JP2000077337A - ガス処理装置およびガス処理方法 - Google Patents

ガス処理装置およびガス処理方法

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JP2000077337A
JP2000077337A JP10245026A JP24502698A JP2000077337A JP 2000077337 A JP2000077337 A JP 2000077337A JP 10245026 A JP10245026 A JP 10245026A JP 24502698 A JP24502698 A JP 24502698A JP 2000077337 A JP2000077337 A JP 2000077337A
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JP
Japan
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gas
chamber
diffusion plate
work
hole
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JP10245026A
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Osamu Yamazaki
修 山崎
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は処理室に設置されたワークにガス
を均一に作用させることができるようにしたガス処理装
置を提供することにある。 【解決手段】 ワーク3をガスによって処理するガス処
理装置において、チャンバ1と、このチャンバ内を上記
ワークが設置される処理室9と上記ガスが供給される供
給室8とに隔別するとともにこの供給室に供給されたガ
スを上記処理室に拡散導入する導入孔7aが形成された
拡散板7と、上記供給室に設けられこの供給室に供給さ
れたガスの流れを上記拡散板の径方向中心部の上方から
この拡散板に向かう方向に制御する筒状体24と、上記
処理室の底部に設けられ上記拡散板の導入孔を通過して
処理室に導入されたガスを上記処理室の周辺部から分散
板25を介してほぼ均等に排出する排出孔11とを具備
したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はチャンバ内に設置
されたワークにガスを作用させて処理するガス処理装置
及びガス処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体ウエハや液晶用ガラス
基板などのワークを化学反応を生じるガスを用いて処理
する真空プロセスでは、プラズマCVD装置、エッチン
グ装置、アッシング装置などのプラズマ処理装置が知ら
れている。
【0003】これらプラズマ処理装置においては、チャ
ンバ内に供給される原料となるガスをプラズマのエネル
ギによって励起することで活性化させたのち、上記ワー
クに作用させてこのワークに所望の処理を行うようにし
ている。
【0004】図6(a)はプラズマ処理装置としての従
来のダウンフロー型のエッチング装置を示す。このエッ
チング装置はチャンバ1を有する。このチャンバ1内に
はテーブル2が設けられ、このテーブル2上にはワーク
3が載置される。
【0005】上記チャンバ1の周壁の上部には、一端が
図示しないガスの供給源に接続されガス供給管4の他端
が接続されている。このガス供給管4の中途部にはマイ
クロ波の導波管5が接続されている。それによって、上
記ガス供給管4から上記チャンバ1に供給されるガスは
上記導波管5に供給されるマイクロ波によって励起され
るようになっている。
【0006】上記チャンバ1内の高さ方向中途部には段
部6が形成され、この段部6には上記テーブル2と対応
する部分に多数の導入孔7aが穿設された拡散板7が周
辺部を係合させて設けられている。上記ガス供給管4か
らチャンバ1内に供給されたガスは上記拡散板7の導入
孔7aを通過してテーブル2上のワーク3に作用する。
すなわち、上記拡散板7はチャンバ1の内部空間を、上
記ガス供給管4からガスが供給される供給室8と、上記
ワーク3が設置されこのワーク3を励起されたガスによ
って処理する処理室9とに隔別している。
【0007】上記処理室9の底部の周辺部には周方向に
所定間隔で複数の排出孔11が形成されている。各排出
