JP2017199898A - バッフルプレートおよびシャワーヘッドアセンブリならびに対応する製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小径のバッフルプレートの取付方法を提供する。
【解決手段】バッフルプレートアセンブリは、バッフルプレート２５０、リング２５６、および支持部材２５４を備える。バッフルプレート２５０は、外径を有し、基板処理システムのシャワーヘッドアセンブリのシャワーヘッドを通じてガスを分配するように構成される。ガスは、シャワーヘッドアセンブリのステム２５２から受け取られる。リング２５６は、内径を有し、シャワーヘッドアセンブリのリング溝２５８に配置されるように構成される。その内径は、バッフルプレート２５０の外径より大きい。支持部材２５４は、バッフルプレート２５０からリング２５６に延びる。リング２５６および支持部材２５４は、シャワーヘッドの天板と底板との間の位置にバッフルプレート２５０を保持する。
【選択図】図５

Description

本開示の実施形態は、基板処理システムに関し、特に、基板処理システムのプラズマチャンバにおけるシャワーヘッドアセンブリのバッフルプレートに関する。

本明細書で提供される背景技術の説明は、本開示の内容を一般に提示する目的である。現在名前が公表されている発明者の発明は、この背景技術の段落で説明される範囲で、また出願時における他の先行技術に該当しない説明の側面で説明される範囲で、本開示に対する先行技術として明示的にも黙示的にも認められない。

基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板のエッチング、堆積、および／または他の処理を実施するのに用いられてよい。例示的な処理には、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、ならびに／または他のエッチング、堆積、および洗浄処理が含まれるが、これらに限定されない。基板は、基板処理システムの処理チャンバ内で、台座、静電チャック（ＥＳＣ）などの基板支持体上に配置されてよい。１つ以上の前駆体を含む異なるガス混合物が処理チャンバ内に導入され、化学反応を起こすのにプラズマが用いられてよい。

処理チャンバは、通常、ガス混合物を供給するのに用いられ、ガス混合物に対する電力導体として用いられうるシャワーヘッドアセンブリを備えうる。シャワーヘッドアセンブリは、ガスおよび前駆体が供給される内部流路を有するステムを備えうる。ガスおよび前駆体は、ステムの第１の端部で受け取られ、ステムの第２の端部でシャワーヘッドに提供される。シャワーヘッドは、シャワーヘッド内でガスと前駆体とを制限し、分配し、および／または混ぜ合わせるのに用いられるバッフルプレートを備えうる。シャワーヘッドに印加される電力は、シャワーヘッドと基板支持体との間にプラズマを生成するのに、または電力を必要とする基板処理システムの他の態様に用いられうる。

図１は、シャワーヘッドアセンブリの部分１６の従来のバッフルプレート１０、対応するステム１２、および天板１４を示す。部分１６は、部分１６が逆さになるように１８０°回転して示されている。シャワーヘッドアセンブリは、天板１４および底板（ガスレンズまたは面板と呼ばれる）を有するシャワーヘッドを備える。底板は、図示されておらず、天板１４の下方に、天板１４と平行に延びる。ステム１２は、筒状で、ガスおよび前駆体をシャワーヘッドプレナム（または、天板と底板との間の空間）に送るための内部流路２２を備える。バッフルプレート１０は、円盤状で、孔２４を備えるように穿孔されうる。バッフルプレート１０は、ステム１２の端部３４と底板との間の吊下げ位置に支持棒部材２６によって保持される。支持棒部材２６は、ステム１２および／または底板からステム１２の長手方向中心線（または、軸）２８に平行の方向に延び、バッフルプレート１０に溶接される。天板１４付近のステム１２の端部３４は、内部ステム溶接部３０を提供するために天板１４に溶接される。内部ステム溶接部３０は、円形で、天板１４の内周面３２およびステム１２の端部３４に沿って延び、それらに取り付けられる。支持棒部材２６の溶接に続いて、溶接仕上げおよび表面洗浄がバッフルプレート１０に実施される。

ＡＬＤシャワーヘッドを通るガスの容量および流量が低いため、ＡＬＤシャワーヘッドのバッフルプレート（例えば、バッフルプレート１０）は、小径（例えば、１．０インチ（２．５４センチ）未満）を有する傾向がある。これにより、支持棒部材の直径は、例えば０．０５インチ（０．１２７センチ）となる。支持棒部材が小径のため、バッフルプレートを支持棒部材に溶接することが困難な可能性がある。また、バッフルプレートが小さいため、バッフルプレートの支持棒部材への溶接および溶接部の洗浄がバッフルプレートを傷つける可能性がある。溶接は、バッフルプレートを歪ませる、および／または、バッフルプレートの孔付近にクラックを引き起こす可能性がある。また、バッフルプレートの表面は、洗浄時の溶接部の研磨時に不注意に破損する可能性があり、それがバッフルプレートの表面に悪影響を及ぼす可能性がある。これは、洗浄時におけるツールのずれ移動、無制御なおよび／または不正確に制御された動きによる可能性がある。研磨は、バッフルプレートの形状劣化、粗面を有するバッフルプレート、および／または除去される必要がある粒子の発生を引き起こす可能性がある。加えて、バッフルプレートの支持棒部材への溶接は、通常、バッフルプレートの使用時のフッ素侵食および劣化に影響されやすい可能性のある充填材の導入を含む。

提供されるバッフルプレートアセンブリは、バッフルプレート、リング、および支持部材を備える。バッフルプレートは、外径を有し、基板処理システムのシャワーヘッドアセンブリのシャワーヘッドを通じてガスを分配するように構成される。ガスは、シャワーヘッドアセンブリのステムから受け取られる。リングは、内径を有し、シャワーヘッドアセンブリのリング溝に配置されるように構成される。その内径は、バッフルプレートの外径より大きい。支持部材は、バッフルプレートからリングに延びる。リングおよび支持部材は、バッフルプレートをシャワーヘッドの天板と底板との間の位置に保持する。

他の特徴では、提供される方法には、基板処理システムのシャワーヘッドアセンブリのシャワーヘッド用の天板を形成することと、シャワーヘッドアセンブリのステムを形成することと、バッフルプレート、リング、およびバッフルプレートからリングに延びる支持部材を含むバッフルプレートアセンブリを形成することと、天板をステム上にスライドさせることと、リングをシャワーヘッドアセンブリのリング溝に設置して、バッフルプレートを（ｉ）シャワーヘッドのステムまたは天板と（ｉｉ）シャワーヘッドの底板との間に吊るすことと、リングをリング溝に係止することが含まれる。

