JP2003173953A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発泡を抑制して薬液の塗布を行なうことが可
能な技術を提供することにある。 【解決手段】 吸液動作と吐出動作とを交互に行なって
薬液を移送するポンプを用いて薬液の塗布を行なう半導
体装置の製造方法において、前記吸液動作の薬液の流速
を吐出動作の薬液の流速よりも遅くする。こうした構成
によれば、吸液動作時の圧力変動による発泡現象を抑制
し、気泡に起因する異物の発生を低減することができ
る。
能な技術を提供することにある。 【解決手段】 吸液動作と吐出動作とを交互に行なって
薬液を移送するポンプを用いて薬液の塗布を行なう半導
体装置の製造方法において、前記吸液動作の薬液の流速
を吐出動作の薬液の流速よりも遅くする。こうした構成
によれば、吸液動作時の圧力変動による発泡現象を抑制
し、気泡に起因する異物の発生を低減することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、薬液の塗布を伴う工程に適用して有
効な技術に関するものである。
方法に関し、特に、薬液の塗布を伴う工程に適用して有
効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造では、単結晶シリコン
等のウェハに、不純物注入、成膜或いはパターニング等
の様々な処理を行なう種々の工程を経て、受動素子、能
動素子或いは配線パターン等を一括して形成して所定の
回路を構成している。
等のウェハに、不純物注入、成膜或いはパターニング等
の様々な処理を行なう種々の工程を経て、受動素子、能
動素子或いは配線パターン等を一括して形成して所定の
回路を構成している。
【０００３】これらの工程の中には薬液を塗布する処理
を行なうものがある。例えばホトリソグラフィのレジス
トマスクを形成する工程では、紫外線反射防止のため
に、ホトレジストの上面にＴＡＲＣ液をスピンコート塗
布し、高温ベークして成膜する工程がある。
を行なうものがある。例えばホトリソグラフィのレジス
トマスクを形成する工程では、紫外線反射防止のため
に、ホトレジストの上面にＴＡＲＣ液をスピンコート塗
布し、高温ベークして成膜する工程がある。
【０００４】この工程の塗布処理では、図１に示すよう
に、内部容積を変動させて吸液動作と吐出動作とを交互
に行なうベローズポンプ１によって、ボトル２に貯蔵さ
れている薬液を吸引し、吸引した薬液をノズル３から吐
出してウェハ４に塗布している。ボトル２とベローズポ
ンプ１との間にはトラップタンク５が設けられており、
夫々が配管６によって直列に接続されている。トラップ
タンク５には薬液の有無を検知する静電容量センサ７及
びボトル交換の際に配管に混入する空気を排出させるた
めのエア抜き８が取り付けられている。
に、内部容積を変動させて吸液動作と吐出動作とを交互
に行なうベローズポンプ１によって、ボトル２に貯蔵さ
れている薬液を吸引し、吸引した薬液をノズル３から吐
出してウェハ４に塗布している。ボトル２とベローズポ
ンプ１との間にはトラップタンク５が設けられており、
夫々が配管６によって直列に接続されている。トラップ
タンク５には薬液の有無を検知する静電容量センサ７及
びボトル交換の際に配管に混入する空気を排出させるた
めのエア抜き８が取り付けられている。
【０００５】ベローズポンプ１とノズル３との間には、
不純物等の塗布を防止するためのフィルタ９、薬液の吐
出をオン・オフ制御するためのエアオペバルブ１０、薬
液の固化によるノズルの目詰り或いは薬液の固化による
異物化を防止する目的で、塗布装置の停止の際にノズル
に残留する薬液を排出させるためのサックバックバルブ
１１が設けられており、夫々が配管６によって直列に接
続されている。
不純物等の塗布を防止するためのフィルタ９、薬液の吐
出をオン・オフ制御するためのエアオペバルブ１０、薬
液の固化によるノズルの目詰り或いは薬液の固化による
異物化を防止する目的で、塗布装置の停止の際にノズル
に残留する薬液を排出させるためのサックバックバルブ
１１が設けられており、夫々が配管６によって直列に接
続されている。
【０００６】フィルタ９には、フィルタ交換の際に配管
６に混入する空気を排出させるためのエア抜き１２が取
り付けられている。また、ボトル２にはボトル交換時に
