JPH04130716A - ウエハ偏心エッジリンス法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体製造のレジスト塗布工程におけるウェ
ハの周部のレジスト膜を除去するためのウェハ偏心エツ
ジリンス法に関する。

〈従来の技術〉 ウェハを被覆したレジスト膜はウェハの周部において剥
がされ易い、このため、ウェハにレジスト膜を被覆した
後、予めウェハの周部のレジスト膜を除去していた。

二の除去方法の一例を説明する。ウェハを被覆したレジ
スト膜の周部を除去するには、ウェハの中心をウェハの
回転軸に一致させた状態でウェハを周方向に回転させ、
ウェハの上方に設けられたノズルよりエツジリンス液を
ウェハの中心側よりウェハの周部に向けて吐出させて、
回転するウェハの周部に掛け、ウェハの周部に形成され
たレジスト膜をエツジリンス液で溶かして除去する。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記除去方法において、第３図に示すよ
うに、ウェハ３２のチップ形成領域３３上のレジスト膜
３１にエツジリンス液が掛からないようにした場合には
、ウェハ３２の円弧部３２ｃを被覆したレジスト膜３１
は所定の除去幅して除去されるが、オリエンテーション
フラット３２ｆ近傍を被覆したレジスト膜３１は除去さ
れないで残る。このため、ウェハ３２をウェハキャリア
（図示せず）に収納したときや次工程でウェハ３２を処
理した時に、オリエンテーションフラット３２ｆ近傍に
残ったレジスト膜３１が剥がされたり削られたりして塵
埃になり、この塵埃によってウェハ３２は汚染されて、
品質が低下する。

また第４図に示す如く、オリエンテーションフラット３
２ｆ近傍を被覆したレジスト膜３１を除去するために、
レジスト膜３１が除去される幅を除去幅Ｌ”に広げた場
合には、ウェハ３２のチップ形成領域３３のうちの外側
に形成される一部のチップ３３ｃ（図面中耕線で示す）
上を被覆したレジストｌ＊３１の一部も除去されるため
に、チップ３３ｃにはレジスト膜３１によるパターン形
成ができなくなる。その結果、完成品になるチップ数が
減るので、歩留りが低下する。

本発明は、上記課題を解決するために成されたもので、
ウェハの周部を被覆したレジスト膜の除去に優れたウェ
ハ偏心エツジリンス法を提供することを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、上記目的を達成するために成されたものであ
る。

すなわち、ウェハの中心をウェハの回転軸に一致させて
ウェハを周方向に回転させ、次にウェハのチップ形成領
域を除くウェハの円弧部を被覆したレジスト膜にノズル
より吐出させたエツジリンス液を掛けてレジスト膜を除
去する工程と、ウェハの中心に対してウェハの回転軸を
オリエンテーションフラット方向とは反対方向に偏心さ
せた状態にウェハを移動させて、ウェハ半径とウェハの
中心よりオリエンテーションフラットまでの距離との差
をウェハの移動距離より差し引いた距離だけノズルをウ
ェハの周部方向に移動させる工程と、ウェハの中心をウ
ェハの回転軸に対して偏心させｆ：、　状３１ｍ　テウ
エハを周方向に回転させ、次にウェハのチップ形成領域
を除くオリエンテーションフラット近傍のレジスト膜の
みにノズルより吐出させたエツジリンス液を掛けてレジ
スト膜を除去する工程とにより成る。

〈作用〉 上記方法のウェハ偏心エツジリンス法では、ウェハの中
心をウェハの回転軸に一致させてウェハを周方向に回転
させ、チップ形成領域を除くウェハの円弧部を被覆した
レジスト膜にノズルより吐出させたエツジリンス液を掛
けることにより、エツジリンス液を掛けたレジスト膜が
エツジリンス液によって溶かされて、溶かされたレジス
ト膜はウェハの回転による遠心力によって除去される。

また、ウェハの中心に対してウェハ回転軸をオリエンテ
ーションフラット方向とは反対方向に偏心させた状態で
ウェハを周方向に回転させ、オリエンテーションフラッ
ト近傍のレジスト膜にノズルより吐出させたエツジリン
ス液を掛けることにより、ウェハの回転軸に対して最も
外側に位置するオリエンテーションフラット近傍のレジ
スト膜がエツジリンス液によって溶かされて、溶かされ
たレジスト膜はウェハの回転による遠心力によって除去
される。

よって、ウェハのチップ形成領域を被覆したレジスト膜
を除去することなく、ウェハの周部を被覆したレジスト
膜は全周に亙たって除去される。

〈実施例〉 本発明の実施例を行うためのエツジリンス装置の−例を
第１図に示す概略正面図により説明する図に示すように
、エツジリンス装置１１は、スピンチャック１２と、ス
ピンチャック１２上に載置されるウェハ１３の上方でこ
のウェハ１３の中心側より当該ウェハ１３の周部に向け
てエツジリンス液１４が吐出されるように設けられたノ
ズル１５と、スピンチャック１２に設けられた駆動装置
（図示せず）とにより構成される。

次に、前記エツジリンス装置１１を用いてウェハ１３の
エツジリンスを行う方法を、前述した第１図および第２
図に示す第１図中のウェハの平面図により説明する。

図に示す如く、レジスト膜１６を被覆したウェハ１３は
、ウェハ１３の中心０とウェハ１３の回転軸Ｚ、すなわ
ちスピンチャック１２の回転軸とを一致させた状態で、
スピンチャック１２上に載置される。そして、このスピ
ンチャック１２を駆動装置（図示せず）によって回転さ
せてウェハ１３を周方向に回転させる。

また、ウェハ１３を回転させた状態で、ノズル１５より
ウェハ１３の中心側より当該ウェハＩ３の円弧部１３ｃ
に向けてエツジリンス液１４を吐出させる。このエツジ
リンス液１４はレジスト膜１３を溶かす溶剤より成る。

そして、吐出されたエツジリンス液１４はウェハ１３の
チップ形成領域１７を除くウェハ１３の円弧部１３ｃ上
のレジスト膜１６　（１６ｃ）に掛けられる。このエツ
ジリンス液１４が掛けられた部分のレジスト膜１６ｃ（
第２図中の斜線部）は、エツジリンス液１４によって溶
かされ、ウェハ１３の回転による遠心力によって回転方
向に対してほぼ接線方向に飛ばされて、ウェハ１３上よ
り除去される。

次に、ウェハ１３をオリエンテーションフラット（以下
ＯＦと略記）１３ｆ方向に距離りだけ移動させて、移動
させたウェハ１３の中心０′に対してウェハ１３の回転
軸Ｚ１すなわちスピンチャック１２の回転軸を０Ｆ１３
ｆ方向とは反対方向に距ｇｌＤだけ偏心させた状態にす
る。そしてウェハ１３をスピンチャック１２上に載置す
る。

さらに、ノズル１５をウェハ１３より更に外側に移動さ
せる。移動させたウェハ１３の位置およびノズル１５の
位置は第２図中の２点鎖線で示される。またこの時のノ
ズル１５の移動路ＭＭは、ウェハ半径Ｒとウェハ１３の
中心０より０Ｆ１３ｆまでの距離Ｆとの差をウェハの移
動路ＨＤより差し引いた距離になるので、Ｍ＝Ｄ−（Ｒ
−Ｆ）で表される。

次に、前記ウェハ１３の中心０′を偏心させた状態でス
ピンチャック１２とともにウェハ１３を周方向に回転さ
せる。ウェハ１３を回転させた状態で、ノズル１５より
エツジリンス液１４を回転するウェハ１３の中心側より
当該ウェハ１３の軌跡の周部１８に向けて吐出させて、
エツジリンス液１４を０Ｆ１３ｆ近傍のレジスト膜１６
（１６ｆ）（第２図中の綱目部）に掛ける。このエツジ
リンス液１４が掛けられた０Ｆ１３ｆ近傍のレジスト膜
１６ｆは、溶かされて、ウェハ１３０回転による遠心力
によって、回転のほぼ接線方向に飛ばされて除去される
。

このようにして、チップ形成領域１７上を被覆したレジ
スト膜１６は除去されることなく、ウェハ１３の周部を
被覆したレジスト［１６は全周ニ亙たって除去される。

〈発明の効果〉 以上、説明したように本発明によれば、チップ形成領域
を除くウェハの円弧部に形成されたレジスト膜を除去す
る工程と、ウェハの中心に対してウェハの回転軸を偏心
させた状態にウェハを移動させて、ウェハの移動にとも
なってノズルを移動させる工程と、ウェハを偏心させた
状態でウェハを周方向に回転させてオリエンテーション
フラット近傍のレジスト膜を除去する工程とにより成る
ので、ウェハのチップ形成領域のレジスト膜を除去する
ことなく、ウェハの周部を被覆したレジスト膜は全周に
亙たって除去される。

よって、レジスト膜による塵埃の発生がなくなるので、
ウェハの品質が保たれて歩留りの向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例を行うためのエツジリンス装置の概略
正面図、 第２図は、レジスト膜の除去を説明するウェハの平面図
、 第３図は、従来の課題の説明図、 第４図は、別の従来の課題の説明図である。 １１・・・エツジリンス装置。 １２・・・スピンチャック。 １３・・・ウェハ、　　１３Ｃ・・・円弧部。 １３ｆ・・・オリエンテーションフラット。 １４・・・エツジリンス液。 １５・・・ノズル、　　１６・・・レジスト膜。 １６ｃ・・・円弧部のレジスト膜。 １６ｆ・・・オリエンテーションフラットの近傍のレジ
スト膜 １７・・・チップ形成領域。 ０・・・ウェハの中心。 ０゛・・・ウェハの中心。 Ｚ・・・ウェハの回転軸。 Ｄ・・・ウェハの移動距離。 Ｍ・・・ノズルの移動距離。 Ｒ・・・ウェハ半径。 Ｆ・・・ウェハの中心より オリエンテーションフラットまでの距離。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 レジスト膜を被覆したウェハの中心と前記ウェハの回転
   軸とを一致させて前記ウェハを周方向に回転させ、次に
   前記ウェハの上方に設けたノズルよりエッジリンス液を
   ウェハの中心側よりウェハの円弧部に向けて吐出させて
   、前記ウェハのチップ形成領域を除く前記ウェハの円弧
   部を被覆したレジスト膜に前記エッジリンス液を掛け、
   そしてエッジリンス液が掛けられた部分のレジスト膜を
   除去する工程と、 前記ウェハの中心に対して前記ウェハの回転軸を前記オ
   リエンテーションフラット方向とは反対方向に偏心させ
   た状態に前記ウェハを移動させて、次にウェハ半径とウ
   ェハの中心よりオリエンテーションフラットまでの距離
   との差を前記ウェハの移動距離より差し引いた距離だけ
   前記ノズルを前記ウェハの周部方向に移動させる工程と
   、 前記ウェハの中心を前記ウェハの回転軸より偏心させた
   状態で前記ウェハを周方向に回転させ、次に前記ノズル
   よりエッジリンス液をウェハの中心側よりウェハの周部
   に向けて吐出させて、前記オリエンテーションフラット
   近傍の前記レジスト膜に前記吐出させたエッジリンス液
   を掛け、そしてエッジリンス液が掛けられたオリエンテ
   ーションフラット近傍のレジスト膜を除去する工程とに
   よりなることを特徴とするウェハ偏心エッジリンス法。