本開示のさらなる適用領域は、発明を実施するための形態、特許請求の範囲、および図面から明らかになるだろう。発明を実施するための形態および特定の例は、実例のみの目的を意図しており、本開示の範囲を制限する意図はない。

本開示は、発明を実施するための形態および添付の図面からより十分に理解されるだろう。

先行技術に従ってシャワーヘッドアセンブリのバッフルプレートならびに対応するステムおよび天板を示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従ってバッフルプレートを組み込んだ基板処理システムの例を示す機能ブロック図。

本開示の実施形態に従ってバッフルプレートを含むシャワーヘッドアセンブリの例を示す断面側面図。

図３のシャワーヘッドアセンブリを示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従ってバッフルプレートおよびステムの一部の例を示す斜視図。

図４のバッフルプレート、ステム、および対応する天板の例を示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従って別のバッフルプレート、ステム、および天板の例を示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従って溶接部を表す別のバッフルプレート、ステム、および天板の例を示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従ってカシメタブ係止の実施形態の例を示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従って例示的なバッフルプレート、ステム、および隣接するバッフルプレートのリングを有する天板を示す側半断面図。

本開示の実施形態に従ってシャワーヘッドアセンブリのバッフルプレートアセンブリ、ステム、および天板の例示的な製造および組み立て方法を表す図。

本開示の実施形態に従ってステムおよび天板の例を示す断面斜視図。

本開示の実施形態に従ってカシメタブを表す図１２のステムおよび天板の断面斜視図。

本開示の実施形態に従ってリング溝および支持部材ノッチを表す図１２のステムおよび天板の断面斜視図。

本開示の実施形態に従ってバッフルプレートの取り付けを表す図１２のステムおよび天板の断面斜視図。

本開示の実施形態に従って製造システムの例を示すブロック図。

本開示の実施形態に従ってバッフルプレート、ステム、および通気孔を有する天板の一部を示す断面斜視図。

図面では、類似および／または同一の要素を特定するために、参照番号が再利用されてよい。

本明細書では、バッフルプレートならびに対応する支持部材、ステム、および天板を備えるシャワーヘッドアセンブリが開示される。バッフルプレートは、バッフルプレートに溶接の必要がないように支持される。これにより、バッフルプレートへの溶接部の洗浄、およびバッフルプレートの溶接部における充填材が不要になる。バッフルプレートは、横向きに貫通する支持部材およびリングによって支持される。リングは、従来のバッフルプレートに伴う溶接より強い溶接を提供する対応するステムおよび天板に摩擦撹拌溶接されてよい。バッフルプレートへの溶接がないため、バッフルプレートへの溶接部の洗浄は不要で、バッフルプレートの使用時におけるフッ素侵食および劣化の可能性が低減される。

図２は、ＲＦプラズマを用いたエッチングを実施するための基板処理システム１００を示す。ＰＥＣＶＤチャンバが示されているが、本明細書で述べるシステムおよび方法は、他の工程で用いられてよい。基板処理システム１００は、大気圧または別の圧力に置かれるＲＦ筐体１０１を備える。処理チャンバ１０２は、ＲＦ筐体１０１内に設置される。処理チャンバ１０２は、処理チャンバ１０２の構成部品を取り囲み、ＲＦプラズマを含む。処理チャンバ１０２は、シャワーヘッド１０４および基板支持体１０６を有するシャワーヘッドアセンブリ１０３を備える。シャワーヘッドは、天板１０５および底板１０７を備える。動作時に、基板１０８は、基板支持体１０６の上に配置される。バッフルプレート１０９は、シャワーヘッド１０４内に、板１０５と板１０７との間に配置される。

シャワーヘッド１０４は、ガスを分配し、上部電極として動作してよい。シャワーヘッドアセンブリ１０３は、さらに、ステム１１１を備えてよい。ステム１１１は、処理チャンバ１０２の上面に接続された第１の端部と、シャワーヘッド１０４に接続された第２の端部とを備える。シャワーヘッド１０４は、一般に円筒形であり、処理チャンバ１０２の上面から離間した位置でステム１１１の第２の端部から半径方向外向きに延びる。底板１０７は、処理ガスまたはパージガスが通過する孔を有する。シャワーヘッド１０４は、加熱素子１１３を備えてよい。シャワーヘッド１０４は、冷却ガスまたは冷却流体を流す冷却流路（図示せず）を備えてもよい。

基板支持体１０６は、下部電極として動作する導電ベースプレート１１０を備える。ベースプレート１１０は、少なくとも一部はセラミック材で形成されてよい加熱板１１２を支持する。加熱板１１２とベースプレート１１０との間には、熱抵抗層１１４が配置されてよい。ベースプレート１１０は、ベースプレート１１０を通って冷却剤を流すための１つ以上の流路１１６を備えてよい。

ＲＦ発生システム１２０は、ＲＦ電力を発生させて上部電極（または、シャワーヘッド）１０４に出力する。ベースプレート１１０は、直流接地もしくは交流接地されてよい、または浮遊電位であってよい。例示のみとして、ＲＦ発生システム１２０は、整合分配ネットワーク１２４によって上部電極１０４に供給されるＲＦ電力を発生させるＲＦ発生器１２２を備えてよい。ある実施形態では、ＲＦ電力は、２つ以上の周波数で上部電極１０４に提供される。例示のみとして、ＲＦ電力は、第１の周波数（例えば、１３．５６メガヘルツ（ＭＨｚ））で供給され、第２の周波数（例えば、４００キロヘルツ（（ｋＨｚ））でも供給される。第１の周波数は、プラズマ中のイオンでなく電子を励起するため、イオンカットオフ周波数より高くてよい。第２の周波数は、プラズマ中のイオンと電子の両方を励起するため、イオンカットオフ周波数より低くてよい。

ガス供給システム１３０は、１つ以上のガス源１３２−１、１３２−２、．．．、および１３２−Ｎ（まとめて、ガス源１３２）を備える（Ｎはゼロより大きい整数）。ガス源１３２は、１つ以上の前駆体およびその混合物を供給する。ガス源１３２は、パージガスを供給してもよい。気化した前駆体が用いられてもよい。ガス源１３２は、弁１３４−１、１３４−２、．．．、および１３４−Ｎ（まとめて、弁１３４）、ならびにマスフローコントローラ１３６−１、１３６−２、．．．、および１３６−Ｎ（まとめて、マスフローコントローラ１３６）によってマニホルド１４０に接続される。マニホルド１４０の出力は、シャワーヘッド１０４に供給される。

