JP2913607B2 - 処理方法 - Google Patents
処理方法Info
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- JP2913607B2 JP2913607B2 JP22566290A JP22566290A JP2913607B2 JP 2913607 B2 JP2913607 B2 JP 2913607B2 JP 22566290 A JP22566290 A JP 22566290A JP 22566290 A JP22566290 A JP 22566290A JP 2913607 B2 JP2913607 B2 JP 2913607B2
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- Japan
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- processing
- substrate
- exhaust
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- shaking
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、処理方法に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体素子の製造工程においては、例えばス
ピンコーティング装置や洗浄装置のように、被処理物で
ある半導体ウエハを回転させながら、液状処理剤を供給
することによって処理を行う各種回転処理装置が使用さ
れている。
ピンコーティング装置や洗浄装置のように、被処理物で
ある半導体ウエハを回転させながら、液状処理剤を供給
することによって処理を行う各種回転処理装置が使用さ
れている。
ところで、清浄化雰囲気中で処理を行う必要がある半
導体デバイスの製造工程等に使用される回転処理装置、
例えばスピンコーティング装置では、液状塗布剤の外部
への飛散防止や飛沫による悪影響等を防止するため、被
処理物の周囲を囲むようにカップを配置し、このカップ
内から排気機構により排気を行いつつ、その中心付近を
回転軸として、例えば2000〜4000rpm程度の回転数で回
転させた被処理物に対して、液状塗布剤の供給を行うよ
う構成されたものが多い。
導体デバイスの製造工程等に使用される回転処理装置、
例えばスピンコーティング装置では、液状塗布剤の外部
への飛散防止や飛沫による悪影響等を防止するため、被
処理物の周囲を囲むようにカップを配置し、このカップ
内から排気機構により排気を行いつつ、その中心付近を
回転軸として、例えば2000〜4000rpm程度の回転数で回
転させた被処理物に対して、液状塗布剤の供給を行うよ
う構成されたものが多い。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような従来のスピンコーティ
ング装置では、一定の排気量でカップ内の排気を行って
いたため、以下に示すような問題があった。
ング装置では、一定の排気量でカップ内の排気を行って
いたため、以下に示すような問題があった。
すなわち、カップ内壁に衝突した例えば液状塗布剤の
飛沫を十分に排出するために、排気量を増大させると、
被処理物表面に形成される塗膜の均一性が悪化してしま
う。
飛沫を十分に排出するために、排気量を増大させると、
被処理物表面に形成される塗膜の均一性が悪化してしま
う。
一方、被処理物表面に形成される塗膜の均一性を高め
るために排気量を低下させると、液状塗布剤の飛沫が被
処理物の上方に舞いあがり、外部への飛散や被処理物表
面の再付着による不良発生を招いてしまう。
るために排気量を低下させると、液状塗布剤の飛沫が被
処理物の上方に舞いあがり、外部への飛散や被処理物表
面の再付着による不良発生を招いてしまう。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するべく
なされたもので、外部への液状処理剤の飛散を招くこと
なく、液状処理剤による処理の均一性を高めた処理方法
を提供することを目的とする。
なされたもので、外部への液状処理剤の飛散を招くこと
なく、液状処理剤による処理の均一性を高めた処理方法
を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち請求項１の発明は、被処理基板を回転させつ
つ、当該被処理基板表面に処理液を供給する処理液供給
工程と、 前記処理液供給工程より速い回転数で前記被処理基板
