JPH0378777B2 - - Google Patents
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- JPH0378777B2 JPH0378777B2 JP21962787A JP21962787A JPH0378777B2 JP H0378777 B2 JPH0378777 B2 JP H0378777B2 JP 21962787 A JP21962787 A JP 21962787A JP 21962787 A JP21962787 A JP 21962787A JP H0378777 B2 JPH0378777 B2 JP H0378777B2
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- coating film
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- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は基板端部に形成された過剰な塗布膜を
除去する除去装置に関するものである。
除去する除去装置に関するものである。
(従来の技術)
半導体の製造工程では、半導体基板等に塗布法
によりレジスト膜等を形成する技術が広く用いら
れる。スプレー法や回転法で基板上にレジスト膜
等を塗布した場合、塗つた直後は膜は平坦である
が、時間が経つに従い表面張力の影響で基板端部
で膜厚が盛り上がるように厚くなる現象が知られ
ている。
によりレジスト膜等を形成する技術が広く用いら
れる。スプレー法や回転法で基板上にレジスト膜
等を塗布した場合、塗つた直後は膜は平坦である
が、時間が経つに従い表面張力の影響で基板端部
で膜厚が盛り上がるように厚くなる現象が知られ
ている。
また塗布膜が基板の裏面端部にまで囲りこんで
膜が形成されることも周知である。塗布膜がフオ
トレジストであつて、特にポジ型のフオトレジス
トの場合、このように端部で膜が厚く形成される
とパターン形成が困難となり、特に液晶デイスプ
レイ等の電極取出しパターン形成においては、電
気的なシヨートを起こしやすく大きな問題とな
る。
膜が形成されることも周知である。塗布膜がフオ
トレジストであつて、特にポジ型のフオトレジス
トの場合、このように端部で膜が厚く形成される
とパターン形成が困難となり、特に液晶デイスプ
レイ等の電極取出しパターン形成においては、電
気的なシヨートを起こしやすく大きな問題とな
る。
また、LSI等の半導体デバイス製造工程では、
現象時に完全には除去されず、基板端部にフオト
レジストが残存していると、基板の搬送工程中に
この残存レジストがはがれ、発塵の大きな原因と
なることも良く知られている。発塵の問題に関し
ては、フオトレジスト膜だけでなくスピンオンガ
ラス等のガラス膜やポリイミド膜等でも同様の問
題が生じうる。
現象時に完全には除去されず、基板端部にフオト
レジストが残存していると、基板の搬送工程中に
この残存レジストがはがれ、発塵の大きな原因と
なることも良く知られている。発塵の問題に関し
ては、フオトレジスト膜だけでなくスピンオンガ
ラス等のガラス膜やポリイミド膜等でも同様の問
題が生じうる。
このような問題が生じないようにするため従来
基板端部に形成された塗布膜を除去する方法およ
び装置が種々知られており、第4図および第5図
に基づいてその一例を説明する。シリコン1の表
面には回転塗布法によりポジ型フオトレジスト2
が約1μmの厚さに塗布されているものとする。こ
の時前述したように基板1の表面端部には厚く盛
り上がるように塗布され、かつ基板1の裏面にも
囲り込みが生じている。基板1をはさみ込むよう
に上下から2本の管3,4を約10mmの間〓5を有
するように対向させて配置し、この間〓5の間に
前述した厚さ0.6mmの塗布済シリコン基板1を挿
入し、管3,4からフオトレジスト2の溶剤6を
供給して基板1の端部に形成されたフオトレジス
ト2を溶解して除去するようにしている。
基板端部に形成された塗布膜を除去する方法およ
び装置が種々知られており、第4図および第5図
に基づいてその一例を説明する。シリコン1の表
面には回転塗布法によりポジ型フオトレジスト2
が約1μmの厚さに塗布されているものとする。こ
の時前述したように基板1の表面端部には厚く盛
り上がるように塗布され、かつ基板1の裏面にも
囲り込みが生じている。基板1をはさみ込むよう
に上下から2本の管3,4を約10mmの間〓5を有
するように対向させて配置し、この間〓5の間に
前述した厚さ0.6mmの塗布済シリコン基板1を挿
入し、管3,4からフオトレジスト2の溶剤6を
供給して基板1の端部に形成されたフオトレジス
ト2を溶解して除去するようにしている。
この場合、上下に設けられた管3,4から供給
される溶剤6が基板1の内部へ浸透しないよう
に、基板1を回転させ、遠心力によつて溶剤6を
基板外部へ排除していた。
される溶剤6が基板1の内部へ浸透しないよう
に、基板1を回転させ、遠心力によつて溶剤6を