温度制御装置１４２は、加熱板１１２に配置された温度制御された素子（ＴＣＥ）１４４に接続されてよい。システム制御装置１６０とは別に示されているが、温度制御装置は、システム制御装置１６０の一部として実施されてよい。温度制御装置１４２は、シャワーヘッド１０４および基板支持体１０６の温度を制御するため、それぞれ加熱素子１１３およびＴＣＥ１４４の温度を制御してよい。温度制御装置１４２は、冷却剤アセンブリ１４６と連通して、ベースプレート１１０の流路１１６を通る冷却剤を制御してよい。例えば、冷却剤アセンブリ１４６は、冷却剤ポンプ、貯水槽、ならびに弁および／またはマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えてよい。

弁１５０およびポンプ１５２は、処理チャンバ１０２内の圧力を制御して処理チャンバ１０２から反応剤を選択的に排出させるのに用いられてよい。システム制御装置１６０は、基板処理システム１００の構成部品を制御してよい。

シャワーヘッド１０４は、１つ以上の熱電対を備える（導体１８２を有する１つの熱電対１８０が図示されている）。熱電対１８０は、ステム１１１を通ってシャワーヘッド１０４に延びる。ステム１１１は、シール１８４によって処理チャンバ１０２に封止される。導体１８２は、フィルタアセンブリ（図示せず）および／またはシステム制御装置１６０で受け取られる。

１つ以上のファン１９０は、ＲＦ筐体１０１に配置され、ＲＦ筐体１０１内の温度を所定の温度（例えば、７０℃）に維持するのに用いられてよい。ファン１９０は、温度制御装置１４２によってオンオフされてよい。温度制御装置１４２は、各ファンに提供される制御信号のデューティサイクルを制御および調整してよい。デューティサイクルは、ＲＦ筐体１０１で検出された温度に基づいて、および／または熱電対１８０によって調整されてよい。例えば、ファンの制御信号の１サイクルあたりのオンタイムは、検出された温度が追加の冷却を提供するために上昇するときは増加されてよい。

図３〜４は、直立位置にあるシャワーヘッドアセンブリ２００を示す。シャワーヘッドアセンブリ２００は、ステム２０１、シャワーヘッド２０２、およびバッフルプレート２０４を備える。ステム２０１は、チャンバ壁からシャワーヘッド２０２に延び、内部流路２０６を介してガスをシャワーヘッド２０２に供給するのに用いられてよい。シャワーヘッド２０２は、天板２０８および底板２１０を備える。バッフルプレート２０４は、ステム２０１の端部２１４およびシャワーヘッド２０２の少なくとも一部における凹状キャビティ２１２に配置される。バッフルプレート２０４は、ステム２００から受け取ったガスを底板２１０にわたって分散させる。バッフルプレート２０４は、１つ以上の支持部材２１８によってリング２１６に取り付けられる。バッフルプレート２０４、リング２１６、および支持部材２１８は、まとめてバッフルプレートアセンブリと呼ばれてよい。ガスは、板２０８と２１０との間の第２のキャビティ２２０から底板２１０の孔２２２を通って進む。

図５は、バッフルプレート２５０およびステムの部分２５２を示す。バッフルプレート２５０は、円盤状であり、支持部材２５４に接続される。支持部材２５４は、筋交いと呼ばれ、バッフルプレート２５０とリング２５６との間に文字通り架かってよい。リング２５６は、バッフルプレート２５０の外径Ｄ２より大きい内径Ｄ１を有する。リング２５６は、ステムの対応するリング溝２５８に設置される。リング付近の支持部材の部分は、ステムのそれぞれのノッチ２６０に設置される。リング２５６および支持部材２５４は、ステムとシャワーヘッド（例えば、本明細書に開示されるシャワーヘッドの１つ）の対向する底板との間の吊下位置でバッフルプレート２５０を支持する。リング２５６および支持部材２５４は、バッフルプレート２５０がリング２５６および／または支持部材２５４をステムに取り付ける取り付け工程から除外されるようにし、それによりバッフルプレート２５０への損傷が低減される。

バッフルプレート２５０は、ガス通過のための孔２７０を備えるように穿孔される。バッフルプレート２５０をリング２５６に接続する支持部材はいくつあってもよい。バッフルプレート２５０、支持部材２５４、およびリング２５６は、同じ材料または異なる材料で形成されてよい。ある実施形態では、バッフルプレート２５０、支持部材２５４、およびリング２５６は、単一部品として形成される。別の実施形態では、バッフルプレート２５０、支持部材２５４、およびリング２５６は、同じ１つの原材料（例えば、アルミニウムの塊）から機械加工される。バッフルプレート２５０、支持部材２５４、およびリング２５６は、アルミニウム、銅、および／または他の適した材料で形成されてよい。ある実施形態では、バッフルプレート２５０、支持部材２５４、およびリング２５６は、６０６１アルミニウムで形成される。

ステムは、カラー２７８、凹面２７４、およびテーパ面２７６を備えてよい。バッフルプレート２５０の外径Ｄ２は、ステムの内部流路２７２の直径Ｄ３より大きく、凹面２７４の外径Ｄ４および／またはテーパ面２７６の外径Ｄ５より小さくてよい。カラー２７８は、シャワーヘッド付近のステムの端部２８０の上にあり、リング溝２５８およびノッチ２６０を有する。支持部材２５４は、内部流路２７２が垂直方向に延びるように、ステムが垂直に配向されるときは水平方向に延びてよいが、それに限定されない。

リング溝２５８は、リング２５６の外側に一致する形状および寸法にされる。ノッチ２６０は、リング溝２５８に沿って配置され、支持部材２５４の対応する部分に一致する形状および寸法にされる。リング溝２５８は、外周縁２８２と内周縁２８４との間に配置される。外周縁２８２は、ステム２８０か合わせ天板（本明細書に開示される天板の１つ）かのどちらかの一部でありうる。内周縁２８２は、内周縁２８４のセグメント２８６の間のノッチ２６０によって分割される（すなわち、連続的でない）。それらの縁は、対応するシャワーヘッドの底板に面する。テーパ面２７６は、内周縁２８４と凹面２７４との間に延びる。凹面２７４の外径Ｄ４は、ステムの本体２９０の外径Ｄ６より小さい。凹面２７４は、バッフルプレート２５０に面する。ステムの内部流路２７２は、凹面２７４を貫通する。ガスは、内部流路２７２からバッフルプレート２５０に向かって流れる。

リング２５６は、ステムおよび／または天板（本明細書に開示される天板の１つ）に摩擦撹拌溶接されてよい。ステムは、天板に摩擦撹拌溶接されてよい。規定の溶接は、１つ以上の溶接部を介して達成されてよい。摩擦撹拌溶接は、単一の溶接動作を用いて２つ以上の構成部品の永続的な融合をもたらす。溶接の例は、図６〜８に示されている。ある実施形態では、リング２５６および／または支持部材２５４は、例えば、ステムに形成されたカシメタブを介してステムにカシメられる。カシメタブは、溶接の代替として、または溶接に加えて用いられてよい。これは、以下に図９および図１１〜１５に関してさらに説明される。

