KR200163643Y1 - 반도체 제조 장치의 반응로 - Google Patents

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KR200163643Y1 KR2019970000841U KR19970000841U KR200163643Y1 KR 200163643 Y1 KR200163643 Y1 KR 200163643Y1 KR 2019970000841 U KR2019970000841 U KR 2019970000841U KR 19970000841 U KR19970000841 U KR 19970000841U KR 200163643 Y1 KR200163643 Y1 KR 200163643Y1
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Abstract

본 고안은 반도체 제조 장치의 반응로에 관한 것으로, 내측 반응관이 상부가 연결된 이중 격벽으로 이루어져서 상기 이중 격벽의 내측 격벽 및 상기 내측 격벽 상부의 연결부에 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 공급 개스가 상기 이중 격벽 사이로 공급되어 상기 공급 개스가 상기 다수 개의 홀을 통해 상기 내측 반응관 내부에 공급되도록 이루어져서, 반응로의 내측 반응관에 다수 개의 홀이 형성된 이중 격벽을 형성하여 격벽에 형성된 다수 개의 홀을 통해 튜브 내부의 각 부분에 반응 개스의 균일한 공급이 이루어지도록 함으로써 웨이퍼의 균일도를 향상시키도록 하는 효과를 제공한다.

Description

반도체 제조 장치의 반응로
본 고안은 반도체 제조 장치의 반응로에 관한 것으로, 특히 반응로의 내측 반응관에 다수 개의 홀이 형성된 이중 격벽을 형성하여 격벽에 형성된 다수 개의 홀을 통해 튜브 내부의 각 부분에 반응 개스의 균일한 공급이 이루어지도록 함으로써 웨이퍼의 균일도를 향상시키도록 하는 반도체 제조 장치의 반응로에 관한 것이다.
반도체 제조 장치의 반응로는 내부에 웨이퍼를 넣은 다음 반응 개스를 공급하여 웨이퍼의 표면에 소정의 반응이 일어나도록 하는데 사용된다.
이와 같은 반응로의 구조를 제1도 및 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 반도체 제조 장치의 반응로의 구조를 나타낸 단면도이다.
제1도에 나타낸 바와 같이, 반응로의 외측에는 상부가 막혀 있는 원통형의 외측 반응관(110)이 구비되어 있으며, 이와 같은 외측 반응관(110)의 일측면에는 개스 주입구(160)가 형성되어 있고, 외측 반응관(110)의 타측면에는 반응이 이루어진 개스가 배출되는 개스 배기구(170)가 형성되어 있다.
이와 같은 외측 반응관(110)의 내측에는 외측 반응관(110)보다 지름이 다소 작은 원통형의 내측 반응관(130)이 구비되어 있으며, 이와 같은 내측 반응관(130)의 상부와 외측 반응관(110)의 상부 사이에는 개스의 흐름이 이루어지도록 공간이 형성되어 있다.
또 외측 반응관(110)의 외측에는 히팅 코일(140)이 설치되어 있어 반응로에 열을 제공함으로써 반응로 내부에 공급된 개스의 반응 작용을 촉진시키도록 이루어진다.
내측 반응관(130)의 하부와 외측 반응관(110) 사이는 밀폐되어 있어 반응 개스가 개스 배기구(170)를 통해 배출되도록 이루어져 있다.
내측 반응관(130)의 중앙에는 웨이퍼(120)를 적재하여 이동시킬 수 있도록 보트(150)가 설치되어 있으며, 이와 같은 보트(150)에는 다수개의 웨이퍼(120)가 반응로의 바닥면과 평행하게 적재된다.
제2도는 종래의 반도체 제조 장치의 반응로의 내측 반응관을 나타낸 도면으로, 제2a도는 평면도, 제2b도는 저면도, 제2c도는 측단면도이다.
제2도에 나타낸 바와 같이, 내측 반응관(130)은 단순한 원통형으로 이루어져 있다.
이와 같이 이루어진 반응로 내부에서 공급된 개스가 이동하는 경로를 살펴보면 다음과 같다.
외측 반응관(110)의 아래 부분에 형성되어 있는 개스 주입구(160)를 통해 개스가 주입되면 개스 주입구(160)의 연장부가 내측 반응관(130)의 안쪽까지 형성되어 있으므로 개스의 흐름이 내측 반응관(130)의 안쪽 아래 부분에서 시작된다.