窒素ガスによるパージを行なうためのガス供給管１３が
接続されている。
６に混入する空気を排出させるためのエア抜き１２が取
り付けられている。また、ボトル２にはボトル交換時に
窒素ガスによるパージを行なうためのガス供給管１３が
接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述した
ＴＡＲＣ液の塗布処理で微細な気泡が生じる発泡現象が
生じ、この発泡に起因して異物の発生が激増することが
あることに気が付いた。この発泡現象では、ボトル交換
の際などに配管に残った空気は、ＴＡＲＣ液の主な成分
である界面活性剤の作用によって気泡となるため、エア
抜き８，１２によって充分に排出されずに残留し、残留
した空気がＴＡＲＣ液に溶け込み発泡要因になると推定
される。
ＴＡＲＣ液の塗布処理で微細な気泡が生じる発泡現象が
生じ、この発泡に起因して異物の発生が激増することが
あることに気が付いた。この発泡現象では、ボトル交換
の際などに配管に残った空気は、ＴＡＲＣ液の主な成分
である界面活性剤の作用によって気泡となるため、エア
抜き８，１２によって充分に排出されずに残留し、残留
した空気がＴＡＲＣ液に溶け込み発泡要因になると推定
される。
【０００８】ＴＡＲＣ液に溶け込んだ空気はやがて微小
な気泡となって薬液フィルタ内に滞留し、以後継続的に
ノズルより吐出されるためと考えられる。こうした気泡
は、微少なために視認することができず、センサを用い
ても検出することが困難であるため、対応が難しい。
な気泡となって薬液フィルタ内に滞留し、以後継続的に
ノズルより吐出されるためと考えられる。こうした気泡
は、微少なために視認することができず、センサを用い
ても検出することが困難であるため、対応が難しい。
【０００９】本発明の課題は、これらの問題を解決し、
発泡を抑制して異物の発生を防止することが可能な薬液
の塗布技術を提供することにある。本発明の前記ならび
にその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添
付図面によって明らかになるであろう。
発泡を抑制して異物の発生を防止することが可能な薬液
の塗布技術を提供することにある。本発明の前記ならび
にその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添
付図面によって明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。吸液動作と吐出動作とを交互に行
なって薬液を移送するポンプを用いて薬液の塗布を行な
う半導体装置の製造方法において、前記吸液動作の薬液
の流速を吐出動作の薬液の流速よりも遅くする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。吸液動作と吐出動作とを交互に行
なって薬液を移送するポンプを用いて薬液の塗布を行な
う半導体装置の製造方法において、前記吸液動作の薬液
の流速を吐出動作の薬液の流速よりも遅くする。
【００１１】上述した本発明によれば、吸液動作時の圧
力変動による発泡現象を抑制し、気泡に起因する異物の
発生を低減することができる。
力変動による発泡現象を抑制し、気泡に起因する異物の
発生を低減することができる。
【００１２】以下、本発明の実施の形態を説明する。な
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
お、実施の形態を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図２は、本発明
の一実施の形態である半導体装置の製造方法の塗布処理
に用いられる塗布装置を示す構成図である。本実施の形
態ではＴＡＲＣ液を薬液としたウェハへの塗布処理を行
なう。
の一実施の形態である半導体装置の製造方法の塗布処理
に用いられる塗布装置を示す構成図である。本実施の形
態ではＴＡＲＣ液を薬液としたウェハへの塗布処理を行
なう。
【００１４】この工程の塗布処理では、ベローズポンプ
を用いて薬液の移送を行なうが、ベローズポンプでは、
ベローズの伸張による内部容積を増加させて吸液動作を
行ない、ベローズの収縮によって内部容積を減少させて
吐出動作を行ない、この吸液動作と吐出動作とを交互に
行なっている。
を用いて薬液の移送を行なうが、ベローズポンプでは、