孔11には排出管12が接続され、これら排出管12は
図示しない排出ポンプに連通している。
【0008】このような構成のエッチング装置におい
て、供給室8にはガス供給管4からのガスがその径方向
一端側から流入する。そして、供給室8に流入したガス
は、図6(b)に矢印で示すように供給室8の内周壁に
沿って渦を巻きながら流れて拡散板7の導入孔7aを通
過して処理室9へ流入する。
【0009】そのため、ガス供給管4から供給室8に供
給されたガスは、この供給室8内における圧力分布が不
均一、つまり供給室8の周辺部の圧力が中心部に比べて
高くなり、その圧力分布に応じて拡散板7の導入孔7a
を通過して処理室9へ流入することになるから、この従
来技術においてはこの処理室9内のガスの分布状態も、
周辺部分が多く、中央部分が少ない不均一な分布状態に
なること、つまりガスの分布状態に偏りが生じることが
避けられなかった。
【0010】そのため、処理室9内に設けられたワーク
3へのガスの供給状態も周辺部分に比べて中央部分が少
ない不均一な状態になるため、上記ワーク3の処理が不
均一になるということが避けられなかった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このように、ガス供給
管からのガスを拡散板によって均一に処理室へ供給でき
るようにしているものの、上記拡散板上におけるガスの
圧力分布は、周辺部分が中央部分に比べて高くなり、そ
の圧力の分布状態に応じて処理室に流入するから、この
処理室のワークを均一に処理することが困難であるとい
うことがあった。この発明は、処理室のワークに対して
ガスをほぼ均一に作用させることができるようにしたガ
ス処理装置及びガス処理方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ワー
クをガスによって処理するガス処理装置において、チャ
ンバと、このチャンバ内を上記ワークが設置される処理
室と上記ガスが供給される供給室とに隔別するとともに
この供給室に供給されたガスを上記処理室に拡散導入す
る導入孔が形成された拡散板と、上記供給室に設けられ
この供給室に供給されたガスの流れを上記拡散板の径方
向中心部であって上記ワークの対向側からこの拡散板に
向かう方向に制御する流れ方向制御手段と、上記処理室
の底部に設けられ上記拡散板の導入孔を通過して処理室
に導入されたガスを上記処理室から排出する排出手段と
を具備したことを特徴とする。
【0013】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記流れ方向制御手段は、上記供給室内を2つの空
間部に隔別するとともに上記拡散板の径方向中心部に対
応する部分に通孔が形成された仕切板と、この仕切板の
上面側の上記通孔に対応する部分に設けられ上記供給室
の一方の上記空間部に供給されたガスの流れ方向を上記
ワークへ向う方向に変換して上記通孔を通過させる筒状
体とを具備したことを特徴とする。
【0014】請求項3の発明は、請求項2の発明におい
て、上記拡散板、仕切板及び筒状体は一体形成されてい
ることを特徴とする。請求項4の発明は、チャンバ内に
設置されたワークをガスによって処理するガス処理方法
において、上記チャンバ内に上記ガスを供給する供給工
程と、上記ガスを拡散板によって拡散させる前にこのガ
スの流れを上記拡散板の径方向中心部の上方からこの拡
散板に向かう方向に制御する流れ方向制御工程と、チャ
ンバ内に供給されたガスを拡散板によって拡散させて上
記ワークに作用させる拡散工程と、上記ワークに作用し
たガスを上記チャンバから排出する排出工程とを具備し
たことを特徴とする。
【0015】請求項1と請求項4の発明によれば、チャ
ンバ内に供給された供給室に供給されたガスの流れを、
拡散板の径方向中心部であってワークの対向側からこの
拡散板に向かう方向に制御するようにしたことで、上記
拡散板を通過してワークに向かうガスは、このワークの
中心部分から周辺部分に向かって流れるから、ワークの
板面に対してほぼ均一に作用することになる。
【0016】請求項2の発明によれば、供給室に供給さ
れたガスの流れを、拡散板の径方向中心部であってワー
クの対向側からこの拡散板に向かう方向に制御するため
の流れ方向制御手段を、通孔が形成された仕切板と、こ
の仕切板の通孔に対応する部分に設けられた筒状体とか
ら構成したから、簡単な構成でガスがワークに対して均
一に作用するようその流れを制御することができる。請