別の実施形態では、リング２５６および／または支持部材２５４は、（ｉ）リング２５６とリング溝２５８との間、および／または（ｉｉ）支持部材２５４の一部とノッチ２６０との間に、熱的締まり嵌合をもたらすように寸法される。アセンブリ時に、リング２５６および／または支持部材２５４は、加熱または冷却されて、リング溝２５８およびノッチ２６０に設置されてよい。リング２５６、支持部材２５４、ステム、および／またはステムのカラー２７８は、リング溝２５８およびノッチ２６０に設置されると、加熱または冷却されて、リング２５６および／または支持部材がリング溝２５８およびノッチ２６０に挿入されるようにしてよい。リング２５６および支持部材２５４は、周囲温度に戻ると、リング溝２５８およびノッチ２６０に係止される。別の実施形態では、リング２５６および／または支持部材２５４は、上述のように所定位置に係止され、次にリング２５６は、カラー２７８および／または対応する天板に摩擦撹拌溶接される。

図６は、図５のバッフルプレートおよびステムならびに対応する天板３００を示す。図のように、バッフルプレート２５０は、ステムと底板３０２との間に吊られる。リング２５６は、天板３００の内周面３０４に沿ってカラー２７８および天板３００に摩擦撹拌溶接されてよい。摩擦撹拌溶接処理による溶接部は、図６では湾曲した側面を有するいくつかの台形形状のパッチ３０６として示されているが、円形である。摩擦撹拌溶接前のバッフルプレートおよびステムが図示されている。台形形状パッチ３０６は、形成されるべき溶接部の断面領域を表す。全円溶接部は図示されていない。摩擦撹拌溶接による円形溶接部は、図８に示されている。天板は、ステムの本体２９０にタングステン不活性ガス（ＴＩＧ）溶接されてよい。これは、三角形のスライス部３１０によって表されている。ステムの円周囲に沿って複数のＴＩＧ溶接部が提供されてよい。連続的なＴＩＧ溶接部は、ステムの円周囲に沿って提供されなくてよい。

図７は、上下逆向きの別のバッフルプレート３２０、ステム３２２、および天板３２４を示す。バッフルプレート３２０は、リング３２８に接続される支持部材３２６（図６に示されるのは１つのみ）によって所定位置に保持される。支持部材３２６は、リング３２８付近よりバッフルプレート３２０付近でより厚くなるようにテーパ状であってよい。図の例では、バッフルプレート３２０の上面、支持部材３２６、およびリング３２８は、同一平面上にある。支持部材３２６の両側は、バッフルプレート３２０とリング３２８との間で変化のある厚さを提供するために支持部材３２６の底面３３０がテーパ状になるように追加の材料を含む。テーパ状の底面は、実施されている基板処理（例えば、エッチング処理）に影響を与える危険性を低減しながら、元々のガス流路への最小効果を回復する、および／または有する。テーパ状の底面は、バッフルプレート３２０の剛性も高める。摩擦撹拌溶接によって提供される溶接部の断面領域を表す台形形状パッチ３３２も示されている。

図８は、別のバッフルプレート３５０、ステム３５２、および天板３５４を示し、線３５７に沿った摩擦撹拌溶接によりもたらされた円形溶接部３５５を表す。図の例では、バッフルプレート３５０は、支持部材３５８を介してリング３５６に接続される。（ｉ）ステム３５２のカラー３６０、（ｉｉ）リング、および（ｉｉｉ）天板３５４の一部は、ａ）リング３５６の外周囲、ｂ）カラー３６０の外周囲、およびｃ）天板３５４の内周囲に沿って円形溶接部３５５を提供するために摩擦撹拌溶接される。線３５７は、ａ）リング３５６の外周囲、ｂ）カラー３６０の外周囲、およびｃ）天板３５４の内周囲に対応する。摩擦撹拌溶接時に、摩擦撹拌溶接ピンが、加熱されて（ｉ）リング３５６と天板３５４との間、および（ｉｉ）カラー３６０と天板３５４との間、ならびに／またはそれらの中に挿入される。摩擦撹拌溶接ピンは、ａ）リング３５６の外周囲、ｂ）カラー３６０の外周囲、およびｃ）天板３５４の内周囲に沿って、円周方向に動かされる。これにより、円形溶接部３５５が形成される。天板３５４とステム３５２の本体との間には、ＴＩＧ溶接部３７０も示されている。１つ以上のＴＩＧ溶接部が本体３７２の周囲辺りに備えられてよい。摩擦撹拌溶接は、リングと天板との間およびステムと天板との間の縦はぜ部を除去する。

図９は、バッフルプレート４００およびステム４０２に実施するカシメタブの係止を示す。バッフルプレート４００は、支持部材４０６を介してリング４０４に取り付けられる。ステム４０２は、リング溝４１０に沿って延びる分割された内周縁４０８を備える。分割された内周縁４０８は、ステム４０２のカラー４１４の底面およびリング４０４の底面の下方に延びるカシメタブ４１２を備える。リング４０４は、カシメタブ４１２にそれぞれ対向するカシメタブノッチ４１６を備える。カシメタブ４１２は、リング４０４をリング溝４１０に係止するためにリング４０４のカシメタブノッチ４１６に圧入される、および／または押し込められる。

図１０は、例示的なバッフルプレート４５０、ステム４５２、およびバッフルプレート４５０のリング４５６が隣接する天板４５４の側半断面図を示す。バッフルプレート４５０は、支持部材４５８（図１０には１つのみ図示されている）を介してリング４５６に接続されている。ステム４５２は、カラー４６０を備える。この例では、図５〜７および図９の例とは異なり、リング４５６と天板４５４との間にはカラー４６０の部分はない。図１０の例は、図３〜４および図８の例と同様である。カラー４６０の外周縁４６２は、天板４５４の内周面４６４の底部に隣接する。

図１１は、シャワーヘッドアセンブリのバッフルプレートアセンブリ、ステム、および天板を製造し組み立てる例示的な方法を表す。以下のタスクが主に図１２〜１６に関して説明されるが、タスクは、本開示の他の実施形態に適用するように実施および／または簡単に修正されてよい。タスクは、繰り返し実施されてよい。タスクは、図１６の製造システム６００によって実施されてよい。これらのタスクは、例として提供される。バッフルプレート、ステム、および天板は、他の適した技術を用いて形成および組み立てられてよい。

