JP2001049439A - 真空処理装置および真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置および真空処理方法Info
- Publication number
- JP2001049439A JP2001049439A JP11229530A JP22953099A JP2001049439A JP 2001049439 A JP2001049439 A JP 2001049439A JP 11229530 A JP11229530 A JP 11229530A JP 22953099 A JP22953099 A JP 22953099A JP 2001049439 A JP2001049439 A JP 2001049439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- gas supply
- substrate
- vacuum
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波電力が印加されるプラズマ発生機構と
反応ガスを供給する反応ガス供給手段とが真空容器の上
部に設けられ、真空容器内における前記反応ガス供給手
段のガス供給口の下方に被処理基板が設置される、ダウ
ンフロー方式の真空処理装置において、被処理基板のチ
ャージアップダメージを低減する。 【解決手段】 プラズマ発生真空容器４の内部に、ガス
供給口１３より供給される反応ガスを拡散させる柱状多
孔質セラミック１７を配設する。これにより、反応ガス
をプラズマ発生真空容器４内で拡散させることができる
ので、この反応ガスの流下によって運ばれるプラズマ中
のラジカル・イオンの被処理基板１への照射を緩和でき
る。
反応ガスを供給する反応ガス供給手段とが真空容器の上
部に設けられ、真空容器内における前記反応ガス供給手
段のガス供給口の下方に被処理基板が設置される、ダウ
ンフロー方式の真空処理装置において、被処理基板のチ
ャージアップダメージを低減する。 【解決手段】 プラズマ発生真空容器４の内部に、ガス
供給口１３より供給される反応ガスを拡散させる柱状多
孔質セラミック１７を配設する。これにより、反応ガス
をプラズマ発生真空容器４内で拡散させることができる
ので、この反応ガスの流下によって運ばれるプラズマ中
のラジカル・イオンの被処理基板１への照射を緩和でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示基板等の被処理基板にアッシングなどのプロセス
処理を行う真空処理装置および真空処理方法に関するも
のである。
晶表示基板等の被処理基板にアッシングなどのプロセス
処理を行う真空処理装置および真空処理方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空処理装置は、図７に示すよう
にプラズマ発生真空容器３１と被処理基板３２が設置さ
れるプロセス処理真空容器３３とを有していて、真空ポ
ンプ３４により真空排気が行われつつ、ガス供給口３５
を通じて反応ガスが導入されることにより、両容器３
１，３３内部に反応ガスが適当な圧力にて保持される。
そしてこの状態において、高周波電源３６より高周波電
力が供給されることによってプラズマ発生真空容器３１
内にプラズマ３７が励起され、このプラズマ発生真空容
器３１よりプロセス処理真空容器３３内に流入するプラ
ズマ３７によって、被処理基板３２の表面がプロセス処
理される。
にプラズマ発生真空容器３１と被処理基板３２が設置さ
れるプロセス処理真空容器３３とを有していて、真空ポ
ンプ３４により真空排気が行われつつ、ガス供給口３５
を通じて反応ガスが導入されることにより、両容器３
１，３３内部に反応ガスが適当な圧力にて保持される。
そしてこの状態において、高周波電源３６より高周波電
力が供給されることによってプラズマ発生真空容器３１
内にプラズマ３７が励起され、このプラズマ発生真空容
器３１よりプロセス処理真空容器３３内に流入するプラ
ズマ３７によって、被処理基板３２の表面がプロセス処
理される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図示し
たようにガス導入口３５などのプラズマ発生部が被処理
基板３２の上方に位置しているダウンフロー方式の装置
構成では、プラズマ中のラジカル・イオンがガス流れで
運搬されて被処理基板３２に直接に照射されるため、被
処理基板３２の中央部にチャージアップダメージが発生
し易いという問題点があった。
たようにガス導入口３５などのプラズマ発生部が被処理
基板３２の上方に位置しているダウンフロー方式の装置
構成では、プラズマ中のラジカル・イオンがガス流れで
運搬されて被処理基板３２に直接に照射されるため、被
処理基板３２の中央部にチャージアップダメージが発生
し易いという問題点があった。
【０００４】本発明は上記従来の問題点に鑑み、ダウン
フロー方式の真空処理装置において、被処理基板のチャ
ージアップダメージを低減できるようにすることを目的
とするものである。
フロー方式の真空処理装置において、被処理基板のチャ
ージアップダメージを低減できるようにすることを目的
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載の真空処理装置は、高周波電
力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する
反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器
内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に
