JPS61112320A - 半導体基板現像処理装置 - Google Patents

半導体基板現像処理装置

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Publication number
JPS61112320A
JPS61112320A JP23450984A JP23450984A JPS61112320A JP S61112320 A JPS61112320 A JP S61112320A JP 23450984 A JP23450984 A JP 23450984A JP 23450984 A JP23450984 A JP 23450984A JP S61112320 A JPS61112320 A JP S61112320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
developing
nozzle
developer
revolution
Prior art date
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Pending
Application number
JP23450984A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidemi Amai
秀美 天井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61112320A publication Critical patent/JPS61112320A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体製造工程における半導体基板現像処理装
置【Ｃ関するものである。
半導体基板現像処理とは半導体製造工程におけるフォト
リングラフィ工程の一環であり該処理の前工程であるフ
ォトレジスト塗布処理及び露光。
焼付は処理を経た半導体基板（以下、ウェハと呼ぶ）を
現像処理することにより、ウェハ表面に７オトレジスト
による所望のパターンを得るものである０ 当然のことながら、良好な半導体を製造する為には、ウ
ェハ全面に対し均一な処理を行う必要がある。ウェハ現
像処理も同様にウェノ・全面に対し均一な処理を必要と
する。
現像処理においてフォトレジストに接触している現像液
は現像反応が進行する罠つれて現像液内にフォトレジス
トが溶解する為、該現像液の現像能力は刻々と劣化する
。
従って均一な現像処理を行う為にはウェハ表面全域に対
し均等な現像液の供給を行わなければならない。
従来のウェハ現像処理装置はウェハを回転機能を有する
真空吸着台（以下、スピンチャ、りと呼ぶ）に吸着保持
し回転、又は停止しウェハ表面に現像液をスプレー状又
はシャワー状に噴きつける、又は、ウェハの回転中心付
近に現像液を吐出する、あるいは、両者の複合等の手段
がとられていた。
しかしながら従来のウェハ現像処理装置てはウェ凸表面
における単位面積当−りに供給される単位時間当りの現
像液量がクエへの回転中心から外周に至る範囲で異る為
、ウェハ全面において均一な現像処理を行うことは困難
であった。
本発明は前記した問題を解消し、ウェハ全面において均
一な現像処理を可能とするウェハ現像処理装置を提供す
るものである。
本発明の実施例を図により説明すると（第１図参照）、
スピンチャック１の上に吸着保持されたウェハ２と、そ
のウェハ表面に現像液を吐出する現像ノズル３と、その
現像ノズルをウェハ外周からウヱハ回転中心力向へ移動
させる電動モーターとリードスクリュー等の駆動子段階
とウェハ表面にリンス液を吐出するリンスノズル５と、
それらを被う処理力、グ６より基本構成され、設定条件
に従いウェハを回転させ現像ノズルより現像液を吐出し
ながらウェハ外周よりウニへ回転中心方向へ、又はその
逆方向へ現像ノズルを移動させ、その移動速度をウェハ
の回転速度と回転中心に対する現像ノズルの位ＩＫよシ
コントロールするものである。
本発明を採用することにより、ウェハ全面における単位
面積当りに供給される単位時間当りの現像液量を均等に
することを可能とし、ウェハ全面における均一な現像処
理を提供し半導体製道工程における良品率の向上を計る
為、多大な効果を持たらすことは明白である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施を示す概略図である。 尚、図において、 ｌ・・・・・回転機能を有する真空吸着台、２・・・・
・・ウェハ、３・・・・・・現像ノズル、４・・・・・
現像ノズル駆動手段、５・・・・・・リンスノズル、６
・・・・・・処理力、グ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体基板を回転機能を有する真空吸着台に保持し、
    半導体基板表面に現像液を吐出し現像処理する半導体基
    板現像装置において、該現像液吐出ノズルに半導体基板
    面の平行方向に移動機能を具備したことを特徴とする半
    導体基板現像処理装置。
JP23450984A 1984-11-07 1984-11-07 半導体基板現像処理装置 Pending JPS61112320A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100279071A1 (en) * 2004-08-09 2010-11-04 Lam Research Corporation Systems and Methods Affecting Profiles of Solutions Dispensed Across Microelectronic Topographies During Electroless Plating Processes
JP2011203469A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Toppan Printing Co Ltd 現像方法および現像装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632724A (en) * 1979-08-24 1981-04-02 Hitachi Ltd Photoresist applying apparatus
JPS57192955A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Toppan Printing Co Ltd Developing method
JPS5963726A (ja) * 1982-10-05 1984-04-11 Toshiba Corp ホトレジスト現像装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632724A (en) * 1979-08-24 1981-04-02 Hitachi Ltd Photoresist applying apparatus
JPS57192955A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Toppan Printing Co Ltd Developing method
JPS5963726A (ja) * 1982-10-05 1984-04-11 Toshiba Corp ホトレジスト現像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100279071A1 (en) * 2004-08-09 2010-11-04 Lam Research Corporation Systems and Methods Affecting Profiles of Solutions Dispensed Across Microelectronic Topographies During Electroless Plating Processes
JP2011203469A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Toppan Printing Co Ltd 現像方法および現像装置

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