내측 반응관(130)의 내측 아래 부분에서 시작된 개스의 흐름은 히팅 코일(140)에 의해 제공된 열에 의해 반응이 이루어지면서 내측 반응관(130)의 위쪽으로 상승하면서 내측 반응관(130)의 중앙에 위치한 보트(150)에 적재된 웨이퍼(120)의 표면에 공급된 개스에 의한 반응이 이루어진다.
이와 같이 웨이퍼(120)의 표면에 반응이 이루어지고 남은 개스는 외측 반응관(110)과 내측 반응관(130) 사이에 형성된 공간으로 흘러가서 외측 반응관(110)의 측면에 형성된 개스 배기구(170)를 통해 배출된다.
그러나 이와 같은 종래의 반응로는, 공급된 개스의 흐름이 내측 반응관(130)의 아래쪽에서 시작하여 위쪽으로 진행하면서 반응이 이루어지기 때문에 적재되어 있는 다수개의 웨이퍼(120)에는 웨이퍼의 위치에 따라 개스의 반응 시간에 차이가 발생하게 된다.
즉, 내측 반응관(130)의 아래쪽에 위치한 웨이퍼(120)에는 히팅 코일(140)을 통해 제공된 열에 의한 촉진 작용이 충분히 이루어지지 않은 채 개스가 공급되고, 내측 반응관(130)의 위쪽에 위치한 웨이퍼(l20)에는 히팅 코일(140)을 통해 제공된 열에 의한 촉진 작용이 충분히 이루어진 개스가 공급된다.
또 웨이퍼(120)의 플랫 존과 내측 반응관(130)의 내벽 사이의 공간은 웨이퍼(120)의 다른 부분과 내측 반응관(130)의 내벽 사이의 공간보다 넓기 때문에 공급 개스의 유속이나 공급량 등에 차이가 발생하게 된다.
이와 같은 이유로 인하여 보트(150)에 적재된 웨이퍼(120)의 적재 위치에 따라 각각의 웨이퍼(120)의 반응 정도에 차이가 발생하여 웨이퍼(120) 간의 균일도가 크게 떨어지는 것이다.
따라서 본 고안은 단순한 원통형의 내측 반응관의 한쪽에 격벽을 설치하고, 격벽에는 다수 개의 홀을 형성하여 주입된 개스가 격벽에 형성된 다수개의 홀을 통해 내측 반응관의 전체에 걸쳐 균일하게 공급되도록 함으로써 각각의 웨이퍼의 균일도를 향상시키는 목적이 있다.
제1도는 종래의 반도체 제조 장치의 반응로의 구조를 나타낸 단면도.
제2도는 종래의 반도체 제조 장치의 반응로의 내측 반응관을 나타낸 도면으로, 제2a도는 평면도, 제2b도는 저면도, 제2c도는 측단면도.
제3도는 본 고안의 반도체 제조 장치의 반응로의 구조를 나타낸 단면도.
제4도는 본 고안의 반도체 제조 장치의 반응로의 내측 반응관을 나타낸 도면으로, 제4a도는 평면도, 제4b도는 저면도, 제4c도는 A-A' 단면도, 제4d도는 B-B' 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
110 : 외측 반응관 120 : 웨이퍼
130, 200 : 내측 반응관 140 : 히터
150 : 보트 160 : 개스 주입구
170 : 개스 배기구
이와 같은 목적의 본 고안은 내측 반응관이 상부가 연결된 이중 격벽으로 이루어져서 상기 이중 격벽의 내측 격벽 및 상기 내측 격벽 상부의 연결부에 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 공급 개스가 상기 이중 격벽 사이로 공급되어 상기 공급 개스가 상기 다수개의 홀을 통해 상기 내측 반응관 내부에 공급되도록 이루어진다.
이와 같이 이루어진 본 고안의 일실시예를 제3도 및 제4도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안의 반도체 제조 장치의 반응로의 구조를 나타낸 단면도이다.
제3도에 나타낸 바와 같이, 반응로의 외측에는 상부가 막혀 있는 원통형의 외측 반응관(11O)이 구비되어 있으며, 이와 같은 외측 반응관(11O)의 일측면에는 개스 주입구(160)가 형성되어 있고, 외측 반응관(110)의 타측면에는 반응이 이루어진 개스가 배출되는 개스 배기구(170)가 형성되어 있다.
이와 같은 외측 반웅관(110)의 내측에는 외측 반응관(110)보다 지름이 다소 작은 원통형의 내측 반응관(130)이 구비되어 있으며, 이와 같은 내측 반응관(130)의 상부와 외측 반응관(110)의 상부 사이에는 개스의 흐름이 이루어지도록 공간이 형성되어 있다.
