KR100425789B1 - 인젝터 및 인젝터 히팅장치 - Google Patents

인젝터 및 인젝터 히팅장치 Download PDF

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심경식
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명은 상하로 결합되는 상부커버와 하부베이스로 구분되며, 그 내부에 웨이퍼가 안착되는 반도체 제조용 챔버에 있어서, 상기 상부커버와 하부베이스의 사이에 끼워져 상기 챔버의 측벽의 일부를 이루도록 개재되는 환(環)형의 인젝터 및 상기 인젝터를 가열하는 히팅장치에 관한 것으로, 상기 인젝터는 외부로부터 기체물질이 유입되는 유입관과; 상기 기체물질을 챔버의 내부로 확산하도록 내면에 형성된 다수의 분사홀과; 상기 인젝터의 상면과 상기 상부커버 사이가 이격되도록 끼워지는 제 1 원형 오-링과; 상기 인젝터의 하면과 상기 하부베이스 사이가 이격되도록 끼워지는 제 2 원형 오-링을 포함하고, 상기 히팅장치는 상기 환형의 인젝터 내부를 따라 끼워진 상태에서 양 끝단이 상기 인젝터의 일측을 관통하여 추출되는 히팅라인과; 상기 히팅라인의 양 끝단에 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하는 인젝터 및 상기 인젝터 히팅장치를 제공한다.

Description

인젝터 및 인젝터 히팅장치{injector and heating apparatus for injector}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 내부에 안착되는 웨이퍼(wafer)를 처리하는 챔버(chamber)를 포함하는 반도체 제조용 프로세스 모듈(process module)에 있어서, 상기 챔버에 부설되는 사이드 플로우 방식의 인젝터(side flow type injector) 및 상기 인젝터 히팅장치(heating apparatus)에 관한 것이다.
근래에 들어 과학이 발달함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야가 급속도로 발전하였고, 이러한 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체 산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.
반도체 소자란, 통상 기판인 웨이퍼(wafer)의 상면에 수 차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝(patterning) 등의 처리공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI: Large Scale Integration)로서, 이러한 박막의 증착 및 패터닝 등의공정은 챔버(chamber)형 프로세스 모듈(process module) 내에서 이루어진다.
이러한 챔버형 프로세스 모듈은 각각 목적하는 공정에 따라 다양한 형태를 가지고 있는데, 이하 일례로 돔(dome) 형상의 상부 커버와, 사이드 플로우 방식의 인젝터(side flow type injector)를 채용한 챔버를 포함하는 챔버형 프로세스 모듈에 대하여 설명한다.
도 1은 위에서 언급한 일반적인 챔버형 프로세스 모듈의 개략구조도로서, 이는 그 내부에 안착된 웨이퍼(1)의 상면에 박막을 증착하거나 패터닝하는 등의 직접적 처리 공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(chamber)(20)와, 상기 챔버(20) 내에서 목적하는 공정의 진행을 위한 소스(source) 및 반응물질 등의 필요물질을 저장하고, 이를 챔버(20) 내로 공급하는 소스 및 반응물질저장장치(40)를 포함하고 있다.
이때 특히 챔버(20)는 쿼츠(quartz) 등의 재질로 이루어지는 돔(dome) 형상의 상부커버(20a) 및 그 하단에 금속재질의 하부베이스(20b)가 결합됨으로써 그 내부에 웨이퍼(1)가 안착되는 반응영역을 정의하게 되는데, 이러한 반응영역에는 웨이퍼(1)의 파지 및 온도를 제어하는 척(30)이 설치되어 그 상면에 웨이퍼(1)가 안착된다.