この方法は、５００で開始してよい。５０２では、天板（例えば、天板６０１または本明細書に開示される他の天板）およびステム（例えば、ステム６０２または本明細書に開示される他のステム）が形成される。凹状レッジ（例えば、レッジ６０６）を伴う段付穴（例えば、穴６０４）を有する天板が形成される。カラー（例えばカラー６０８）を有するステムが形成され、ステムは縁（例えば、縁６１０）を備えてよい。縁は、カラーの底面（例えば、面６１２）の下方およびステムのテーパ面（面６１４）付近に延びる。天板およびステムは、図１６の自動フライス機６１６（例えば、コンピュータ数値制御フライス機）によって形成されてよい。天板およびステムは、第１のロボットを介して、自動フライス機からアセンブリブース６２０に搬送されてよい。天板およびステムをアセンブリブース６２０に搬送するのに他の技術が用いられてよく、それにはコンベヤが含まれてよい。

５０４では、天板およびステムが組み立てられる。天板およびステムの組み立ては、アセンブリブース６２０で行われてよい。組み立て時に、ステムの本体（例えば、本体６２６）は、天板の段付穴に挿入され、カラーの上面（面６２８）が凹状レッジの底面と接するまで段付穴を介してスライドされてよい。

５０５では、天板がステムに溶接されるべきかが決定される。天板がステムに溶接されるべき場合は、タスク５０６が実施され、そうでなければタスク５０７が実施される。５０６では、天板は、図１２に示されるようにステムに溶接される。これは、天板をステムのカラーに溶接することを含み、天板をステムの本体に溶接することを含んでよい。タスク５０６の実施前に、組み立てられた天板およびステムは、天板をカラーに摩擦撹拌溶接するため、第２のロボット６２４を介してアセンブリブースから摩擦撹拌溶接機６２２に搬送されてよい。組み立てられた天板およびステムをアセンブリブース６２０から摩擦撹拌溶接機６２２に搬送するのに他の技術が用いられてよく、それにはコンベヤが含まれてよい。タスク５０７は、タスク５０６に続いて実施される。

５０７では、カシメタブが形成されるべきかが決定される。この決定は、制御装置６３０によって行われてよい。制御装置６３０は、自動フライス機６１６、ロボット６１８および６２４、組立機６２１、摩擦撹拌溶接機６２２、ならびに／またはプレス機６４０を制御してよい。プレス機６４１（例えば、プレス）は、プレスブース６４２に設置されてよい。カシメタブが形成されるべき場合は、タスク５０８が実施され、そうでなければタスク５１０が実施されてよい。５０８では、カシメタブ（例えば、カシメタブ６３２）は、カラーの底面の下方に延びる縁から機械加工される。これには、カシメタブを提供するために縁から材料を離す機械加工が含まれる。カシメタブは、ステムの内部流路（例えば、内部流路６４３）の下方でバッフルプレートを中央に置くため、また圧入されるときはバッフルプレートを引いてわずかな張力にするため、半径方向外向きに変形して角度を付けられてよい。結果として生じるカシメタブは、図１３に示されている。組み立てられた天板およびステムは、５０８で実施される機械加工のために自動フライス機６１６に戻されてよい。このタスクは、摩擦撹拌溶接の結果、天板および／またはカラーの下方に残るフラッシング（例えば、フラッシング６４４）を取り除く機械加工をする除去を含んでよい。５１０では、ステムのカラーは、図１４に示されるように、自動フライス機６１６によって支持部材用のリング溝（例えば、リング溝６４６）およびノッチ（例えば、ノッチ６４８）を形成するように機械加工される。

５１２では、バッフルプレート（例えば、バッフルプレート６５０）、支持部材（例えば、支持部材６５２）、およびリング（例えば、リング６５４）が形成される。タスク５１２は、タスク５０２〜５１０のいずれかが実施される前および／または実施される間に、自動フライス機６１６において実施されてよい。自動フライス機６１６は、５軸フライス機であってよく、バッフルアセンブリは、棒材から形成されてよい。バッフルプレート、支持部材、およびリングは、単一部品（またはバッフルプレートアセンブリ）として形成されてよく、上述された１つ以上の材料で形成されてよい。タスク５１２には、カシメタブ用のカシメタブノッチ（例えば、ノッチ６５６）を形成することが含まれてよい。

５１４では、図１５に示されるように、バッフルプレートアセンブリは、ステムに取り付けられる。これは、アセンブリブース６２０内で行われてよい。これには、リングをリング溝に、支持部材をカラーのノッチに設置することが含まれてよい。リングがリング溝と熱的締まり嵌合をもたらすように寸法されるときは、リングおよび／またはステムのカラーは、リングがリング溝に挿入されるように加熱または冷却されてよい。これは、例えば、温度制御されたチャンバ６７０内で行われてよい。温度制御されたチャンバは、オーブンまたはチラーであってよい。温度制御されたチャンバ６７０が図示されているが、リングおよび／またはカラーは、別の適した技術を用いて加熱または冷却されてよい。リングおよび／またはカラーは、リングおよびカラーの形状、ならびに／またはリングとカラーとの間の結合配置に応じて加熱または冷却されてよい。リングおよび／またはカラーは、リングが図のようにカラーに挿入されているかによって加熱または冷却されてよい。これは、結合配置の一例であり、他の結合配置が実施されてよい。ある実施形態では、リングおよび／またはカラーは、リングがカラーのリング溝に挿入されるように冷却される。温度制御されたチャンバの温度は、制御装置６３０によって制御されてよい。リングおよび／またはカラーが周囲温度に戻ると、リングはリング溝に係止されてよい。

支持部材がカラーのノッチと熱的締まり嵌合をもたらすように寸法される場合は、支持部材および／またはステムのカラーは、支持部材がカラーのノッチに挿入されるように加熱または冷却されてよい。これは、例えば、温度制御されたチャンバ６７０内で行われてよい。支持部材および／またはカラーが周囲温度に戻ると、支持部材はカラーのノッチに係止されてよい。

５１６では、カシメタブが係止されるべきかが決定される。この決定は、制御装置６３０によって行われてよい。カシメタブが係止される場合は、タスク５１８が実施され、そうでなければタスク５２０が実施される。５１８では、ステムのカシメタブは、リングをリング溝に係止するためにカシメタブノッチに圧入される、および／または押し込められる。これには、（ｉ）支持部材の端部および（ｉｉ）リングの両方を挟持することが含まれてよい。これは、プレスブース６４２内でプレス機６４１によって実施されてよい。このリングの係止技術は、対応するシャワーヘッド内のガス流への影響とはほとんど関係がない。組み立てられたステム、天板、およびバッフルプレートアセンブリの使用時に、リモートプラズマクリーニング（ＲＰＣ）のフッ素によるフッ化アルミニウム（ＡＩＦ）の成長は、さらに、リングおよび支持部材をステムに固定し、それらを微小スケールで結合させる。