被プロセス処理基板が設置される真空処理装置におい
て、真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される
反応ガスを拡散させる反応ガス拡散手段を配設したこと
を特徴とする。
に、本発明の請求項１記載の真空処理装置は、高周波電
力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する
反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器
内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に
被プロセス処理基板が設置される真空処理装置におい
て、真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される
反応ガスを拡散させる反応ガス拡散手段を配設したこと
を特徴とする。
【０００６】この構成によれば、ガス供給口より供給さ
れた反応ガスは反応ガス拡散手段により拡散して被処理
基板側へ流下するので、この反応ガスによって運ばれる
プラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射を
緩和することができ、被処理基板のチャージアップダメ
ージを低減できる。本発明の請求項２記載の真空処理装
置は、請求項１記載の構成において、反応ガス拡散手段
が、ガス供給口を覆う多孔体であることを特徴とする。
れた反応ガスは反応ガス拡散手段により拡散して被処理
基板側へ流下するので、この反応ガスによって運ばれる
プラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射を
緩和することができ、被処理基板のチャージアップダメ
ージを低減できる。本発明の請求項２記載の真空処理装
置は、請求項１記載の構成において、反応ガス拡散手段
が、ガス供給口を覆う多孔体であることを特徴とする。
【０００７】この構成によれば、反応性ガスは多孔体の
各孔部より種々の方向に分割流出することで、拡散す
る。本発明の請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
記載の構成において、反応ガス拡散手段が、ガス供給口
を覆う一側端部と側面とに開口を形成したケースに多孔
質材料を充填してなる連通孔性柱状体であることを特徴
とする。
各孔部より種々の方向に分割流出することで、拡散す
る。本発明の請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
記載の構成において、反応ガス拡散手段が、ガス供給口
を覆う一側端部と側面とに開口を形成したケースに多孔
質材料を充填してなる連通孔性柱状体であることを特徴
とする。
【０００８】この構成によれば、反応性ガスはケース内
で多孔質材料を通る際に種々の方向に分散し、側面開口
を通じて側方に流出することで、拡散する。本発明の請
求項４記載の真空処理装置は、請求項１記載の構成にお
いて、反応ガス拡散手段が、ガス供給口を覆う一側端部
と側面とに開口を形成した中空円錘体であることを特徴
とする。
で多孔質材料を通る際に種々の方向に分散し、側面開口
を通じて側方に流出することで、拡散する。本発明の請
求項４記載の真空処理装置は、請求項１記載の構成にお
いて、反応ガス拡散手段が、ガス供給口を覆う一側端部
と側面とに開口を形成した中空円錘体であることを特徴
とする。
【０００９】この構成によれば、反応性ガスは側面開口
を通じて側方に流出することで、拡散する。本発明の請
求項５記載の真空処理装置は、請求項１記載の構成にお
いて、反応ガス拡散手段が、ガス供給口の下方に容器内
流路を覆って設けられる多孔板であることを特徴とす
る。
を通じて側方に流出することで、拡散する。本発明の請
求項５記載の真空処理装置は、請求項１記載の構成にお
いて、反応ガス拡散手段が、ガス供給口の下方に容器内
流路を覆って設けられる多孔板であることを特徴とす
る。
【００１０】この構成によれば、ガス供給口より流出し
た反応性ガスはある程度拡散してからさらに多孔板の各
孔部より分割流出することで、拡散する。本発明の請求
項６記載の真空処理方法は、真空容器の上部において反
応ガスを拡散させつつ、高周波電力を供給してプラズマ
を発生させ、被処理基板をプロセス処理することを特徴
とする。
た反応性ガスはある程度拡散してからさらに多孔板の各
孔部より分割流出することで、拡散する。本発明の請求
項６記載の真空処理方法は、真空容器の上部において反
応ガスを拡散させつつ、高周波電力を供給してプラズマ
を発生させ、被処理基板をプロセス処理することを特徴
とする。
【００１１】この構成によれば、拡散した反応ガスが被
処理基板側へ流れるので、この反応ガスによって運ばれ
るプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射
が緩和され、被処理基板のチャージアップダメージは生
じにくい。
処理基板側へ流れるので、この反応ガスによって運ばれ
るプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射
が緩和され、被処理基板のチャージアップダメージは生
じにくい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１に示すように、本発明の第１
実施形態における真空処理装置は、図７を用いて説明し
た従来のものとほぼ同様の構成を有しており、被処理基
板１を収容してプロセス処理を行うプロセス処理真空容
器２と、このプロセス処理真空容器２の上部に連通開口
３において連通し、プラズマを発生させてプロセス処理
真空容器２に供給するプラズマ発生真空容器４とを備え
ている。
に基づいて説明する。図１に示すように、本発明の第１
実施形態における真空処理装置は、図７を用いて説明し
た従来のものとほぼ同様の構成を有しており、被処理基
板１を収容してプロセス処理を行うプロセス処理真空容
器２と、このプロセス処理真空容器２の上部に連通開口
３において連通し、プラズマを発生させてプロセス処理
真空容器２に供給するプラズマ発生真空容器４とを備え
ている。
【００１３】プロセス処理真空容器２には、真空ポンプ
５に接続する排気部６が側方に形成されるとともに、被
処理基板１を保持するサセプタ７が連通開口３の下方に
設置されアースされている。８は、水平方向に移動して
被処理基板１を搬送する搬送アーム９のためのゲートで
あり、１０は、昇降機構１１により上下方向に移動して
搬送アーム９とサセプタ７との間で被処理基板１を受け
渡しする昇降ピンである。
５に接続する排気部６が側方に形成されるとともに、被
処理基板１を保持するサセプタ７が連通開口３の下方に
設置されアースされている。８は、水平方向に移動して
被処理基板１を搬送する搬送アーム９のためのゲートで
あり、１０は、昇降機構１１により上下方向に移動して
搬送アーム９とサセプタ７との間で被処理基板１を受け
渡しする昇降ピンである。
【００１４】プラズマ発生真空容器４は上下方向の筒状
をなしており、この容器上部のガス導入口１２にガス供
給口１３が対向するように反応ガス供給手段１４が設け
られてフランジ１２ａ，１３ａにおいて結合され、容器
内外のプラズマ発生機構１５に高周波電力を供給する電
源装置１６が容器外部に設けられている。ここで、この
実施形態における真空処理装置が従来のものと異なるの
は、プラズマ発生真空容器４のガス導入口１２に、反応
ガス拡散手段としての柱状多孔質セラミック１７の一端
が挿入されていて、反応ガス供給手段１４のガス供給口
１３を覆っている点である。
をなしており、この容器上部のガス導入口１２にガス供
給口１３が対向するように反応ガス供給手段１４が設け
られてフランジ１２ａ，１３ａにおいて結合され、容器
内外のプラズマ発生機構１５に高周波電力を供給する電
源装置１６が容器外部に設けられている。ここで、この
実施形態における真空処理装置が従来のものと異なるの
は、プラズマ発生真空容器４のガス導入口１２に、反応
ガス拡散手段としての柱状多孔質セラミック１７の一端
が挿入されていて、反応ガス供給手段１４のガス供給口
１３を覆っている点である。
【００１５】上記構成における作用を説明する。処理に
先立って、水平方向に移動する搬送アーム９により被処
理基板３がゲート８を通じてプロセス処理真空容器２内
に運ばれ、搬送アーム９上の被処理基板３が昇降機構１
１による昇降ピン１０の昇降動作によってサセプタ７に
設置される。
先立って、水平方向に移動する搬送アーム９により被処
理基板３がゲート８を通じてプロセス処理真空容器２内
に運ばれ、搬送アーム９上の被処理基板３が昇降機構１
１による昇降ピン１０の昇降動作によってサセプタ７に
設置される。
【００１６】そして、搬送アーム９、昇降ピン１０が待
機位置に戻り、ゲート８が閉じられた後に、真空ポンプ
５により真空排気されるとともに、反応ガス供給手段１
４によりガス供給口１３，ガス導入口１２を通じて反応
ガスが供給され、両容器２，４内部に反応ガスが適当な
圧力にて保持される。そしてこの状態において、電源装
置１６よりプラズマ発生機構１５に高周波電力が印可さ
れてプラズマ発生真空容器４内にプラズマが励起され、
プラズマ中に存在するラジカル・イオンが反応ガスの流
れにより連通開口３を通じてプロセス処理真空容器２内
へ運ばれ、被処理基板１の表面に照射されて、被処理基
板１がエッチングされる。
機位置に戻り、ゲート８が閉じられた後に、真空ポンプ
５により真空排気されるとともに、反応ガス供給手段１
４によりガス供給口１３，ガス導入口１２を通じて反応
ガスが供給され、両容器２，４内部に反応ガスが適当な
圧力にて保持される。そしてこの状態において、電源装
置１６よりプラズマ発生機構１５に高周波電力が印可さ
れてプラズマ発生真空容器４内にプラズマが励起され、
プラズマ中に存在するラジカル・イオンが反応ガスの流
れにより連通開口３を通じてプロセス処理真空容器２内
へ運ばれ、被処理基板１の表面に照射されて、被処理基
板１がエッチングされる。
【００１７】その際に、ガス供給口１３が多孔質セラミ
ック１７で覆われているため、反応ガスは多孔質セラミ
ック１７の各孔部より種々の方向を向いて分割流出する
ことになり、プラズマ発生真空容器４内で拡散する。そ
してその後に、連通開口３を通じてプロセス処理真空容
器２内へ流入するため、この反応ガスによって運ばれる
プラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板１への照射
は緩和され、被処理基板１は全面にわたってほぼ均等に
ラジカル・イオンと接触することになり、被処理基板１
のチャージアップダメージはほとんど生じない。
ック１７で覆われているため、反応ガスは多孔質セラミ
ック１７の各孔部より種々の方向を向いて分割流出する
ことになり、プラズマ発生真空容器４内で拡散する。そ
してその後に、連通開口３を通じてプロセス処理真空容
器２内へ流入するため、この反応ガスによって運ばれる
プラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板１への照射
は緩和され、被処理基板１は全面にわたってほぼ均等に
ラジカル・イオンと接触することになり、被処理基板１
のチャージアップダメージはほとんど生じない。
【００１８】本発明の第２実施形態における真空処理装
置は、上記第１実施形態のものとほぼ同様の構成を有し
ているが、図２、図３に示すように、ガス供給口１３を
