CN85108189A - 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置 - Google Patents

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Abstract

在一个将感光材料涂盖在半导体材料的晶片(3)的方法中，液体状的感光材料被放在晶片上而晶片则旋转令感光层达到希望的厚度。位于晶片(3)的边缘(6)的感光材料(7)会由一指向这个边缘的液体喷流将感光材料溶解，该喷流会首先被指向半导体材料的晶片以外的地方，然后该液体喷流会指向晶片的边缘，最后，该液体喷流会再次指向晶片以外的地方并将该液体的供应关上。

Description

本发明涉及在一块半导体晶片上涂上一层感光材料的方法，其中，在晶片上加上液体状的感光材料后，晶片会被旋转从而获得一层理想厚度的感光层，位于晶片边缘的感光材料是由一个向着这个边缘溶解感光材料的液体的喷流所除去。本发明更涉及使用这种方法的装置及利用这个方法获得的半导体晶片。
一般情形下，在制造微电子线路时会将感光（光敏抗蚀剂）层涂在半导体晶片上，并用一部特别为这用途设计的机械进行，该机械包括一个速度可变的水平安排可转动的枱。该半导体晶片便放在这枱上并用例如真空的方法将之固定。一量定份量的液体感光材料会加在半导体晶片上。将枱转动，感光层便受一离心力，并在一预定的速度旋转，使感光层达到期望的最后厚度。
可是，在这过程中，一个不希望的效果在半导体晶片的边缘发生;在晶片边缘的垂直部分亦被感光材料所盖。这些在边缘悬垂的感光材料容易断开（它是非常易碎的），因而引致运输装置及进一步对半导体晶片进行处理的装置均受到不希望的污染，在那里是须要极高的洁净度来获得良好的产品。
为了防止这个不良的影响，该悬垂的感光材料会由一适当的液体有机溶剂所除去，例如丙酮。一溶剂的喷流会被导向正在旋转的半导体晶片的边缘。由于飞溅的关系，半导体晶片的有效表面的一部分经常会被溶剂所触及，而这会对产品有不利的影响。
本发明的目的是提供一种将在半导体晶片边缘凸出的感光材料有效地除去而又对产品没有不利的影响的方法。为了达到这个目的，根据本发明的方法的特征在于溶解感光材料的液体喷流首先指向半导体材料的晶片以外的地方，然后液体喷流会指向晶片边缘，接着液体喷流会再指向晶片以外的地方。
利用根据本发明的方法，惊奇地发现那些不希望的溶剂飞溅在感光层上的情况不再出现，因此，适用的半导体元件的产量便大大增加。根据本发明的方法取得令人满意的效果大概是因为它避免了在启动后溶剂立即指向半导体晶片上，从而令飞溅效果不会发生并使产量明显地增加。
本发明进一步涉及实行根据本发明的方法的装置。这类装置包括一个可旋转的枱而它进一步包括用以将半导体晶片固定在枱上的装置;及有供应溶解感光材料的适当液体的装置，其特征在于该供应装置有一管状部分并设有给溶解感光材料的液体的出口喷嘴，而其中连带着出口喷嘴的管状部分被安排成可以相对于可旋转的枱作横向移动，并设有一操作装置使从出口喷嘴发射的液体喷流被指向半导体晶片的边缘以外，然后回到该边缘，接着又指向该边缘以外的地方。
根据本发明的装置的一个推荐的实施例中，设有出口喷嘴的管状部分是枢轴式安装的，并有移动装置将管状部分从一个液体喷流指向半导体晶片边缘以外的位置旋转回到喷流指向该边缘的位置，然后再指向边缘以外。
本发明将会参考附图中所示的实施例更详尽地被描述。附图中：
图1非常概略地显示一部将感光材料涂盖在一块半导体晶片及将悬垂在边缘的材料除去的装置。
图2显示同一装置，而溶剂供应装置在另一个不同的位置，
图3显示一块半导体晶片的一部分并附有悬垂在边缘的感光材料。
图1及图2非常概略地显示一部在半导体晶片上涂盖一层感光材料（光敏抗蚀剂）的装置。该装置包括一张可绕轴芯2旋转的枱1，而它的驱动器则没有显示。一块半导体材料的晶片3放在枱1上。晶片以一本身已知的形式，例如用真空方法固定在枱1上。
量定份量的液体感光材料通过管道4放在半导体晶片3上。绕着轴芯2旋转，离心力便作用在感光材料上;该最后获得的感光材料层厚度是由轴芯2，亦即是晶片3的旋转速度所决定。
感光材料层5的最终形状在图3中大大放大地显示。除了在晶片3的上面外，一些感光材料亦出现在晶片3的周边部分及晶片的垂直部分6。该部分感光材料由数字7标明。由于它的易碎，该材料7是易于在该块半导体晶片的运输过程及进一步处理的过程中断开的。断开的部分污染了进一步处理的装置，这样对于生产出来的半导体元件的品质有极不利的影响。
已知将有机液体例如丙酮直接喷到盖着半导体晶片周边6的感光材料而将该感光材料7溶解并因此防止了污染。
申请人发现并基本确定，主要是当溶剂的喷流在开动时指向半导体晶片，溶剂的溅出物亦触及半导体晶片的其它部分并对感光层做成破坏，这会引致能满意地工作的半导体元件的产品遭受不利的影响。本发明防止了这种不利影响。
图1及图2概略地显示了供应感光层溶剂的装置的一部分8。这供应装置包括一条可绕枢轴10转动的管状部分9。该管状部分9有一出口喷嘴11。一个用以转动管状部分9的移动机械装置在图中作为例子地显示出来，它是一个可绕轴芯13旋转的偏心盘12。利用该偏心盘12的转动，管9便可在图1及图2所示的位置之间移动。
根据本发明，在除去周边的感光材料7时，首先，出口喷嘴11被带到图2所示的位置，在这位置，溶解液体的供应被启动而液体喷流则没有触及半导体晶片3。因此，液体在启动喷嘴时飞溅在半导体晶片的表面的情形便可以避免了。在液体喷流被启动后，管9的喷嘴11会指向晶片3的边缘。在所示的实施例中，管9是可沿枢轴10转动而该转动是由一个绕轴芯13旋转的偏心盘12所控制。在图1所示的位置，液体喷流是指向晶片3的边缘。已发现液体飞溅在半导体晶片3的情形没有发生，结果，对产品的不利影响便能避免。当悬垂在晶片边缘的感光材料部分被溶解后，管9又被带回图2所示的位置并且将液体喷流关闭。
管9及喷嘴11相对于晶片3的移动应理解成为可以用不同方式实现;可转动的管及以偏心盘为驱动器只是作为例子的在这里提供。

Claims (3)

1、一种在半导体材料的晶片上涂盖一层感光材料的方法，其中液体状感光材料被放在晶片上，然后晶片旋转用以令该层获得所要求的厚度，位于晶片边缘的感光材料会由一指向这边缘的液体喷流将感光材料溶解，其特征在于该用来将感光材料溶解的液体喷流首先指向半导体材料的晶片以外的地方，然后该液体喷流才指向晶片的边缘，接着该液体喷流再次指向晶片以外的地方。
2、一部用来实行权利要求1所述的方法的装置，其包括一可旋转的枱，将半导体材料的晶片固定在该枱的装置及一个供应将感光材料溶解的适当液体的装置，其特征在于该个为溶解感光材料的液体的供应装置有一个附有出口喷嘴的管状部分，而该附有出口喷嘴的管状部分被安排成可以作相对于可旋转枱的横向移动，该移动是由一装置达成，该装置的操作会将从出口喷嘴发射的液体喷流指向半导体晶片边缘以外，然后指向边缘，接着又指向边缘以外。
3、如权利要求2所述的装置，其特征在于附有出口喷嘴的管状部分是枢轴式安装的并且有移动装置去转动管状部分，将它从液体喷流是指向半导体晶片边缘以外的位置转到液体喷流指向边缘的位置，然后又转到边缘以外。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1091402C (zh) * 1997-01-31 2002-09-25 伊雷克托科学工业股份有限公司 集成无源元件终止机器
CN103021809A (zh) * 2012-12-03 2013-04-03 天津中环领先材料技术有限公司 一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0444216Y2 (zh) * 1985-10-07 1992-10-19
JPH0757528B2 (ja) * 1987-02-03 1995-06-21 三井石油化学工業株式会社 有機質の膜を切断する方法
JP2623608B2 (ja) * 1987-11-02 1997-06-25 ヤマハ株式会社 レジスト除去法
JPH01121114U (zh) * 1988-02-04 1989-08-16
EP0356140B1 (en) * 1988-08-19 1995-01-04 Hitachi Maxell Ltd. Optical data recording medium and manufacturing apparatus and method thereof
US5028955A (en) * 1989-02-16 1991-07-02 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5658387A (en) * 1991-03-06 1997-08-19 Semitool, Inc. Semiconductor processing spray coating apparatus
US5294257A (en) * 1991-10-28 1994-03-15 International Business Machines Corporation Edge masking spin tool
JP3276449B2 (ja) * 1993-05-13 2002-04-22 富士通株式会社 回転塗布方法
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5646071A (en) * 1995-01-19 1997-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Equipment and method for applying a liquid layer
US5952050A (en) 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
US5688555A (en) * 1996-06-03 1997-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Gas barrier during edge rinse of SOG coating process to prevent SOG hump formation
JP2002501425A (ja) * 1996-10-28 2002-01-15 ロバート・ハープスト 薄い膜を形成する方法及び装置
US5925410A (en) * 1997-05-06 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Vibration-enhanced spin-on film techniques for semiconductor device processing
US6117778A (en) * 1998-02-11 2000-09-12 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer edge bead removal method and tool
JP3800282B2 (ja) * 1998-11-30 2006-07-26 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
JP3395696B2 (ja) 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
US6453916B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
US7247209B2 (en) * 2003-06-12 2007-07-24 National Semiconductor Corporation Dual outlet nozzle for the combined edge bead removal and backside wash of spin coated wafers
US9343335B1 (en) 2013-05-01 2016-05-17 Spintrac Systems, Inc. Cleaning photoresist nozzles for coater module
JP7505439B2 (ja) * 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7564792B2 (ja) * 2021-09-24 2024-10-09 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形品の製造方法、フィルム固定部材、液状樹脂拡大機構、及び樹脂成形装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2386591A (en) * 1944-03-22 1945-10-09 James T Campbell Plate whirler
NL133498C (zh) * 1958-06-18
DE1214972B (de) * 1961-12-16 1966-04-21 Siemens Ag Duesenkoerper zur AEtzbehandlung von Halbleiteranordnungen, Verfahren zum Herstelleneines solchen Duesenkoerpers und Vorrichtung mit einem solchen
DE2506457C3 (de) * 1975-02-15 1980-01-24 S.A. Metallurgie Hoboken-Overpelt N.V., Bruessel Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe öder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
DE2634144A1 (de) * 1975-07-29 1977-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd Photographisches, lichtempfindliches material und spinnbeschichtungsverfahren zu seiner herstellung
JPS5819350B2 (ja) * 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1091402C (zh) * 1997-01-31 2002-09-25 伊雷克托科学工业股份有限公司 集成无源元件终止机器
CN103021809A (zh) * 2012-12-03 2013-04-03 天津中环领先材料技术有限公司 一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法

Also Published As

Publication number Publication date
IE57147B1 (en) 1992-05-06
EP0183297A1 (en) 1986-06-04
DE3572049D1 (en) 1989-09-07
JPH0719741B2 (ja) 1995-03-06
JPS61121333A (ja) 1986-06-09
NL8403459A (nl) 1986-06-02
EP0183297B1 (en) 1989-08-02
IE852806L (en) 1986-05-13
US4668334A (en) 1987-05-26
CN1003751B (zh) 1989-03-29

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