JP2001326172A

JP2001326172A - 有機膜形成方法

Info

Publication number: JP2001326172A
Application number: JP2000146503A
Authority: JP
Inventors: Keiji Iwata; 圭司岩田; Toshio Hagi; 敏夫萩
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-05-18
Filing date: 2000-05-18
Publication date: 2001-11-22

Abstract

(57)【要約】【課題】リンス液が基板上の意図しない領域に飛び散
り、有機膜を部分的に溶解してしまうことを防止しつ
つ、不要部分の膜材料を確実に除去して、基板表面の所
望の領域に有機膜を確実に形成することが可能な有機膜
形成方法を提供する。【解決手段】基板１０の表面１０ａに膜材料（レジス
ト）１を塗布し、基板１０の裏面１０ｃ側からリンス液
１３を噴射して裏面１０ｃ側を洗浄する（バックリンス
を行う）とともに、リンス液１３を基板１０の周辺部１
０ｂに回り込ませた後、基板１０の表面１０ａ側から、
基板周辺部１０ｂにリンス液１３を噴射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、レジスト膜など
の有機膜の形成方法に関し、詳しくは、基板の表面に単
層構造又は複数層構造の有機膜を形成する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、フォトリソグラフィー法によ
り、基板表面に所定パターンの電極を形成する場合、通
常は、まず基板表面に、所定パターンのレジスト膜（有
機膜）を形成する工程が必要になる。そして、この場合
のように、基板表面にレジスト膜を形成する方法の一つ
に、基板を回転させながらレジスト膜形成用の樹脂材料
（膜材料）を基板表面に塗布するスピン塗布法がある。

【０００３】ところで、スピン塗布法により、基板表面
にレジスト膜などの有機膜を形成する場合、膜材料が基
板の周辺部から裏面側にまで回り込むことになる。そし
て、基板がそのままの状態で次の工程に供されると、基
板支持具などに粉末状や微粒子状の膜材料が付着してパ
ーティクルの原因になるという問題点がある。

【０００４】そこで、かかる問題点を解消するために、
有機膜形成時に、基板裏面や基板周辺部に付着した膜材
料を除去する方法が開発されており、その代表的な方法
として、エッジ露光法やエッジリンス法などの方法が知
られている。

【０００５】エッジ露光法は、基板周辺部の不要部分を
露光し、パターン露光後の現像時に同時に除去する方法
である。

【０００６】また、エッジリンス法は、基板を回転させ
ながらリンス液（有機膜を溶解することが可能な溶剤）
を基板周辺部に噴射して不要部分を除去する方法であ
り、基板裏面に同様の溶剤を噴射する、いわゆるバック
リンス法も知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のエッジ
露光法においては、基本的に感光性の膜材料（感光性レ
ジスト膜など）を用いる場合にしか適用できないという
問題点があり、また、露光などの処理を行うための装置
が高価なうえ、膜材料が発泡して、ダスト発生の要因に
なるという問題点がある。

【０００８】一方、上記エッジリンス法においては、例
えば、帯電した基板上でエッジリンス処理を行うような
場合、リンス液が基板周辺部分に接近した瞬間に放電を
起し、その衝撃でリンス液が基板上の意図しない領域に
飛び散り、レジスト膜などの有機膜を部分的に溶解して
しまうという問題点がある。

【０００９】図７は、このような有機膜の部分的な溶解
が生じた状態を模式的に示すものであり、基板５１の表
面全体に塗布された有機膜５２のうち、リンス液５３が
飛散した領域では、有機膜５２が溶解して基板表面５１
ａが露出してしまうことになる。

【００１０】また、例えば、基板表面に有機膜を形成す
る場合、塗布する膜材料の種類によっては、基板が帯電
していると均一に塗布することができない場合があり、
そのような場合には、基板の帯電状態を緩和した後、膜
材料を塗布することが必要になる。しかし、基板上に２
層以上の複数層構造の有機膜を形成する場合、有機膜
（膜材料）の多くは絶縁体であり、基板表面を絶縁膜で
ある有機膜（下地膜）で被覆した後においては、容易に
帯電を緩和することができないため、その上に均一に有
機膜を形成することができないという問題点がある。

【００１１】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、リンス液が基板上の意図しない領域に飛び散り、
有機膜を部分的に溶解してしまうことを防止しつつ、不
要部分の膜材料を確実に除去して、基板表面の所望の領
域に確実に有機膜を形成することが可能な有機膜形成方
法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の有機膜形成方法は、(ａ)基
板表面に有機膜形成用材料（以下「膜材料」）を塗布す
る工程と、(ｂ)前記基板の裏面側からリンス液を噴射し
て、基板の裏面側を洗浄するとともに、該リンス液を基
板の表面側周辺部に回り込ませる工程（裏面洗浄工程）
と、(ｃ)前記基板の表面側から、基板周辺部にリンス液
を噴射することにより、基板周辺部の膜材料を除去する
工程（周辺部膜材料除去工程）とを具備することを特徴
としている。

【００１３】基板表面に膜材料を塗布し、基板の裏面側
からリンス液を噴射して裏面側を洗浄するとともに、リ
ンス液を基板の表面側周辺部にまで回り込ませた後、基
板の表面側から基板周辺部にリンス液を噴射するように
した場合、基板の裏面側からのリンス液の噴射により、
基板裏面の洗浄（バックリンス）が行われるとともに、
リンス液を基板の表面側周辺部に回り込ませることによ
り、基板外周部などに付着した膜材料が除去されるとと
もに、基板が帯電している場合には、放電が促されて帯
電状態が緩和されることになり、帯電状態が緩和された
状態で基板の表面側から基板周辺部にリンス液を噴射す
ることにより、リンス液が放電により意図しない領域に
飛び散ることが回避され、基板周辺部の膜材料が確実に
除去される結果、基板表面の所望の領域に有機膜を確実
に形成することが可能になる。

【００１４】すなわち、従来のように、裏面からのリン
ス液の噴射などを行うことなく、基板の上面側からリン
ス液を基板周辺部に向けて噴射するようにした場合に
は、噴射したリンス液が基板周辺部に接近した瞬間に放
電を起し、その衝撃でリンス液が基板表面の有機膜上に
飛び散り、有機膜を部分的に溶解してしまうが、本願発
明（請求項１）の有機膜形成方法のように、裏面からリ
ンス液を基板の表面側周辺部に回り込ませるようにした
場合には、帯電状態が緩和されるため、リンス液の飛び
散りが防止されるため、基板の表面側からリンス液を基
板周辺部に噴射する（エッジリンスを行う）ことによ
り、任意のエッジリンス領域を得ることが可能になり、
ひいては、基板表面に所定のパターンを有する有機膜を
形成することが可能になる。

【００１５】なお、本願発明において、リンス液とは、
膜材料（有機膜）を溶解することが可能な溶剤を意味す
る広い概念であり、膜材料との関係で、種々のものを用
いることが可能である。また、裏面洗浄工程と周辺部膜
材料除去工程において、同一のリンス液を用いることも
可能であり、また、異なるリンス液を用いることも可能
である。

【００１６】また、本願発明（請求項２）の有機膜形成
方法は、基板表面に、同一又は異なる有機膜形成用材料
（以下「膜材料」）を繰り返して塗布することにより、
基板表面に２層以上の複数層構造を有する有機膜を形成
する方法であって、同一又は異なる膜材料を繰り返して
塗布する工程のうちの少なくとも一つの塗布工程の後
に、請求項１の裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程
を実施することを特徴としている。

【００１７】同一又は異なる膜材料を繰り返して塗布す
ることにより、基板表面に２層以上の複数層構造を有す
る有機膜を形成する場合において、同一又は異なる膜材
料を繰り返して塗布する工程のうちの少なくとも一つの
塗布工程の後に、裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工
程を実施することにより、基板裏面の洗浄（バックリン
ス）、基板が帯電している場合の放電の促進、基板周辺
部の膜材料の除去（エッジリンス）が行われるため、そ
の後の膜材料の塗布工程において、帯電の影響を緩和し
て、膜材料（有機膜）を均一に塗布、形成することが可
能になり、各有機膜が均一に形成された複数層構造の有
機膜を形成することができるようになる。

【００１８】なお、請求項２の有機膜形成方法におい
て、「少なくとも一つの塗布工程の後に、請求項１の裏
面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程を施す」とは、各
膜材料を塗布する（各有機膜を形成する）たびごとに、
裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程を実施する場合
はもちろん、複数層の膜材料（有機膜）を重ねて塗布し
た後で、まとめて裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工
程を実施するような場合をも含む概念である。

【００１９】すなわち、膜材料（有機膜）を重ねて塗布
する場合において、各有機膜が混じり合ってしまわない
ように、先に塗布した膜材料（有機膜）を乾燥／硬化さ
せた後、次の膜材料（有機膜）を塗布し、これを繰り返
して複数層の有機膜を形成するような場合には、各膜材
料（有機膜）を乾燥／硬化させる前に、すなわち、膜材
料（有機膜）を一層塗布するごとに、裏面洗浄工程及び
周辺部膜材料除去工程を実施することが必要になるが、
膜材料（有機膜）を塗布するたびに一層ずつ乾燥／硬化
させることをしなくても、各層が混じり合ってしまわな
いような場合や、各層がある程度混じり合っても問題が
ないような場合においては、複数層の膜材料（有機膜）
を塗布した後で、裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工
程を実施するように構成することも可能である。

【００２０】なお、帯電により均一な膜厚の有機膜形成
が著しく困難になるような膜材料を用いるような場合に
おいては、該有機膜より先に形成する有機膜の全てに、
裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程を実施すること
により、基板の周辺部を露出させて帯電を緩和し、均一
な有機膜を形成することが可能になる。

【００２１】また、請求項３の有機膜形成方法は、前記
基板が帯電している状態で、前記裏面洗浄工程及び周辺
部膜材料除去工程を実施することを特徴としている。

【００２２】本願発明は、特に帯電していない基板に有
機膜を形成する場合にも適用することが可能であるが、
請求項３の有機膜形成方法のように、基板が帯電してい
るか、あるいは、途中の工程で基板が帯電することにな
る場合に、本願発明を適用することにより、基板の放電
を促進して帯電の影響を緩和し、均一で信頼性の高い有
機膜（特に複数層構造の有機膜）を形成することが可能
になるため、特に有意義である。

【００２３】また、請求項４の有機膜形成方法は、前記
裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程において、前記
リンス液が基板の表面側周辺部に回り込むことを妨げな
い速度で基板を回転させながらリンス液の噴射を行うこ
とを特徴としている。

【００２４】本願発明は、基板を固定させた状態で実施
することも可能であるが、リンス液が基板の表面側周辺
部に回り込むことを妨げない速度で基板を回転させなが
らリンス液の噴射を行うことにより、リンス液を遠心力
で基板から取り除いて、裏面洗浄（バックリンス）、放
電の促進、及び周辺部膜材料除去（エッジリンス）を効
率よく行うことが可能になり、本願発明をさらに実効あ
らしめることが可能になる。回転速度が大きくなりすぎ
ると、リンス液を基板の表面側周辺部に回り込ませるこ
とが困難になるので、基板の寸法、リンス液の噴射条件
などを考慮して、リンス液を基板の表面側周辺部に回り
込ませることが可能な、適切な回転速度を選択すること
が望ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。

【００２６】［実施形態１］まず、図１(ａ)に示すように、焦電性を有するＬｉＴ
ａＯ_３基板（以下、単に「基板」と略称する）１０を用
意する。次に、塗布される膜材料（有機膜）の、基板１０の表
面への密着性を向上させるために、図１(ｂ)に示すよう
に、ヘキサメチルジシラザン（以下、「ＨＭＤＳ」と略
称する）雰囲気中において、ホットプレート１１上で１
２０℃、９０秒間のベーク処理を行う。なお、焦電性を
有する基板１０は、このベーク処理に伴う温度変化によ
り帯電する。

【００２７】それから、図１(ｃ)に示すように、基板
１０の表面１０ａに、第１有機膜形成用の膜材料（この
実施形態１では感光性の有機材料からなるレジスト（Ｐ
ＦＩ２６、住友化学社製））１を塗布する。このとき、
スピン塗布法やスプレー噴射などの方法により、レジス
ト（有機膜）１を塗布するが、レジスト１は、基板１０
の周辺部１０ｂを経て、基板１０の裏面１０ｃに回り込
む。

【００２８】それから、図２(ａ)に示すように、基板
１０を、基板支持・回転装置１２上に載置し、ノズル１
４から基板１０の裏面１０ｃにリンス液（この実施形態
１では、クラリアント社製リンス液：ＡＺＥＢＲ７０
３０））１３を噴射することにより、基板１０の周辺部
１０ｂから裏面１０ｃにまで回り込んだレジスト１を除
去（裏面洗浄（バックリンス））する。

【００２９】なお、この裏面洗浄工程においては、基板
１０の回転数を３０回転／分と低回転数で２０秒間程度
回転させながら、ノズル１４からリンス液１３を噴射す
る。これにより、不要部分のレジスト１を効率よく除去
するとともに、リンス液１３を基板１０の周辺部１０ｂ
にまで回り込ませて、基板１０の放電を促進し、基板１
０の周辺部１０ｂの帯電状態を緩和することができる。

【００３０】なお、この実施形態１では、上述のよう
に、リンス液として、クラリアント社製リンス液（ＡＺ
ＥＢＲ７０３０）を使用しているが、リンス液はこれ
に限られるものではなく、レジスト１を溶解することが
可能な種々の溶剤を用いることが可能である。

【００３１】その後、図２(ｂ)に示すように、基板１
０の表面（上面）１０ａ側から、基板１０の周辺部１０
ｂに向けて、ノズル１５からリンス液１３を噴射し、周
辺部１０ｂのレジスト１を除去（エッジリンス）する。
なお、実施形態１では、この周辺部膜材料除去工程にお
いても、上述の裏面洗浄工程で用いたリンス液と同じリ
ンス液を用いた。

【００３２】それから、最後に、基板１０をホットプ
レート（図示せず）上に載置して、９０℃、９０秒間の
ベーク処理を行う。これにより、図２(ｃ)に示すよう
に、基板１０上に単層構造の有機膜（レジスト）Ｆが形
成される。

【００３３】上記実施形態１の方法によれば、基板１０
を低回転で回転させながら基板１０の裏面からリンス液
１３を基板１０に噴射するバックリンス処理を行うよう
にしているので、リンス液１３を意図的に基板表面の周
辺部１０ｂにまで回り込ませることが可能になるととも
に、回り込んだリンス液１３が、基板表面に接触して放
電が促進され、基板１０の周辺部１０ｂの帯電が緩和さ
れる。そして、帯電が緩和された領域に、基板１０の表
面１０ａ側からリンス液１３を噴射することにより、放
電によるリンス液１３の基板１０の中心側への飛散を防
止される。その結果、帯電した基板１０に有機膜を形成
する場合においても、エッジリンスを正常に行うことが
可能になり、基板表面の所望の領域に均一な有機膜を確
実に形成することができるようになるとともに、基板１
０の周辺部１０ｂなどに付着した膜材料により、ウェハ
キャリアや露光装置内のステージなどが汚染されること
を防止することが可能になる。

【００３４】［実施形態２］この実施形態では、基板表
面に複数層構造の有機膜を形成する場合を例にとって説
明する。

【００３５】図３(ａ)に示すように、焦電性を有する
基板１０の表面に、ポリメチルメタクリレートを成分に
含むレジスト材料（ＯＥＢＲ−１０００、東京応化社
製）からなる第１レジスト膜（第１有機膜）２１を形成
する。なお、この第１レジスト膜（第１有機膜）２１
は、上記実施形態１の〜の工程と同じ工程を経て形
成する。

【００３６】それから、図３(ｂ)に示すように、基板
１０をホットプレート１１上に載置して、１７０℃、９
０秒間のベーク処理を行う。なお、このベーク処理は、
第１レジスト膜（第１有機膜）２１と、その上に形成さ
れる第２レジスト膜（第２有機膜）２２（図３(ｃ)，
(ｄ)など）と間で層間混合が生じないように、第１レジ
スト膜（第１有機膜）２１中の溶媒を揮発させるための
処理である。このベーク処理に伴う温度変化により、焦
電性を有する基板１０は帯電する。

【００３７】次に、図３(ｃ)に示すように、第１レジ
スト膜（第１有機膜）２１が形成された基板１０の表面
に、第１レジスト膜（第１有機膜）２１を覆うように、
第２レジスト膜（第２有機膜）２２を形成する。なお、
この実施形態２では、第２レジスト膜（第２有機膜）２
２として、露光波長に対し吸光性を有する有機材料（Ｘ
ＨＲｉ−１１、日産化学社製）を用いている。第２レジ
スト膜（第２有機膜）２２は、通常、スピン塗布法やス
プレー噴射などにより塗布されるが、この塗布工程にお
いて、基板１０の周辺部１０ｂや裏面１０ｃへの第２レ
ジスト膜（第２有機膜）２２の回り込みが生じる。

【００３８】それから、図３(ｄ)に示すように、基板
１０を、基板支持・回転装置１２上に載置し、ノズル１
４から基板１０の裏面１０ｃにリンス液１３を噴射する
（バックリンスを行う）ことにより、基板１０の周辺部
１０ｂから裏面側１０ｃに回り込んだ第２レジスト膜
（第２有機膜）２２を除去（裏面洗浄（バックリン
ス））する。

【００３９】なお、この裏面洗浄工程においては、上記
実施形態１の場合と同様に、基板１０の回転数を３０回
転／分と低回転数で２０秒間程度回転させながら、レジ
ストを溶解することが可能な溶剤（リンス液：この実施
形態では、クラリアント社製リンス液（ＡＺＥＢＲ７
０３０））を噴射した。これにより、第２レジスト膜
（第２有機膜）２２の不要部分（基板１０の裏面に回り
込んだ部分）を効率よく除去するとともに、リンス液１
３を基板１０の周辺部１０ｂにまで回り込ませて、基板
１０の放電を促進し、基板１０の周辺部１０ｂの帯電状
態を緩和することができる。

【００４０】また、この実施形態２では、リンス液とし
て、クラリアント社製リンス液（ＡＺＥＢＲ７０３
０）を使用しているが、リンス液はこれに限られるもの
ではなく、レジストを溶解することが可能な種々の溶剤
を用いることが可能である。

【００４１】その後、図４(ａ)に示すように、基板１
０の上面側のノズル１５から、基板１０の周辺部１０ｂ
に向けてリンス液１３を噴射し、基板１０の周辺部１０
ｂの第２レジスト膜（第２有機膜）２２を除去（エッジ
リンス）する。なお、実施形態２では、この周辺部膜材
料除去工程においても、上述の裏面洗浄工程で用いたリ
ンス液と同じリンス液を用いた。

【００４２】それから、図４(ｂ)に示すように、基板
１０をホットプレート１１上に載置して、１５５℃、１
分間のベーク処理を行うことにより、基板１０上に２層
構造の有機膜Ｆａを形成した。なお、第１層目のベーク
処理の場合と同様に、第２層目のベーク処理において
も、焦電性を有する材料からなる基板１０は帯電するこ
とになるが、基板１０の周辺部１０ｂは露出しているた
めに、空気中への放電により、帯電が緩和される。

【００４３】さらに、図４（ｃ）に示すように、第３
層目の有機膜として、露光波長に対し反応性を有する有
機材料（富士フィルムオーリン社製のＦＩ−ＳＰ２）か
らなる第３レジスト膜（第３有機膜）２３を形成する。

【００４４】それから、図４(ｄ)に示すように、第２
レジスト膜（第２有機膜）２２の場合と同様に、上記
の方法及び条件で、基板１０を低速回転させながらバッ
クリンスを行い、上記の場合と同様の方法で、基板１
０の上面側からエッジリンスを行った後、ホットプレー
ト（図示せず）上で、９０℃、９０秒の条件でベーク処
理を行う。これにより、図４(ｄ)に示すように、基板１
０の表面に３層構造を有する有機膜Ｆｂが形成される。

【００４５】上記実施形態２の方法によれば、リンス液
が基板上の意図しない領域に飛び散り、有機膜を部分的
に溶解してしまうことを防止しつつ、不要部分の膜材料
を確実に除去して、基板表面の所望の領域に、それぞれ
が均一な有機膜からなる複数層構造の有機膜を確実に形
成することができる。

【００４６】なお、図５は、上記実施形態２の方法によ
り形成した第３レジスト膜（第３有機膜）２３の成膜状
態を示しており、図６は、第１レジスト膜と、第２レジ
スト膜を形成した際に、各レジスト膜（有機膜）のエッ
ジリンスを行わなかった場合（従来の方法により膜形成
を行った比較例）の、第３レジスト膜（第３有機膜）２
３ａの成膜状態を示している。図５，図６を比較すれば
明らかなように、比較例（図６）の場合、基板１０の周
辺部１０ｂで、塗布異常が発生しているが、図５に示す
ように、上記実施形態２の方法で形成した第３レジスト
膜（第３有機膜）２３には、塗膜異常は発生しておら
ず、基板１０の表面全体に均一な膜形成が行われている
ことがわかる。このように、本願発明の方法によれば有
機膜の形成途中のベーク処理により帯電するような焦電
性基板上に対しても、均一な膜形成が可能になる。

【００４７】なお、本願発明は、上記実施形態１及び２
に限定されるものではなく、基板の種類、膜材料の種類
や組成、有機膜の具体的なパターン形状などに関し、発
明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加える
ことが可能である。

【００４８】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
有機膜形成方法は、基板表面に膜材料を塗布し、基板の
裏面側からリンス液を噴射して裏面側を洗浄するととも
に、リンス液を基板の表面側周辺部にまで回り込ませた
後、基板の表面側から基板周辺部にリンス液を噴射する
ようにしており、基板の裏面側からのリンス液の噴射に
より、基板裏面の洗浄（バックリンス）を行い、リンス
液を基板の表面側周辺部に回り込ませることにより、基
板からの放電を促進して帯電状態を緩和し、帯電状態が
緩和された状態で基板の表面側から基板周辺部にリンス
液を噴射することにより、リンス液が放電により意図し
ない領域に飛び散ることを防止して、基板表面の所望の
領域に有機膜を確実に形成することが可能になる。

【００４９】また、本願発明（請求項２）の有機膜形成
方法のように、同一又は異なる膜材料を繰り返して塗布
することにより、基板表面に２層以上の複数層構造を有
する有機膜を形成する場合において、同一又は異なる膜
材料を繰り返して塗布する工程のうちの少なくとも一つ
の塗布工程の後に、裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去
工程を実施するようにした場合、基板裏面の洗浄（バッ
クリンス）、基板が帯電している場合の放電の促進、基
板周辺部の膜材料の除去（エッジリンス）を確実に行う
ことが可能になり、その後の膜材料の塗布工程におい
て、帯電の影響を緩和して、膜材料（有機膜）を均一に
塗布、形成することができるようになるため、各有機膜
が均一に形成された複数層構造の有機膜を形成すること
ができる。

【００５０】なお、帯電により均一な膜厚の有機膜形成
が著しく困難になるような膜材料を用いるような場合に
おいては、該有機膜より先に形成する有機膜の全てに、
裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程を実施すること
により、基板の周辺部を露出させて帯電を緩和し、各有
機膜が均一に形成された複数層構造の有機膜をより確実
に形成することができる。

【００５１】また、本願発明は、特に帯電していない基
板に有機膜を形成する場合にも適用することが可能であ
るが、請求項３の有機膜形成方法のように、基板が帯電
しているか、あるいは、途中の工程で基板が帯電するこ
とになる場合に、本願発明を適用することにより、基板
の放電を促進して帯電の影響を緩和し、均一で信頼性の
高い有機膜（特に複数層構造の有機膜）を形成すること
が可能になるため、特に有意義である。

【００５２】また、本願発明は、基板を固定させた状態
で実施することも可能であるが、請求項４のように、リ
ンス液が基板の表面側周辺部に回り込むことを妨げない
速度で基板を回転させながらリンス液の噴射を行うこと
により、リンス液を遠心力で基板から取り除いて、裏面
洗浄（バックリンス）、放電の促進、及び周辺部膜材料
除去（エッジリンス）を効率よく行うことが可能にな
り、本願発明をさらに実効あらしめることが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)〜(ｃ)は、本願発明の一実施形態（実施形
態１）にかかる有機膜形成方法の各工程を示す図であ
る。

【図２】(ａ)〜(ｃ)は、本願発明の実施形態１にかかる
有機膜形成方法の、図１に示した各工程の後の工程を示
す図である。

【図３】(ａ)〜(ｄ)は、本願発明の他の実施形態（実施
形態２）にかかる有機膜形成方法の各工程を示す図であ
る。

【図４】(ａ)〜(ｄ)は、本願発明の実施形態２にかかる
有機膜形成方法の、図３に示した各工程の後の工程を示
す図である。

【図５】本願発明の実施形態２にかかる有機膜形成方法
により形成した第３レジスト膜（第３有機膜）の成膜状
態を示す図である。

【図６】第１レジスト膜と、第２レジスト膜を形成した
際に、各レジスト膜（有機膜）のエッジリンスを行わな
かった場合（比較例）の、第３レジスト膜（第３有機
膜）の成膜状態を示す図である。

【図７】従来の膜材料除去方法（エッジリンス法）によ
り膜材料を除去した場合において、有機膜の部分的な溶
解が生じた状態を示す図である。

【符号の説明】

１レジスト１０基板１０ａ基板の表面１０ｂ基板の周辺部１０ｃ基板の裏面１１ホットプレート１２基板支持・回転装置１３リンス液１４，１５リンス液噴射用のノズル２１第１レジスト（第１有機膜）２２第２レジスト（第２有機膜）２３第３レジスト（第３有機膜）Ｆ単層構造の有機膜Ｆａ２層構造の有機膜Ｆｂ３層構造の有機膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4D075 AC64 BB20Z BB65Z DA08 DC21 5F043 AA40 BB27 CC06 CC16 DD02 EE07 5F046 JA09 JA15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】(ａ)基板表面に有機膜形成用材料（以下
「膜材料」）を塗布する工程と、 (ｂ)前記基板の裏面側からリンス液を噴射して、基板の
裏面側を洗浄するとともに、該リンス液を基板の表面側
周辺部に回り込ませる工程（裏面洗浄工程）と、 (ｃ)前記基板の表面側から、基板周辺部にリンス液を噴
射することにより、基板周辺部の膜材料を除去する工程
（周辺部膜材料除去工程）とを具備することを特徴とす
る有機膜形成方法。
【請求項２】基板表面に、同一又は異なる有機膜形成用
材料（以下「膜材料」）を繰り返して塗布することによ
り、基板表面に２層以上の複数層構造を有する有機膜を
形成する方法であって、同一又は異なる膜材料を繰り返して塗布する工程のうち
の少なくとも一つの塗布工程の後に、請求項１の裏面洗
浄工程及び周辺部膜材料除去工程を実施することを特徴
とする有機膜形成方法。
【請求項３】前記基板が帯電している状態で、前記裏面
洗浄工程及び周辺部膜材料除去工程を実施することを特
徴とする請求項１又は２記載の有機膜形成方法。
【請求項４】前記裏面洗浄工程及び周辺部膜材料除去工
程において、前記リンス液が基板の表面側周辺部に回り
込むことを妨げない速度で基板を回転させながらリンス
液の噴射を行うことを特徴とする請求項１，２又は３記
載の有機膜形成方法。