JP2889934B2 - レジスト膜の形成方法 - Google Patents
レジスト膜の形成方法Info
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- JP2889934B2 JP2889934B2 JP22566390A JP22566390A JP2889934B2 JP 2889934 B2 JP2889934 B2 JP 2889934B2 JP 22566390 A JP22566390 A JP 22566390A JP 22566390 A JP22566390 A JP 22566390A JP 2889934 B2 JP2889934 B2 JP 2889934B2
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- rinsing liquid
- liquid
- resist
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レジスト膜の形成方法に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体素子の製造工程のように、精密写真技
術を用いて微細なパターンを被処理物例えば半導体ウエ
ハ上に形成する際には、例えばスピンコーティング装置
を使用してウエハ表面にホトレジスト膜を形成し、この
レジスト膜を所望のパターンのホトマスクを用いて露光
することによって、微細パターンの転写を行っている。
術を用いて微細なパターンを被処理物例えば半導体ウエ
ハ上に形成する際には、例えばスピンコーティング装置
を使用してウエハ表面にホトレジスト膜を形成し、この
レジスト膜を所望のパターンのホトマスクを用いて露光
することによって、微細パターンの転写を行っている。
ところで、従来、ホトレジスト膜の形成は、半導体ウ
エハ等の被処理物の全面に行っていたが、側面や外縁部
のレジスト膜は、露光後においても処理工程によっては
残存する場合があり、この外縁部等のレジスト膜が剥離
してダストの原因となったり、パターン形成を繰り返し
行う場合に障害となる等、種々の問題を招いていた。
エハ等の被処理物の全面に行っていたが、側面や外縁部
のレジスト膜は、露光後においても処理工程によっては
残存する場合があり、この外縁部等のレジスト膜が剥離
してダストの原因となったり、パターン形成を繰り返し
行う場合に障害となる等、種々の問題を招いていた。
そこで、ホトレジスト膜を塗布した後に、外縁部のみ
にリンス液を射出し、パターン形成時に悪影響を及ぼす
ことのない外縁部のレジスト膜を除去することが提案さ
れている（特開昭53−29674号公報、同55−12750号公
報、同58−91637号公報等参照）。これらは、レジスト
液の供給ノズルとは別に、外縁部除去用のサイドリンス
液供給ノズルを設置し、レジスト膜の塗布形成後にサイ
ドリンス液をポンプ方式や窒素ガスによる圧送方式等で
供給することによって、外縁部のレジスト膜を除去しよ
うとするものである。
にリンス液を射出し、パターン形成時に悪影響を及ぼす
ことのない外縁部のレジスト膜を除去することが提案さ
れている（特開昭53−29674号公報、同55−12750号公
報、同58−91637号公報等参照）。これらは、レジスト
液の供給ノズルとは別に、外縁部除去用のサイドリンス
液供給ノズルを設置し、レジスト膜の塗布形成後にサイ
ドリンス液をポンプ方式や窒素ガスによる圧送方式等で
供給することによって、外縁部のレジスト膜を除去しよ
うとするものである。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような従来の外縁部のレジス
ト膜除去方法においては、サイドリンス液の供給状態に
よって、除去後のレジスト膜の端部が盛り上がるという
問題があった。これは、本発明者が調査したところによ
ると、リンス液を一定な状態で供給することができる程
度の流量でリンス液の吐出を行うと、液の跳ね返りが起
こり、これによって端部の盛り上がりが発生するものと
考えられる。
ト膜除去方法においては、サイドリンス液の供給状態に
よって、除去後のレジスト膜の端部が盛り上がるという
問題があった。これは、本発明者が調査したところによ
ると、リンス液を一定な状態で供給することができる程
度の流量でリンス液の吐出を行うと、液の跳ね返りが起
こり、これによって端部の盛り上がりが発生するものと
考えられる。
上記したように、除去後のレジスト膜の端部が盛り上
がると、エッチング時間の変化を招いたり、露光装置内
での接触の原因となる等、種々の弊害を招いてしまう。
がると、エッチング時間の変化を招いたり、露光装置内
での接触の原因となる等、種々の弊害を招いてしまう。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するべく