ベローズの伸張による内部容積を増加させて吸液動作を
行ない、ベローズの収縮によって内部容積を減少させて
吐出動作を行ない、この吸液動作と吐出動作とを交互に
行なっている。
【００１５】先ずベローズポンプ１によって、ボトル２
に貯蔵されている薬液を吸引し、吸引した薬液をノズル
３から吐出してウェハ４に塗布している。ボトル２とベ
ローズポンプ１との間にはトラップタンク５が設けられ
ており、夫々が配管６によって直列に接続されている。
トラップタンク５には薬液の有無を検知する静電容量セ
ンサ７及びボトル交換の際に配管に混入する空気を排出
させるためのエア抜き８が取り付けられ、ボトル２には
ボトル交換時に窒素ガスによるパージを行なうための供
給管１３が接続されている。
に貯蔵されている薬液を吸引し、吸引した薬液をノズル
３から吐出してウェハ４に塗布している。ボトル２とベ
ローズポンプ１との間にはトラップタンク５が設けられ
ており、夫々が配管６によって直列に接続されている。
トラップタンク５には薬液の有無を検知する静電容量セ
ンサ７及びボトル交換の際に配管に混入する空気を排出
させるためのエア抜き８が取り付けられ、ボトル２には
ボトル交換時に窒素ガスによるパージを行なうための供
給管１３が接続されている。
【００１６】ベローズポンプ１とノズル３との間には、
不純物等の塗布を防止するためのフィルタ９、薬液の吐
出をオン・オフ制御するためのエアオペバルブ１０、薬
液の固化によるノズルの目詰り或いは薬液が固化して異
物になるのを防止する目的で、塗布装置の停止の際にノ
ズルに残留する薬液を排出させるためのサックバックバ
ルブ１１が設けられており、夫々が配管６によって直列
に接続されている。フィルタ９には、フィルタ交換の際
に配管６に混入する空気を排出させるためのエア抜き１
２が取り付けられている。
不純物等の塗布を防止するためのフィルタ９、薬液の吐
出をオン・オフ制御するためのエアオペバルブ１０、薬
液の固化によるノズルの目詰り或いは薬液が固化して異
物になるのを防止する目的で、塗布装置の停止の際にノ
ズルに残留する薬液を排出させるためのサックバックバ
ルブ１１が設けられており、夫々が配管６によって直列
に接続されている。フィルタ９には、フィルタ交換の際
に配管６に混入する空気を排出させるためのエア抜き１
２が取り付けられている。
【００１７】従来は、薬液の吸液動作に費やす時間と吐
出動作に費やす時間とが同じ、即ち吸液動作の流速と吐
出動作の流速とが等しく単一の流速で行なわれていた。
本実施の形態では、スピードコントローラ１４を調整し
て、薬液の吸液動作に費やす時間を吐出動作に費やす時
間よりも長く、具体的には本実施の形態では吐出動作に
費やす時間が１．５秒〜２秒であるのに対して吸液動作
に費やす時間を３秒と長くする。このように吸引動作に
費やす時間を吐出動作に費やす時間よりも長くすること
によって、吸液動作の流速が低くなり、吸引動作によっ
て生じる負圧の圧力変動を小さくすることによって発泡
現象を抑制する。
出動作に費やす時間とが同じ、即ち吸液動作の流速と吐
出動作の流速とが等しく単一の流速で行なわれていた。
本実施の形態では、スピードコントローラ１４を調整し
て、薬液の吸液動作に費やす時間を吐出動作に費やす時
間よりも長く、具体的には本実施の形態では吐出動作に
費やす時間が１．５秒〜２秒であるのに対して吸液動作
に費やす時間を３秒と長くする。このように吸引動作に
費やす時間を吐出動作に費やす時間よりも長くすること
によって、吸液動作の流速が低くなり、吸引動作によっ
て生じる負圧の圧力変動を小さくすることによって発泡
現象を抑制する。
【００１８】また、本実施の形態では空気の混入を防止
するために薬液の管理を精密に行なうために、ボトル２
とトラップタンク５とを接続する配管６に静電容量セン
サ１５を追加し、トラップタンク５の静電容量センサ７
については、従来はトラップタンク５内の薬液を充分に
利用するために底面近くに設けられていたが、本実施の
形態ではトラップタンク５の上部に静電容量センサ７を
設ける。
するために薬液の管理を精密に行なうために、ボトル２
とトラップタンク５とを接続する配管６に静電容量セン
サ１５を追加し、トラップタンク５の静電容量センサ７
については、従来はトラップタンク５内の薬液を充分に
利用するために底面近くに設けられていたが、本実施の
