JPS5836679A - ウエツト処理方法 - Google Patents

ウエツト処理方法

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Publication number
JPS5836679A
JPS5836679A JP13276981A JP13276981A JPS5836679A JP S5836679 A JPS5836679 A JP S5836679A JP 13276981 A JP13276981 A JP 13276981A JP 13276981 A JP13276981 A JP 13276981A JP S5836679 A JPS5836679 A JP S5836679A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
nozzle
liquid
chemical solution
wet
Prior art date
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Granted
Application number
JP13276981A
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English (en)
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JPH0362476B2 (ja
Inventor
Tomoaki Tsuboka
智昭 坪香
Yoshinori Niwada
庭田 義則
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5836679A publication Critical patent/JPS5836679A/ja
Publication of JPH0362476B2 publication Critical patent/JPH0362476B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウェット処理方法、更に詳しくはホトエツチン
グ技術のうち、特に基板に薬液を供給する工程に用いる
ウェット処理方法に関するものである。
従来、基板表面のウェット処理方法とじて、第1図に示
すように基板1を入れたカセット2を薬液3が満たされ
た処理槽4に浸すディップ方式と、第2図、第3図およ
び第4図1こ示すように基板1を真空チャック5に吸着
保持し回転させながら、第2図のように噴射弁6により
霧状になった薬液3を吹き付けるスプレ一方式と、第3
図のように単孔ノズル7を基板中央に配し基板l上1こ
薬液3を滴下する単孔ノズル方式と、第4図のように一
端8aが閉じられた中空パイプのノズル8を基板1とほ
ぼ平行に配設し、底面に設けた多数の小穴より薬液3を
滴下するシャワ一方式とが知られている。
しかしながら、これらの方式はいずれも一長一短を有す
る。すなわち、第1図に示すディップ方式は基板1の表
面に機械的強度の弱い物質の膜が形成されている場合の
ウェット処理、たとえばポジ型ホトレジストの現像の場
合、ホトレジストの表面に機械的ダメージを与えずに高
品質に現像できる利点を持つ。その反面、生産の連続化
、自動化が困難であるなどの欠点を有する。
これに対し、第2図に示すスプレ一方式、第4図に示す
シャワ一方式は生産の連続化を容易に実現できるが、た
とえばポジ型ホトレジストのように機械的強度の弱い膜
の現像の場合、ホトレジスト表面を機械的に破壊してし
まい、品質を悪くするという欠点を有している。また第
3図に示す単孔ノズル方式は前記スプレ一方式およびシ
ャワー方式と同様の利点を有するが、基板表面の中央部
分のみに常に新しい薬液が供給されるため、基板中央部
と周辺部でのウェット処理状態が異なる欠点がある。
本発明の目的は従来のウェット処理方法の欠点を解消し
たウェット処理方法を提供することにある。
以下、本発明の一実施例を@5図により説明する。同図
に示すように、基板lは真空チャック51こより吸着保
持され、また基板lの上方に基板1と平行に中空パイプ
のノズル9が配置されている点は従来と同じである。
本実施例においては、前記ノズル9は両端が閉じられて
おり、真空チャック5の回転軸と同軸上の上方延長上に
設けられた中空パイプの回転軸10に職付けられている
。前記回転軸10は固定ブロック11に回転自在に支承
されており、図示しない駆動手段で回転させられる。ま
た固定ブロック11には薬液供給パイプ12が連結され
ており。
この薬液供給パイプ12は回転輪10の中空部と連通す
るように回転軸10および固定ブロック11にそれぞれ
穴(図示せず)が設けられている。またノズル9の下面
には多数の穴9aが基板lとある角度をもって、または
垂直に設けられている。
次lこかから構成される装置を用いて基板1の表面に薬
液を供給する方法について説明する。基板4を真空チャ
ック5に吸着保持させ、この基板1の上方にノズル9を
基板lと平行に数−程度近接して配置する。そして、真
空チャック5、すなわち基板1は回転させなく、回転軸
10.すなわちノズル9をi 0〜60 r、 p、m
8IKで回転させ、薬液供給パイプ12より固定ブロッ
ク111回転軸10を通してノズル9に薬液3を供給す
る。これにより、ノズル9の穴9aを通して基板l全面
にわたり均一に薬液3が供給される。
さて、第3図および第4図に示す従来のスプレ一方式、
シャワ一方式の場合は、基板1の回転により滴下する薬
液3と基板lの被処理膜表面との間に薬液の流れによる
せん断力が働き、機械的に被魁珊g*画を破壊してしま
う。しかるに、本発明の方法は基板1上の被処理膜表面
と滴下する薬液3との間には薬液の流れによるせん断力
が働かないので、基板1上に形成された機械的強度の弱
い被処理膜が破壊されることはない。
なお、上記実施例においては基板1を回転させない場合
について説明したが、真空チャック5を回転させ、遠心
力により古くなった薬液3を基板l外へ排出させて基板
1上に常に新しい薬液3を供給するようにしても、本発
明の方法においては被処理膜の破壊を防止することがで
きる。すなわち、本発明においてはノズル9を回転させ
ているので、ノズル9の回転数と基板1の回転数との相
対的な回転数より基板1の回転数を小さく設定すること
ができ、基板1上の被処理膜の薬液3の供給による機械
的破壊を防止させることができる。
また上記実施例1こおいてはホトレジストの現曹の場合
にりいて説明したが、他のウェット処理、たとえばエツ
チング、染色、水洗などにも同様に適用できる。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば。
ノズルを回転させながら液を供給するので、基板を固定
状態または小さな回転数で回転させることができ、液と
基板上の被処理膜表面との間に働く機械的力が著しく減
少し、高品質なウェット処理ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図および第4図は従来のウェット
処理方法を示し、第1図はディップ方式の断面図、第2
はスプレ一方式の斜視図、第3図は単孔ノズル方式の斜
視図、aI4図はシャワ一方式の斜視図、#I5図は本
発明になるウェット処理方法の一実施例を示し、(a)
は正面図、(b)はla)のA−A!1断面拡大図であ
る。 1・・・基板、  3・・・薬液、  5・−・真空チ
ャック、9・・・ノズル、   10−・・回転軸。 第 gWI!J 1 第2 図 第3図 I411

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上にノズルにより液を供給するウェット処理方法に
    おいて、前記ノズルを回転させながら前記基板上に液を
    供給することを特徴とするウェット処理方法。
JP13276981A 1981-08-26 1981-08-26 ウエツト処理方法 Granted JPS5836679A (ja)

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JP13276981A JPS5836679A (ja) 1981-08-26 1981-08-26 ウエツト処理方法

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JP13276981A JPS5836679A (ja) 1981-08-26 1981-08-26 ウエツト処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5836679A true JPS5836679A (ja) 1983-03-03
JPH0362476B2 JPH0362476B2 (ja) 1991-09-26

Family

ID=15089119

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016111345A (ja) * 2014-12-01 2016-06-20 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS541603A (en) * 1977-06-06 1979-01-08 Fujitsu Ltd Coating method of magnetic recording media

Patent Citations (1)

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JP2016111345A (ja) * 2014-12-01 2016-06-20 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置

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JPH0362476B2 (ja) 1991-09-26

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