求項3の発明によれば、拡散板、仕切板及び筒状体を一
体形成したことで、構成の簡略化や組立作業の容易化を
計ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図1乃至図3を参照して説明する。なお、図6(a)に
示す従来の構造と同一となっている部分には同一記号を
付して説明を省略する。
【0018】この発明のガス処理装置は、チャンバ1の
供給室8内に拡散板7と一体化された仕切板21が設け
られている。つまり、仕切板21は拡散板7の上方に位
置し、これらの周縁部を連結する周壁22によって一体
化されている。さらに、仕切板21の径方向中心部には
通孔23が穿設され、この通孔23に対応する仕切板2
1の上面には筒状体24がこの仕切板21と一体形成さ
れている。つまり、拡散板7、仕切板21および筒状体
24の三者は一体形成されている。それによって、拡散
板7、仕切板21および筒状体24を上記チャンバ1内
へ容易に、しかも確実に組み込むことができるようにな
っている。
【0019】上記仕切板21によって上記チャンバ1の
供給室8は、仕切板21の上面側の上部空間部8aと、
下面側の下部空間部8bとに隔別され、上記供給管5は
上部空間部8aに連通している。
【0020】上記処理室9にはテーブル2の周辺部に全
長にわたって分散板25が設けられている。この分散板
25には周方向に所定間隔で複数、たとえば数十個の分
散孔25aが穿設されている。したがって、処理室9に
流入したガスは上記分散板25の複数の分散孔25aを
通過して排出孔11から排出されることで、テーブル2
の周辺部からほぼ均一に流出するようになっている。
【0021】このような構成のガス処理装置において、
テーブル2上に載置されたワーク3をプラズマによって
励起されたガスでたとえばエッチング処理する場合に
は、図示しないガスの供給源から供給管4にガスを供給
するとともに、導波管5にマイクロ波を供給して上記供
給管4を流れるガスを励起する。それによって、ガスは
活性化されてチャンバ1の供給室8の上部空間部8aに
流入する。
【0022】上部空間部8aに流入したガスはこの空間
部8aの径方向に沿ってほぼ水平に流れ、仕切板21に
突設された筒状体24の上端開口からその内部を通過し
て通孔23から下部空間部8bへ流入する。
【0023】下部空間部8bに流入したガスは拡散板7
の上面の径方向中心部から周辺部に向かって流れながら
その導入孔7aを通過して処理室9へ流入する。そのた
め、処理室9におけるガスの圧力分布、つまりワーク3
の上面におけるガスの圧力分布は、拡散板7の径方向中
心部に対応する部分が最も高く、周辺部に行くにつれて
低くなる。
【0024】そして、処理室9に流入したガスは、図3
に示すようにワーク3の上面の中心部分から周辺部分に
向かって流れ、分散板25の分散孔25aを通過して排
出孔11から排出されるから、ガスはワーク3の上面全
体に対してほぼ均一に作用することになる。つまり、ワ
ーク3は上面がほぼ均一にエッチングされることにな
る。
【0025】ワーク3の上面の中心部分から周辺部分に
流れたガスは分散板25に穿設された分散孔25aを通
過して排出孔11から排出される。上記分散孔25aは
テーブル2の周方向に沿ってほぼ等間隔で穿設されてい
る。そのため、ワーク3の周方向における排気状態がほ
ぼ均一になるから、そのことによっても、ワーク3の上
面におけるガスの流れが周方向において不均一になるの
を防止することができる。
【0026】図4(a),(b)はこの発明の第2の実
施の形態を示す。この実施の形態は拡散板7、仕切板2
1及び筒状体24が別体に形成されているという点で上
記第1の実施の形態と相違している。そして、筒状体2
4の下端面には段部24aを形成し、仕切板21に形成
された通孔23に上記段部24aを嵌合させて接続す
る、いわゆるいんろう接続構造が採用されている。
【0027】このような構造によれば、仕切板21の通
孔23に筒状体24の下端面の段部24aを嵌合させる
だけで、筒状体24を仕切板21にずれ動くようなこと
なく接続することができる。
【0028】この第2の実施の形態では筒状体24を仕
切板21に印篭接続したが、筒状体の下端面に段部24
aを形成せず、この筒状体24を上記仕切板21に溶接
接続するようにしてもよい。
【0029】図5はこの発明の第3の実施の形態を示
す。この実施の形態のガス処理装置は、図4(a),
(b)に示す第2の実施の形態の変形例で、チャンバ1
に導入された原料ガスを熱分解してワーク3の上面に積
層する熱CVD装置である。テーブル2には上記ワーク
3を約100〜700℃の範囲で加熱制御することがで
きるヒータ31が埋設されている。
【0030】したがって、上記ヒータ31によってワー
ク3を加熱してチャンバ1内へ原料ガスを導入すれば、
加熱されたワーク3によって原料ガスが熱分解され、所
定の成分だけが堆積して成膜することができる。
【0031】なお、第3の実施の形態において、第2の
実施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略
する。上記第3の実施の形態に示されたヒータ31は、
第1の実施の形態に示されたガス処理装置のテーブル2
に設けるようにしてもよいこと、勿論である。
【0032】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、チ
ャンバ内の供給室に供給されたガスを、処理室に設置さ
れたワークの全面にほぼ均一に作用させることができる
から、上記ガスによる上記ワークに対する処理を全面に
わたってほぼ均一に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示すガス処理装
置の縦断面図。
【図2】同じく一体化された拡散板、仕切板及び筒状体
の一部断面した斜視図。
【図3】同じく仕切板の下側の下部空間部におけるガス
の流れを示す説明図。
【図4】(a)はこの発明の第2の実施の形態を示すガ
ス処理装置の縦断面図、(b)は同じく筒状体の一部断
面した斜視図。
【図5】この発明の第3の実施の形態を示すガス処理装
置の縦断面図。
【図6】(a)は従来のガス処理装置を示す縦断面図、
(b)は同じく処理室におけるガスの流れを示す説明
図。
【符号の説明】
1…チャンバ 3…ワーク 7…拡散板 7a…導入孔 8…供給室 9…処理室 11…排出孔(排出手段) 21…仕切板(流れ方向制御手段) 24…筒状体(流れ方向制御手段) 25…分散板(排出手段) 25a…分散孔(排出手段)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワークをガスによって処理するガス処理
    装置において、 チャンバと、 このチャンバ内を上記ワークが設置される処理室と上記
    ガスが供給される供給室とに隔別するとともにこの供給
    室に供給されたガスを上記処理室に拡散導入する導入孔
    が形成された拡散板と、 上記供給室に設けられこの供給室に供給されたガスの流
    れを上記拡散板の径方向中心部であって上記ワークの対
    向側からこの拡散板に向かう方向に制御する流れ方向制
    御手段と、 上記処理室の底部に設けられ上記拡散板の導入孔を通過
    して処理室に導入されたガスを上記処理室から排出する
    排出手段とを具備したことを特徴とするガス処理装置。
  2. 【請求項2】 上記流れ方向制御手段は、上記供給室内
    を2つの空間部に隔別するとともに上記拡散板の径方向
    中心部に対応する部分に通孔が形成された仕切板と、こ
    の仕切板の上面側の上記通孔に対応する部分に設けられ
    上記供給室の一方の上記空間部に供給されたガスの流れ
    方向を上記ワークへ向かう方向に変換して上記通孔を通
    過させる筒状体とを具備したことを特徴とする請求項1
    記載のガス処理装置。
  3. 【請求項3】 上記拡散板、仕切板及び筒状体は一体形
    成されていることを特徴とする請求項2記載のガス処理
    装置。
  4. 【請求項4】 チャンバ内に設置されたワークをガスに
    よって処理するガス処理方法において、 上記チャンバ内に上記ガスを供給する供給工程と、 上記ガスを拡散板によって拡散させる前にこのガスの流
    れを上記拡散板の径方向中心部の上方からこの拡散板に
    向かう方向に制御する流れ方向制御工程と、 チャンバ内に供給されたガスを拡散板によって拡散させ
    て上記ワークに作用させる拡散工程と、 上記ワークに作用したガスを上記チャンバから排出する
    排出工程とを具備したことを特徴とするガス処理方法。
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Cited By (4)

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