形態ではトラップタンク５の上部に静電容量センサ７を
設ける。
【００１９】この配管６に設けた静電容量センサ１５の
情報に基づいて、トラップタンク５が薬液で満たされて
いる状態でボトルの交換を行なう、或いは、トラップタ
ンク５の上部に設けた静電容量センサ７の情報に基づい
て、トラップタンク５に充分薬液が残っている状態でボ
トルの交換を行なう。
情報に基づいて、トラップタンク５が薬液で満たされて
いる状態でボトルの交換を行なう、或いは、トラップタ
ンク５の上部に設けた静電容量センサ７の情報に基づい
て、トラップタンク５に充分薬液が残っている状態でボ
トルの交換を行なう。
【００２０】従来ボトル交換時にトラップタンク５の側
面に気泡として残留した空気が薬液に溶け込んで気泡発
生の要因となっていたが、本実施の形態では、トラップ
タンク５への空気の進入を最小限に抑える、或いは、ト
ラップタンク５内の液量低下を早期に検知し、トラップ
タンク５の側面を空気に曝さない構成とすることによっ
て気泡の発生を低減させることができる。
面に気泡として残留した空気が薬液に溶け込んで気泡発
生の要因となっていたが、本実施の形態では、トラップ
タンク５への空気の進入を最小限に抑える、或いは、ト
ラップタンク５内の液量低下を早期に検知し、トラップ
タンク５の側面を空気に曝さない構成とすることによっ
て気泡の発生を低減させることができる。
【００２１】この塗布装置を用いた半導体装置の製造方
法の一例であるパターニングでは、先ず、図３に示すよ
うに、半導体基板２１主面に形成された被加工層２２の
全面にホトレジスト膜２３を塗布形成する。次に、塗布
装置を用いたＴＡＲＣ液のスピンコーティング塗布を行
なう。ウェハ４は例えばスピンチャック１６に真空吸着
して固定し、この状態で、スピンチャック１６及びウェ
ハ４を回転させ、ウェハ４の上方に配置されたノズル３
からウェハ４表面の中央にＴＡＲＣ液を吐出する。
法の一例であるパターニングでは、先ず、図３に示すよ
うに、半導体基板２１主面に形成された被加工層２２の
全面にホトレジスト膜２３を塗布形成する。次に、塗布
装置を用いたＴＡＲＣ液のスピンコーティング塗布を行
なう。ウェハ４は例えばスピンチャック１６に真空吸着
して固定し、この状態で、スピンチャック１６及びウェ
ハ４を回転させ、ウェハ４の上方に配置されたノズル３
からウェハ４表面の中央にＴＡＲＣ液を吐出する。
【００２２】吐出されたＴＡＲＣ液は、遠心力によって
ウェハ４の径方向に拡散する。ＴＡＲＣ液を拡散させた
後に吐出を停止し、回転速度を上げて回転を継続させ、
ウェハ４の表面の余分なＴＡＲＣ液を遠心力によって除
去し、所定の膜厚にする振り切り乾燥を行なった後に高
温ベークして、図４に示すように、ＴＡＲＣ膜２４を形
成する。
ウェハ４の径方向に拡散する。ＴＡＲＣ液を拡散させた
後に吐出を停止し、回転速度を上げて回転を継続させ、
ウェハ４の表面の余分なＴＡＲＣ液を遠心力によって除
去し、所定の膜厚にする振り切り乾燥を行なった後に高
温ベークして、図４に示すように、ＴＡＲＣ膜２４を形
成する。
【００２３】このように、ＴＡＲＣ液の塗布装置では、
乾燥・除去等の薬液が吐出されない時間が実際に薬液の
吐出を行なっている時間よりも長く、吐出動作が処理全
体に占める時間はさほど多くはない。従って、薬液の吸
液動作は次の吐出動作の開始までに完了していれば充分
であることから、吸液動作に時間を費やしても、処理時
間に影響を与えることはない。このため吐出動作のイン
ターバルに合せて吸液動作に費やす時間を決定し、更に
低流速化することも可能である。
乾燥・除去等の薬液が吐出されない時間が実際に薬液の
吐出を行なっている時間よりも長く、吐出動作が処理全
体に占める時間はさほど多くはない。従って、薬液の吸
液動作は次の吐出動作の開始までに完了していれば充分
であることから、吸液動作に時間を費やしても、処理時
間に影響を与えることはない。このため吐出動作のイン
ターバルに合せて吸液動作に費やす時間を決定し、更に
低流速化することも可能である。
【００２４】こうして形成したホトレジスト膜２３のプ
リベークを行なった後に、所定のパターンを形成したホ
トマスクを用いて露光を行ない、現像処理により不用な
領域のホトレジスト膜２３及びＴＡＲＣ膜２４を除去
し、ポストベークを行なって所定パターンのレジストマ
スク２５を形成する。
リベークを行なった後に、所定のパターンを形成したホ
