JP2000269129A - フォトレジスト供給装置 - Google Patents

フォトレジスト供給装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 容器内のフォトレジスト液を全て使い切るこ
とができると共に、フォトレジスト液における不純物を
完全に除去することができ、かつフィルターの寿命を向
上させたフォトレジスト供給装置を提供する。 【解決手段】 不活性ガス１６により加圧してフォトレ
ジスト１１を供給するフォトレジスト供給装置におい
て、最も低い位置に供給端２３を有するフォトレジスト
収納容器１２と、フォトレジスト収納容器１２の供給端
２３に接続され、不活性ガス１６の圧力をフォトレジス
ト収納容器１２に作用させることによって供給されたフ
ォトレジスト１１の不純物を除去するフィルター２１と
を有することを特徴とするフォトレジスト供給装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液体供給装置に関す
るもので、特に半導体製造プロセス中に利用されるフォ
トレジスト供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体の製造プロセスにおけ
るフォトリソグラフィ工程では、半導体ウェハ上にフォ
トレジストを塗布することが行われる。半導体素子は精
密性が要求されるので、製造プロセス中に不純物が混入
してはいけない。もし不純物が混入すると、生産性がか
なり低下する。このことは、フォトレジスト液について
も同様である。フォトレジスト液には、製造プロセスに
影響を与える微細な粒子や気泡などが存在する可能性が
あるので、半導体ウェハにフォトレジストを塗布する前
に、フォトレジスト供給装置において、フォトレジスト
液における粒子と気泡とを完全に除去しなければならな
い。
【０００３】従来のフォトレジスト供給装置は、フォト
レジスト液を収納している容器を密閉空間に置いてか
ら、容器内のフォトレジスト液を窒素によって加圧し、
ガイドチューブを介してフィルターを通過させることに
より、不純物の除去処理を行っている。
【０００４】図１に示されるのは従来のフォトレジスト
供給装置である。従来のフォトレジスト供給装置は、フ
ォトレジスト液１１を収納している容器１２を有してお
り、当該容器１２は、直立した状態で密閉空間１３内に
配置されている。ガイドチューブ１４は、前記容器１２
内に配置されると共に、フィルター１５に連結される。
窒素１６が密閉空間１３内に充填される場合に、生じた
圧力１７によって、容器１２内のフォトレジスト液１１
がガイドチューブ１４を介してフィルター１５へ流れ
る。フィルター１５は、フォトレジスト液１１内の粒子
と気泡とを除去するためのものであり、粒子及び気泡が
除去されたフォトレジスト液は塗布機械へ送られ、フォ
トレジストの塗布が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトレジスト供給装置は、以下の厳しい課題に直面し
ている。つまり、フォトレジスト液を収納する容器は特
殊なデザインを採用しているため、その底部が平坦でな
く、ガイドチューブと当該底部との間は、一般に所定の
距離が保たれている。このため、容器内のレジスト液を
十分に使い切ることができず、一部のフォトレジスト液
が依然として容器底部の凹部に残されるので、フォトレ
ジスト液の浪費を招いている。また、当該容器へのガイ
ドチューブの差し込みが深すぎて、特に容器の底部に達
している場合では、フォトレジスト液が容易に排出され
なくなる。一方、ガイドチューブの差し込みが浅すぎる
か、またはガイドチューブが短すぎる場合は、レジスト
液の供給量が大きく増加して、フィルターが多量の不純
物を除去しなければならなくなる。このため、フィルタ
ーの使用寿命が短くなり、頻繁にフィルターを交換しな
ければならなくなるので、設備コストの増加を招く。
【０００６】本発明は、従来のフォトレジスト供給装置
が有する前記の種々の課題を解決するためになされたも
ので、全く新規な「フォトレジスト供給装置」を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係るフォトレジスト供給装置は、ある種の不
活性ガスによる加圧によって液体を供給するものであ
る。その液体を収納する容器は、最も低い位置に供給端
を有しており、第１フィルターは当該容器の前記供給端
に接続されて不純物を除去する。また、第２フィルター
は前記第１フィルターに接続され、不純物を２度目に除
去する役割を果たす。これらによって、不活性ガスの加
圧による容器からの液体の供給が行われる。
【０００８】従来のフィルターである第２フィルターの
前に、他のフィルターである第１フィルターが配置され
るため、第２フィルターの負荷を軽減して、第２フィル
ターの使用寿命を大幅に向上させることができ、かつ、
不純物の除去効率を向上させることができる。
【０００９】また、前記不活性ガスとして窒素を使用で
き、この窒素は化学反応を生じにくい特性を有する。ま
た、前記液体は半導体製造プロセスに使用される液体を
指すもので、たとえばフォトレジスト液が挙げられる。
当該フォトレジスト液は容器に収納され、他の物質と区
別するために、この容器内に収納される液体を原液と称
する。この原液には、例えば粒子や気泡等の不純物が含
まれている。容器内の原液は、加圧されて第１フィルタ
ーへ流れ込む。
【００１０】また、容器の供給端が当該容器の最も低い
位置となるように、当該容器は斜めに配置される。その
ため、原液を全て容器から供給することができ、液体が
浪費されている現状を改善できる。
【００１１】第１フィルターと第２フィルターは、原液
内における粒子や気泡などを除去するためのもので、第
１フィルター内にはフローインタラプタが配置されてい
る。当該フローインタラプタは、第１フィルター内で液
体を循環流動させるための複数個の循環プレートからな
り、原液内の粒子を容易に沈殿させることができる。第
１フィルターは、更に、最も低い位置に形成された排出
口と、各循環プレートの間にそれぞれ設けられた排気ゲ
ートとを有する。排出口は、第１フィルターの底部に沈
殿した粒子を排出するためのもので、また、前記排気ゲ
ートは、第１フィルター内の気泡を排出するためのもの
である。
【００１２】以下に添付図面を参照して本発明の好適な
実施の形態を詳しく説明する。
【００１３】
【発明の実施の形態】図２に示されるのは、本発明の好
適な実施形態に係るフォトレジスト供給装置の構造であ
る。このフォトレジスト供給装置は、主な構成要素とし
て、容器１２と第１フィルター２１と第２フィルター２
２とを有する。
【００１４】フォトレジスト液１１は、半導体製造プロ
セスにおいて用いられる液体であり、予め容器１２内に
収容されている。容器１２内におけるフォトレジスト液
１１は、不純物が除去されていない液体であるので、原
液とも呼ばれる。原液中の粒子と気泡とは、半導体製造
プロセスにおける操作や品質に大きな影響を与えること
があるので、それぞれ除去しなければならない。
【００１５】容器１２には窒素を導入するためのガイド
チューブ１４が設けられており、容器１２内にあるガイ
ドチューブ１４の端部がフォトレジスト液１１の上方に
突出するように、容器１２は上下を逆にした状態で配置
される。不活性ガスの一種である窒素１６がガイドチュ
ーブ１４を介して容器１２内に加圧導入されると、容器
１２内のフォトレジスト液１１が窒素１６の圧力１７を
受けて第１フィルター２１へ流れ、第１の除去処理が行
われる。原液に第１の除去処理を行うことによって、第
２フィルター２２の寿命を延長する効果が生じる。好ま
しくは、容器の供給端２３が、容器の中で最も低い位置
となるようにやや斜めに配置され、これによって原液が
容器から完全に流出するので、原液の浪費を防止するこ
とができる。
【００１６】第１フィルター２１は、容器１２の供給端
２３に連結されており、その内部には複数個の循環プレ
ート２４からなるフローインタラプタが配置されてい
る。原液は、容器１２から第１フィルター２１へ流れ込
むと、第１フィルター２１内において各循環プレート２
４により循環され、原液における粒子を第１フィルター
２１の沈殿槽２５に容易に沈殿させることができる。沈
殿槽２５の排出口２６は、第１フィルター２１の最も低
い位置にあり、そこから沈殿した粒子を排出できる。ま
た、各循環プレート２４の間に排気ゲート２７がそれぞ
れ設けられ、そこから第１フィルター２１内の原液に含
まれている気泡を排出できる。
【００１７】フォトレジスト液は、第１フィルター２１
による第１の除去処理を受けた後、従来のフィルターと
同様のフィルターである第２フィルター２２に流れ込
み、ここで第２の除去処理を受けて、フォトレジスト液
内にある不純物が完全に除去される。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から分かるように、本発明に
係るフォトレジスト供給装置によれば、以下の効果が得
られる。 一、供給端が最も低い位置となるように容器を傾斜させ
て配置することにより、フォトレジスト液を全て使い切
ることができるので、フォトレジスト液の浪費を大幅に
減少させることできる。 二、第１フィルターを有すると共に、当該第１フィルタ
ーに排出口と排気ゲートとを有するので、粒子や気泡な
どを排出することができ、この結果、使用寿命が長くな
り、繰り返して利用できる。また、前記第１フィルター
の存在によって第２フィルターの除去処理に要する負荷
を大幅に軽減できるので、第２フィルターの使用寿命を
大幅に向上できる。
【００１９】また、上述したのは本発明に係る好適な一
実施形態であり、本発明の精神に基づくすべての改良や
変更などは、本発明の技術的範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来のフォトレジスト材供給装置の構造を示
す図である。
【図２】 本発明の好適な実施の形態に係るフォトレジ
スト供給装置の構造を示す図である。
【符号の説明】
１１ フォトレジスト １２ 容器 １３ 密閉空間 １４ ガイドチューブ １５ フィルター １６ 窒素 １７ 圧力 ２１ 第１フィルター ２２ 第２フィルター ２３ 供給端 ２４ 循環プレート ２５ 沈殿槽 ２６ 排出口 ２７ 排気ゲート

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 不活性ガスにより加圧してフォトレジス
    トを供給するフォトレジスト供給装置において、 最も低い位置に供給端を有するフォトレジスト収納容器
    と、 前記フォトレジスト収納容器の前記供給端に接続され、
    前記不活性ガスの圧力をフォトレジスト収納容器に作用
    させることによって供給された前記フォトレジストの不
    純物を除去するフィルターとを有することを特徴とする
    フォトレジスト供給装置。
  2. 【請求項２】 前記不活性ガスは窒素または化学反応を
    生じにくい特性を有するガスであり、前記フォトレジス
    トは半導体製造プロセスにおいて使用されるフォトレジ
    スト液であり、前記フォトレジスト収納容器にはフォト
    レジストの原液が収納され、該原液は不純物を含み、該
    不純物は粒子及び／又は気泡であり、前記フォトレジス
    ト収納容器から流出した前記原液が前記フィルターを通
    過することを特徴とする請求項１に記載のフォトレジス
    ト供給装置。
  3. 【請求項３】 前記フォトレジスト収納容器は、該容器
    の供給端が最も低い位置となるように傾斜した状態で配
    置されることによって、前記フォトレジストを容器から
    完全に排出させるようにしたことを特徴とする請求項１
    に記載のフォトレジスト供給装置。
  4. 【請求項４】 不活性ガスにより加圧してフォトレジス
    トを供給するフォトレジスト供給装置において、 供給端を有するフォトレジスト収納容器と、 前記フォトレジスト収納容器の前記供給端に接続され、
    前記不活性ガスの圧力をフォトレジスト収納容器に作用
    させることによって供給された前記フォトレジストの不
    純物を除去する第１フィルターと、 前記第１フィルターに接続され、該第１フィルターにお
    いて不純物が除去されたフォトレジストが導かれて、該
    フォトレジストから残りの不純物を除去する第２フィル
    ターとを備えることを特徴とするフォトレジスト供給装
    置。
  5. 【請求項５】 前記不活性ガスは窒素または化学反応を
    生じにくい特性を有するガスであり、前記フォトレジス
    トは半導体製造プロセスにおいて使用されるフォトレジ
    スト液であることを特徴とする請求項４に記載のフォト
    レジスト供給装置。
  6. 【請求項６】 前記フォトレジスト収納容器にはフォト
    レジストの原液が収納され、該原液は不純物を含み、該
    不純物は粒子及び／又は気泡であることを特徴とする請
    求項４に記載のフォトレジスト供給装置。
  7. 【請求項７】 前記第１フィルターは、フローインタラ
    プタを有することを特徴とする請求項４に記載のフォト
    レジスト供給装置。
  8. 【請求項８】 前記フローインタラプタは複数個の循環
    プレートによって構成され、前記フォトレジスト収納容
    器から供給されたフォトレジストを前記第１フィルター
    内で循環流動させると共に、当該循環流動によってフォ
    トレジスト内の不純物を沈殿させるようにしたことを特
    徴とする請求項７に記載のフォトレジスト供給装置。
  9. 【請求項９】 前記第１フィルターは、最も低い位置に
    形成された排出口を有すると共に、前記沈殿した不純物
    を前記排出口から排出するようにしたことを特徴とする
    請求項８に記載のフォトレジスト供給装置。
  10. 【請求項１０】 前記第１フィルターは、前記各循環プ
    レート間にそれぞれ形成された排気ゲートを有すると共
    に、当該排気ゲートより定時的に前記第１フィルター内
    の気泡を排出するようにしたことを特徴とする請求項４
    に記載のフォトレジスト供給装置。
JP27652699A 1999-03-17 1999-09-29 フォトレジスト供給装置 Expired - Lifetime JP3174912B2 (ja)

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