５２０では、摩擦撹拌溶接が実施されるべきかが決定される。摩擦撹拌溶接が実施される場合は、タスク５２２が実施され、そうでなければこの方法は５２４で終了してよい。５２２では、リングは、単一の溶接部を提供するために天板および／またはステムのカラーに摩擦撹拌溶接される。これは、摩擦撹拌溶接機６２２で行われてよい。天板は、ステムのカラーに摩擦撹拌溶接されてよい。これは、単一溶接部の結果であってよい、または第２の溶接部であってよい。タスク５２２には、１つ以上の溶接が含まれてよい。

上述のタスクは、具体例を意味し、オーバーラップ期間に、順序的に、同期的に、同時に、連続的に、または適用に応じて異なる順番で実施されてよい。また、これらのタスクのいずれかは、実施形態および／または一連の事象に応じて実施されなくてよい、または省かれてよい。

図１７は、バッフルプレート、ステム、および天板の部分７００，７０２、７０４を示す。天板は、通気孔を備える（１つの通気孔７０６が図示されている）。本明細書に開示された天板は、図のように１つ以上の通気孔を備えてよい。通気孔は、全半径方向の溶接による捕集材料および／または捕集ガス用に提供されてよい。ある実施形態では、通気孔は備えられない。通気孔は、ステム７０２のカラー７１０上方にある天板７０４の縁７０８に提供されてよい。通気孔は、ステム７０２の本体７１２に垂直および／または平行に延びてよい。

上述の例のいくつかには、摩擦撹拌溶接が含まれる。摩擦撹拌溶接は、構造的支持を提供し、内部の捕集材料を除去し、一貫した繰り返し可能な溶接を提供する。構成部品間の継ぎ目は、摩擦撹拌溶接処理によって除去され、溶接部へのガスの侵入が不可能な均一形状を提供する。摩擦撹拌溶接によって提供された溶接部は、従来のバッフルプレート溶接より強く、対応するバッフルプレートの使用時におけるフッ素侵食および劣化の可能性を低減させる。また、摩擦撹拌溶接は、充填材を不要とし、規定の溶接に関する時間および費用も低減させる。

摩擦撹拌溶接について説明されているが、いくつかの例には、摩擦撹拌溶接および／またはいかなる溶接も含まれない。これにより、バッフルプレートアセンブリのあらゆる部分の溶接が排除される。摩擦撹拌溶接を実施することによって、またはいかなる溶接も実施しないことによって、開示された例のいくつかは、溶接充填材（例えば、Ｓｉ溶接充填材）を不要とする。また、本明細書に開示されたバッフルプレートは溶接されないため、バッフルプレートの溶接清掃が不要である。本明細書に開示されたリングは、対応するバッフルプレートに影響を与えることなく溶接および／または変形されてよい。リングは、溶接のために従来の支持棒材料より広い表面を提供する。リングは、上述のように摩擦撹拌溶接されてよい、または、ＴＩＧ溶接、スポット溶接などの他の溶接技術を用いて溶接されてよい。リングは、バッフルプレートの形状および／または表面に影響を与えることなく清掃および仕上げされうる。これにより、以下にさらに説明されるように、バッフルプレートアセンブリのステムまたはシャワーヘッドの他の構成部品への取り付け時に、バッフルプレートの仕上がりが変更されずに済む。

開示の例は、ステムのカラーのノッチに設置されるように形成された支持部材を示しているが、支持部材は、ステムおよび／またはシャワーヘッドの他の位置に設置されるよう形成されてよい。これにより、シャワーヘッド内の他の位置へのバッフルプレートの設置が可能になる。例えば、リングおよび対応する支持部材は、シャワーヘッドの天板または底板に機械加工されたリング溝およびノッチ内に設置されてよい。図１１の方法は、ステムの端部ではなく、天板または底板のリング溝およびノッチの機械加工を含むように修正されてよい。天板および／または底板は、バッフルプレートがリングおよび支持部材によって天板と底板との間の位置に保持されるように形成されてよい。バッフルプレートの位置は、シャワーヘッド内のどこでもよい。

さらに、本明細書では様々な実施形態が開示される。各実施形態は特定の特徴を持つように説明されるが、本開示のいずれかの実施形態に関して説明される１つ以上の特徴は、他の実施形態において、および／または、明確に説明されないとしても他の実施形態の特徴と組み合わせて実施されうる。つまり、説明された実施形態は相互に排他的ではなく、１つ以上の実施形態の互いの順列は本開示の範囲内に留まる。

要素間（例えば、モジュール、回路素子、半導体層などの間）の空間的および機能的関係は、「接続された」、「係合された」、「結合された」、「隣接した」、「接して」、「上に」、「上方に」、「下方に」、および「配置された」などの様々な用語を用いて説明されている。「直接」として明確に説明されない限り、上記の開示で第１の要素と第２の要素との間の関係が説明されるときは、その関係は、第１の要素と第２の要素との間に他の介在要素が存在しない直接的な関係でありうるが、同時に、第１の要素と第２の要素との間に他の介在要素が（空間的または機能的に）存在する間接的な関係にもなりうる。第１の要素が第２の要素に隣接するときは、第１の要素は、第２の要素と接触してよい、または、第１の要素と第２の要素との間にいかなる介在要素もなく第２の要素から離間してよい。第１の要素が第２の要素と第３の要素との間にあるときは、第１の要素は、第２の要素および第３の要素に直接（「間に直接」ともいう）接続されてよい、または、介在要素は、（ｉ）第１の要素と第２の要素との間、および／もしくは（ｉｉ）第１の要素と第３の要素との間に接続されてよい。本明細書では、Ａ、Ｂ、およびＣのうち少なくとも１つとの表現は、非排他的な論理であるまたはを用いる論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味するように解釈され、「Ａのうち少なくとも１つ、Ｂのうち少なくとも１つ、およびＣのうち少なくとも１つ」を意味するように解釈されるべきでない。

いくつかの実施形態では、制御装置は、上述の例の一部であってよいシステムの一部である。かかるシステムは、処理ツール、チャンバ、処理用プラットフォーム、および／または特定の処理部品（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理時、処理後の動作を制御するための電子装置と統合されてよい。電子装置は、システムの様々な構成部品またはサブパーツを制御する「制御装置」と呼ばれてよい。制御装置は、処理条件および／もしくはシステムの種類に応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／もしくは冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）生成器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置動作設定、ツールおよび他の搬送ツールへのウエハの搬入出、ならびに／または特定のシステムに接続もしくは連動するロードロックを含む、本明細書に開示されたあらゆる工程を制御するようにプログラムされてよい。

概して、制御装置は、命令を受け取り、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子装置として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェア形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または１つ以上のマイクロプロセッサ、もしくはプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでよい。プログラム命令は、様々な個別設定（またはプログラムファイル）の形式で制御装置に伝達される命令であって、特定の処理を半導体ウエハ上でもしくは半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実行する動作パラメータを定義してよい。いくつかの実施形態では、動作パラメータは、プロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であって、１つ以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／またはウエハダイの製作時における１つ以上の処理工程を実現してよい。

いくつかの実施形態では、制御装置は、システムと統合または結合された、そうでなければシステムにネットワーク接続された、もしくはこれらが組み合わされたコンピュータの一部であってよく、またはそのコンピュータに結合されてよい。例えば、制御装置は、「クラウド」内にあってよい、または、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にしうるファブホストコンピュータシステムの全てもしくは一部であってよい。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の進捗状況を監視し、過去の製作動作の経歴を調査し、複数の製作動作から傾向または実施の基準を調査し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理工程を設定し、または新しい処理を開始してよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでよいネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供できる。リモートコンピュータは、次にリモートコンピュータからシステムに連通されるパラメータおよび／もしくは設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでよい。いくつかの例では、制御装置は、１つ以上の動作時に実施される各処理工程のためのパラメータを特定するデータ形式の命令を受け取る。パラメータは、実施される処理の種類、および、制御装置が接続または制御するように構成されるツールの種類に特有であってよいことを理解されたい。そのため、上述のように、制御装置は、例えば、互いにネットワーク接続される１つ以上の離散制御装置を含み、本明細書で述べる処理や制御など共通の目的に向かって取り組むことによって分散されてよい。かかる目的で分散された制御装置の例は、遠隔に（例えば、プラットフォームレベルまたは遠隔コンピュータの一部として）位置し、組み合わせてチャンバ上の処理を制御する１つ以上の集積回路と連通するチャンバ上の１つ以上の集積回路だろう。

無制限には、例示のシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、クリーンチャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および／もしくは製造において関連してよいもしくは用いられてよい他の半導体処理システムを含んでよい。

上述のように、ツールによって実施される処理工程に応じて、制御装置は、１つ以上の他のツール回路もしくはモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に設置されたツール、メインコンピュータ、別の制御装置、または半導体製造工場においてウエハ容器をツール位置および／もしくはロードポートに搬入出する材料搬送において用いられるツールと連通してよい。

特許請求の範囲に記載された構成はいずれも、明確に「〜のための手段」との表現を用いて記載されない限り、または、「〜のための動作」もしくは「〜のための工程」との表現を用いる方法クレームの場合には、合衆国法典第３５巻第１１２条（ｆ）の意味におけるミーンズ・プラス・ファンクションの構成であることを意図するものではない。

図３〜４は、直立位置にあるシャワーヘッドアセンブリ２００を示す。シャワーヘッドアセンブリ２００は、ステム２０１、シャワーヘッド２０２、およびバッフルプレート２０４を備える。ステム２０１は、チャンバ壁からシャワーヘッド２０２に延び、内部流路２０６を介してガスをシャワーヘッド２０２に供給するのに用いられてよい。シャワーヘッド２０２は、天板２０８および底板２１０を備える。バッフルプレート２０４は、ステム２０１の端部２１４およびシャワーヘッド２０２の少なくとも一部における凹状キャビティ２１２に配置される。バッフルプレート２０４は、ステム２０１から受け取ったガスを底板２１０にわたって分散させる。バッフルプレート２０４は、１つ以上の支持部材２１８によってリング２１６に取り付けられる。バッフルプレート２０４、リング２１６、および支持部材２１８は、まとめてバッフルプレートアセンブリと呼ばれてよい。ガスは、板２０８と２１０との間の第２のキャビティ２２０から底板２１０の孔２２２を通って進む。

リング溝２５８は、リング２５６の外側に一致する形状および寸法にされる。ノッチ２６０は、リング溝２５８に沿って配置され、支持部材２５４の対応する部分に一致する形状および寸法にされる。リング溝２５８は、外周縁２８２と内周縁２８４との間に配置される。外周縁２８２は、ステム２８０か合わせ天板（本明細書に開示される天板の１つ）かのどちらかの一部でありうる。内周縁２８４は、内周縁２８４のセグメント２８６の間のノッチ２６０によって分割される（すなわち、連続的でない）。それらの縁は、対応するシャワーヘッドの底板に面する。テーパ面２７６は、内周縁２８４と凹面２７４との間に延びる。凹面２７４の外径Ｄ４は、ステムの本体２９０の外径Ｄ６より小さい。凹面２７４は、バッフルプレート２５０に面する。ステムの内部流路２７２は、凹面２７４を貫通する。ガスは、内部流路２７２からバッフルプレート２５０に向かって流れる。

５０７では、カシメタブが形成されるべきかが決定される。この決定は、制御装置６３０によって行われてよい。制御装置６３０は、自動フライス機６１６、ロボット６１８および６２４、組立機６２１、摩擦撹拌溶接機６２２、ならびに／またはプレス機６４１を制御してよい。プレス機６４１（例えば、プレス）は、プレスブース６４２に設置されてよい。カシメタブが形成されるべき場合は、タスク５０８が実施され、そうでなければタスク５１０が実施されてよい。５０８では、カシメタブ（例えば、カシメタブ６３２）は、カラーの底面の下方に延びる縁から機械加工される。これには、カシメタブを提供するために縁から材料を離す機械加工が含まれる。カシメタブは、ステムの内部流路（例えば、内部流路６４３）の下方でバッフルプレートを中央に置くため、また圧入されるときはバッフルプレートを引いてわずかな張力にするため、半径方向外向きに変形して角度を付けられてよい。結果として生じるカシメタブは、図１３に示されている。組み立てられた天板およびステムは、５０８で実施される機械加工のために自動フライス機６１６に戻されてよい。このタスクは、摩擦撹拌溶接の結果、天板および／またはカラーの下方に残るフラッシング（例えば、フラッシング６４４）を取り除く機械加工をする除去を含んでよい。５１０では、ステムのカラーは、図１４に示されるように、自動フライス機６１６によって支持部材用のリング溝（例えば、リング溝６４６）およびノッチ（例えば、ノッチ６４８）を形成するように機械加工される。

Claims (25)

1. バッフルプレートアセンブリであって、
   外径を有し、基板処理システムのシャワーヘッドアセンブリのシャワーヘッドを通じて、前記シャワーヘッドアセンブリのステムから受け取られるガスを分配するように構成されるバッフルプレートと、
   前記バッフルプレートの前記外径より大きい内径を有し、前記シャワーヘッドアセンブリのリング溝に配置されるように構成されるリングと、
   前記バッフルプレートから前記リングに延びる複数の支持部材と、を備え、
   前記リングおよび前記複数の支持部材は、前記シャワーヘッドの天板と底板との間の位置に前記バッフルプレートを保持する、バッフルプレートアセンブリ。
2. 請求項１に記載のバッフルプレートアセンブリであって、
   前記複数の支持部材は、前記シャワーヘッドアセンブリの前記ステムのカラー内の複数のノッチに設置されるように構成される、バッフルプレートアセンブリ。
3. 請求項１に記載のバッフルプレートアセンブリであって、
   前記バッフルプレートは、前記ガスの一部が通る複数の孔を備える、バッフルプレートアセンブリ。
4. 請求項１に記載のバッフルプレートアセンブリであって、
   前記複数の支持部材の各々は、前記リングにおいてより前記バッフルプレートにおいて厚い、バッフルプレートアセンブリ。
5. 請求項１に記載のバッフルプレートアセンブリであって、
   前記複数の支持部材は、テーパ状の底面を備える、バッフルプレートアセンブリ。
6. 請求項１に記載のバッフルプレートアセンブリであって、
   前記複数の支持部材の各々は、
   前記ステムの底面または前記シャワーヘッドの前記天板の底面と平行に延びる上面と、
   テーパ状の底面と、
   を有する、バッフルプレートアセンブリ。
7. 請求項１に記載のバッフルプレートアセンブリであって、
   前記バッフルプレートの上面、前記複数の支持部材の上面、および前記リングの上面は、同一平面上にある、バッフルプレートアセンブリ。
8. シャワーヘッドアセンブリであって、
   請求項１に記載の前記バッフルプレートアセンブリと、
   前記シャワーヘッドと、
   を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
9. 請求項８に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、
   前記ステムを備え、
   前記天板は、前記ステムに接続され、前記リング溝を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
10. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記ステムは複数のノッチを有し、
    前記複数の支持部材の各々の一部は、前記ノッチのそれぞれに設置される、シャワーヘッドアセンブリ。
11. 請求項１０に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記複数の支持部材の前記一部は、前記ノッチと熱的に締まり嵌合する、シャワーヘッドアセンブリ。
12. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記リングは、前記ステムまたは前記天板に溶接される、シャワーヘッドアセンブリ。
13. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記リングは、前記ステムおよび前記天板に摩擦撹拌溶接される、シャワーヘッドアセンブリ。
14. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記リングは、前記ステムに摩擦撹拌溶接され、
    前記ステムは、前記天板に摩擦撹拌溶接される、シャワーヘッドアセンブリ。
15. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記ステムはカシメタブを備え、
    前記リングはノッチを備え、
    前記カシメタブは、前記リングの前記ノッチに少なくとも部分的に圧入される、シャワーヘッドアセンブリ。
16. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記リングは、前記リング溝と熱的に締まり嵌合する、シャワーヘッドアセンブリ。
17. 請求項９に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、
    前記リングは、前記シャワーヘッドの前記天板に隣接する、シャワーヘッドアセンブリ。
18. 方法であって、
    基板処理システムのシャワーヘッドアセンブリのシャワーヘッド用の天板を形成することと、
    前記シャワーヘッドアセンブリのステムを形成することと、
    バッフルプレート、リング、および複数の支持部材を備えるバッフルプレートアセンブリを形成することであって、前記複数の支持部材は、前記バッフルプレートから前記リングに延びることと、
    前記天板を前記ステム上にスライドさせることと、
    前記リングを前記シャワーヘッドアセンブリのリング溝に設置して、前記バッフルプレートを（ｉ）前記シャワーヘッドの前記ステムまたは前記天板と（ｉｉ）前記シャワーヘッドの底板との間に吊るすことと、
    前記リングを前記リング溝に係止することと、
    を含む、方法。
19. 請求項１８に記載の方法であって、さらに、
    前記リングを前記ステムまたは前記天板に溶接することを含む、方法。
20. 請求項１８に記載の方法であって、さらに、
    前記リングを前記ステムおよび前記天板に摩擦撹拌溶接することを含む、方法。
21. 請求項１８に記載の方法であって、前記リングを前記リング溝に係止することは、
    カシメタブを前記ステムのカラーにおいて形成することと、
    ノッチを前記リングにおいて形成することと、
    前記リングを前記リング溝に係止するために、前記カシメタブを前記リングの前記ノッチに少なくとも部分的に圧入するまたは押し込めることと、
    を含む、方法。
22. 請求項１８に記載の方法であって、前記リングを前記リング溝に係止することは、
    前記リングを前記リング溝に設置する前に、前記リングまたは前記ステムの一部を加熱して前記リングが前記リング溝に設置されるようにすることと、
    前記リングを前記リング溝に係止するために、前記リングまたは前記ステムの前記一部が周囲温度に戻るようにすることと、
    を含む、方法。
23. 請求項１８に記載の方法であって、前記リングを前記リング溝に係止することは、
    前記リングを前記リング溝に設置する前に、前記リングまたは前記ステムの一部を冷却して前記リングが前記リング溝に設置されるようにすることと、
    前記リングを前記リング溝に係止するために、前記リングまたは前記ステムの前記一部が周囲温度に戻るようにすることと、
    を含む、方法。
24. 請求項１８に記載の方法であって、さらに、前記複数の支持部材を前記ステムのノッチに係止することを含み、前記複数の支持部材を係止することは、
    前記リングを前記リング溝に設置する前に、前記複数の支持部材または前記ステムの一部を加熱して前記複数の支持部材が前記ノッチに設置されるようにすることと、
    前記複数の支持部材を前記ノッチに係止するために、前記複数の支持部材または前記ステムの前記一部が周囲温度に戻るようにすることと、
    を含む、方法。
25. 請求項１８に記載の方法であって、さらに、前記複数の支持部材を前記ステムのノッチに係止することを含み、前記複数の支持部材を係止することは、
    前記リングを前記リング溝に設置する前に、前記複数の支持部材または前記ステムの一部を冷却して前記複数の支持部材が前記ノッチに設置されるようにすることと、
    前記複数の支持部材を前記ノッチに係止するために、前記複数の支持部材または前記ステムの前記一部が周囲温度に戻るようにすることと、
    を含む、方法。

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