を回転させ、前記処理液を振り切る振り切り工程と、 前記振り切り工程より遅い回転数で前記被処理基板を
回転させつつ、当該被処理基板の裏面側にリンス液を供
給して裏面洗浄を行う裏面洗浄工程と、 前記被処理基板を回転させて乾燥を行う乾燥工程と を具備し、前記各工程において前記被処理基板の周囲
の雰囲気の排気を行う処理方法であって、 前記振り切り工程の初期に、前記処理液供給工程より
排気量を増大させることを特徴としている。
つ、当該被処理基板表面に処理液を供給する処理液供給
工程と、 前記処理液供給工程より速い回転数で前記被処理基板
を回転させ、前記処理液を振り切る振り切り工程と、 前記振り切り工程より遅い回転数で前記被処理基板を
回転させつつ、当該被処理基板の裏面側にリンス液を供
給して裏面洗浄を行う裏面洗浄工程と、 前記被処理基板を回転させて乾燥を行う乾燥工程と を具備し、前記各工程において前記被処理基板の周囲
の雰囲気の排気を行う処理方法であって、 前記振り切り工程の初期に、前記処理液供給工程より
排気量を増大させることを特徴としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の処理方法におい
て、 前記振り切り工程の後期に、当該工程の初期より排気
量を減少させることを特徴としている。
て、 前記振り切り工程の後期に、当該工程の初期より排気
量を減少させることを特徴としている。
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の処理方法に
おいて、 前記裏面洗浄工程では、前記振り切り工程より排気量
を増大させることを特徴としている。
おいて、 前記裏面洗浄工程では、前記振り切り工程より排気量
を増大させることを特徴としている。
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれか１記載
の処理方法において、 前記乾燥工程では、前記振り切り工程より排気量を増
大させることを特徴としている。
の処理方法において、 前記乾燥工程では、前記振り切り工程より排気量を増
大させることを特徴としている。
請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれか１記載
の処理方法において、 前記裏面洗浄工程と前記乾燥工程の排気量を同一とし
たことを特徴としている。
の処理方法において、 前記裏面洗浄工程と前記乾燥工程の排気量を同一とし
たことを特徴としている。
請求項６の発明は、被処理基板を第１の回転数で回転
させつつ、当該被処理基板表面に処理液を供給する処理
液供給工程と、 前記被処理基板を、前記第１の回転数より速い第２の
回転数で回転させ、前記処理液を振り切る振り切り工程
と、 前記第２の回転数より遅く、前記第１の回転数より速
い第３の回転数で前記被処理基板を回転させつつ、当該
被処理基板の裏面側にリンス液を供給して裏面洗浄を行
う裏面洗浄工程と、 前記被処理基板を回転させて乾燥を行う乾燥工程と を具備し、前記各工程において前記被処理基板の周囲
の雰囲気の排気を行う処理方法であって、 前記振り切り工程の初期に、前記処理液供給工程より
排気量を増大させることを特徴としている。
させつつ、当該被処理基板表面に処理液を供給する処理
液供給工程と、 前記被処理基板を、前記第１の回転数より速い第２の
回転数で回転させ、前記処理液を振り切る振り切り工程
と、 前記第２の回転数より遅く、前記第１の回転数より速
い第３の回転数で前記被処理基板を回転させつつ、当該
被処理基板の裏面側にリンス液を供給して裏面洗浄を行
う裏面洗浄工程と、 前記被処理基板を回転させて乾燥を行う乾燥工程と を具備し、前記各工程において前記被処理基板の周囲
の雰囲気の排気を行う処理方法であって、 前記振り切り工程の初期に、前記処理液供給工程より
排気量を増大させることを特徴としている。
請求項７の発明は、請求項６記載の処理方法におい
て、 前記振り切り工程の後期に、当該工程の初期より排気
量を減少させることを特徴としている。
て、 前記振り切り工程の後期に、当該工程の初期より排気
量を減少させることを特徴としている。
請求項８の発明は、請求項６又は７記載の処理方法に
おいて、 前記裏面洗浄工程では、前記振り切り工程より排気量
を増大させることを特徴としている。
おいて、 前記裏面洗浄工程では、前記振り切り工程より排気量
を増大させることを特徴としている。
請求項９の発明は、請求項５乃至８のいずれか１記載
の処理方法において、 前記乾燥工程では、前記振り切り工程より排気量を増
