KR19980087036A - 성막 장치의 클리닝 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서, 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 1 항에 있어서, 챔버에는, 챔버 내에 성막 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드가 설치되고, 이 샤워 헤드를 거쳐 불소화합물 가스가 챔버 내로 도입되는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 2 항에 있어서, 클리닝 대상 부위가 샤워 헤드인 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 1 항에 있어서, 클리닝 대상 부위가 챔버내 전체인 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불소화합물 가스는, ClF 가스, ClF3가스, ClF5가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 1 항에 있어서, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물은, 클리닝 대상 부위가 13O℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내로 ClF3가스가 도입됨으로써 TiF4가스로 변환되는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 1 항에 있어서, 챔버 내의 압력이 100mTorr∼1Torr의 범위 내로 설정된 상태에서 챔버 내에 불소화합물 가스가 도입되는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내를 10O℃ 이상으로 가열하고, 챔버 내가 10O℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 8 항에 있어서, 챔버에는, 챔버 내에 성막 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드와, 샤워 헤드와 대향하여 배치되고 또 성막 처리되는 대상물을 탑재하기 위한 탑재대가 설치되며, 샤워 헤드를 거쳐 불소화합물 가스가 챔버 내로 도입되는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 9 항에 있어서, 클리닝 대상 부위로서 샤워 헤드와 탑재대를 포함하며, 샤워 헤드를 100℃ 이상 200℃ 미만으로 가열하고, 탑재대를 200℃ 이상 70O℃ 이하로 가열하며, 챔버 내에 불소화합물 가스를 도입하는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 10 항에 있어서, 샤워 헤드를 130℃ 이상 180℃ 이하로 가열하고, 탑재대를 400℃ 이상 700℃ 이하로 가열하며, 챔버 내에 불소화합물 가스를 도입하는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 불소화합물 가스는, ClF 가스, ClF3가스, ClF5가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 8 항에 있어서, 챔버 내에 부착된 티탄염화물은, 챔버 내가 100℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 ClF3가스가 도입됨으로써 TiF4가스로 변환되는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 제 8 항에 있어서, 챔버 내의 압력이 100mTorr∼1Torr의 범위 내로 설정된 상태에서 챔버 내에 불소화합물 가스가 도입되는 것을 특징으로 하는 클리닝 방법.
- 대상물의 표면에 티탄 또는 티탄화합물의 막을 형성하기 위한 성막 장치에 있어서, 처리되는 대상물이 탑재되는 탑재대와, 탑재대에 대향하여 배치되는 샤워 헤드를 갖는 챔버와, 샤워 헤드를 거쳐 챔버 내에 성막 가스로서 티탄 또는 티탄화합물을 생성하기 위한 염소화합물 가스를 공급하는 성막 가스 공급 수단과, 샤워 헤드를 거쳐 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입하는 클리닝 가스 공급 수단과, 챔버 내의 가스를 배기하기 위한 배기 수단과, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 가열하는 가열 수단과, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위의 온도를 검지하는 검지 수단과, 가열 수단과 클리닝 가스 공급 수단을 제어하는 제어 수단을 포함하고, 상기 제어 수단은, 가열 수단을 거쳐 클리닝 대상 부위를 가열함과 동시에, 검지 수단을 거쳐 클리닝 대상 부위의 온도가 10O℃ 이상으로 설정된 것을 검지하면, 클리닝 가스 공급 수단을 거쳐 챔버 내에 불소화합물 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 제 15 항에 있어서,클리닝 대상 부위가 샤워 헤드인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제어 수단은, 가열 수단을 거쳐 클리닝 대상 부위를 가열함과 동시에, 검지 수단을 거쳐 클리닝 대상 부위의 온도가 130℃ 이상으로 설정된 것을 검지하면, 클리닝 가스 공급 수단을 거쳐 챔버 내에 불소화합물 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제어 수단은, 가열 수단을 거쳐 클리닝 대상 부위를 가열함과 동시에, 챔버 내의 압력이 100mTorr∼1Torr의 범위 내로 설정된 상태에서 검지 수단을 거쳐 클리닝 대상 부위의 온도가 10O℃ 이상으로 설정된 것을 검지하면, 클리닝 가스 공급 수단을 거쳐 챔버 내에 불소화합물 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 제 15 항에 있어서, 클리닝 대상 부위가 챔버내 전체인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 불소화합물 가스는, ClF 가스, ClF3가스, ClF5가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 성막 가스 공급 수단은 TiC14과 H2를 공급하고, 상기 클리닝 가스 공급 수단은 ClF3를 공급하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
- 챔버 내의 탑재대 상에 제 1 대상물을 탑재하고, 탑재대에 대향하여 배치되는 샤워 헤드를 거쳐 챔버 내에 성막 가스로서 티탄 또는 티탄화합물을 생성하기 위한 염소화합물 가스를 공급함으로써, 제 1 대상물의 표면에 티탄막 또는 티탄화합물의 막을 형성하며, 티탄막 또는 티탄화합물의 막이 형성된 제 1 대상물을 챔버로부터 반출하고, 챔버 내로부터 제 1 대상물을 반출한 상태에서 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하며, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키고, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하며, 클리닝 처리가 이루어진 챔버 내에 제 2 대상물을 반입하여 이것을 탑재대 상에 탑재하고, 탑재대에 대향하여 배치되는 샤워 헤드를 거쳐 챔버 내에 성막 가스로서 티탄 또는 티탄화합물을 생성하기 위한 염소화합물 가스를 공급함으로써, 제 2 대상물의 표면에 티탄막 또는 티탄화합물의 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060026867A KR100727733B1 (ko) | 1997-05-15 | 2006-03-24 | 성막 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14087497A JP4038599B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | クリーニング方法 |
JP97-140874 | 1997-05-15 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060026867A Division KR100727733B1 (ko) | 1997-05-15 | 2006-03-24 | 성막 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980087036A true KR19980087036A (ko) | 1998-12-05 |
KR100628607B1 KR100628607B1 (ko) | 2006-11-30 |
Family
ID=15278774
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980017329A KR100628607B1 (ko) | 1997-05-15 | 1998-05-14 | 클리닝방법,성막장치및성막방법 |
KR1020060026867A KR100727733B1 (ko) | 1997-05-15 | 2006-03-24 | 성막 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060026867A KR100727733B1 (ko) | 1997-05-15 | 2006-03-24 | 성막 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4038599B2 (ko) |
KR (2) | KR100628607B1 (ko) |
TW (1) | TW375780B (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100425789B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-04-06 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 및 인젝터 히팅장치 |
US6821572B2 (en) | 2002-07-19 | 2004-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method of cleaning a chemical vapor deposition chamber |
KR100706810B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 박박 형성 장치의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성방법 |
KR100766342B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2007-10-11 | 세메스 주식회사 | 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법 |
KR100828522B1 (ko) * | 2002-07-06 | 2008-05-13 | 삼성전자주식회사 | 패턴 마스크 클리닝 장치 및 이를 갖는 노광 설비 |
KR100907968B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2009-07-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 챔버내의 클리닝 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4720019B2 (ja) | 2001-05-18 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却機構及び処理装置 |
US20050221020A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film |
KR100915716B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2009-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법 |
KR100761757B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 막 형성 방법 |
JP5439771B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP7422531B2 (ja) * | 2019-12-17 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP14087497A patent/JP4038599B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-08 TW TW087107130A patent/TW375780B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-14 KR KR1019980017329A patent/KR100628607B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-03-24 KR KR1020060026867A patent/KR100727733B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100907968B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2009-07-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 챔버내의 클리닝 방법 |
KR100919330B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2009-09-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 처리 장치 |
KR100919331B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2009-09-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 샤워 헤드 구조체 및 가스 처리 장치 |
KR100425789B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-04-06 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 및 인젝터 히팅장치 |
KR100828522B1 (ko) * | 2002-07-06 | 2008-05-13 | 삼성전자주식회사 | 패턴 마스크 클리닝 장치 및 이를 갖는 노광 설비 |
US6821572B2 (en) | 2002-07-19 | 2004-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method of cleaning a chemical vapor deposition chamber |
KR100706810B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 박박 형성 장치의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성방법 |
KR100766342B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2007-10-11 | 세메스 주식회사 | 웨트 스테이션 및 웨트 스테이션 세척방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW375780B (en) | 1999-12-01 |
JP4038599B2 (ja) | 2008-01-30 |
KR20060086893A (ko) | 2006-08-01 |
KR100628607B1 (ko) | 2006-11-30 |
JPH10317142A (ja) | 1998-12-02 |
KR100727733B1 (ko) | 2007-06-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
J204 | Invalidation trial for patent | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20080306 Effective date: 20090925 |
|
J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: INVALIDATION |
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J204 | Invalidation trial for patent | ||
J121 | Written withdrawal of request for trial | ||
J122 | Written withdrawal of action (patent court) | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120907 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130903 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150819 Year of fee payment: 10 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160818 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170822 Year of fee payment: 12 |
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EXPY | Expiration of term |