또한 상기 챔버(20)는, 전술한 소스 및 반응물질저장장치(40)로부터 필요한 기체물질이 공급될 수 있도록 일단이 상기 소스 및 반응물질저장장치(40)에 연결되는 유입관(42)과, 그 내부의 기체를 배출함으로써 압력을 제어할 수 있도록 하는 배출관(62) 및 그 말단에 부설된 펌프(P)를 포함하는 바, 먼저 척(30)의 상면에 웨이퍼(1)가 안착되어 챔버(20)가 밀폐되면 상기 배출관(62)의 말단에 부설된 펌프(P) 등을 통해 챔버(20)의 내부 기체를 배출하여 고유환경을 조성하고, 이 후 소스 및 반응물질저장장치(40)에 일단이 연결된 유입관(42)을 통해 챔버 내로 공급되는 소스 및 반응물질의 화학반응을 통해 웨이퍼(1)를 처리하는 것이다.
이때 전술한 소스 및 반응물질저장장치(40)로부터 유입관(42)을 경유하여 챔버(20)의 내부로 인입되는 소스 및 반응물질을 챔버(20)의 내부 전(全) 면적으로 고르게 확산시키기 위해서, 통상 챔버(20)에는 유입관(42)의 타단과 연결되는 인젝터가 설치되는데, 이 중 일명 가스 링(gas ring)이라 불리는 사이드 플로우 방식의 인젝터(22)는, 전술한 도 1 및 상기 도 1의 인젝터 부분만 한정하여 도시한 도 2를 참조하면, 상부커버(20a)와 하부베이스(20b)의 사이에 개재되어 챔버 측벽의 일부를 이루는 링(ring) 형상을 가지고, 그 내면에 다수의 홀(22b)이 형성되어 이들 다수의 홀(22b)을 통해 웨이퍼(1)의 상방 측면에서 소스 및 반응물질을 분사하는 것이다.
한편, 이러한 챔버(20)에는 통상 세정공정을 용이하게 하기 위한 히팅장치(50)가 부설되는 것이 일반적인데, 이는 하부베이스(20b)의 측벽으로부터 사이드 플로우 방식의 인젝터(22)의 내부까지 나선형으로 감아 매설되는 히팅라인(54)을 포함하고 있다.
즉, 일반적으로 소스 및 반응물질의 화학반응을 통한 웨이퍼(1)의 처리 공정이 완료되면, 이들 소스 및 반응물질의 화합물의 일부는 챔버(1)의 내 측벽 내지는 특히 사이드 플로우 방식의 인젝터(22) 내면에 맺혀 융착되는 현상이 빈번하게 발생하는데, 이들은 챔버(20) 내부에서 진행되는 처리 공정에 불순물로 작용하는 등의 악영향을 미치기 때문에 이를 제거하는 세정공정이 후속되어야 한다.
이러한 챔버(20)의 세정공정은 통상 CLF3 등의 기체 물질을 챔버(20)의 내부로 유입하여 건식으로 이들 화합물을 식각함으로써 구현되는데, 이러한 세정공정의 신뢰성을 향상시키기 위해서는 사이드 플로우 방식의 인젝터(22) 내면의 온도를 130 내지 150 도(℃) 정도로 상승시켜야 한다.
따라서 챔버(20)에는 측벽으로부터 사이드 플로우 방식의 인젝터(22) 내면까지 삽입되도록 감겨 매설되는 전열선(electro thermal wire)인 히팅라인(54)이 매설되고, 이러한 히팅라인(54)의 양 끝단, 즉 일단과 타단 (54a, 54b)은 전원공급장치(52)에 연결됨으로써, 상기 전원공급장치(52)의 구동에 의하여 히팅라인(54)이 발열하여 목적에 따라 적절히 챔버 온도를 상승시키게 된다.
그러나 전술한 일반적인 히팅장치(50)는 사용상 몇 가지 문제점을 가지고 있는데, 이는 챔버(20)의 가열시간 및 가열 후 냉각 시간이 지나치게 과다하게 요구되는 것이다.
즉, 일반적인 히팅장치(50)에 포함되는 히팅라인(54)은 챔버(20)의 하부베이스(20b) 측벽으로부터 사이드 플로우 방식의 인젝터(22) 내부까지 감겨 매설되므로 그 길이가 상당히 길고, 또한 가열 면적이 큰 관계로 목적하는 온도까지 가열하기 위해서는 매우 오랜 시간이 요구되고, 또한 이와 같이 장시간에 걸쳐 가열된 챔버(20)를 웨이퍼 처리공정에 이용하기 위해서 다시 냉각하는 시간도 장시간이 소요되는 문제점을 가지고 있는 것이다.
이는 특히 히팅라인(54)이 하부베이스(20b)의 측벽까지 연장 매설됨에 기인한다고 볼 수 있는데, 즉 전술한 바와 같이 챔버(20) 내에서 반응하는 소스 및 반응물질의 화합물이 맺혀 융착되는 부분은 주로 사이드 플로우 방식의 인젝터(22)에 집중되는 바, 상대적으로 월등히 큰 면적을 가지고 있는 하부베이스(20b)의 측벽까지 히팅라인(54)이 매설됨으로써 가열 및 냉각시간이 길게 요구되는 것이다.
다시 말해, 일반적인 히팅장치(50)는 굳이 가열될 필요가 없는 챔버(20)의 하부베이스(20b) 측벽까지 히팅라인(54)이 매설됨으로써 그 가열 및 냉각시간이 길게 요구되는 것으로, 이에 사이드 플로우 방식의 인젝터(22) 만에 한정되도록 히팅라인(54)을 매설하는 방법을 고려할 수도 있겠으나, 일반적인 사이드 플로우 방식의 인젝터(22)는 챔버(20)의 하부베이스(20b)와 긴밀하게 접촉되어 있는 바, 이 경우 사이드 플로우 방식의 인젝터(22)가 가열됨에 따라 그 열이 챔버(20)의 하부베이스(20b)로 전도되므로, 목적하는 온도까지 가열하는 것이 어렵게 된다.
이와 같이 챔버의 세정을 위한 가열 냉각시간이 길게 소요되는 것은 반도체 소자의 제조 수율을 저하시키게 되고, 또한 챔버의 잦은 온도변화에 따른 파손 및 오동작의 가능성을 높이게 되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 챔버의 세정을 위하여 목적하는 온도까지 신뢰성 있게 가열하는 것을 가능하게 함과 동시에, 가열 및 냉각시간을 단축할 수 있는 보다 개선된 사이드 플로우 방식의 인젝터 및상기 인젝터 히팅장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 일반적인 사이드 플로우 방식의 인젝터 및 인젝터 히팅장치가 부설된 챔버형 프로세스 모듈을 도시한 개략구조도
도 2는 도 1의 사이드 플로우 방식의 인젝터 만을 한정하여, 그 일부를 절개하여 도시한 구조사시도
도 3은 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터 및 인젝터 히팅장치가 부설된 챔버형 프로세스 모듈을 도시한 개략구조도
도 4는 도 3의 사이드 플로우 방식의 인젝터의 부분 단면도
도 5는 도 3의 사이드 플로우 방식의 인젝터 만을 한정하여, 그 일부를 절개하여 도시한 구조사시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 웨이퍼 110 : 챔버형 프로세스 모듈
120 : 챔버 120a : 상부커버
120b : 하부베이스 122 : 인젝터
125a : 제 1 원형 오-링 125b : 제 2 원형 오-링
130 : 척 140 : 소스 및 반응물질저장장치
142 : 유입관 150 : 히팅장치
152 : 전원공급장치 154 : 히팅라인
154a : 히팅라인의 일단 154b : 히팅라인의 타단
162 : 배출관 P : 펌프
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 상하로 결합되는 상부커버와 하부베이스로 구분되며 그 내부에 웨이퍼가 안착되는 반도체 제조용 챔버에 있어서, 상기 상부커버와 하부베이스의 사이에 끼워져 상기 챔버의 측벽의 일부를 이루도록 개재되는 환(環)형의 인젝터 및 상기 인젝터를 가열하는 히팅장치로서, 상기 인젝터는 외부로부터 기체물질이 유입되는 유입관과; 상기 기체물질을 챔버의 내부로 확산하도록 내면에 형성된 다수의 분사홀과; 상기 인젝터의 상면과 상기 상부커버 사이가 이격되도록 끼워지는 제 1 원형 오-링과; 상기 인젝터의 하면과 상기 하부베이스 사이가 이격되도록 끼워지는 제 2 원형 오-링을 포함하고, 상기 히팅장치는 상기 환형의 인젝터 내부를 따라 끼워진 상태에서 양 끝단이 상기 인젝터의 일측을 관통하여 추출되는 히팅라인과; 상기 히팅라인의 양 끝단에 전압을 인가하는 전원공급장치를 포함하는 인젝터 및 상기 인젝터 히팅장치를 제공한다.
또한 특히 상기 인젝터의 저면에는, 상기 인젝터의 중심방향으로 치우치도록 저면을 따라 돌출된 돌출단을 더욱 포함하여 상기 제 2 원형 오-링은 상기 돌출단의 저면과 상기 하부베이스 사이를 분리되도록 개재되는 것을 특징으로 하며, 이때 상기 제 1 및 제 2 원형 오-링은 각각 고무 또는 실리콘 중 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 히팅라인은 상기 전원공급장치로부터 인가되는 전원에 의하여 발열하는 전열선(electrothermal wire)인 것을 특징으로 하는 바, 이하 본 발명에 대한 올바른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 사이드 플로우 방식의 인젝터 및 여기에 부설되는 히팅장치를 제공하는데, 도 3은 본 발명의 적용예로 돔(dome) 형상의 상부 커버를 가지는 챔버를 포함하는 챔버형 프로세스 모듈(110)을 도시한 개략구조도이다.
이는 그 내부에 웨이퍼(1)가 안착되어, 이의 상면에 박막을 증착하거나 또는 패터닝하는 등의 직접적 처리 공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(chamber)(120)와, 상기 챔버(120) 내에서 목적하는 공정의 진행을 위한 소스(source) 및 반응물질 등의 필요물질을 저장하고, 이를 챔버(120) 내로 공급하는 소스 및 반응물질저장장치(140)를 포함하고 있다.
이때 특히 챔버(120)는 쿼츠(quartz) 등의 재질로 이루어지는 돔(dome) 형상의 상부커버(120a) 및 이의 하단에 금속재질의 하부베이스(120b)가 결합됨으로써 그 내부에 웨이퍼(1)가 안착되는 반응영역을 정의하고 있으며, 이러한 반응영역에는 웨이퍼(1)의 파지 및 온도를 제어하는 척(130)이 설치되어 그 상면에 웨이퍼(1)가 안착된다.
또한 상기 챔버(120)는, 전술한 소스 및 반응물질저장장치(140)로부터 필요한 기체물질이 공급될 수 있도록, 일단이 상기 소스 및 반응물질저장장치(140)에 연결되는 유입관(142)과, 그 내부의 기체를 배출함으로써 압력을 제어할 수 있도록 하는 배출관(162) 및 그 말단에 부설된 펌프(P)를 포함함은 일반적인 경우와 동양(同樣)이라 할 것이다.
이때 특히 전술한 소스 및 반응물질저장장치(140)로부터 유입관(142)을 경유하여 챔버(120)의 내부로 인입되는 소스 및 반응물질을 챔버(120)의 내부 전(全) 면적으로 고르게 확산시키기 위해서, 챔버(120)에는 유입관(142)의 타단과 연결되는 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)가 설치되는데, 이는 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 상부커버(120a)와 하부베이스(120b)의 사이에 개재되어 챔버(120)의 측벽의 일부를 이루는 링(ring) 형상을 가지고, 그 내면에 다수의 홀(122b)이 형성되어 이들 다수의 홀(122b)을 통해 웨이퍼(1)의 상방 측면에서 소스 및 반응물질을 분사하게 된다.
이때 특히 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)는 그 단면을 확대하여 도시한 도 4와 같이 저면에 단차를 가지고 있는 것을 특징으로 하는데, 좀 더 자세히 이는 저면에 안쪽으로 치우치게 돌출된 돌출단(122a)을 가지고 있어 상면은 돔 형상의 상부커버(120a)의 저면과, 상기 돌출단(122a)의 저면은 하부베이스(120b)의 상면에 각각 접촉되도록 삽입되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)는 각각 상면과 하부의 돌출단(122a) 저면에 개재되는 제 1 및 제 2 오-링(125a, 125b)을 더욱 포함하고 있는데, 이하 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명하면, 즉 제 1 오-링(125a)은 본 발명에 다른 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)의 상면과 챔버(120)의 상부커버(120a)의 저면 사이에 개재되고, 제 2 오-링(125b)은 돌출단(122a)의 저면과 하부베이스(120b)의 상면사이에 개재되어 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)를 상부 커버(120a) 및 하부베이스(120b)사이에 일정정도 이격되도록 고정하는 것이다.
이때 전술한 제 1 및 제 2 오-링(125a, 125b)은 각각 챔버(120) 내부의 진공에 영향을 주지 않도록 유격없이 밀착가능하며, 전도율이 낮은 고무 또는 실리콘 등의 재질로 이루어지는 것이 바람직한 바, 이러한 제 1 및 제 2 오-링(125a, 125b)과 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)의 저면에 돌출된 돌출단(122a)에 의하여, 챔버의 상부커버(120a) 및 하부베이스(120b)와 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)는 열적으로 완전히 구분되는 것이다.
또한 이러한 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)에는 본 발명에 따른 히팅장치(150)가 부설되는데, 이는 전술한 사이드 플로우 방식의 인젝터(122) 내부에 매설되는 히팅라인(154)과, 상기 히팅라인(154)에 전압을 인가하여 발열되게 하는 전원공급장치(152)를 포함하고 있다.
이에 히팅라인(154)은 사이드 플로우 방식의 인젝터(122) 내부로 삽입되어 끼워진 상태에서 일단(154a)과 타단(154b)이 각각 일측벽을 관통하여 추출되는 바, 이러한 히팅라인(154)의 일단(154a)과 타단(154b)은 각각 전원공급장치(152)에 전기적으로 연결되어 있다. 이때 히팅라인(154)은 전원공급장치(152)로부터 인가되는 전원에 의하여 발열가능한 전열선(electrothermal wire) 으로 이루어져, 특히 사이드 플로우 방식의 인젝터 (122)만을 선택적으로 가열하게 되는 것이다.
또한 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 히팅라인(154)이 매설된 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)는 그 상하에 각각 개재되는 제 1 및 제 2 오-링(125a, 125b)과, 저면에 돌출된 돌출단(122a)에 의해 챔버(120)와 열적으로 완전 구분되어있으므로, 히팅장치(150)가 구동될 경우에 온도가 상승하는 부분은 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)에만 한정되는 것이다.
이러한 구성을 가지는 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터(122) 및 이의 히팅장치(150)가 부설된 챔버형 프로세스 모듈(110)은 먼저 척(130)의 상면에 웨이퍼(1)가 안착되어 챔버(120)가 밀폐되면 상기 배출관(162)의 말단에 부설된 펌프(160) 등을 통해 챔버(120)의 내부 기체를 배출하여 고유환경을 조성하고, 이 후 소스 및 반응물질저장장치(140)에 일단이 연결된 유입관(142)을 통해 챔버 내로 공급되는 소스 및 반응물질의 화학반응을 통해 웨이퍼(1)를 처리하는 것이다.
이러한 공정이 완료된 후 챔버(120)의 내부에는, 웨이퍼(1)의 처리공정을 위한 소스 및 반응물질의 화학반응물이 맺혀 융착되어 있는데 이들 화학반응물은 소스 및 반응 물질이 인입되는 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)의 내면에만 집중적으로 융착됨은 일반적인 경우와 동일할 것이다. 이에 이들은 챔버 내부에서 진행되는 처리 공정에 불순물로 작용하여 악영향을 미치기 때문에 이를 제거하는 세정공정이 후속되어야 하는데, 이를 위하여 본 발명에 따른 히팅장치(150)를 통하여 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)를 가열하게 되는 것이다.
즉, 이상에서 언급한 웨이퍼(1)의 처리공정이 완료되면, 본 발명에 따른 히팅장치(150)가 구동됨으로써 사이드 플로우 방식의 인젝터(122) 만을 가열하게 되는데, 이는 전원공급장치(152)를 통해 히팅라인(154)에 전압을 인가함으로써 히팅라인(154)이 발열하여, 사이드 플로우 방식의 인젝터 온도를 130 내지 150 도(℃) 정도로 상승시키게 된다.
이때 이러한 사이드 플로우 방식의 인젝터(122)의 온도상승은 챔버 즉, 상부커버(120a) 및 하부베이스(120b)와는 무관하여 빠른 시간 내에 목적하는 온도로의 도달이 가능하고, 이후 챔버(120)의 내부로 CLF3 등의 기체 물질이 유입되어 화학반응물을 건식으로 식각하여 제거하게 되는 것이다.
본 발명은 챔버와 열적으로 완전 차단되는 사이드 플로우 방식의 인젝터 및 상기 인젝터만을 가열하는 히팅장치를 제공함으로써 챔버의 세정을 위한 가열 및 냉각시간을 단축하는 효과를 가지고 있다.
특히 이러한 본 발명에 따른 인젝터는 챔버의 내부에서 진행되는 반응에 영향을 미치지 않도록 고무 또는 실리콘 등의 재질로 이루어진 제 1 및 제 2 오-링에 의하여 긴밀하게 고정되는 바, 일반적인 챔버형 프로세스 모듈에 있어서 화학반응물이 집중적으로 맺혀 융착되는 사이드 플로우 방식의 인젝터 만을 열적으로 분리되어 가열시킴으로써 신뢰성 있는 세정작업을 가능하게 하는 잇점을 가지고 있다.
또한 이러한 본 발명에 따른 사이드 플로우 방식의 인젝터 저면에는 특히 챔버와의 열적 차단에 신뢰성을 부여하는 돌출단을 개재함으로써 더욱 개선된 효과를 얻는 잇점을 가지고 있고, 이를 통해 세정을 위한 가열 및 냉각시간을 단축하여 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있으며, 완성된 소자의 신뢰성을 개선할 수 있는 잇점을 가지고 있다.

Claims (4)

  1. 상 하로 결합되는 상부커버와 하부베이스로 구분되며 그 내부에 웨이퍼가 안착되는 반도체 제조용 챔버에 있어서, 상기 상부커버와 하부베이스의 사이에 끼워져 상기 챔버의 측벽의 일부를 이루도록 개재되는 환(環)형의 인젝터 및 상기 인젝터를 가열하는 히팅장치로서,
    상기 인젝터는 외부로부터 기체물질이 유입되는 유입관과;
    상기 기체물질을 챔버의 내부로 확산하도록 내면에 형성된 다수의 분사홀과;
    상기 인젝터의 상면과 상기 상부커버 사이가 이격되도록 끼워지는 제 1 원형 오-링과;
    상기 인젝터의 하면과 상기 하부베이스 사이가 이격되도록 끼워지는 제 2 원형 오링을 포함하고,
    상기 히팅장치는 상기 환형의 인젝터 내부를 따라 끼워진 상태에서 양 끝단이 상기 인젝터의 일측을 관통하여 추출되는 히팅라인과;
    상기 히팅라인의 양 끝단에 전압을 인가하는 전원공급장치
    를 포함하는 인젝터 및 상기 인젝터 히팅장치
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 인젝터의 저면에는, 상기 인젝터의 중심방향으로 치우치도록 저면을 따라 돌출된 돌출단
    을 더욱 포함하여, 상기 제 2 원형 오-링은 상기 돌출단의 저면과 상기 하부베이스 사이를 분리되도록 개재되는 인젝터 및 상기 인젝터 히팅장치
  3. 청구항 1 에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 원형 오 링은 고무 또는 실리콘 중 선택된 하나의 재질인 인젝터 및 상기 인젝터 히팅장치
  4. 청구항 1 에 있어서,
    상기 히팅라인은 상기 전원공급장치로부터 인가되는 전원에 의하여 발열하는 전열선(electrothermal wire)인 인젝터 및 상기 인젝터 히팅장치
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