大させることを特徴としている。
の処理方法において、 前記乾燥工程では、前記振り切り工程より排気量を増
大させることを特徴としている。
請求項10の発明は、請求項５乃至９のいずれか１記載
の処理方法において、 前記裏面洗浄工程と前記乾燥工程の排気量を同一とし
たことを特徴としている。
の処理方法において、 前記裏面洗浄工程と前記乾燥工程の排気量を同一とし
たことを特徴としている。
（作用） 本発明の処理方法においては、例えば、処理の均一性
を高める必要がある際には排気量を少なくし、また液状
処理剤が外部へ飛散する可能性が高い際には排気量を多
くする等、被処理容器内の排気量を被処理物に対する処
理工程に応じて調節しているため、また、例えば、被処
理基板の回転速度を処理状況に応じて変更しているた
め、外部への液状処理剤の飛散や被処理物上への舞い上
がりを防止した上で、処理の均一性を向上させることが
できる。
を高める必要がある際には排気量を少なくし、また液状
処理剤が外部へ飛散する可能性が高い際には排気量を多
くする等、被処理容器内の排気量を被処理物に対する処
理工程に応じて調節しているため、また、例えば、被処
理基板の回転速度を処理状況に応じて変更しているた
め、外部への液状処理剤の飛散や被処理物上への舞い上
がりを防止した上で、処理の均一性を向上させることが
できる。
（実施例） 以下、本発明の処理方法を適用した一実施例のスピン
コーティング装置について、図面を参照して説明する。
コーティング装置について、図面を参照して説明する。
第１図に示すように、例えば半導体ウェハ等の被処理
物１は、真空チャック等により載置台２上に保持されて
いる。この載置台２は、被処理物１を該載置台２と共に
高速で回転させる回転駆動機構３に連結されている。
物１は、真空チャック等により載置台２上に保持されて
いる。この載置台２は、被処理物１を該載置台２と共に
高速で回転させる回転駆動機構３に連結されている。
被処理物１のほぼ中央部上方には、液状処理剤として
例えばレジスト液を一定量供給するレジスト液供給機構
（図示せず）に接続されたレジスト吐出ノズル４が配置
されており、このレジスト吐出ノズル４から被処理物１
の表面に所定量のレジスト液が供給される。
例えばレジスト液を一定量供給するレジスト液供給機構
（図示せず）に接続されたレジスト吐出ノズル４が配置
されており、このレジスト吐出ノズル４から被処理物１
の表面に所定量のレジスト液が供給される。
また、被処理物１の周囲は、この被処理物１上に吐出
されたレジスト液が外部に飛散すること等を防止する如
く、カップ５により囲まれている。
されたレジスト液が外部に飛散すること等を防止する如
く、カップ５により囲まれている。
上記カップ５は、上方の開口部5aより下方の径が大と
され、傾斜面5bを有する筒形状とされている。また、カ
ップ５内には、被処理物１の下側に飛散粒子が舞い込む
ことを防止する如く、被処理物１下部より外側下方に向
かって傾斜している内カップ部６が設けられている。
され、傾斜面5bを有する筒形状とされている。また、カ
ップ５内には、被処理物１の下側に飛散粒子が舞い込む
ことを防止する如く、被処理物１下部より外側下方に向
かって傾斜している内カップ部６が設けられている。
カップ５の下面5c側には、レジスト廃液を外部に排出
するための排液管７と、カップ５内を排気するための排
気管８とが設けられており、上記下面5cは排液管７側に
向かって若干傾斜されている。
するための排液管７と、カップ５内を排気するための排
気管８とが設けられており、上記下面5cは排液管７側に
向かって若干傾斜されている。
上記排気管８には、レジスト液の外部への飛散防止や
飛沫による悪影響等を防止するための排気機構９が接続
されており、この排気機構９によってカップ５内の排気
が行われる。
飛沫による悪影響等を防止するための排気機構９が接続
されており、この排気機構９によってカップ５内の排気
が行われる。
また、排気管８および排気機構９間には、ダンパー10
が介挿されており、このダンパー10によって排気量の調
節がレジスト膜形成の各工程に応じて行われる。上記ダ
ンパー10は、駆動機構例えばステッピングモータ11によ
って開閉され、流路面積が制御されるよう構成されてい
る。
が介挿されており、このダンパー10によって排気量の調
節がレジスト膜形成の各工程に応じて行われる。上記ダ
ンパー10は、駆動機構例えばステッピングモータ11によ
って開閉され、流路面積が制御されるよう構成されてい
る。
次に、上記構成のスピンコーティング装置によるレジ
スト膜の形成工程について、第２図の工程図を参照して
説明する。なお、第３図に各工程における被処理物１の
回転数と時間、およびその際の排気信号を示す。この排
気信号は、第４図に示す第２表の排気量に基づくもので
ある。
スト膜の形成工程について、第２図の工程図を参照して
説明する。なお、第３図に各工程における被処理物１の
回転数と時間、およびその際の排気信号を示す。この排
気信号は、第４図に示す第２表の排気量に基づくもので
ある。
まず、半導体ウエハ等の被処理物１を載置台２上に載
置し、真空チャック等により載置台２上に吸引保持さ
せ、載置台２と共に被処理物１を回転駆動機構３によっ
て、第３図に示すように例えば1000rpmで回転させる
（第２図−101）。この予備回転工程においては、カッ
プ５内の排気は不要であるため、排気信号（５）がステ
ッピングモータ11に送られ、ダンパー10は全閉状態とさ
れている。
置し、真空チャック等により載置台２上に吸引保持さ
せ、載置台２と共に被処理物１を回転駆動機構３によっ
て、第３図に示すように例えば1000rpmで回転させる
（第２図−101）。この予備回転工程においては、カッ
プ５内の排気は不要であるため、排気信号（５）がステ
ッピングモータ11に送られ、ダンパー10は全閉状態とさ
れている。
次に、上記予備回転工程によって、被処理物１の回転
が安定したところで、レジス吐出ノズル４から被処理物
１表面にレジスト液を供給する（第２図−102）。この
レジスト液の吐出時（供給時）においては、被処理物１
の周辺温度の低下を防ぐために、排気量を少なくする必
要があるため、排気信号（４）をステッピングモータ11
に送り、５mmH2O程度の排気量でカップ５内の排気を行
う。上記排気量の減少は、排気のとり過ぎによりウエハ
周辺部の温度が下がり、周辺部分だけ面内分布が悪化す
ることを防止するために行うものである。
が安定したところで、レジス吐出ノズル４から被処理物
１表面にレジスト液を供給する（第２図−102）。この
レジスト液の吐出時（供給時）においては、被処理物１
の周辺温度の低下を防ぐために、排気量を少なくする必
要があるため、排気信号（４）をステッピングモータ11
に送り、５mmH2O程度の排気量でカップ５内の排気を行
う。上記排気量の減少は、排気のとり過ぎによりウエハ
周辺部の温度が下がり、周辺部分だけ面内分布が悪化す
ることを防止するために行うものである。
レジストの吐出を停止した後（供給停止後）、被処理
物１の回転を例えば4000rpm程度に上昇させて、被処理
物１上の不要なレジスト液の振り切りを行う（第２図−
103）。このレジスト液の振り切り当初は、排気量を多
くする必要がある。これは、排気量が少ないこと、遠心
力により飛ばされたレジストミストを排気しきれず、不
要なレジスト液がカップ５外に飛散したり、カップ５で
跳ね返されたミストがウエハ１上に戻ってきたり、ウエ
ハ１中心付近でミストが舞い上がるためである。そこ
で、排気信号（３）をステッピングモータ11に送り、10
mmH2O程度の排気量でカップ５内の排気を行う。この工
程は、レジスト液供給停止直前から排気量を漸次多くし
てもよい。
物１の回転を例えば4000rpm程度に上昇させて、被処理
物１上の不要なレジスト液の振り切りを行う（第２図−
103）。このレジスト液の振り切り当初は、排気量を多
くする必要がある。これは、排気量が少ないこと、遠心
力により飛ばされたレジストミストを排気しきれず、不
要なレジスト液がカップ５外に飛散したり、カップ５で
跳ね返されたミストがウエハ１上に戻ってきたり、ウエ
ハ１中心付近でミストが舞い上がるためである。そこ
で、排気信号（３）をステッピングモータ11に送り、10
mmH2O程度の排気量でカップ５内の排気を行う。この工
程は、レジスト液供給停止直前から排気量を漸次多くし
てもよい。
次いで、被処理物１を同回転数で回転させ、レジスト
液の振り切りを継続して行うが（第２図−104）、上記
工程103によってほぼ不要なレジスト液の振り切りは終
了しているため、この工程は膜厚の形成工程となる。し
たがって、ユニフォミティを向上させるために、排気量
を少なくする必要があり、排気信号（４）をステッピン
グモータ11に送り、５mmH2O程度の排気量でカップ５内
の排気を行う。
液の振り切りを継続して行うが（第２図−104）、上記
工程103によってほぼ不要なレジスト液の振り切りは終
了しているため、この工程は膜厚の形成工程となる。し
たがって、ユニフォミティを向上させるために、排気量
を少なくする必要があり、排気信号（４）をステッピン
グモータ11に送り、５mmH2O程度の排気量でカップ５内
の排気を行う。
次に、被処理物１の回転を例えば2000rpm程度に低下
さ（第２図−105）、被処理物１裏面の洗浄を行う（第
２図−106）。この裏面洗浄時のリンス液は、レジスト
液に比べて粘性が低いために、さらに排気量を多くする
必要がある。そこで、排気信号（１）をステッピングモ
ータ11に送り、20mmH2O程度の排気量でカップ５内の排
気を行い、リンス液がカップ５外に飛散することを防止
する。
さ（第２図−105）、被処理物１裏面の洗浄を行う（第
２図−106）。この裏面洗浄時のリンス液は、レジスト
液に比べて粘性が低いために、さらに排気量を多くする
必要がある。そこで、排気信号（１）をステッピングモ
ータ11に送り、20mmH2O程度の排気量でカップ５内の排
気を行い、リンス液がカップ５外に飛散することを防止
する。
リンス液の供給を停止した後、カップ５内の排気を同
排気量（排気信号（１））で継続しつつ、同回転数で被
処理物１を回転させて乾燥を行い（第２図−107）、レ
ジスト膜の形成工程が終了する。
排気量（排気信号（１））で継続しつつ、同回転数で被
処理物１を回転させて乾燥を行い（第２図−107）、レ
ジスト膜の形成工程が終了する。
上記実施例のスピンコーティング装置を用いたレジス
ト膜の形成工程においては、排気管８にステッピングモ
ータ11によって流路面積を可変としたダンパー10を介挿
し、上記ステッピングモータ11にレジスト形成の各工程
に応じた排気量に基づく排気信号を送ることによって、
カップ５からの排気量を変化させているため、レジスト
膜の形成（例えば膜厚等）に悪影響を及ぼすことなく、
レジスト液やリンス液がカップ５外部に飛散すること
や、被処理物１上に浮上して再付着することによる不良
発生等を防止することができる。
ト膜の形成工程においては、排気管８にステッピングモ
ータ11によって流路面積を可変としたダンパー10を介挿
し、上記ステッピングモータ11にレジスト形成の各工程
に応じた排気量に基づく排気信号を送ることによって、
カップ５からの排気量を変化させているため、レジスト
膜の形成（例えば膜厚等）に悪影響を及ぼすことなく、
レジスト液やリンス液がカップ５外部に飛散すること
や、被処理物１上に浮上して再付着することによる不良
発生等を防止することができる。
なお、上記実施例ではレジストの塗布について説明し
たが、現像材の塗布等にも適用可能である。
たが、現像材の塗布等にも適用可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の処理方法によれば、処
理容器外への液状処理剤の飛散や被処理物上への舞い上
がりを防止した上で、処理の均一性を向上させることが
可能となる。
理容器外への液状処理剤の飛散や被処理物上への舞い上
がりを防止した上で、処理の均一性を向上させることが
可能となる。
第１図は本発明方法を適用した一実施例のスピンコーテ
ィング装置を示す構成図、第２図は第１図のスピンコー
ティング装置を用いたレジスト膜の形成工程の一例を示
す図、第３図はそのレジスト膜形成の各工程における被
処理物の回転数と排気信号との対比を表として示す図、
第４図はその排気信号と排気量との対比を表として示す
図である。 １……被処理物、２……載置台、３……回転駆動機構、
４……レジスト吐出ノズル、５……カップ、７……排液
管、８……排気管、９……排気機構、10……ダンパー、
11……ステッピングモータ。
ィング装置を示す構成図、第２図は第１図のスピンコー
ティング装置を用いたレジスト膜の形成工程の一例を示
す図、第３図はそのレジスト膜形成の各工程における被
処理物の回転数と排気信号との対比を表として示す図、
第４図はその排気信号と排気量との対比を表として示す
図である。 １……被処理物、２……載置台、３……回転駆動機構、
４……レジスト吐出ノズル、５……カップ、７……排液
管、８……排気管、９……排気機構、10……ダンパー、
11……ステッピングモータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (10)
- 【請求項１】被処理基板を回転させつつ、当該被処理基
板表面に処理液を供給する処理液供給工程と、 前記処理液供給工程より速い回転数で前記被処理基板を
回転させ、前記処理液を振り切る振り切り工程と、 前記振り切り工程より遅い回転数で前記被処理基板を回
転させつつ、当該被処理基板の裏面側にリンス液を供給
して裏面洗浄を行う裏面洗浄工程と、 前記被処理基板を回転させて乾燥を行う乾燥工程と を具備し、前記各工程において前記被処理基板の周囲の
雰囲気の排気を行う処理方法であって、 前記振り切り工程の初期に、前記処理液供給工程より排
気量を増大させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載の処理方法において、 前記振り切り工程の後期に、当該工程の初期より排気量
を減少させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の処理方法において、 前記裏面洗浄工程では、前記振り切り工程より排気量を
増大させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１記載の処理方
法において、 前記乾燥工程では、前記振り切り工程より排気量を増大
させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１記載の処理方
法において、 前記裏面洗浄工程と前記乾燥工程の排気量を同一とした
ことを特徴とする処理方法。 - 【請求項６】被処理基板を第１の回転数で回転させつ
つ、当該被処理基板表面に処理液を供給する処理液供給
工程と、 前記被処理基板を、前記第１の回転数より速い第２の回
転数で回転させ、前記処理液を振り切る振り切り工程
と、 前記第２の回転数より遅く、前記第１の回転数より速い
第３の回転数で前記被処理基板を回転させつつ、当該被
処理基板の裏面側にリンス液を供給して裏面洗浄を行う
裏面洗浄工程と、 前記被処理基板を回転させて乾燥を行う乾燥工程と を具備し、前記各工程において前記被処理基板の周囲の
雰囲気の排気を行う処理方法であって、 前記振り切り工程の初期に、前記処理液供給工程より排
気量を増大させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項７】請求項６記載の処理方法において、 前記振り切り工程の後期に、当該工程の初期より排気量
を減少させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項８】請求項６又は７記載の処理方法において、 前記裏面洗浄工程では、前記振り切り工程より排気量を
増大させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項９】請求項５乃至８のいずれか１記載の処理方
法において、 前記乾燥工程では、前記振り切り工程より排気量を増大
させることを特徴とする処理方法。 - 【請求項１０】請求項５乃至９のいずれか１記載の処理
方法において、 前記裏面洗浄工程と前記乾燥工程の排気量を同一とした
ことを特徴とする処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566290A JP2913607B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566290A JP2913607B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107812A JPH04107812A (ja) | 1992-04-09 |
| JP2913607B2 true JP2913607B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=16832813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22566290A Expired - Lifetime JP2913607B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913607B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW418452B (en) * | 1997-10-31 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating process |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP22566290A patent/JP2913607B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04107812A (ja) | 1992-04-09 |
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