なされたもので、レジスト膜の不要部を除去（周辺除
去）する際に、除去端部の盛り上がりを防止することを
可能にしたレジスト膜の形成方法を提供することを目的
としている。
なされたもので、レジスト膜の不要部を除去（周辺除
去）する際に、除去端部の盛り上がりを防止することを
可能にしたレジスト膜の形成方法を提供することを目的
としている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明のレジスト膜の形成方法は、被処理物
上にレジスト液を供給し、レジスト膜を形成する工程
と、前記被処理物上に形成されたレジスト膜の不要部分
のみにリンス液を供給し、前記不要部分のレジスト膜を
除去する工程とを有するレジスト膜の形成方法におい
て、 前記リンス液の供給時に、該リンス液が所定流量に到
達するまでの時間を制御し、前記リンス液の加速的な吐
出期間内に前記不要部分のレジスト膜を除去することを
特徴としている。
上にレジスト液を供給し、レジスト膜を形成する工程
と、前記被処理物上に形成されたレジスト膜の不要部分
のみにリンス液を供給し、前記不要部分のレジスト膜を
除去する工程とを有するレジスト膜の形成方法におい
て、 前記リンス液の供給時に、該リンス液が所定流量に到
達するまでの時間を制御し、前記リンス液の加速的な吐
出期間内に前記不要部分のレジスト膜を除去することを
特徴としている。
（作 用） 本発明のレジスト膜の形成方法においては、加速的な
供給期間内に供給されたリンス液によってレジスト膜の
不要部の除去を行っているため、リンス液の急激な吐出
が避けられ、リンス液の跳ね返りを防止することができ
る。これにより、レジスト膜の除去端部の盛上りを防止
することが可能となる。
供給期間内に供給されたリンス液によってレジスト膜の
不要部の除去を行っているため、リンス液の急激な吐出
が避けられ、リンス液の跳ね返りを防止することができ
る。これにより、レジスト膜の除去端部の盛上りを防止
することが可能となる。
（実施例） 以下、本発明のレジスト膜の形成方法を適用した一実
施例のレジスト塗布装置について、図面を参照して説明
する。
施例のレジスト塗布装置について、図面を参照して説明
する。
第１図に示すように、例えば半導体ウェハ１等の被処
理物は、真空チャック等によって載置台２上に保持され
ている。この載置台２は、半導体ウエハ１を高速で回転
させる図示を省略した回転駆動機構に連結されている。
理物は、真空チャック等によって載置台２上に保持され
ている。この載置台２は、半導体ウエハ１を高速で回転
させる図示を省略した回転駆動機構に連結されている。
半導体ウエハ１のほぼ中央部上方には、例えばレジス
ト液を一定量供給するレジスト液供給機構（図示せず）
に接続されたレジスト吐出ノズル３が配置されており、
このレジスト吐出ノズル３から半導体ウエハ１の表面に
所定量のレジスト液が供給される。
ト液を一定量供給するレジスト液供給機構（図示せず）
に接続されたレジスト吐出ノズル３が配置されており、
このレジスト吐出ノズル３から半導体ウエハ１の表面に
所定量のレジスト液が供給される。
また、半導体ウエハ１の外縁部に相当する位置の上方
には、注射針状のリンス液吐出ノズル４が配置されてお
り、このリンス液吐出ノズル４はリンス液の供給機構５
に接続されている。
には、注射針状のリンス液吐出ノズル４が配置されてお
り、このリンス液吐出ノズル４はリンス液の供給機構５
に接続されている。
上記リンス液供給機構５は、ダイヤフラム式ホンプ６
によって主として構成されているものである。ダイヤフ
ラム式ホンプ６は、テフロン等からなるダイヤフラム７
によってポンプ室８内が液室8aとエアー室8bとに仕切ら
れており、上記ダイヤフラム７の往復動作により処理液
の吐出を行うものである。
によって主として構成されているものである。ダイヤフ
ラム式ホンプ６は、テフロン等からなるダイヤフラム７
によってポンプ室８内が液室8aとエアー室8bとに仕切ら
れており、上記ダイヤフラム７の往復動作により処理液
の吐出を行うものである。
上記ポンプ室８の液室8a側には、エアーバルブ９およ
び流量計10が介挿されたリンス液吐出管11と、リンス液
供給タンク12内に挿入されたリンス液供給管13とが接続
されている。上記リンス液吐出管11はリンス液吐出ノズ
ル４に接続されている。なお、図中14はベント管であ
る。
び流量計10が介挿されたリンス液吐出管11と、リンス液
供給タンク12内に挿入されたリンス液供給管13とが接続
されている。上記リンス液吐出管11はリンス液吐出ノズ
ル４に接続されている。なお、図中14はベント管であ
る。
また、エアー室8b側には、エアー供給管15が接続され
ている。このエアー供給管15は、エアーバルブ16、17を
介して、エアー供給機構18と真空排気機構19とに接続さ
れており、これらエアー供給機構18および真空排気機構
19の操作により、液室8aへのリンス液の吸い込みと液室
8aからのリンス液の吐出とが行われるよう構成されてい
る。
ている。このエアー供給管15は、エアーバルブ16、17を
介して、エアー供給機構18と真空排気機構19とに接続さ
れており、これらエアー供給機構18および真空排気機構
19の操作により、液室8aへのリンス液の吸い込みと液室
8aからのリンス液の吐出とが行われるよう構成されてい
る。
次に、上記構成のレジスト塗布装置によるレジスト膜
の形成工程について説明する。
の形成工程について説明する。
まず、半導体ウエハ１を載置台２上に載置し、真空チ
ャック等により載置台２上に吸引保持させ、載置台２と
共に半導体ウエハ１を例えば4000rpm程度で回転させ、
レジスト吐出ノズル３から半導体ウエハ１表面にレジス
ト液を滴下供給する。このレジスト液を一定量供給し停
止した後、所定時間半導体ウエハ１は回転させてレジス
ト膜20をウエハ１の全面に形成する。この工程後、リン
ス液によってレジスト膜20の不要部例えば外縁部の除去
（周縁除去工程）を行う。
ャック等により載置台２上に吸引保持させ、載置台２と
共に半導体ウエハ１を例えば4000rpm程度で回転させ、
レジスト吐出ノズル３から半導体ウエハ１表面にレジス
ト液を滴下供給する。このレジスト液を一定量供給し停
止した後、所定時間半導体ウエハ１は回転させてレジス
ト膜20をウエハ１の全面に形成する。この工程後、リン
ス液によってレジスト膜20の不要部例えば外縁部の除去
（周縁除去工程）を行う。
上記レジスト膜20の外縁部の除去工程は、以下に示す
通りである。
通りである。
まず予備工程として、真空排気機構19によりエアー室
8b内を排気することによって、ダイヤフラム７をエアー
室8b側に移動させ、これにより液室8a内を減圧すること
によって、リンス液供給タンク12から液室8a内にリンス
液を吸い込む。なお、この予備工程は、レジスト膜20の
形成以前に行われる。
8b内を排気することによって、ダイヤフラム７をエアー
室8b側に移動させ、これにより液室8a内を減圧すること
によって、リンス液供給タンク12から液室8a内にリンス
液を吸い込む。なお、この予備工程は、レジスト膜20の
形成以前に行われる。
上記予備工程によって、液室8a内がリンス液によって
満たされた状態で、リンス液の供給例えば吐出を行う。
リンス液の吐出は、エアー供給機構18から圧力制御され
たエアーをエアー室8b内に徐々に供給し、ダイヤフラム
７を液室8a側に押し上げることによって行う。
満たされた状態で、リンス液の供給例えば吐出を行う。
リンス液の吐出は、エアー供給機構18から圧力制御され
たエアーをエアー室8b内に徐々に供給し、ダイヤフラム
７を液室8a側に押し上げることによって行う。
ここで、上記リンス液の吐出は、エアー室8b内に供給
するエアーの圧力を制御することにより、例えば第２図
に示すように、所定の定常流量例えば流量計10の値で15
cc/分に到達するまでのリンス液の加速的な吐出期間、
換言すればリンス液の吐出流量が増加する期間を例えば
５秒〜10秒というように、十分に長く設定する。
するエアーの圧力を制御することにより、例えば第２図
に示すように、所定の定常流量例えば流量計10の値で15
cc/分に到達するまでのリンス液の加速的な吐出期間、
換言すればリンス液の吐出流量が増加する期間を例えば
５秒〜10秒というように、十分に長く設定する。
そして、レジスト膜20すなわちウエハ１の外縁部のリ
ンス液による除去は、所定の回転数で回転させた半体ウ
エハ１上にリンス液を、上記加速的な吐出期間を利用し
て供給することにより行い、所定の定常流量もしくはそ
れ以前にリンス液の吐出を停止する。
ンス液による除去は、所定の回転数で回転させた半体ウ
エハ１上にリンス液を、上記加速的な吐出期間を利用し
て供給することにより行い、所定の定常流量もしくはそ
れ以前にリンス液の吐出を停止する。
上記リンス液の加速的な吐出期間内にレジスト膜20が
外縁部上に供給されたリンス液によって、第３図に示す
ように、レジスト膜20の外縁部が除去される。
外縁部上に供給されたリンス液によって、第３図に示す
ように、レジスト膜20の外縁部が除去される。
このように、加速的な吐出期間内に供給されたリンス
液、すなわち徐々にリンス液の流量が増加している状態
において、レジスト膜20の外縁部をリンス液により除去
することにより、リンス液の急激な吐出が避けられる。
これにより、レジスト膜20の除去端部の盛上りを防止す
ることが可能となり、レジスト膜20外縁部の除去後にお
いても、レジスト膜20の膜厚を一定とすることができ
る。上記リンス液の増加量の適正な範囲は、溶剤の種類
やレジストの種類によって異なるが、厚さ1.0μｍ程度
のレジスト膜に対しては1.5cc/sec〜2.0cc/sec程度とす
ることが好ましい。
液、すなわち徐々にリンス液の流量が増加している状態
において、レジスト膜20の外縁部をリンス液により除去
することにより、リンス液の急激な吐出が避けられる。
これにより、レジスト膜20の除去端部の盛上りを防止す
ることが可能となり、レジスト膜20外縁部の除去後にお
いても、レジスト膜20の膜厚を一定とすることができ
る。上記リンス液の増加量の適正な範囲は、溶剤の種類
やレジストの種類によって異なるが、厚さ1.0μｍ程度
のレジスト膜に対しては1.5cc/sec〜2.0cc/sec程度とす
ることが好ましい。
また、上記実施例においては、リンス液の吐出をダイ
ヤフラム式ポンプ６によって行っているため、上述した
ようなリンス液の加速的な吐出期間を十分に制御するこ
とができる。
ヤフラム式ポンプ６によって行っているため、上述した
ようなリンス液の加速的な吐出期間を十分に制御するこ
とができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明をレジスト膜の形成方法
によれば、レジスト膜の除去端部が盛上がることを防止
することができ、レジスト膜の外縁部の除去後において
も、レジスト膜の膜厚を一定とすることが可能となる。
によれば、レジスト膜の除去端部が盛上がることを防止
することができ、レジスト膜の外縁部の除去後において
も、レジスト膜の膜厚を一定とすることが可能となる。
第１図は本発明方法を適用した一実施例のレジスト塗布
装置の構成を模式的に示す図、第２図はリンス液の吐出
量変化の一例を示す図、第３図はレジスト膜の外縁部の
除去状態を示す図である。 １……半導体ウエハ、２……載置台、３……レジスト供
給ノズル、４……リンス液供給ノズル、５……リンス液
供給機構、６……ダイヤフラム式ポンプ、７……ダイヤ
フラム、8a……液室、8b……エアー室、12……リンス液
供給タンク、18……エアー供給機構、19……真空排気機
構、20……レジスト膜。
装置の構成を模式的に示す図、第２図はリンス液の吐出
量変化の一例を示す図、第３図はレジスト膜の外縁部の
除去状態を示す図である。 １……半導体ウエハ、２……載置台、３……レジスト供
給ノズル、４……リンス液供給ノズル、５……リンス液
供給機構、６……ダイヤフラム式ポンプ、７……ダイヤ
フラム、8a……液室、8b……エアー室、12……リンス液
供給タンク、18……エアー供給機構、19……真空排気機
構、20……レジスト膜。
Claims (1)
- 【請求項１】被処理物上にレジスト液を供給し、レジス
ト膜を形成する工程と、前記被処理物上に形成されたレ
ジスト膜の不要部分のみにリンス液を供給し、前記不要
部分のレジスト膜を除去する工程とを有するレジスト膜
の形成方法において、 前記リンス液の供給時に、該リンス液が所定流量に到達
するまでの時間を制御し、前記リンス液の加速的な吐出
期間内に前記不要部分のレジスト膜を除去することを特
徴とするレジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566390A JP2889934B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22566390A JP2889934B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | レジスト膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107814A JPH04107814A (ja) | 1992-04-09 |
| JP2889934B2 true JP2889934B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=16832830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22566390A Expired - Fee Related JP2889934B2 (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889934B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP22566390A patent/JP2889934B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04107814A (ja) | 1992-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |