JPS5914890B2 - 回転塗布方法 - Google Patents
回転塗布方法Info
- Publication number
- JPS5914890B2 JPS5914890B2 JP54148409A JP14840979A JPS5914890B2 JP S5914890 B2 JPS5914890 B2 JP S5914890B2 JP 54148409 A JP54148409 A JP 54148409A JP 14840979 A JP14840979 A JP 14840979A JP S5914890 B2 JPS5914890 B2 JP S5914890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- semiconductor substrate
- coated
- coating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/02—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material to surfaces by single means not covered by groups B05C1/00 - B05C7/00, whether or not also using other means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回転塗布方法に関し、半導体装置製造のホトリ
ソグラフィー工程における半導体基板（以降ウェハーと
いう）表面への樹脂（以降ホトレジストという）の異物
を含まないホトレジストの均一塗布を目的とするもので
ある。
ソグラフィー工程における半導体基板（以降ウェハーと
いう）表面への樹脂（以降ホトレジストという）の異物
を含まないホトレジストの均一塗布を目的とするもので
ある。
従来のウエ・・−被塗布面（以降表面という）へのホト
レジストの塗布は主にスピンナー法と呼ばれるものが多
く用いられ、第１図に示す如く、モーター１に直結のウ
ェハーチャック２上にウェハー３をセットし上方より注
射器４あるいはノズル等により適量のホトレジスト５を
滴下し、上記ウェハー３の表面は上向きのまま回転塗布
するものであつた。
レジストの塗布は主にスピンナー法と呼ばれるものが多
く用いられ、第１図に示す如く、モーター１に直結のウ
ェハーチャック２上にウェハー３をセットし上方より注
射器４あるいはノズル等により適量のホトレジスト５を
滴下し、上記ウェハー３の表面は上向きのまま回転塗布
するものであつた。
５ ところが注射器、ノズル等によるホトレジストの滴
下法ではホトレジスト中に含まれる異物も同時に塗布さ
れ、さらに上記ウェハー３の表面は上向きであるため空
気中に存在する異物をも付着させたままホトレジスト５
を滴下塗布する。
下法ではホトレジスト中に含まれる異物も同時に塗布さ
れ、さらに上記ウェハー３の表面は上向きであるため空
気中に存在する異物をも付着させたままホトレジスト５
を滴下塗布する。
したが１０つて、第１図に示された方法では異物が原因
でパターン欠陥を発生させ、半導体装置の製造歩留クを
大巾に低下させる原因となつていた。また滴下するホト
レジストの量は例えば３イン。
でパターン欠陥を発生させ、半導体装置の製造歩留クを
大巾に低下させる原因となつていた。また滴下するホト
レジストの量は例えば３イン。
チウエー〜−で膜厚１００ＯＯＡ塗布する場合、約１５
５×１０−０一程度の量を注射器でウエ・・一上に滴下
した後、高速回転塗布する必要がある。
５×１０−０一程度の量を注射器でウエ・・一上に滴下
した後、高速回転塗布する必要がある。
したがつて、第１図に示された方法では非常に無駄なホ
トレジストを費やすことになる。更に第１図ではウェハ
ーの中央部のみにホトレジストを滴下させ■０ るため
、ウェハーの表面全面にホトレジストがなじまず、特に
ウェハーの周辺部においては膜厚の不均一なホトレジス
ト膜が形成されることになク微細加工が非常に困難とな
る。また以上のような問題点を解決するために、特ク５
願昭５２−１４１３６２号（特開昭５４−７３５７６
号公報参照）にて改良された方法が提案された。
トレジストを費やすことになる。更に第１図ではウェハ
ーの中央部のみにホトレジストを滴下させ■０ るため
、ウェハーの表面全面にホトレジストがなじまず、特に
ウェハーの周辺部においては膜厚の不均一なホトレジス
ト膜が形成されることになク微細加工が非常に困難とな
る。また以上のような問題点を解決するために、特ク５
願昭５２−１４１３６２号（特開昭５４−７３５７６
号公報参照）にて改良された方法が提案された。
この方法を第２図にて説明する。ウェハー１１の表面１
２を下面にしたウェハーチャック１３にセットした後、
ウェハー１１の表３０面１２をホトレジスト１４の液面
１５に近接した位置Ｉに設置した後、加圧室１６に加圧
ガスを導人し、隔壁膜ＩＴをＩＴ′のごとく膨張させれ
ばホトレジスト１４の液面１５は盛わ上がク破線１５′
の如くなク、ウェハー１１の表面１２のほ３５ぼ全面に
付着される。
２を下面にしたウェハーチャック１３にセットした後、
ウェハー１１の表３０面１２をホトレジスト１４の液面
１５に近接した位置Ｉに設置した後、加圧室１６に加圧
ガスを導人し、隔壁膜ＩＴをＩＴ′のごとく膨張させれ
ばホトレジスト１４の液面１５は盛わ上がク破線１５′
の如くなク、ウェハー１１の表面１２のほ３５ぼ全面に
付着される。
つづいて加圧室１６内の圧力を減じ上記ホトレジスト１
４の液面１５′を定常位置１５に戻し、モーター１８に
よりウェハーチヤツタ１３を回転させるとともに、ウエ
ハーチヤツク１３を位置まで引き上げて上記ウエハ一１
１の表面１２にホトレジスト膜を形成するものである。
４の液面１５′を定常位置１５に戻し、モーター１８に
よりウェハーチヤツタ１３を回転させるとともに、ウエ
ハーチヤツク１３を位置まで引き上げて上記ウエハ一１
１の表面１２にホトレジスト膜を形成するものである。
この方法には本発明者の検討によれば次のごとき問題が
判明した。
判明した。
すなわちウエハ一表面にホトレジストを付着させる際、
ウエハ一とホトレジスト液面は静止の状態で付着させて
いることから表面に形成されている凹部によりウエハ一
表面に気泡が生じやすく均一な塗布が困難であり、また
ウエ一・一全面に付着させ得ないことから同じくウエハ
一周辺においてはホトレジスト膜厚のムラが生じ微細加
工は困難である。更に、ホトレジストを付着させる以前
にウエハ一表面に付着している異物はそのままホトレジ
スト中に塗り込まれるためホトレジスト膜の均一塗布が
困難であるとともに、異物によるパターン不良もいぜん
として発生する。本発明はこのような不都合を除去でき
るホトレジストの均一塗布が可能で微細加工に好適な塗
布方法を提供するものであシ第３図にて本発明の−実施
例にかかる方法を説明する。第３図に示すごとく、タン
ク（容器）２１内のホトレジスト２２の液面２３とでき
るだけ平行になるようにウエハーチヤツク２４にウエハ
一２５をセツトし、上記ウエハーチヤツタ２４を下方に
移動させるか、あるいはタンク２１を上方に移動させる
ことにより、少なくともウエハ一２５の表面２６がホト
レジスト２２の液面２３に接触する直前に、モーター２
７によ）ウエハ一２５を低速（例えば５０〜１００ｒｐ
ｍ）で回転させ、そのまま回転させながら上記液面２３
に接触させてウエハ一２５の表面２６の全面にホトレジ
ストを付着させる。
ウエハ一とホトレジスト液面は静止の状態で付着させて
いることから表面に形成されている凹部によりウエハ一
表面に気泡が生じやすく均一な塗布が困難であり、また
ウエ一・一全面に付着させ得ないことから同じくウエハ
一周辺においてはホトレジスト膜厚のムラが生じ微細加
工は困難である。更に、ホトレジストを付着させる以前
にウエハ一表面に付着している異物はそのままホトレジ
スト中に塗り込まれるためホトレジスト膜の均一塗布が
困難であるとともに、異物によるパターン不良もいぜん
として発生する。本発明はこのような不都合を除去でき
るホトレジストの均一塗布が可能で微細加工に好適な塗
布方法を提供するものであシ第３図にて本発明の−実施
例にかかる方法を説明する。第３図に示すごとく、タン
ク（容器）２１内のホトレジスト２２の液面２３とでき
るだけ平行になるようにウエハーチヤツク２４にウエハ
一２５をセツトし、上記ウエハーチヤツタ２４を下方に
移動させるか、あるいはタンク２１を上方に移動させる
ことにより、少なくともウエハ一２５の表面２６がホト
レジスト２２の液面２３に接触する直前に、モーター２
７によ）ウエハ一２５を低速（例えば５０〜１００ｒｐ
ｍ）で回転させ、そのまま回転させながら上記液面２３
に接触させてウエハ一２５の表面２６の全面にホトレジ
ストを付着させる。
この際の回転数は接触中にウエハ一２５の裏面２８にホ
トレジスト２２が付着しない程度とする。なぜならば通
常のウエハ一２５の厚味は３００〜４００μｍであり非
常に薄いため、接触時に上記ホトレジスト２２の液面２
３にうねりが生じるほどの回転数でウエハ一２５を回転
させると、ホトレジスト２２の液面２３の水平度がくず
れてウエハ一２５の裏面２８にホトレジストが付着して
しまい、ひいてはウエハーチヤツタ２４とウエハ一２５
との界面まで付着しホトレジスト塗布後の上記ウエハ一
２５のとｂはずしが困難となる。このことは塗布装置を
自動化した場合にスムーズなウエハ一の搬送ができない
原因となる。またウエハ一２５の回転は少なくともウエ
ハ一２５の表面２６とホトレジスト２２の液面２３が接
触している間は持続しているのが好ましい。つづいてウ
エハーチヤツク２４を上方に移動させるか、あるいはタ
ンク２１を下方に移動させてウエハ一２５の表面２６を
ホトレジスト２２の液面２３から適当な距離だけ離す。
この時モーター２７は停止していてもかまわない。その
後所望のホトレジスト膜厚を得るべき回転数にてウエハ
ーチャツタ２４をモーター２７にて回転させホトレジス
ト膜を塗布する。更に詳しく説明すると、ウエ・・一と
液面が接触した際ウエハ一表面に作成された凹部により
界面に発生する気泡は、ウエハ一が回転しているためホ
トレジストと共に外周に押しやられウエ・・一表面には
気泡が生ぜず塗布ムラが生じない。
トレジスト２２が付着しない程度とする。なぜならば通
常のウエハ一２５の厚味は３００〜４００μｍであり非
常に薄いため、接触時に上記ホトレジスト２２の液面２
３にうねりが生じるほどの回転数でウエハ一２５を回転
させると、ホトレジスト２２の液面２３の水平度がくず
れてウエハ一２５の裏面２８にホトレジストが付着して
しまい、ひいてはウエハーチヤツタ２４とウエハ一２５
との界面まで付着しホトレジスト塗布後の上記ウエハ一
２５のとｂはずしが困難となる。このことは塗布装置を
自動化した場合にスムーズなウエハ一の搬送ができない
原因となる。またウエハ一２５の回転は少なくともウエ
ハ一２５の表面２６とホトレジスト２２の液面２３が接
触している間は持続しているのが好ましい。つづいてウ
エハーチヤツク２４を上方に移動させるか、あるいはタ
ンク２１を下方に移動させてウエハ一２５の表面２６を
ホトレジスト２２の液面２３から適当な距離だけ離す。
この時モーター２７は停止していてもかまわない。その
後所望のホトレジスト膜厚を得るべき回転数にてウエハ
ーチャツタ２４をモーター２７にて回転させホトレジス
ト膜を塗布する。更に詳しく説明すると、ウエ・・一と
液面が接触した際ウエハ一表面に作成された凹部により
界面に発生する気泡は、ウエハ一が回転しているためホ
トレジストと共に外周に押しやられウエ・・一表面には
気泡が生ぜず塗布ムラが生じない。
また塗布前にウエハ一上に付着している異物も、ウエハ
一がホトレジスト液面と接触したまま低速回転している
ことからホトレジストが外周に移動し、その際にホトレ
ジストの粘性によつて同時に異物はウエハ一の外周に押
しやられて外部に除去される。このようにウエ・・一表
面を下向きにして低速にて回転させながらホトレジスト
液面に接触させる方法によれば次のような効果がもたら
される。（１）接触界面に気泡を生じることがないため
均一なホトレジスト膜塗布が可能である。（２）事前に
ウエハ一表面に異物がのつていてもホトレジスト液面で
の摩擦抵抗により除去される。
一がホトレジスト液面と接触したまま低速回転している
ことからホトレジストが外周に移動し、その際にホトレ
ジストの粘性によつて同時に異物はウエハ一の外周に押
しやられて外部に除去される。このようにウエ・・一表
面を下向きにして低速にて回転させながらホトレジスト
液面に接触させる方法によれば次のような効果がもたら
される。（１）接触界面に気泡を生じることがないため
均一なホトレジスト膜塗布が可能である。（２）事前に
ウエハ一表面に異物がのつていてもホトレジスト液面で
の摩擦抵抗により除去される。
すなわち、均一なホトレジスト膜の塗布と異物の除去は
高密度な半導体装置の製造に極めて大切であう、本発明
はこの点の改善に大きく寄与するものである。以上のよ
うに本発明によれば、異物を含まない均一なホトレジス
ト膜の形成が可能となｂ、パターン不良による製造歩留
ｂの向土を図ることができ、半導体装置の製造に大なる
工業的価値を発揮するものである。
高密度な半導体装置の製造に極めて大切であう、本発明
はこの点の改善に大きく寄与するものである。以上のよ
うに本発明によれば、異物を含まない均一なホトレジス
ト膜の形成が可能となｂ、パターン不良による製造歩留
ｂの向土を図ることができ、半導体装置の製造に大なる
工業的価値を発揮するものである。
第１図は従来のホトレジスト塗布法の基本的構成図、第
２図は改善されたホトレジスト塗布法を示す装置の概略
構成断面図、第３図は本発明の一実施例にかかるホトレ
ジスト塗布法を示す装置の概略構成断面図である。 ２１・・・・・・タンク（容器）、２２・・・・・・ホ
トレジスト、２３・・・・・・液面、２４・・・・・・
ウエハーチャツク，２５・・・・・・ウエ一〜−２７・
・・・・・モーター。
２図は改善されたホトレジスト塗布法を示す装置の概略
構成断面図、第３図は本発明の一実施例にかかるホトレ
ジスト塗布法を示す装置の概略構成断面図である。 ２１・・・・・・タンク（容器）、２２・・・・・・ホ
トレジスト、２３・・・・・・液面、２４・・・・・・
ウエハーチャツク，２５・・・・・・ウエ一〜−２７・
・・・・・モーター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の被塗布面を下向きにし、該半導体基板
を回転させながら容器内の樹脂液面に該半導体基板の被
塗布面の全面を少なくとも１回以上接触させた後、該樹
脂液面と該半導体基板の被塗布面を離して、該半導体基
板を所望の回転数にて回転させることを特徴とする回転
塗布方法。 ２ 半導体基板の被塗布面が該樹脂液面に接触する際の
回転数は、回転により該半導体基板の被塗布面と反対の
面に樹脂が付着しない程度の回転数であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の回転塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54148409A JPS5914890B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 回転塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54148409A JPS5914890B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 回転塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5670634A JPS5670634A (en) | 1981-06-12 |
| JPS5914890B2 true JPS5914890B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15452137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54148409A Expired JPS5914890B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 回転塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914890B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590094A (en) * | 1984-10-29 | 1986-05-20 | International Business Machines Corporation | Inverted apply using bubble dispense |
| DE19906398B4 (de) * | 1999-02-16 | 2004-04-29 | Steag Hamatech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
| CN104289386B (zh) * | 2014-09-16 | 2016-09-21 | 宁波大学 | 一种制备薄膜的高温旋涂装置及方法 |
-
1979
- 1979-11-15 JP JP54148409A patent/JPS5914890B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5670634A (en) | 1981-06-12 |
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