JPS61294822A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトレジストの塗布装置に関する。

〔従来の技術〕

、従来、フォトレジストをウェハースチャック８の半導
体基板７上へ滴下し回転塗布するフォトレジストの塗布
装置においては第２図に示すようにフォトレジスト中の
ゴミやフォトレジストの塊りを除去するフィルター３が
フォトレジスト貯蔵槽からフォトレジストを配管４へ送
シ出すポンプ２の配管への出口近傍にだけ取シつけられ
ていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述し喪従来のフォトレジスト塗布装置ではフォトレジ
スト貯蔵槽１と半導体基板７上へフォトレジストを滴下
するノズル６の先端部分とを接続する配管４においてフ
ォトレジストの貯蔵槽ｌからフォトレジストを送シ出す
ポンプ２の配管への出口近傍にだけしかフィルター３が
取シ付けられていなかった。そのためフォトレジスト滴
下後半導体基板を回転してフォトレジストの膜厚を均一
化している間、あるいは次の半導体基板にフォトレジス
トを滴下するまでの間に、配管の先端部分のフォトレジ
ストの溶剤が気化しフォトレジストがゲル化してできた
塊シやポンプ近傍のフィルター以降の配管中のゴミが、
次の半導体基板にフォトレジストを滴下した時フォトレ
ジストと共に滴下される。フォトレジスト滴下後半導体
基板を回転させレジストの膜厚を均一化する際フォトレ
ジスト９中に前記フォトレジストの塊シやがミ１０があ
ると、第３図に示すように被エツチラング材７上のフォ
トレジスト９が盛シ上がったシ、第４図に示すように前
記フォトレジスト９の塊すやゴミ１０が核となシ、その
部分よシ放射線上にフォトレジストが薄く領域が生じる
。そのため、フォトレジストが半導体基板上に均一に塗
布されないという欠点があった・ 半導体基板上でフォトレジストが均一に塗布されない欠
点があると、半導体基板上に塗布されたフォトレジスト
を所望のマスク・やターンを使用して選択的に露光して
現像後フォトレジストパターンを形成する際、半導体基
板とフォトレジストの間に前記フォトレジストの塊シや
ゴミがあるため、フォトレジストの膜厚が均一化できず
、膜厚のバラツキが生じた部分において露光不足や露光
過剰が生じ、所望のマスク・母ターン通シの７オトレジ
ス）　Ａ？ターンが形成できず、変形する。従って、前
記フォトレジストノやターンをマスクとしてエツチング
する際、フォトレジストパターンが変形しているため、
設計通シの被エツチング材のツヤターンが形成されず、
所望のトランジスタ特性が得られない。

本発明は前記問題点を解消するもので、フォトレジスト
中からがミ等を除去し、清浄なフォトレジストを半導体
基板に滴下供給する半導体製造装置を提供するものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明はレジストを滴下するノズルの先端部分とフォト
レジスト滴下後半導体基板上にフォトレジストが落ちる
のを防止するためノズルの先端部　　−分からフォトレ
ジストを後退させることにより生じたフォトレジストの
存在しない配管部分との間でノズル近傍に、フォトレジ
ストの塊シやポンプ直後に取り付けられたフィルター以
降の配管中のコ９ミを除去するためのフィルターを有す
ることを特徴とする半導体製造装置である。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図は本発明ので実施例の概念図である。１はフォト
レジスト貯蔵槽、２はポンプ、３は第１フイルター、４
は配管、５は第２フイルター、６はノズル、７はウェハ
ース、８はウェハースチャックである。ポンプ２により
フォトレジスト貯蔵槽１よシ吸い上げられたフォトレジ
ストは０．２１Ｊｅ＋程度以、上゛の大きさの異物を除
去する第１フイルター３を通シ配管４に送シ込まれ、０
，１μｍ程度以上の大きさの異物を除去する第２フイル
ター５を通過し、ノズル６によシウエハース７上に滴下
される。

ノズル６の先端部分とフォトレジスト滴下後ノズルの先
端部分から後退させることによって生じたフォトレジス
トの存在しない配管部分との間でノズル近傍に第２フイ
ルター５を取シ付けることにより、配管中を後退したフ
ォトレジストがグル化してできた塊シや配管中のゴミが
フォトレジストと共にウェハース上に滴下されるのを防
止できる。その結果、第３図や第４図のような塗布むら
が発生せず、フォトレジストをウェハース上に一様に塗
布できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はフォトレジストを滴下する
ノズルの先端部分とフォトレジスト滴下後フォトレジス
トをノズルの先端部分から後退させることにより生じた
フォトレジストの存在しない配管部分との間でノズル付
近にフィルターを取シ付けることによシ、フォトレジス
トをウェハース上に塗布した際フォトレジストが均一に
塗布されない原因となるフォトレジストの塊シや配管中
のゴミを除去でき、その結果所望のマスク、４１ターン
を使用してフォトレジスト技術で所望のｉ９ターンを半
導体基板−面に一様に得ることができる。

したがって、本発明は半導体基板上に均一性の良いフォ
トレジスト膜を塗布することのできる極めて制御性がよ
い安定した半導体製造装置を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
例を示す構成図、第３図、第４図はフォトレジストを塗
布した半導体基板を示す図である。 １・・・フォトレジスト貯蔵槽　２・・・ポンプ３・・
・第１フイルター　　　　４・・・配管５・・・第２フ
イルター　　　　６・・・ノズル第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上にフォトレジストを塗布する機構を
   備えた装置において、フォトレジストを滴下するノズル
   の先端部分と前記フォトレジスト滴下後半導体基板上に
   前記フォトレジストがぼた落ちするのを防止するために
   前記フォトレジストをノズルの先端部分から後退させる
   ことによって生じた前記フォトレジストの存在しない配
   管部分との間でノズルに近い部分に、配管中のゴミおよ
   び前記フォトレジストがゲル化して生成された塊りを除
   去するフィルターを有することを特徴とする半導体製造
   装置。