覆う反応ガス拡散手段として、連通孔性柱状体１８がガ
ス導入口１２内に遊嵌され、フランジ１８ａにおいてフ
ランジ結合されている点が異なっている。連通孔性柱状
体１８は、一端が閉じた円筒状の石英ケース１９の側面
に、複数個の開口２０をケース周方向および軸心方向に
沿って間隔をおいて形成し、短寸の石英細管２１をケー
ス軸心に沿う方向に緻密に充填したものである。
置は、上記第１実施形態のものとほぼ同様の構成を有し
ているが、図２、図３に示すように、ガス供給口１３を
覆う反応ガス拡散手段として、連通孔性柱状体１８がガ
ス導入口１２内に遊嵌され、フランジ１８ａにおいてフ
ランジ結合されている点が異なっている。連通孔性柱状
体１８は、一端が閉じた円筒状の石英ケース１９の側面
に、複数個の開口２０をケース周方向および軸心方向に
沿って間隔をおいて形成し、短寸の石英細管２１をケー
ス軸心に沿う方向に緻密に充填したものである。
【００１９】この構成によれば、反応性ガスは石英ケー
ス１９の内部で石英細管２１の内外を通る際に分割さ
れ、開口２０を通じて側方に流出することで拡散する。
よって、第１実施形態記載のものと同様の効果が得られ
る。本発明の第３実施形態における真空処理装置は、上
記第２実施形態のものとほぼ同様の構成を有している
が、反応ガス供給手段のガス供給口５を覆う反応ガス拡
散手段１３として、図４に示すような連通孔性柱状体２
２が設けられている。この連通孔性柱状体２２では、側
面に開口２３が形成された石英ケース２４の内部に、柱
状の多孔質セラミック（粒状でもよい）２５が充填され
ている。
ス１９の内部で石英細管２１の内外を通る際に分割さ
れ、開口２０を通じて側方に流出することで拡散する。
よって、第１実施形態記載のものと同様の効果が得られ
る。本発明の第３実施形態における真空処理装置は、上
記第２実施形態のものとほぼ同様の構成を有している
が、反応ガス供給手段のガス供給口５を覆う反応ガス拡
散手段１３として、図４に示すような連通孔性柱状体２
２が設けられている。この連通孔性柱状体２２では、側
面に開口２３が形成された石英ケース２４の内部に、柱
状の多孔質セラミック（粒状でもよい）２５が充填され
ている。
【００２０】この構成によれば、反応性ガスは石英ケー
ス２４の内部で多孔質セラミック２５の各孔部より分割
流出し、開口２３を通じて側方に流出することで拡散す
る。よって、第２実施形態記載のものと同様の効果が得
られる。本発明の第４実施形態における真空処理装置
は、上記第１実施形態のものとほぼ同様の構成を有して
いるが、反応ガス拡散手段として、図５に示すような、
ガス供給口５を覆う底部が開口し、側面に複数の開口２
６を形成した石英製の中空円錘体２７が設けられている
点が異なっている。
ス２４の内部で多孔質セラミック２５の各孔部より分割
流出し、開口２３を通じて側方に流出することで拡散す
る。よって、第２実施形態記載のものと同様の効果が得
られる。本発明の第４実施形態における真空処理装置
は、上記第１実施形態のものとほぼ同様の構成を有して
いるが、反応ガス拡散手段として、図５に示すような、
ガス供給口５を覆う底部が開口し、側面に複数の開口２
６を形成した石英製の中空円錘体２７が設けられている
点が異なっている。
【００２１】この構成によれば、反応性ガスは開口２６
を通じて側方に流出することで拡散する。よって、第１
実施形態記載のものと同様の効果が得られる。本発明の
第５実施形態における真空処理装置は、上記第１実施形
態のものとほぼ同様の構成を有しているが、反応ガス拡
散手段として、図６に示すように、ガス供給口５の下方
に容器内流路を覆う石英製の多孔板２８が設けられてい
る点が異なっている。
を通じて側方に流出することで拡散する。よって、第１
実施形態記載のものと同様の効果が得られる。本発明の
第５実施形態における真空処理装置は、上記第１実施形
態のものとほぼ同様の構成を有しているが、反応ガス拡
散手段として、図６に示すように、ガス供給口５の下方
に容器内流路を覆う石英製の多孔板２８が設けられてい
る点が異なっている。
【００２２】この構成によれば、ガス供給口５より流出
した反応性ガスはある程度拡散してから、さらに多孔板
２８の各孔部２９より分割流出することで拡散する。よ
って、第１実施形態記載のものと同様の効果が得られ
る。なお、上記においてはプラズマ発生真空容器とプロ
セス処理真空容器とを備えた真空処理装置について説明
したが、ダウンフロー方式の真空処理装置であれば、同
様にしてガス拡散手段を配設することで、プラズマ中の
ラジカル・イオンの被処理基板への照射を緩和すること
ができる。
した反応性ガスはある程度拡散してから、さらに多孔板
２８の各孔部２９より分割流出することで拡散する。よ
って、第１実施形態記載のものと同様の効果が得られ
る。なお、上記においてはプラズマ発生真空容器とプロ
セス処理真空容器とを備えた真空処理装置について説明
したが、ダウンフロー方式の真空処理装置であれば、同
様にしてガス拡散手段を配設することで、プラズマ中の
ラジカル・イオンの被処理基板への照射を緩和すること
ができる。
【００２３】また、石英や多孔質セラミックとしたもの
を、上記処理において損傷しない同等の材料に代えても
よい。
を、上記処理において損傷しない同等の材料に代えても
よい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ダウンフ
ロー方式の真空処理装置の真空容器の内部に、ガス供給
口より供給される反応ガスを拡散させる反応ガス拡散手
段を配設することにより、反応ガスを拡散させて被プロ
セス処理基板側へ導入するようにしたので、ガス流れに
依存するプラズマ中のラジカル・イオンの基板への照射
を緩和することができ、基板のチャージアップダメージ
を低減できる。
ロー方式の真空処理装置の真空容器の内部に、ガス供給
口より供給される反応ガスを拡散させる反応ガス拡散手
段を配設することにより、反応ガスを拡散させて被プロ
セス処理基板側へ導入するようにしたので、ガス流れに
依存するプラズマ中のラジカル・イオンの基板への照射
を緩和することができ、基板のチャージアップダメージ
を低減できる。
【図１】本発明の第１実施形態におけるダウンフロー方
式の真空処理装置であって、ガス供給口を覆う柱状多孔
質セラミックを設けた装置の概略全体構成を示す説明図
式の真空処理装置であって、ガス供給口を覆う柱状多孔
質セラミックを設けた装置の概略全体構成を示す説明図
【図２】本発明の第２実施形態におけるダウンフロー方
式の真空処理装置であって、ガス供給口を覆う連通孔性
柱状体を設けた装置の一部を示す構成図
式の真空処理装置であって、ガス供給口を覆う連通孔性
柱状体を設けた装置の一部を示す構成図
【図３】図２に示した連通孔性柱状体の縦断面および横
断面を示す構成図
断面を示す構成図
【図４】本発明の第３実施形態におけるダウンフロー方
式の真空処理装置に設けられる連通孔性柱状体の縦断面
および横断面を示す構成図
式の真空処理装置に設けられる連通孔性柱状体の縦断面
および横断面を示す構成図
【図５】本発明の第４実施形態におけるダウンフロー方
式の真空処理装置に設けられる中空円錘体の縦断面を示
す構成図
式の真空処理装置に設けられる中空円錘体の縦断面を示
す構成図
【図６】本発明の第５実施形態におけるダウンフロー方
式の真空処理装置であって、ガス供給口の下方に多孔板
を設けた装置の一部を示す構成図
式の真空処理装置であって、ガス供給口の下方に多孔板
を設けた装置の一部を示す構成図
【図７】従来のダウンフロー方式の真空処理装置の概略
全体構成を示す説明図
全体構成を示す説明図
１ 被処理基板 ２ プロセス処理真空容器 ３ 連通開口 ４ プラズマ発生真空容器 13 ガス供給口 14 反応ガス供給手段 17 柱状多孔質セラミック Ｐ プラズマ 18 連通孔性柱状体 19 石英ケース 20 開口 21 石英細管 22 連通孔性柱状体 23 開口 24 石英ケース 25 多孔質セラミック 26 開口 27 中空円錘体 28 多孔板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 重之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 EA04 EA05 FA01 KA30 LA11 5F004 AA06 BA20 BB13 BB28 BC03 BD01 CA02 CA03
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波電力が供給されるプラズマ発生機
構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器
の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手
段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板が設置され
る真空処理装置において、 真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応
ガスを拡散させる反応ガス拡散手段を配設したことを特
徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 反応ガス拡散手段が、ガス供給口を覆う
多孔体であることを特徴とする請求項１記載の真空処理
装置。 - 【請求項３】 反応ガス拡散手段が、ガス供給口を覆う
一側端部と側面とに開口を形成したケースに多孔質材料
を充填してなる連通孔性柱状体であることを特徴とする
請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項４】 反応ガス拡散手段が、ガス供給口を覆う
一側端部と側面とに開口を形成した中空円錘体であるこ
とを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項５】 反応ガス拡散手段が、ガス供給口の下方
に容器内流路を覆って設けられる多孔板であることを特
徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項６】 真空容器の上部において反応ガスを拡散
させつつ、高周波電力を供給してプラズマを発生させ、
被処理基板をプロセス処理することを特徴とする真空処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22953099A JP4090156B2 (ja) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22953099A JP4090156B2 (ja) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | 真空処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001049439A true JP2001049439A (ja) | 2001-02-20 |
| JP2001049439A5 JP2001049439A5 (ja) | 2005-07-21 |
| JP4090156B2 JP4090156B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=16893622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22953099A Expired - Fee Related JP4090156B2 (ja) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4090156B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072453A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および積層体の製造方法 |
| CN114430621A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-05-03 | 珠海安普特科技有限公司 | Pcb等离子体处理设备及其控制方法 |
-
1999
- 1999-08-16 JP JP22953099A patent/JP4090156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072453A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および積層体の製造方法 |
| CN114430621A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-05-03 | 珠海安普特科技有限公司 | Pcb等离子体处理设备及其控制方法 |
| CN114430621B (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-27 | 珠海安普特科技有限公司 | Pcb等离子体处理设备及其控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4090156B2 (ja) | 2008-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101495288B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| KR100275831B1 (ko) | 진공처리시스템 및 그의 진공처리시스템에 있어서의 진공용기 내면 퇴적막의 제거방법 | |
| JPH05251391A (ja) | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 | |
| JP2000507746A (ja) | プロセスガスの均一な分配のためのシャワーヘッド | |
| CN101322224A (zh) | 处理装置 | |
| US20130323916A1 (en) | Plasma doping method and apparatus | |
| JPH10330944A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000260747A (ja) | 平面アンテナ部材、これを用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| KR20180014656A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR20200063055A (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
| JPH0423429A (ja) | 半導体装置のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2001049439A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
| TW202044405A (zh) | 清潔處理方法及電漿處理裝置 | |
| JPH05125545A (ja) | プラズマ装置 | |
| CN115458388A (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
| KR101195859B1 (ko) | 펄스 직류 전원을 이용한 플라즈마 처리장치 | |
| JPH06177081A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20190033667A (ko) | 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
| US20080087220A1 (en) | Plasma Processing Apparatus and Multi-Chamber System | |
| KR20210054325A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR100725614B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH06120169A (ja) | プラズマ生成装置 | |
| WO2006118215A1 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH11144891A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2000077337A (ja) | ガス処理装置およびガス処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041202 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080226 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |