JPH06132274A - 半導体ウェーハの乾燥装置および方法 - Google Patents

半導体ウェーハの乾燥装置および方法

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JPH06132274A
JPH06132274A JP27761092A JP27761092A JPH06132274A JP H06132274 A JPH06132274 A JP H06132274A JP 27761092 A JP27761092 A JP 27761092A JP 27761092 A JP27761092 A JP 27761092A JP H06132274 A JPH06132274 A JP H06132274A
Authority
JP
Japan
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semiconductor wafer
pure water
air
drying
supply side
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Pending
Application number
JP27761092A
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English (en)
Inventor
Akiro Kobayashi
章朗 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェーハのウェット処理後の乾燥を目
的とする。 【構成】 半導体ウェーハを水洗する水洗槽１に水面を
低速で下降させる機構を設けた半導体ウェーハの乾燥装
置。 【効果】 前記の装置により、半導体ウェーハに対する
水面を低速で下降させ、半導体ウェーハのもつ揆水性と
純水の表面張力を利用して、半導体ウェーハ表面の純水
をハジかせ、かつ再付着しないようにする。従来のリフ
ター機構を用いて、半導体ウェーハを上昇させる同種装
置に対して、機械的振動を低減できることにより、安定
した乾燥状態を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造工
程における洗浄エッチング等の処理後の半導体ウェーハ
の乾燥に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の清浄な半導体ウェーハ表面
の持つ揆水性を利用した半導体ウェーハ乾燥装置は、図
３に示す通りオーバーフロー槽１内に設けられた半導体
ウェーハキャリア支持架２を半導体ウェーハキャリア支
持架に接続されたリフター機構１３により、低速で上昇
させることにより半導体ウェーハキャリア１１に収納さ
れた半導体ウェーハを大気中に１分間に２ｃｍ程度の低
速で徐々に露出させ、純水の有する表面張力により、半
導体ウェーハ表面の水分を除去するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の半
導体ウェーハ乾燥装置は、その乾燥過程すなわち半導体
ウェーハに対する純水水位を低下させる過程において振
動が加わると、純水が破断し半導体ウェーハ表面に水滴
となって純水が取り残される。前述した従来の半導体ウ
ェーハ乾燥装置は，リフター機構の上昇によって発生す
る振動によりしばしば半導体ウェーハ表面に水滴が残る
問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
の乾燥装置は、槽構造と槽構造内に設けられた半導体ウ
ェーハを収納するウェーハキャリアの支持架、槽構造内
に純水を提供する。機構，槽構造内の純水水位を低速で
低下させる機構よりなっている。
【０００５】
【作用】上記の構成により半導体ウェーハに対する純水
水位を槽構造内の水位低下という形で実現することがで
きる。
【０００６】このため振動の発生源となる半導体ウェー
ハキャリア支持架のリフター機構を廃止することができ
る。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例１を示す。
【０００８】オーバーフロー槽１はその中に半導体ウェ
ーハキャリア支持架２を設け、供給側エアバルブ３を介
して純水配管４、排水側エアバルブ５，６，７を介して
排水配管８が接続されており、供給側エアバルブ５，
６，７は制御部９によりその開閉が制御させる。
【０００９】本実施例は、供給側エアバルブ３を開、排
水側エアバルブ５，６，７を閉とし、オーバーフロー槽
１をオーバーフロー状態にして、半導体ウェーハ１０の
収納された半導体ウェーハキャリア１１を半導体ウェー
ハキャリア支持架２にて固定した後、供給側エアバルブ
３を閉じ、排水側エアバルブ５，６，７を開くことによ
り、オーバーフロー槽内の純水水位を２ｃｍ／分程度の
低速で低下させ、半導体ウェーハ１０を徐々に大気中に
露出させることにより半導体ウェーハ１０の乾燥を行う
ものである。
【００１０】なお、排水側エアバルブ５，６，７は、純
水水位の低下速度が略一定となるよう処理の初期状態で
はいずれか１つが開となり、処理の終了後直前で並列し
て開になるよう制御部９で制御される。
【００１１】
【実施例２】図２は本発明の実施例２を示す。
【００１２】本実施例は、オーバーフロー槽１の底面に
排水用の小穴１２を設けたものであり、乾燥時の純水水
位の低下をこの排水用の小穴１２よりの排水によりおこ
なうものである。本実施例は、オーバーフロー槽の純水
水位の低下速度が処理中に変化する現象が生じるが、機
構が非常に簡略化できる利点がある。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、振動源と
なる半導体ウェーハキャリア支持架のリフター機構を廃
止したことにより、半導体ウェーハに伝わる振動が低減
し安定した乾燥状態を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１の概略図。
【図２】 実施例２の概略図。
【図３】 従来の半導体ウェーハ乾燥装置の概略図であ
る。
【符号の説明】
１ オーバーフロー槽 ２ 半導体ウェーハキャリア支持架 ３ 供給側エアバルブ ４ 純水配管 ５，６，７ 排水側エアバルブ ８ 排水配管 ９ 制御部 １０ 半導体ウェーハ １１ 半導体ウェーハキャリア １２ 排水用小穴

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】槽構造と、槽構造内に設けられた半導体ウ
    ェーハキャリアの支持架と、槽構造内に純水を供給する
    機構と、槽構造内の純水位を低速で低下させる機構とを
    有することを特徴とする半導体ウェーハの乾燥装置。
  2. 【請求項２】半導体ウェーハを立設した半導体ウェーハ
    キャリアを、純水槽内に配置し、前記純水槽の下部より
    純水を排出して、水面を降下させ半導体ウェーハの揆水
    性を利用して、乾燥させることを特徴とする半導体ウェ
    ーハの乾燥方法。
  3. 【請求項３】前記純水水位を低速で低下させる機構は、
    複数の排水系を、水位の低下とともに順次開いて排水量
    を略一定化するものである請求項１の半導体ウェーハの
    乾燥装置。
JP27761092A 1992-10-16 1992-10-16 半導体ウェーハの乾燥装置および方法 Pending JPH06132274A (ja)

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