영(quartz) 재질로 이루어지며, 석영은 취성(brittle) 재질이므로 급격한 온도변화로 인하여 파손될 수 있다.
처리조의 변형 및 파손을 방지하기 위하여 처리조를 일정 시간 방치하여 처리조가 일정 온도로 자연냉각된 이후에 상온의 순수를 이용하여 처리조의 내부를 세척하기도 한다. 그러나, 처리조를 냉각하기 위해서는 일정 시간이 소요되므로 처리조의 세척에 많은 시간이 요구된다.
본 발명의 목적은 처리조의 세척시 처리조의 변형 및 파손을 방지할 수 있는 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 처리조의 세척시간을 단축할 수 있는 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 웨트 스테이션은 기판을 처리하기 위한 처리액이 채워지는 처리조, 상기 처리조를 세척하기 위한 세척유닛을 포함하되, 상기 세척유닛은 상기 처리조에 제1 온도의 세척액을 공급하는 제1 라인, 상기 처리조에 제2 온도의 세척액을 공급하는 제2 라인을 포함하되, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 낮다.
상기 세척유닛은 상기 제1 및 제2 라인을 선택적으로 개폐할 수 있는 밸브유닛, 상기 처리조 내의 온도를 측정할 수 있는 온도센서, 상기 온도센서로부터 제공된 온도에 따라 상기 밸브유닛을 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
상기 제어기는 상기 처리조 내의 온도가 기설정온도보다 높을 때에는 상기 제2 라인을 폐쇄하고 상기 제1 라인을 개방하며, 상기 처리조 내의 온도가 기설정온도와 같거나 기설정온도보다 낮을 때에는 상기 제1 라인을 폐쇄하고 상기 제2 라인을 개방할 수 있다.
상기 세척유닛은 상기 제1 및 제2 라인의 개방정도를 조절할 수 있는 밸브유닛, 상기 제1 라인의 개방정도가 점진적으로 줄어들고 상기 제2 라인의 개방정도가 점진적으로 늘어나도록 상기 밸브 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다.
상기 장치는 고온의 린스액을 이용하여 기판을 린스하는 린스조, 상기 린스조에 상기 제2 온도의 린스액을 공급하는 린스액 공급라인을 더 포함하되, 상기 제1 라인은 상기 린스액 공급라인에 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 세척하는 웨트 스테이션의 처리조를 세척하는 방법은 상기 처리조에 채워진 처리액을 드레인시키고, 상기 처리조에 제1 온도의 세척액을 공급하여 상기 처리조를 1차적으로 세척하며, 상기 처리조에 제2 온도의 세척액을 공급하여 상기 처리조를 2차적으로 세척하되, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다.
상기 처리조를 2차적으로 세척하는 것은 상기 처리조의 온도가 설정온도와 같거나 낮을 때 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판을 세척하는 웨트 스테이션의 처리조를 세척하는 방법은 상기 처리조에 채워진 처리액을 드레인시키고, 상기 처리조에 세척액을 공급하여 상기 처리조를 세척하되, 상기 세척액의 온도는 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
이하에서는 웨이퍼(W)를 위한 웨트 스테이션으로 설명하고 있으나, 웨트 스테이션은 웨이퍼(W) 외에 글라스 기판 등에 사용될 수 있다. 또한, 이하에서는 처리조를 세척하기 위한 세척액으로 순수를 사용하고 있으나, 다른 세척액이 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨트 스테이션(10)을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 웨트 스테이션(10)은 처리조(100), 약액 공급유닛(200), 세척유닛(300), 린스조(400), 순수탱크(500)를 포함한다.
처리조(100)는 습식세정 방식에 의하여 웨이퍼(W)를 세정한다. 처리조(100) 내에는 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 처리액이 외부로부터 공급되며, 공급된 처리액은 처리조(100) 내에 채워진다. 웨이퍼(W)는 처리조(100) 내에 채워진 처리액에 담궈지며, 처리액 내에서 세정공정이 진행된다.
처리액에는 제1 표준세정액(Standard Clean-1:SC-1), 제2 표준세정액(Standard Clean-2 :SC-2), 황산 등이 있다. 제1 표준세정액은 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2)와 물(H2O)을 약 1:1:5 내지 약 0.05:1:5의 비율로 혼합하며, 80∼90℃ 정도의 온도에서 파티클과 유기 오염물을 제거하기 위하여 사용된다. 제2 표준세정액은 염산(HCl)과 과산화수소(H2O2), 그리고 물(H2O)을 약 1:1:6의 비율로 혼합하며, 80∼90℃ 정도의 온도에서 천이성 금속 오염물을 제거하기 위해 사용된다. 웨이퍼(W) 표면의 유기 오염물을 제거하긱 위해서는 온도가 100∼150℃ 정도에서 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 1:1 내지 4:1로 섞은 처리액을 사용한다.
처리액 공급유닛(200)은 처리조(100) 내에 처리액을 공급하는 역할을 한다. 처리액 공급유닛(200)은 처리액 저장부(260), 밸브(240), 처리액 공급라인(220)을 포함한다. 처리액 공급라인(220)의 일단은 처리조(100)에 연결되며, 처리액 공급라인(220)의 타단은 처리액 저장부(260)에 연결되며, 밸브(240)는 처리액 공급라 인(220) 상에 설치된다. 밸브(240)는 처리액 공급라인(220)을 개폐하는 역할을 하며, 밸브(240) 개방시 처리액 저장부(260)에 저장된 처리액은 처리조(100)에 공급된다. 도 1에는 하나의 처리액 저장부(260)만 도시되었으나, 상술한 바와 같이 세정하고자 하는 물질에 따라 여러 개의 처리액 저장부(260)가 제공될 수 있다.
세척유닛(300)은 처리조(100)의 내부를 세척하기 위하여 제공된다. 상술한 바와 같이, 처리조(100)의 내부에 이상이 발생한 경우 처리조(100)의 내부를 점검하기 위해서는 처리조(100) 내에 채워진 처리액을 드레인시켜야 하며, 처리조(100) 내에 잔존하는 처리액도 제거되어야 한다. 처리액은 웨이퍼(W) 표면의 파티클 등을 제거하기 위한 물질인 만큼 독성이 매우 강하기 때문이다.
세척유닛(300)은 순수공급라인(320), 제1 라인(340a), 제2 라인(340b)을 포함한다.
순수공급라인(320)의 일단은 처리조(100)에 연결되며, 순수공급라인(320)의 타단은 제1 및 제2 라인(340a, 340b)에 연결된다. 순수공급라인(320)은 처리조(100)의 내부를 세척하는 데 사용되는 순수를 처리조(100) 내부에 공급하는 역할을 한다.
제1 라인(340a)은 후술하는 린스액 공급라인(420)으로부터 공급받은 고온의 순수를 순수공급라인(320)으로 공급하며, 제2 라인(340b)은 순수탱크(500)로부터 공급받은 저온의 순수를 순수공급라인(320)으로 공급한다. 고온의 순수는 약 75∼80℃(이하 T2)이며, 저온의 순수는 상온(23∼24℃)(이하 T3)이다.
순수공급라인(320)과 제1 및 제2 라인(340a, 340b) 사이에는 밸브(360)가 설치된다. 밸브(360)는 제1 라인(340a)을 개폐하거나 제2 라인(340b)을 개폐함으로써 순수공급라인(320)으로 고온의 순수나 저온의 순수 중 어느 하나만이 공급되도록 할 수 있다. 또한, 밸브(360)는 제1 및 제2 라인(340a, 340b)의 개방정도를 조절할 수도 있다. 따라서, 밸브(360)는 제1 및 제2 라인(340a, 340b)의 개방정도를 크게 하여 고온 및 저온의 순수를 다량으로 순수공급라인(320)에 공급할 수 있으며, 제1 및 제2 라인(340a, 340b)의 개방정도를 작게 하여 고온 및 저온의 순수를 소량으로 순수공급라인(320)에 공급할 수 있다. 이를 조합하면, 순수공급라인(320)에 공급되는 순수의 온도(T4)를 조절할 수 있다.
본 실시예에서는 하나의 밸브(360)에 의하여 제1 및 제2 라인(340a, 340b)의 개폐 또는 개방정도를 조절하였으나, 이와 달리 제1 및 제2 라인(340a, 340b)에 각각 밸브가 설치될 수 있다.
처리조(100)의 내부에는 온도센서(370)가 설치되며, 온도센서(370)는 제어기(380)에 연결된다. 온도센서(370)는 처리조(100) 내의 온도(T1)를 측정하여 측정된 신호를 제어기(380)로 보낸다. 제어기(380)는 밸브(360)에 연결되며, 측정된 온도(T1)에 따라 밸브(360)를 제어한다.
이는 온도센서(370)를 통하여 처리조(100) 내부의 온도(T1)를 측정하고, 측정된 처리조(100) 내의 온도(T1)에 따라 처리조(100) 내로 공급되는 순수의 온 도(T4)를 조절하기 위함이다. 이에 대해서는 나중에 상세히 설명하기로 한다.
린스조(400)는 처리조(100)에서 세척된 웨이퍼(W)를 린스(rinse) 처리하기 위하여 제공된다. 린스조(400)는 일반적으로 처리조(100)에 인접하도록 위치하며, 별도의 이송장치(도시안됨)에 의하여 처리조(100)에서 처리된 웨이퍼(W)를 린스조(400)로 이송한다. 이송된 웨이퍼(W)는 린스조(400) 내에 위치하며, 린스액 공급라인(420)을 통하여 공급된 순수로 린스 처리된다.
린스조(400)에는 린스액 공급라인(420)이 연결되며, 린스액 공급라인(420)은 린스조(400) 내부로 린스액을 공급한다. 본 실시예에서 린스액은 순수를 사용한다. 그러나, 린스 처리를 위한 다른 용액이 사용될 수도 있다.
린스액 공급라인(420)에는 린스액 공급라인(420)을 개폐하는 밸브(440)와 린스액을 가열하기 위한 히터(460)가 설치된다. 히터(460)는 린스조(400)로 고온의 린스액을 제공하기 위하여 설치된다.
린스액 공급라인(420)의 끝단에는 순수탱크(500)가 설치된다. 순수탱크(500)는 다량의 순수가 저장되어 있으며, 저장된 순수는 제2 라인(340b)을 통하여 처리조(100)로 공급되거나 린스액 공급라인(420)을 통하여 린스조(400)로 공급된다.
한편, 린스액 공급라인(420)에는 제1 라인(340a)이 연결된다. 순수는 순수탱크(500)로부터 린스액 공급라인(420)을 따라 흐르며, 린스액 공급라인(420) 상에 설치된 히터(460)에 의하여 가열된다. 히터(460)에 의하여 가열된 고온의 린스액은 린스액 공급라인(420)에 연결된 제1 라인(340a)으로 공급되며, 공급된 린스액은 처 리조(100)로 공급된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨트 스테이션 세척방법을 나타내는 흐름도이며, 도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 웨트 스테이션(10)이 작동하는 모습을 나타내는 도면이다. 이하에서 도 2 내지 도 3b를 참조하여 웨트 스테이션 세척방법에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 웨트 스테이션(10)의 처리조(100) 내에 이상이 발생하면 처리조(100) 내의 처리액을 드레인시킨다(10).
다음으로, 처리조(100) 내부를 세척하기 위하여 처리조 내에 순수를 공급한다. 이때, 처리조(100) 내부의 온도를 감안하여 처리조(100) 내부에 공급되는 순수의 온도를 결정한다.
온도센서(370)는 처리조(100) 내부의 온도를 측정하며, 측정된 결과는 신호로 변환되어 제어기(380)로 보내진다.
제어기(380)는 측정된 온도(T1)와 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)를 상호 비교한다(20).
도 3a에 도시한 바와 같이, 제어기(380)는 측정된 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 높을 때에는 제2 라인(340b)을 폐쇄하며, 제1 라인(340a)을 개방하여 고온의 순수를 공급한다. 따라서, 히터(460)를 통하여 가열된 순수는 제1 라인(340a)을 통하여 처리조(100)의 내부로 공급되며, 순수공급라인(320)을 흐르는 순수의 온도(T4)는 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)와 같다(40).
그러나, 도 3b에 도시한 바와 같이, 측정된 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 낮거나 같을 때에는, 제어기(380)는 제1 라인(340a)을 폐쇄하며, 제2 라인(340b)을 개방하여 처리조(100) 내에 상온의 순수를 공급한다. 따라서, 순수탱크(500)의 순수는 제2 라인(340b)을 통하여 처리조(100)의 내부로 공급되며, 순수공급라인(320)을 흐르는 순수의 온도(T4)는 제2 라인(340b)을 흐르는 순수의 온도(T3)와 같다(30). 이는 처리조(100)의 온도가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 낮거나 같으면 처리조(100)와 순수 사이에 열교환이 이루어지지 않기 때문이다.
다시, 제어기(380)는 측정된 온도(T1)와 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)를 상호 비교한다(50). 측정된 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 높을 때에는 제어기(380)는 상술한 방법에 의하여 처리조(100) 내에 고온의 순수를 다시 공급한다.
그러나, 측정된 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 낮거나 같을 때에는, 상술한 방법에 의하여 처리조(100) 내에 상온의 순수를 공급한다(60).
다음으로, 제어기(380)는 측정된 온도(T1)와 제2 라인(340b)을 흐르는 순수 의 온도(T3)를 상호 비교한다(70). 측정된 온도(T1)가 제2 라인(340b)을 흐르는 순수의 온도(T3)보다 높을 때에는 제어기(380)는 상술한 방법에 의하여 처리조(100) 내에 상온의 순수를 다시 공급한다.
그러나, 측정된 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 낮거나 같을 때에는 처리조(100)의 세척을 종료한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조에 공급되는 순수의 온도(T4)를 나타내는 그래프이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조의 온도(T1)를 나타내는 그래프이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 처리조(100) 내의 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 높을 때('A'영역)에는 처리조(100)에 공급되는 순수의 온도(T4)는 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)인 약 75∼80℃이며, 처리조(100) 내의 온도(T1)가 제1 라인(340a)을 흐르는 순수의 온도(T2)보다 낮거나 같을 때('B'영역)에는 처리조(100)에 공급되는 순수의 온도(T4)는 제2 라인(340b)을 흐르는 순수의 온도(T2)인 23∼24℃이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 처리조(100) 내에 순수를 공급하면 처리조(100)는 순수에 열을 빼앗기며, 시간에 따라 처리조(100)의 온도(T1)는 처리조(100)에 공급 되는 순수의 온도(T4)와 같아진다. 처리조(100)의 온도(T1)는 순수를 공급한 초기에는 급격하게 변화하나, 처리조(100)의 온도(T1)와 순수의 온도(T4)와의 차이가 감소함에 따라 완만하게 변한다. 이는 온도 감소량은 온도 차이에 비례하기 때문이다.
'A'영역은 처리조(100)에 제1 라인(340a)을 흐르는 순수를 공급할 때이며, 'B'영역은 처리조(100)에 제2 라인(340b)을 흐르는 순수를 공급할 때이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리조에 공급되는 순수의 온도(T4)를 나타내는 그래프이며, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리조의 온도(T1)를 나타내는 그래프이다.
상술한 바와 같이, 밸브(360)는 제1 라인(340a)을 개폐하거나 제2 라인(340b)을 개폐하는 역할 이외에 제1 및 제2 라인(340a, 340b)의 개방정도를 조절할 수도 있다. 이하에서 도 6 및 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
상술한 실시예에서는 처리조 내의 온도(T1)에 따라 고온의 순수 또는 저온의 순수를 공급하였으나, 본 실시예에서는 제1 및 제2 라인(340a, 340b)의 개방정도를 조절하여 처리조(100) 내에 공급되는 순수의 온도(T4)를 조절한다. 이는 처리조(100) 내의 온도(T1)와 처리조(100) 내에 공급되는 순수의 온도(T4)의 차이가 큰 경우 순수로 인한 처리조(100)의 급격한 온도 변화로 인하여 처리조(100)의 변형 또는 파손을 야기할 수 있기 때문이다. 즉, 밸브(360)를 조절하여 처리조(100) 내에 공급되는 순수의 온도(T4) 변화를 일정하게 유지시킨다.
먼저, 처리조(100)로부터 처리액을 드레인시킨 직후에는 처리조(100) 내에 제1 라인(340a)을 흐르는 순수를 공급한다. 밸브(360)는 제1 라인(340a)을 개방하고 제2 라인(340b)을 폐쇄한다.
다음, 처리조(100) 내에 공급되는 순수의 온도(T4)를 일정하게 감소시킨다('C'영역). 즉, 제1 라인(340a)의 개방정도를 낮추고 제2 라인(340b)의 개방정도를 높인다. 이때, 처리조(100) 내에 공급되는 순수의 온도(T4)는 도 6에 도시한 바와 같이 감소하며, 처리조(100)의 온도(T1)는 도 7에 도시한 바와 같이 감소한다('D'영역).
순수의 온도(T4)는 제1 라인(340a)의 개방정도와 제2 라인(340b)의 개방정도를 조절함으로써 조절될 수 있으며, 제1 라인(340a)의 폐쇄속도 및 제2 라인(340b)의 개방속도에 따라 처리조(100)의 냉각속도가 결정된다.
상술한 바에 의하면, 처리조(100)와 처리조(100)를 세척하기 위하여 공급하는 순수의 온도차를 최소화할 수 있으므로, 급격한 온도변화로 인하여 처리조(100)가 변형되거나 파손되는 현상을 방지할 수 있으며, 처리조(100)를 자연냉각하는데 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
본 발명에 의하면 처리조의 세척시간을 단축할 수 있으며, 처리조의 세척시 처리조의 변형 및 파손을 방지할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판을 처리하기 위한 처리액이 채워지는 처리조;
    상기 처리조를 세척하기 위한 세척유닛을 포함하되,
    상기 세척유닛은,
    상기 처리조에 제1 온도의 세척액을 공급하는 제1 라인;
    상기 처리조에 제2 온도의 세척액을 공급하는 제2 라인을 포함하되,
    상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세척유닛은,
    상기 제1 및 제2 라인을 선택적으로 개폐할 수 있는 밸브유닛;
    상기 처리조 내의 온도를 측정할 수 있는 온도센서;
    상기 온도센서로부터 제공된 온도에 따라 상기 밸브유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 처리조 내의 온도가 기설정온도보다 높을 때에는 상기 제2 라인을 폐쇄하고 상기 제1 라인을 개방하며,
    상기 처리조 내의 온도가 기설정온도와 같거나 기설정온도보다 낮을 때에는 상기 제1 라인을 폐쇄하고 상기 제2 라인을 개방하는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세척유닛은,
    상기 제1 및 제2 라인의 개방정도를 조절할 수 있는 밸브유닛;
    상기 제1 라인의 개방정도가 점진적으로 줄어들고, 상기 제2 라인의 개방정도가 점진적으로 늘어나도록 상기 밸브 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 장치는,
    고온의 린스액을 이용하여 기판을 린스하는 린스조;
    상기 린스조에 상기 제2 온도의 린스액을 공급하는 린스액 공급라인을 더 포함하되,
    상기 제1 라인은 상기 린스액 공급라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션.
  6. 기판을 세척하는 웨트 스테이션의 처리조를 세척하는 방법에 있어서,
    상기 처리조에 채워진 처리액을 드레인시키고, 상기 처리조에 제1 온도의 세척액을 공급하여 상기 처리조를 1차적으로 세척하며, 상기 처리조에 제2 온도의 세척액을 공급하여 상기 처리조를 2차적으로 세척하되, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션 세척방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 처리조를 2차적으로 세척하는 것은 상기 처리조의 온도가 설정온도와 같거나 낮을 때 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨트 스테이션 세척방법.
  8. 삭제
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