JPS60189937A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS60189937A JPS60189937A JP4748684A JP4748684A JPS60189937A JP S60189937 A JPS60189937 A JP S60189937A JP 4748684 A JP4748684 A JP 4748684A JP 4748684 A JP4748684 A JP 4748684A JP S60189937 A JPS60189937 A JP S60189937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- liquid
- dissolving
- injection nozzles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はフォトレジスト膜の塗布に用いる回転式レジス
ト塗布装置（スピンナー）に関する。
ト塗布装置（スピンナー）に関する。
（１＋） 従来技術と問題点
半導体装置を製造する際、ウェハー処理工程においては
フォ１−プロセスを適用してパターンニングがなされて
いる。その場合、フォトレジスト膜の均一な塗布が大切
であり、従来からスピンナーを利用して半導体ウニハル
面上にレジスト薄膜が塗布されている。
フォ１−プロセスを適用してパターンニングがなされて
いる。その場合、フォトレジスト膜の均一な塗布が大切
であり、従来からスピンナーを利用して半導体ウニハル
面上にレジスト薄膜が塗布されている。
特に最近では、半導体装置が高密度化され、サブミクロ
ン程度の微細パターンを形成する必要があるから、レジ
スＩ・膜を一層均一な膜厚に塗布することが重要で、精
度良く露光して現像することは更に重要なことである。
ン程度の微細パターンを形成する必要があるから、レジ
スＩ・膜を一層均一な膜厚に塗布することが重要で、精
度良く露光して現像することは更に重要なことである。
そのために、ウェハーは極めて平坦な面を有しているこ
とも必須の条件で、ウェハー処理工程においてはその点
に留意したウェハーの取扱が行なわれている。
とも必須の条件で、ウェハー処理工程においてはその点
に留意したウェハーの取扱が行なわれている。
ところで、第１図は上記したレジスト塗布装置（スピン
ナー）の概要構造断面図を示しており、■は処理容器、
２はウェハー、３は回転支持台。
ナー）の概要構造断面図を示しており、■は処理容器、
２はウェハー、３は回転支持台。
４はモータ、５は廃液排出口で、ウェハー２ （例えば
直径４ Ｑ＞の大きさ）は真空チャックによって回転支
持台３に吸着され、図示のようにモータ４によって回転
させる比較的簡単な装置である。塗布処理は初めに、滴
下ノズル（図示していない）からレジスト液をウェハー
の表面２−１に滴下して、ある程度に拡散した時、モー
タ４を回転してウェハー面に均一に拡散させるように塗
布する方法である。且つ、余分のレジスト液は外方に飛
び散つて、廃液排出口５から排出される。
直径４ Ｑ＞の大きさ）は真空チャックによって回転支
持台３に吸着され、図示のようにモータ４によって回転
させる比較的簡単な装置である。塗布処理は初めに、滴
下ノズル（図示していない）からレジスト液をウェハー
の表面２−１に滴下して、ある程度に拡散した時、モー
タ４を回転してウェハー面に均一に拡散させるように塗
布する方法である。且つ、余分のレジスト液は外方に飛
び散つて、廃液排出口５から排出される。
しかし、このようにして塗布すると、レジスト液はウェ
ハー表面２−１だけでなく、ウェハーの側面２−２や裏
面２−３にも付着して固化することが起こる。そうする
と、フォトプロセスをインライン化した自動処理装置で
は、ウェハーが移動する際に、ウェハーの側面２−２や
裏面２−３に付着したレジスト膜が、キャリヤステーシ
ョンやローダ、アンローダと擦れて剥離し、それが次段
の露光装置のウェハーチャンキング面に付着して、その
上にウェハーをチャッキングすると、平坦なウェハー面
が湾曲して表面に凹凸ができる。また、ウェハーの裏面
２−３に付着したレジスト膜は剥離しなくても、裏面を
チャッキングすればその部分が突出するため、同様に湾
曲して表面に凹凸ができる。
ハー表面２−１だけでなく、ウェハーの側面２−２や裏
面２−３にも付着して固化することが起こる。そうする
と、フォトプロセスをインライン化した自動処理装置で
は、ウェハーが移動する際に、ウェハーの側面２−２や
裏面２−３に付着したレジスト膜が、キャリヤステーシ
ョンやローダ、アンローダと擦れて剥離し、それが次段
の露光装置のウェハーチャンキング面に付着して、その
上にウェハーをチャッキングすると、平坦なウェハー面
が湾曲して表面に凹凸ができる。また、ウェハーの裏面
２−３に付着したレジスト膜は剥離しなくても、裏面を
チャッキングすればその部分が突出するため、同様に湾
曲して表面に凹凸ができる。
また、レジスト塗布装置がインライン化していなくても
、露光装置はウェハーを自動供給する方式が多いから、
同様の問題が発生する。
、露光装置はウェハーを自動供給する方式が多いから、
同様の問題が発生する。
そうすると、露光時に部分的な焦点ボケをおこして、パ
ターンニングの精度が悪くなる欠点がある。
ターンニングの精度が悪くなる欠点がある。
ｔｅｌ 発明の目的
本発明は、このような露光時の焦点ボケを解消させるた
めに、ウェハーの側面や裏面にレジスト膜が付着しない
ようにしたレジスト塗布装置を提案するものである。
めに、ウェハーの側面や裏面にレジスト膜が付着しない
ようにしたレジスト塗布装置を提案するものである。
ｆｄ） 発明の構成
その目的は、回転支持台の周囲部に沿って、該衆院部の
外側に固定した複数のレジスト溶剤噴射ノズルを設け、
ウェハーの裏面および側面のレジスト液を溶解するよう
に構成したレジスト塗布装置によって達成される。
外側に固定した複数のレジスト溶剤噴射ノズルを設け、
ウェハーの裏面および側面のレジスト液を溶解するよう
に構成したレジスト塗布装置によって達成される。
（ｅｌ 発明の実施例
以下３図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にかかるレジスト塗布装置の概要構造断
面図を示しており、第１図と同一部材には同一記号が付
しである。また、第３図は第２図の平面図を示しており
、同図にはウェハー２は図示していない。且つ、第２図
は第３図のＡＡ断面図である。
面図を示しており、第１図と同一部材には同一記号が付
しである。また、第３図は第２図の平面図を示しており
、同図にはウェハー２は図示していない。且つ、第２図
は第３図のＡＡ断面図である。
これら第２図および第３図に示す記号１０は噴射ノズル
、１１は溶解液供給リング、１２は液供給パイプで、本
例では噴射ノズル１０を４個設けてあり、これらノズル
やリングは耐有機溶剤性の材質、例えばポリプロピレン
で作成しである。噴射ノズル１０と溶解液供給リング１
１との液流路の判り易い断面図を第４図に示しており、
噴射ノズルＩＯは第４図のようにノズル先端をやや外向
きに形成する方が好ましい。図示のように、熔解液供給
リング１１から噴射ノズル１０に熔解液が供給され、熔
解液供給リング１１には液供給パイプ１２から溶解液が
供給される。且つ、噴射ノズル１０とウェハー２との間
隙は極く僅かにし、熔解液供給リング１１の尖端を山形
にして、ウェハー２との間隙も同程度にしておく。また
、噴射ノズル１０はウェハーに対してウェハー周縁より
やや内側の位置に配置する。
、１１は溶解液供給リング、１２は液供給パイプで、本
例では噴射ノズル１０を４個設けてあり、これらノズル
やリングは耐有機溶剤性の材質、例えばポリプロピレン
で作成しである。噴射ノズル１０と溶解液供給リング１
１との液流路の判り易い断面図を第４図に示しており、
噴射ノズルＩＯは第４図のようにノズル先端をやや外向
きに形成する方が好ましい。図示のように、熔解液供給
リング１１から噴射ノズル１０に熔解液が供給され、熔
解液供給リング１１には液供給パイプ１２から溶解液が
供給される。且つ、噴射ノズル１０とウェハー２との間
隙は極く僅かにし、熔解液供給リング１１の尖端を山形
にして、ウェハー２との間隙も同程度にしておく。また
、噴射ノズル１０はウェハーに対してウェハー周縁より
やや内側の位置に配置する。
かくして、滴下ノズル（図示していない）からレジスト
液をウェハーの表面に滴下して、凡そ表面の５０〜８０
％程度に拡がった時に、モータ４を高速回転させるが、
その回転中に噴射ノズル１０からレジスト熔解液（酢酸
ブチル又はアセトン）をウェハー裏面に噴射させる。そ
うすると、回転に伴ってウェハーの側面や裏面に廻り込
んだレジス１へ液が、回転と共にウェハーの裏面周囲に
拡がった熔解液で溶かされて除去される。溶解液は廃液
排出口５から排出される。
液をウェハーの表面に滴下して、凡そ表面の５０〜８０
％程度に拡がった時に、モータ４を高速回転させるが、
その回転中に噴射ノズル１０からレジスト熔解液（酢酸
ブチル又はアセトン）をウェハー裏面に噴射させる。そ
うすると、回転に伴ってウェハーの側面や裏面に廻り込
んだレジス１へ液が、回転と共にウェハーの裏面周囲に
拡がった熔解液で溶かされて除去される。溶解液は廃液
排出口５から排出される。
尚、滴下ノズルは滴下時に首振り機構で自動的に側方よ
り中央に突出し、滴下後に同様にして側方に待避するた
め、図には示していない。
り中央に突出し、滴下後に同様にして側方に待避するた
め、図には示していない。
ｆｆ） 発明の効果
以上の実施例の説明から明らかなように゛、本発明にか
かる塗布装置はレジスト膜の塗布時に、レジスト膜がウ
ェハーの側面や裏面に被着することがなくなるため、顕
著にパターンニング精度を向上させる効果がある。
かる塗布装置はレジスト膜の塗布時に、レジスト膜がウ
ェハーの側面や裏面に被着することがなくなるため、顕
著にパターンニング精度を向上させる効果がある。
第１図は従来のレジスト塗布装置の概要構造断面図、第
２図は本発明にかかるレジスト塗布装置の概要構造断面
図、第３図はその平面図（第２図は第３図のＡＡ断面図
）、第４図は第２図に示す噴射ノズルと熔解液供給リン
グとの部分断面図である。 図中、１は処理容器、２はウェハー、３は回転支持台、
４はモータ、５は廃液排出０．１０は噴射ノズル、１１
は熔解液供給リング、１２は液供給パイプを示している
。 第１図 −１ 第２図
２図は本発明にかかるレジスト塗布装置の概要構造断面
図、第３図はその平面図（第２図は第３図のＡＡ断面図
）、第４図は第２図に示す噴射ノズルと熔解液供給リン
グとの部分断面図である。 図中、１は処理容器、２はウェハー、３は回転支持台、
４はモータ、５は廃液排出０．１０は噴射ノズル、１１
は熔解液供給リング、１２は液供給パイプを示している
。 第１図 −１ 第２図
Claims (1)
- 回転支持台の周囲部に沿って、該周囲部の外側に固定し
た複数のレジスト溶剤噴射ノズルを設け、ウェハーの裏
面および側面のレジスト液を熔解するように構成したこ
とを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4748684A JPS60189937A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4748684A JPS60189937A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189937A true JPS60189937A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=12776449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4748684A Pending JPS60189937A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337189A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Inoue Japax Res Inc | Production of surfactant |
| JPS56160035A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Applying device of liquid |
| JPS5858731A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Hitachi Ltd | レジスト除去方法 |
| JPS5864027A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS58164231A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP4748684A patent/JPS60189937A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337189A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Inoue Japax Res Inc | Production of surfactant |
| JPS56160035A (en) * | 1980-05-13 | 1981-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Applying device of liquid |
| JPS5858731A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Hitachi Ltd | レジスト除去方法 |
| JPS5864027A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS58164231A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5028955A (en) * | 1989-02-16 | 1991-07-02 | Tokyo Electron Limited | Exposure apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4518678A (en) | Selective removal of coating material on a coated substrate | |
| EP0368334A2 (en) | Etching apparatus and method of using the same | |
| US5908661A (en) | Apparatus and method for spin coating substrates | |
| JPS6369563A (ja) | 塗布方法および装置 | |
| JPS60189937A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP6672091B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH07240360A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| JPH02192717A (ja) | レジスト除去装置 | |
| JPH04206626A (ja) | 周辺レジスト除去方法 | |
| JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
| JP3118858B2 (ja) | レジスト塗布装置とその洗浄方法 | |
| JPS5858731A (ja) | レジスト除去方法 | |
| JPS61206224A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS60217627A (ja) | 薄膜形成方法と薄膜形成装置 | |
| KR100663013B1 (ko) | 포토레지스트 도포장치 및 기판 가장자리 포토레지스트제거방법 | |
| JP3015207B2 (ja) | 回転塗布装置および回転塗布方法 | |
| KR100744277B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 비드 제거장치 | |
| JPH08107063A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH0378777B2 (ja) | ||
| US6395086B1 (en) | Shield for wafer station | |
| JPH03263314A (ja) | スピンコート膜除去方法 | |
| JPS6146028A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| KR200198468Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 코팅장비용 웨이퍼척 | |
| JPH05228413A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH02134820A (ja) | 洗浄乾燥装置 |