또 외측 반응관(110)의 외측에는 히팅 코일(140)이 설치되어 있어 반응로에 열을 제공함으로써 반응로 내부에 공급된 개스의 반응 작용을 촉진시키도록 이루어진다.
내측 반응관(130)의 하부와 외측 반응관(110) 사이는 밀폐되어 있어 반응 개스가 개스 배기구(170)를 통해 배출되도록 이루어져 있다.
또 내측 반응관(130)의 벽면의 일부분에 격벽(200)이 설치되며, 격벽(200)에는 다수 개의 홀(210)이 형성되어 있다.
격벽(200)과 내측 반응관(130)은 상부에서 상호 연결되어 있으며, 이와 같은 연결부에도 역시 다수개의 홀(2l0')이 형성되어 있다.
격벽(200)과 내측 반응관(130)의 하부는 개방되어 있어, 이 부분으로 상술한 개스주입구(160)의 연장부를 통한 개스의 공급이 이루어진다.
내측 반응관(130)의 중앙에는 웨이퍼(120)를 적재하여 이동시킬 수 있도록 보트(150)가 설치되어 있으며, 이와 같은 보트(150)에는 다수개의 웨이퍼(120)가 반응로의 바닥면과 평행하게 적재된다.
이때 웨이퍼(120)의 일부분이 직선으로 절단되어 형성된 플랫 존(flat zone)이 상술한 격벽(200)쪽으로 향하도록 적재한다.
제4도는 본 고안의 반도체 제조 장치의 반응로의 내측 반응관을 나타낸 도면으로, 제4a도는 평면도, 제4b도는 저면도, 제4c도는 A-A' 단면도, 제4d도는 B-B' 단면도이다.
제4도에 나타낸 바와 같이, 내측 반응관(130)의 안쪽의 일부분에 격벽(200)이 설치되어 상부가 상호 연결되어 있으며 격벽(200) 및 연결부에는 다수개의 홀(210), (210')이 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용을 설명하면 다음과 같다.
즉, 내측 반응관(130)과 격벽(200) 사이의 공간에 개스가 공급되면 히팅 코일(140)에서 제공된 열이 내측 반응관(130)과 격벽(200)을 통해 전달되어 공급된 개스의 분해 작용이 촉진된다.
분해 작용이 일어난 공급 개스는 격벽(200)에 형성되어 있는 다수 개의 홀(210), (210')을 통해 내측 반응관(130)의 내부로 전달되어 적재되어 있는 웨이퍼(120)의 표면과 반응하게 되는 것이다.
이때 격벽(200)에 형성된 다수 개의 홀(210) 및 격벽(200)과 내측 반응관(130)의 연결부에 형성된 다수개의 홀(210')을 통해 공급되는 개수의 양은 격벽(200) 전체에 걸쳐 균일하게 이루어진다.
따라서 본 고안은 반응로의 내측 반응관에 다수 개의 홀이 형성된 이중 격벽을 형성하여 격벽에 형성된 다수개의 홀을 통해 튜브 내부의 각 부분에 반응 개스의 균일한 공급이 이루어지도록 함으로써 웨이퍼의 균일도를 향상시키도록 하는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 내측 반응관과 외측 반응관으로 구성되어 상기 외측 반응관에 형성된 주입구를 통해 개스의 공급이 이루어져서 상기 내측 반응관 내에 적재되어 있는 웨이퍼의 표면과 상기 공급 개스가 반응한 다음 외측 반응관에 형성된 배기구를 통해 반응 개스의 배기가 이루어지는 반도체 제조 장치의 반응로에 있어서, 상기 내측 반응관이 상부가 연결된 이중 격벽으로 이루어져서 상기 이중 격벽의 내측 격벽 및 상기 내측 격벽 상부의 연결부에 다수 개의 홀이 형성되고, 상기 공급개스가 상기 이중 격벽 사이로 공급되어 상기 공급 개스가 상기 다수개의 홀을 통해 상기 내측 반응관 내부에 공급되도록 이루어지는 것이 특징인 반도체 제조 장치의 반응로.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 격벽이 상기 내측 반응관 안에 적재되는 웨이퍼의 플랫 존과 대향하도록 상기 내측 반응관 내측의 일부분에만 설치되는 것이 특징인 반도체 제조 장치의 반응로.
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