基板外部へ排除していた。
この時回転数を増大させすぎると遠心力で飛散
した溶剤6や溶解したノジスト等が基板1の表面
に再飛来し、第5図に示すようなピンホール7や
付着物8が形成されることがある。
した溶剤6や溶解したノジスト等が基板1の表面
に再飛来し、第5図に示すようなピンホール7や
付着物8が形成されることがある。
さらに管3,4から溶剤6が供給される際に
も、基板1の移動速度が速すぎると溶剤6が基板
1の内方へ飛散してピンホール7を形成してしま
う。
も、基板1の移動速度が速すぎると溶剤6が基板
1の内方へ飛散してピンホール7を形成してしま
う。
一方、回転速度が遅過ぎると、基板内部へ溶剤
6が浸み込み、除去幅が広がりすぎてしまうとい
う問題がある。
6が浸み込み、除去幅が広がりすぎてしまうとい
う問題がある。
以上のことから回転数としては数10〜数
100rpmで回転させる必要があるため、基板1の
移動速度が速すぎて回転に伴つて供給管3,4を
移動させることは不可能であり、このため第6図
に示すようなオリエンテーシヨンフラツト11が
形成されたシリコン基板12の端部に形成された
レジスト膜を除去する場合には、従来の除去方法
によると、除去幅13はオリエンテーシヨンフラ
ツト部11の最少幅で決定されてしまい、他の部
分で除去幅13が多くなりすぎるという問題もあ
る。
100rpmで回転させる必要があるため、基板1の
移動速度が速すぎて回転に伴つて供給管3,4を
移動させることは不可能であり、このため第6図
に示すようなオリエンテーシヨンフラツト11が
形成されたシリコン基板12の端部に形成された
レジスト膜を除去する場合には、従来の除去方法
によると、除去幅13はオリエンテーシヨンフラ
ツト部11の最少幅で決定されてしまい、他の部
分で除去幅13が多くなりすぎるという問題もあ
る。
また当然ながら従来の除去方法では円形以外の
基板の場合には端部のレジスト膜を除去すること
は実質的に不可能であつた。
基板の場合には端部のレジスト膜を除去すること
は実質的に不可能であつた。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来の基板端部の塗布膜除去装置で
は溶剤や溶解したレジストによる塗布膜の品質劣
化が多く、また除去部分をできるだけ少なくする
ことが不可能であつた。
は溶剤や溶解したレジストによる塗布膜の品質劣
化が多く、また除去部分をできるだけ少なくする
ことが不可能であつた。
本発明は上述した問題点を解消するためになさ
れたもので、溶剤の飛散や溶解物のはね返りが生
ずることなく、かつ円形以外の基板であつても端
部の塗布膜を有効に除去することのできる基板端
部の塗布膜除去装置を提供することを目的とす
る。
れたもので、溶剤の飛散や溶解物のはね返りが生
ずることなく、かつ円形以外の基板であつても端
部の塗布膜を有効に除去することのできる基板端
部の塗布膜除去装置を提供することを目的とす
る。
(問題点を解決するための手段)
本発明にかかる塗布膜除去装置は、膜が塗布さ
れた基板の周縁部の上面および下面に対向して設
置された第1および第2の管と、これらの2つの
管の間の間〓部でかつ基板端部の延長上に設置さ
れた第3の管を備え、第1および第2の管から溶
剤を供給し、第3の管から溶剤を排出するように
したものである。
れた基板の周縁部の上面および下面に対向して設
置された第1および第2の管と、これらの2つの
管の間の間〓部でかつ基板端部の延長上に設置さ
れた第3の管を備え、第1および第2の管から溶
剤を供給し、第3の管から溶剤を排出するように
したものである。
(作用)
本発明では、溶剤や溶解物を排出するための第
3の管が設けられているため溶剤は全て基板端部
を通つて第3の管に排出されてしまう。また基板
の移動速度を遅くしても溶剤が基板内部に侵入し
ていくことはない。
3の管が設けられているため溶剤は全て基板端部
を通つて第3の管に排出されてしまう。また基板
の移動速度を遅くしても溶剤が基板内部に侵入し
ていくことはない。
(実施例)
以下本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明
する。第1図は本発明にかかる塗布膜除去装置の
要部の構成を示した斜視図である。上下に端部が
対向するように第1、第2の管21および22を
間〓23を持たせて配置し、この間〓23の一部
を塞ぐように第1,第2の管21,22に直交し
て第3の管24を接続している。
する。第1図は本発明にかかる塗布膜除去装置の
要部の構成を示した斜視図である。上下に端部が
対向するように第1、第2の管21および22を
間〓23を持たせて配置し、この間〓23の一部
を塞ぐように第1,第2の管21,22に直交し
て第3の管24を接続している。
第1,第2の管21,22の管径は2mm、間〓
は10mmとし、第3の管24の管径は接続部25で
10mm、その他の部分は20mmとした。
は10mmとし、第3の管24の管径は接続部25で
10mm、その他の部分は20mmとした。
第2図は第2図に示す装置を用いて基板端部の
塗布膜を除去する方法を示した図である。第3の
管24の軸方向から対向するように間〓23内に
レジスト26が塗布された基板27の周縁部を挿
入し、この基板27を10〜20rpmの低速で回転さ
せる。挿入深さは移動機構(図示せず)により管
24を水平方向に移動させることにより調整可能
となつている。
塗布膜を除去する方法を示した図である。第3の
管24の軸方向から対向するように間〓23内に
レジスト26が塗布された基板27の周縁部を挿
入し、この基板27を10〜20rpmの低速で回転さ
せる。挿入深さは移動機構(図示せず)により管
24を水平方向に移動させることにより調整可能
となつている。
次に基板端部のレジスト除去について説明する
と、第1、第2の管21,22からレジスト溶剤
28を供給し、第3の管24は排気装置またはダ
クトに連結する。まず基板27の周縁部を2mmほ
ど間〓23内に挿入し、第1、第2の管21,2
2より溶剤28を供給し、基板27端部のレジス
ト26を溶解させ、第3の管24より溶剤と溶解
物とを排出させるようにする。
と、第1、第2の管21,22からレジスト溶剤
28を供給し、第3の管24は排気装置またはダ
クトに連結する。まず基板27の周縁部を2mmほ
ど間〓23内に挿入し、第1、第2の管21,2
2より溶剤28を供給し、基板27端部のレジス
ト26を溶解させ、第3の管24より溶剤と溶解
物とを排出させるようにする。
このようにして基板端部のレジスト膜を除去し
ながら基板27を回転移動させていくことにより
基板端部全周のレジスト膜を除去した。この時回
転速度が遅いので例えばオリエンテーシヨンフラ
ツト部の径変化に合わせて第3の管24を若干移
動させて挿入深さが常に2mmになるように調整す
るようにしている。
ながら基板27を回転移動させていくことにより
基板端部全周のレジスト膜を除去した。この時回
転速度が遅いので例えばオリエンテーシヨンフラ
ツト部の径変化に合わせて第3の管24を若干移
動させて挿入深さが常に2mmになるように調整す
るようにしている。
これによつて第3図に示すように除去幅31を
常に基板全周にわたつて2mmとすることができ
た。なお本実施例では第1、第2の管21,22
におのおの1本づつの円管を使用しているが、こ
れに限定されるものではなく、複数本の管を組み
合せていることもできる。
常に基板全周にわたつて2mmとすることができ
た。なお本実施例では第1、第2の管21,22
におのおの1本づつの円管を使用しているが、こ
れに限定されるものではなく、複数本の管を組み
合せていることもできる。
また円管に限定されることなくだ円や長方形の
管を用いることもできる。さらに第3の管24に
関しても同様である。
管を用いることもできる。さらに第3の管24に
関しても同様である。
さらに第1の管および第2の管を基板面に垂直
に設けるだけでなく開口部が基板外周方向に向か
うように傾斜をさせてもよい。
に設けるだけでなく開口部が基板外周方向に向か
うように傾斜をさせてもよい。
また間〓や距離は基板の厚みや溶剤の供給圧、
排気圧によつて最適値が選ばれる。
排気圧によつて最適値が選ばれる。
また上述した実施例においては、第1、第2の
管21,22を上下に配置しているが、水平方向
に配置し基板を垂直方向に回転させるようにして
もよい。
管21,22を上下に配置しているが、水平方向
に配置し基板を垂直方向に回転させるようにして
もよい。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明
では第3の管を設けて溶剤や溶解物の排出を行な
うようにしているため飛散やはね返りが全く生じ
ない。また基板の移動速度(回転速度)が遅くて
も溶剤が基板内部に侵入していかないため挿入深
さを調整することが可能となり、オリエンテーシ
ヨンフラツト等の異径部があつても除去幅を一定
にすることができる。
では第3の管を設けて溶剤や溶解物の排出を行な
うようにしているため飛散やはね返りが全く生じ
ない。また基板の移動速度(回転速度)が遅くて
も溶剤が基板内部に侵入していかないため挿入深
さを調整することが可能となり、オリエンテーシ
ヨンフラツト等の異径部があつても除去幅を一定
にすることができる。
さらに矩形等の円形以外の基板であつても同様
にして全周にわたつて端部の塗布膜の除去が可能
である。
にして全周にわたつて端部の塗布膜の除去が可能
である。
第1図は本発明にかかる除去装置の一例を示す
斜視図、第2図は本発明の装置を使用した塗布膜
除去方法を説明するための図、第3図は本発明に
より端部の塗布膜を除去した半導体基板の状態を
示す平面図、第4図および第5図は従来の除去方
法を説明するための図、第6図は従来の除去方法
で端部の塗布膜が除去された半導体基板を示す図
である。 21……第1の管、22……第2の管、23…
…間〓、24,25……第3の管、27……基
板、26……レジスト、28……溶剤。
斜視図、第2図は本発明の装置を使用した塗布膜
除去方法を説明するための図、第3図は本発明に
より端部の塗布膜を除去した半導体基板の状態を
示す平面図、第4図および第5図は従来の除去方
法を説明するための図、第6図は従来の除去方法
で端部の塗布膜が除去された半導体基板を示す図
である。 21……第1の管、22……第2の管、23…
…間〓、24,25……第3の管、27……基
板、26……レジスト、28……溶剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 膜が塗布された基板の周縁部の上面および下
面に対向して設置された第1および第2の管と、 これらの2つの管の間の間〓部でかつ前記基板
端部の延長上に設置された第3の管を備え、 前記第1および第2の管から溶剤を供給し、前
記第3の管から前記溶剤を排出するようにした基
板端部の塗布膜除去装置。 2 第1および第2の管が基板面にほぼ直角をな
すように設けられたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の基板端部の塗布膜除去装置。 3 第1および第2の管が、先端部が基板外周方
向に向かう開口部を有していることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の基板端部の塗布膜除
去装置。 4 第3の管が排気により溶剤排出を行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第2項または第3項
記載の基板端部の塗布膜除去装置。 5 第1、第2、第3の管が塗布基板周縁部と一
定の相対的位置関係にあるように、前記基板の径
方向に移動する移動機構が設けられたことを特徴
とする特許請求の範囲第4項記載の基板端部の塗
布膜除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21962787A JPS6461917A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Device for removing coating film of end section of substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21962787A JPS6461917A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Device for removing coating film of end section of substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6461917A JPS6461917A (en) | 1989-03-08 |
JPH0378777B2 true JPH0378777B2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=16738494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21962787A Granted JPS6461917A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Device for removing coating film of end section of substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6461917A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2659306B2 (ja) * | 1991-12-24 | 1997-09-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板端縁洗浄装置 |
JP3373047B2 (ja) * | 1994-04-26 | 2003-02-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板端縁洗浄装置および基板端縁洗浄方法 |
US6827814B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
US6805769B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-10-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP21962787A patent/JPS6461917A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6461917A (en) | 1989-03-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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