トマスクを用いて露光を行ない、現像処理により不用な
領域のホトレジスト膜２３及びＴＡＲＣ膜２４を除去
し、ポストベークを行なって所定パターンのレジストマ
スク２５を形成する。
【００２５】続いて、このレジストマスク２５を用いた
ドライエッチング或いはウェットエッチングによって、
図５に示すように、レジストマスク２５から露出してい
る領域の半導体基板２１主面の被加工層２２を除去する
パターニングを行ない、パターニング完了後に、図６に
示すように、アッシング等によってレジストマスク２５
を除去する。
ドライエッチング或いはウェットエッチングによって、
図５に示すように、レジストマスク２５から露出してい
る領域の半導体基板２１主面の被加工層２２を除去する
パターニングを行ない、パターニング完了後に、図６に
示すように、アッシング等によってレジストマスク２５
を除去する。
【００２６】本実施の形態のパターニングでは、ＴＡＲ
Ｃ膜への異物の発生を低減することができるので良好な
レジストマスクを得ることができる。従って、このレジ
ストマスクを用いたパターニングの不良を低減すること
が可能となる。良好なレジストマスクを形成することに
よって、パターニングに限らず、レジストマスクを用い
た不純物注入等の他の処理についても同様に有効であ
る。
Ｃ膜への異物の発生を低減することができるので良好な
レジストマスクを得ることができる。従って、このレジ
ストマスクを用いたパターニングの不良を低減すること
が可能となる。良好なレジストマスクを形成することに
よって、パターニングに限らず、レジストマスクを用い
た不純物注入等の他の処理についても同様に有効であ
る。
【００２７】以上、本発明を、前記実施の形態に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは勿論である。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは勿論である。
【００２８】例えば、前述したＴＡＲＣ膜の形成以外に
もホトレジスト膜の形成に適用することも可能であり、
半導体基板以外のＬＣＤ基板等へのレジストマスクの形
成にも本発明は適用が可能である。
もホトレジスト膜の形成に適用することも可能であり、
半導体基板以外のＬＣＤ基板等へのレジストマスクの形
成にも本発明は適用が可能である。
【００２９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、吸引動作に費やす時間を長くす
ることによって吸引動作の薬液の流速が低くなり、吸引
動作による負の圧力変動を小さくすることができるとい
う効果がある。 （２）本発明によれば、上記効果（１）により、発泡現
象を抑制することができるという効果がある。 （３）本発明によれば、上記効果（２）により、気泡の
発生に起因する異物の付着を低減することができるとい
う効果がある。 （４）本発明によれば、上記効果（３）により、レジス
トマスクに起因するパターニング等の加工不良を低減す
ることができるという効果がある。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）本発明によれば、吸引動作に費やす時間を長くす
ることによって吸引動作の薬液の流速が低くなり、吸引
動作による負の圧力変動を小さくすることができるとい
う効果がある。 （２）本発明によれば、上記効果（１）により、発泡現
象を抑制することができるという効果がある。 （３）本発明によれば、上記効果（２）により、気泡の
発生に起因する異物の付着を低減することができるとい
う効果がある。 （４）本発明によれば、上記効果（３）により、レジス
トマスクに起因するパターニング等の加工不良を低減す
ることができるという効果がある。
【図１】従来の塗布処理に用いられる塗布装置を示す構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の一実施の形態である塗布処理に用いら
れる塗布装置を示す構成図である。
れる塗布装置を示す構成図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
方法を工程毎にを示す縦断面図である。
１…ベローズポンプ、２…ボトル、３…ノズル、４…ウ
ェハ、５…トラップタンク、６…配管、７，１５…静電
容量センサ、８，１２…エア抜き、９…フィルタ、１０
…エアオペバルブ、１１…サックバックバルブ、１３…
ガス供給管、１４…スピードコントローラ、２１…半導
体基板、２２…被加工層、２３…ホトレジスト膜、２４
…ＴＡＲＣ膜、２５…レジストマスク。
ェハ、５…トラップタンク、６…配管、７，１５…静電
容量センサ、８，１２…エア抜き、９…フィルタ、１０
…エアオペバルブ、１１…サックバックバルブ、１３…
ガス供給管、１４…スピードコントローラ、２１…半導
体基板、２２…被加工層、２３…ホトレジスト膜、２４
…ＴＡＲＣ膜、２５…レジストマスク。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４
Ｆターム(参考） 2H025 AB16 DA34 EA04 EA05
4F042 AA02 AA07 BA11 BA21 CA01
CB02 CB08 CB11 CB19 CB25
EB09 EB13 EB17 EB29
5F046 JA01 PA07
Claims (5)
- 【請求項１】 吸液動作と吐出動作とを交互に行なって
薬液を移送するポンプを用いて薬液の塗布を行なう半導
体装置の製造方法において、 前記吸液動作の薬液の流速を吐出動作の薬液の流速より
も遅くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ポンプがベローズポンプであること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記薬液が界面活性剤を含むことを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 前記薬液がＴＡＲＣ液であることを特徴
とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記薬液を貯蔵するボトルとトラップタ
ンクとの間、或いはトラップタンクの上部に薬液の有無
を検知するセンサを設けたことを特徴とする請求項１乃
至請求項４の何れか一項に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001370931A JP2003173953A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001370931A JP2003173953A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003173953A true JP2003173953A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19180075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001370931A Pending JP2003173953A (ja) | 2001-12-05 | 2001-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013247276A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Sokudo Co Ltd | 薬液供給方法と薬液供給装置と基板処理装置 |
| JP2015220421A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 吐出量調整方法、塗布処理装置及び記録媒体 |
-
2001
- 2001-12-05 JP JP2001370931A patent/JP2003173953A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2013247276A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Sokudo Co Ltd | 薬液供給方法と薬液供給装置と基板処理装置 |
| JP2015220421A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 吐出量調整方法、塗布処理装置及び記録媒体 |
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