JPS61121333A - 半導体ウエーハに感光材料の層を設ける方法および装置 - Google Patents
半導体ウエーハに感光材料の層を設ける方法および装置Info
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- JPS61121333A JPS61121333A JP60250982A JP25098285A JPS61121333A JP S61121333 A JPS61121333 A JP S61121333A JP 60250982 A JP60250982 A JP 60250982A JP 25098285 A JP25098285 A JP 25098285A JP S61121333 A JPS61121333 A JP S61121333A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、感光材料の層を液体の形で半導体つ工−ハに
施し、次いで、所望の厚さの層を得るためにウェーハを
回転し、このウェーハの周縁部にある感光材料を、該感
光材料を溶解するためにウェーハの周縁部に向けた液体
のジェットによって除去するようにした半導体ウェーハ
に感光材料の層を設ける方法に関するものである。
施し、次いで、所望の厚さの層を得るためにウェーハを
回転し、このウェーハの周縁部にある感光材料を、該感
光材料を溶解するためにウェーハの周縁部に向けた液体
のジェットによって除去するようにした半導体ウェーハ
に感光材料の層を設ける方法に関するものである。
一般に、感光材料（ホトレジスト）層は、特にこの目的
に設計された水平に配設された可変速の回転テーブルを
有する機械によって、マイクロエレクトロニック回路製
造用の半導体に設けられる。
に設計された水平に配設された可変速の回転テーブルを
有する機械によって、マイクロエレクトロニック回路製
造用の半導体に設けられる。
半導体ウェーハは前記のテーブル上にのせられ、例えば
真空によってこのテーブル上に保持される。
真空によってこのテーブル上に保持される。
計量された感光材料が半導体ウェーハに施される。
前記のテーブルを回転することにより感光材料は遠心力
を受け、所定の回転速度で感光材料層の所望の最終厚さ
が得られる。
を受け、所定の回転速度で感光材料層の所望の最終厚さ
が得られる。
けれどもこの工程において半導体ウェーハの周縁部に望
ましくない結果が生じる、即ち、周縁部においてウェー
ハの垂直部分も感光材料で覆われる。好適な歩留りを得
るために極めて高い純度が必要とされるにも拘らず、周
縁部より突き出ているこの感光材料はくずれ落ち易く（
これは極めてもろい）この場合半導体ウェーハの移送装
置および以後の処理装置の両方の望ましくない汚染をき
たす。
ましくない結果が生じる、即ち、周縁部においてウェー
ハの垂直部分も感光材料で覆われる。好適な歩留りを得
るために極めて高い純度が必要とされるにも拘らず、周
縁部より突き出ているこの感光材料はくずれ落ち易く（
これは極めてもろい）この場合半導体ウェーハの移送装
置および以後の処理装置の両方の望ましくない汚染をき
たす。
この望ましくない結果を避けるために、突き出ている感
光材料は例えばアセトンのような適当な液体有機溶媒に
よって除去される。この場合前記の溶媒のジェットは、
回転している周縁部に向けられている。スパッタリング
のため、半導体ウェーハの活性表面の一部に溶媒が触れ
ることが屡々あり、歩留りを悪くする。
光材料は例えばアセトンのような適当な液体有機溶媒に
よって除去される。この場合前記の溶媒のジェットは、
回転している周縁部に向けられている。スパッタリング
のため、半導体ウェーハの活性表面の一部に溶媒が触れ
ることが屡々あり、歩留りを悪くする。
本発明の目的は、歩留りに悪影響を与えることなしに、
半導体ウェーハの周縁を越えて出ている感光材料を有効
に除去する方法を得ることにある。
半導体ウェーハの周縁を越えて出ている感光材料を有効
に除去する方法を得ることにある。
本発明はこの目的を達成するために次のようにしたこと
を特徴とするものである、即ち、感光材料を溶解するた
めの液体のジェットを最初は半導体ウェーハの範囲外に
向け、次いで液体のジェットをウェーハの周縁部に向け
、その後、液体のジェットを再び前記のウェーハの範囲
外に向ける。
を特徴とするものである、即ち、感光材料を溶解するた
めの液体のジェットを最初は半導体ウェーハの範囲外に
向け、次いで液体のジェットをウェーハの周縁部に向け
、その後、液体のジェットを再び前記のウェーハの範囲
外に向ける。
驚（べきことには、本発明によれば、感光材料層への望
ましくないスパッタリングは最早生ぜず、したがって半
導体ユニブトの歩留りが大きく増すことがわかった。本
発明の方法による好ましい効果は、ジェットが開始され
ると直ちに溶液が半導体ウェーハに向けられることが避
けられ、このためスパッタリングの影響が生じないです
み、歩留りが著しく良くなることによって得られるもの
であろう。
ましくないスパッタリングは最早生ぜず、したがって半
導体ユニブトの歩留りが大きく増すことがわかった。本
発明の方法による好ましい効果は、ジェットが開始され
ると直ちに溶液が半導体ウェーハに向けられることが避
けられ、このためスパッタリングの影響が生じないです
み、歩留りが著しく良くなることによって得られるもの
であろう。
本発明は更に前記の方法の実施に直接使用する装置に関
するものである。本発明の装置は、回転可能なテーブル
と、このテーブル上に半導体ウェーハを保持する装置と
、感光材料を溶解するのに適した液体の供給装置を有す
るこの種装置において、供給装置は、感光材料の層を溶
解する液体の出口ノズルを有する管状部分を有し、この
出口ノズルを有する管状部分は、該出口ノズルより出る
液体のジェットがウェーハの周縁部の外に向けられ、次
いでその周縁部に向けられその投餌びその周縁部の外に
向けられるように動作する装置によって、前記の回転可
能なテーブルに対して側方に変位可能に配設されたこと
を特徴とする。
するものである。本発明の装置は、回転可能なテーブル
と、このテーブル上に半導体ウェーハを保持する装置と
、感光材料を溶解するのに適した液体の供給装置を有す
るこの種装置において、供給装置は、感光材料の層を溶
解する液体の出口ノズルを有する管状部分を有し、この
出口ノズルを有する管状部分は、該出口ノズルより出る
液体のジェットがウェーハの周縁部の外に向けられ、次
いでその周縁部に向けられその投餌びその周縁部の外に
向けられるように動作する装置によって、前記の回転可
能なテーブルに対して側方に変位可能に配設されたこと
を特徴とする。
本発明の装置の好ましい一実施態様においては、出口ノ
ズルを有する管状部分は枢動的に配設され、前記の管状
部分を、液体のジェットが半導体ウェーハの周縁部の外
に向けられた位置から液体のジェットが周縁部に向けら
れそして再び周縁部の外に向けられた位置に枢動させる
運動装置が存する。
ズルを有する管状部分は枢動的に配設され、前記の管状
部分を、液体のジェットが半導体ウェーハの周縁部の外
に向けられた位置から液体のジェットが周縁部に向けら
れそして再び周縁部の外に向けられた位置に枢動させる
運動装置が存する。
以下本発明を図面の実施例で更に詳しく説明する。
第１図と第２図は、半導体ウェーハに感光材料の層を設
ける装置を極く線図的に示したものである。この装置は
テーブル１を有し、このテーブルは、その駆動装置を図
示してないシャフト２を中心として回転可能である。半
導体材料のウェーハ３はテーブル１上に置かれる。この
ウェーハは、それ自体は公知の方法例えば真空によって
テーブル１上に保持される。
ける装置を極く線図的に示したものである。この装置は
テーブル１を有し、このテーブルは、その駆動装置を図
示してないシャフト２を中心として回転可能である。半
導体材料のウェーハ３はテーブル１上に置かれる。この
ウェーハは、それ自体は公知の方法例えば真空によって
テーブル１上に保持される。
液体の形の計量された感光材料がチューブ４を経て半導
体ウェーハ上に施される。シャフト２を中心とする回転
によって遠心力が感光材料に及ぼされ、最終的に得られ
るべき層の厚さは、シャフト２したがってウェーハ３の
回転速度によっても決められる。
体ウェーハ上に施される。シャフト２を中心とする回転
によって遠心力が感光材料に及ぼされ、最終的に得られ
るべき層の厚さは、シャフト２したがってウェーハ３の
回転速度によっても決められる。
感光材料５の最終的な形が第３図に大きく拡大して示さ
れている。ウェーハ３の上側以外に、多量の感光材料が
ウェーハ３の周縁部と垂直部分６にも存する。感光材料
のこの部分は図面に符号７で示しである。この部分の感
光材料７は、そのもろさのために、半導体の移送ふよび
それ以後の処理の間に破損し易い。この破損した部分が
以後の処理装置を汚し、製造された半導体デバイスの品
質に極めて有害な影響を与えることがある。感光材料７
を溶解しかくて汚れを防ぐために、感光材料で覆われた
半導体ウェーへの周縁部にアセトンのような有機物液体
を直接にスプレーすることは公知である。
れている。ウェーハ３の上側以外に、多量の感光材料が
ウェーハ３の周縁部と垂直部分６にも存する。感光材料
のこの部分は図面に符号７で示しである。この部分の感
光材料７は、そのもろさのために、半導体の移送ふよび
それ以後の処理の間に破損し易い。この破損した部分が
以後の処理装置を汚し、製造された半導体デバイスの品
質に極めて有害な影響を与えることがある。感光材料７
を溶解しかくて汚れを防ぐために、感光材料で覆われた
半導体ウェーへの周縁部にアセトンのような有機物液体
を直接にスプレーすることは公知である。
本願人は、主として半導体ウェーハに向けられた溶媒の
ジェットを開始した時にこの溶媒のスパツクが半導体ウ
ェーハの他の部分にもかかり、感光材層の欠陥を生じ、
満足に動作する半導体デバイスの歩留りが悪くなること
が殆んどの場合中じることを見出した。本発明はこの有
害な影響を防ぐことを目的とするものである。
ジェットを開始した時にこの溶媒のスパツクが半導体ウ
ェーハの他の部分にもかかり、感光材層の欠陥を生じ、
満足に動作する半導体デバイスの歩留りが悪くなること
が殆んどの場合中じることを見出した。本発明はこの有
害な影響を防ぐことを目的とするものである。
第１図と第２図は、感光材層の溶媒の供給装置８の一部
を線図的に示したものである。この供給装置は、ピボッ
ト１０の回りに枢動可能なチューブ９を有する。この管
状部分９は出口ノズル１１を育する。前記のチューブ９
を枢動させるための運動機構は、図にはシャフト１３を
中心として回転可能な偏心円板１２を例として示しであ
る。この偏心円板１２の回転によって、チューブ９は第
１図と第２図に示した位置間を動くことができる。
を線図的に示したものである。この供給装置は、ピボッ
ト１０の回りに枢動可能なチューブ９を有する。この管
状部分９は出口ノズル１１を育する。前記のチューブ９
を枢動させるための運動機構は、図にはシャフト１３を
中心として回転可能な偏心円板１２を例として示しであ
る。この偏心円板１２の回転によって、チューブ９は第
１図と第２図に示した位置間を動くことができる。
本発明によれば、感光材料の周縁部を取除く時には、先
ず出口ノズル１１が第２図の位置に動かされ、この位置
で溶解液の供給が開始され、液体のジェットは半導体ウ
ェーハ３にかからない。このようにして、液体のジェッ
トが開始時には半導体ウェーハの表面に液体がかかるの
が避けられる。
ず出口ノズル１１が第２図の位置に動かされ、この位置
で溶解液の供給が開始され、液体のジェットは半導体ウ
ェーハ３にかからない。このようにして、液体のジェッ
トが開始時には半導体ウェーハの表面に液体がかかるの
が避けられる。
液体のジェットが開始された後に、チューブ９の出口ノ
ズル１１がウェーハ３の周縁に向けられる。
ズル１１がウェーハ３の周縁に向けられる。
図の実施例では、チューブ９はピボット１０の回りに枢
動可能であり、この枢動運動は、シャフト１３を中心と
して回転可動な偏心円板１２によって制御される。第１
図の位置では、液体のジェットはつ工−ハ３の周縁部に
向けられている。半導体ウェーハ３上への液体のスパッ
タリングは起きず、このため歩留りへの悪影響が避けら
れることが判明した。ウェーハの周縁部より出ている感
光材料や部分が溶解されると、チューブ９は再び第２図
の位置に動かされ、液体のジェットは止められる。
動可能であり、この枢動運動は、シャフト１３を中心と
して回転可動な偏心円板１２によって制御される。第１
図の位置では、液体のジェットはつ工−ハ３の周縁部に
向けられている。半導体ウェーハ３上への液体のスパッ
タリングは起きず、このため歩留りへの悪影響が避けら
れることが判明した。ウェーハの周縁部より出ている感
光材料や部分が溶解されると、チューブ９は再び第２図
の位置に動かされ、液体のジェットは止められる。
ウェーハ３に対する出口ノズル１１とチューブ９の運動
は別の方法でも行なえることは明らかで、枢着されたチ
ューブおよび偏心円板による駆動は単なる例示に過ぎな
いことは言うまでもない。
は別の方法でも行なえることは明らかで、枢着されたチ
ューブおよび偏心円板による駆動は単なる例示に過ぎな
いことは言うまでもない。
第１図は半導体ウェーハに感光材料を施し、周縁部より
出ている感光材料を除去する装置の線図的表示、 第２図は溶媒の供給装置が異なる位置にある場合を示す
同一装置の線図的表示、 第３図は周縁部より出た感光材料を有する半導体ウェー
ハの一部拡大断面図である。 １・・・テーブル ２．１３・・・シャフト３
・・・半導体ウェーハ ４，９・・・チューブ５・・
・感光材料 ６・・・垂直部分７・・・周縁部
の感光材料 １０・・・ピボット１１・・・出口ノズル
１２・・・偏心円板特許出願人 エヌ・ベー
・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
出ている感光材料を除去する装置の線図的表示、 第２図は溶媒の供給装置が異なる位置にある場合を示す
同一装置の線図的表示、 第３図は周縁部より出た感光材料を有する半導体ウェー
ハの一部拡大断面図である。 １・・・テーブル ２．１３・・・シャフト３
・・・半導体ウェーハ ４，９・・・チューブ５・・
・感光材料 ６・・・垂直部分７・・・周縁部
の感光材料 １０・・・ピボット１１・・・出口ノズル
１２・・・偏心円板特許出願人 エヌ・ベー
・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感光材料の層を液体の形で半導体ウェーハに施し、
次いで、所望の厚さの層を得るためにウェーハを回転し
、このウェーハの周縁部にある感光材料を、該感光材料
を溶解するためにウェーハの周縁部に向けた液体のジェ
ットによって除去するようにした半導体ウェーハに感光
材料の層を設ける方法において、感光材料を溶解するた
めの液体のジェットを最初は半導体ウェーハの範囲外に
向け、次いで、液体のジェットをウェーハの周縁部に向
け、その後、液体のジェットを再び前記のウェーハの範
囲外に向けることを特徴とする半導体ウェーハに感光材
料の層を設ける方法。 ２、回転可能なテーブルと、このテーブル上に半導体ウ
ェーハを保持する装置と、感光材料を溶解するのに適し
た液体の供給装置を有する半導体ウェーハに感光材料の
層を設ける装置において、供給装置は、感光材料の装置
を溶解する液体の出口ノズルを有する管状部分を有し、
この出口ノズルを有する管状部分は、該出口ノズルより
出る液体のジェットが半導体ウェーハの周縁部の外に向
けられ次いでその周縁部に向けられその後再びその周縁
部の外にむけられるように動作する装置によって、前記
の回転可能なテーブルに対して側方に変位可能に配設さ
れたことを特徴とする半導体ウェーハに感光材料の層を
設ける装置。 ３、出口ノズルを有する管状部分は枢動的に配設され、
前記の管状部分を、液体のジェットが半導体ウェーハの
周縁部の外に向けられた位置から液体のジェットが周縁
部に向けられそして再び周縁部の外に向けられた位置に
枢動される運動装置が存する特許請求の範囲第２項記載
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8403459 | 1984-11-13 | ||
| NL8403459A NL8403459A (nl) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121333A true JPS61121333A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH0719741B2 JPH0719741B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=19844757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60250982A Expired - Fee Related JPH0719741B2 (ja) | 1984-11-13 | 1985-11-11 | 半導体ウェーハに感光材料の層を設ける方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4668334A (ja) |
| EP (1) | EP0183297B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0719741B2 (ja) |
| CN (1) | CN1003751B (ja) |
| DE (1) | DE3572049D1 (ja) |
| IE (1) | IE57147B1 (ja) |
| NL (1) | NL8403459A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
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| JPH01121114U (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-16 | ||
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