JP2000114154A - 薬液供給システムおよび基板処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト液等の薬液をポンプにより吸引して
処理ユニットに圧送する際、薬液内の気泡を極力除去す
ることができる薬液供給システムおよび基板処理システ
ムを提供することレ。 【解決手段】 ポンプ７６の上流側に、レジスト液を貯
留するためのバッファタンク７５が設けられ、バッファ
タンク７５内に所定量のレジスト液が貯留されている際
に、配管開閉弁８１が開かれて、バッファタンク７５内
が減圧され、レジスト液内混入気体が分岐管７９を介し
て配管８０に排出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスやＬＣＤ基板等の製造プロセスにおいて、レジスト
液等の薬液を各処理ユニットに供給する薬液供給システ
ムおよび基板処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板である半導体ウエハにフォトレジ
スト液を塗布し、回路パターンを縮小してフォトレジス
ト膜を露光し、これを現像処理することによって回路パ
ターンに対応したレジストパターンを形成する、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術が採用されている。

【０００３】このような処理工程においては、半導体ウ
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理を施した後、露光ユニットにて所定のパ
ターンを露光し、そして、露光後の半導体ウエハを現像
ユニットにて現像液を塗布して所定のレジストパターン
を形成した後に、ベーキング処理を施して高分子化のた
めの熱変成、半導体ウエハとレジストパターンとの密着
性を強化している。

【０００４】このような塗布・現像処理システムにおい
て、例えば、レジスト液ををレジスト塗布処理ユニット
に供給する際には、レジスト液は、レジスト液貯留タン
クからリキッドエンドタンクを介してポンプにより吸引
され、レジスト塗布処理ユニットに供給される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト液には種々の原因によりＮ_２ガス等のガスが混入して
おり、レジスト液が塗布処理ユニットに到達して圧力が
下がった時、Ｎ_２ガスがレジスト液内で発泡し、このＮ
_２ガスの気泡により塗布ムラが生じるおそれがある。

【０００６】特に、レジスト液がポンプにより吸引され
てレジスト塗布処理ユニットに圧送される際、上述した
ように、レジスト液内にＮ_２ガス等が混入していると、
レジスト液がポンプを通過する時に、Ｎ_２ガスの気泡が
より一層増幅されるといったことがあり、塗布ムラが促
進されるおそれがある。

【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、レジスト液等の薬液をポンプにより吸引し
て処理ユニットに圧送する際、薬液内の気泡を極力除去
することができる薬液供給システムおよび基板処理シス
テムを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、薬液タンクから処理
ユニットに薬液を圧送して供給するための薬液供給シス
テムであって、前記薬液タンクから薬液流路を介して供
給された薬液を貯留するためのバッファタンクと、この
バッファタンクの下流側に配置され、このバッファタン
クから薬液を吸引して前記処理ユニットに薬液を吐出す
るためのポンプと、前記バッファタンク内を減圧して、
薬液内に混入した気体を排出するための脱気手段と、前
記ポンプを所定時間駆動して所定量の薬液を前記バッフ
ァタンクから前記処理ユニットに薬液を吐出させるとと
もに、前記バッファタンク内に所定量の薬液が貯留され
ている際に、前記脱気手段により前記バッファタンク内
を減圧させて薬液内混入気体を脱気させる制御手段とを
具備することを特徴とする薬液供給システムが提供され
る。

【０００９】本発明の第２の観点によれば、薬液タンク
から薬液を圧送する薬液供給システムから供給された薬
液を用いて、各処理ユニットが基板の処理を行う基板処
理システムであって、前記薬液供給システムは、前記薬
液タンクから薬液流路を介して供給された薬液を貯留す
るためのバッファタンクと、このバッファタンクの下流
側に配置され、このバッファタンクから薬液を吸引して
前記処理ユニットに薬液を吐出するためのポンプと、前
記バッファタンク内を減圧して、薬液内に混入した気体
を排出するための脱気手段と、前記ポンプを所定時間駆
動して所定量の薬液を前記バッファタンクから前記処理
ユニットに薬液を吐出させるとともに、前記バッファタ
ンク内に所定量の薬液が貯留されている際に、前記脱気
手段により前記バッファタンク内を減圧させて薬液内混
入気体を脱気させる制御手段とを具備することを特徴と
する基板処理システムが提供される。

【００１０】本発明によれば、処理ユニットに薬液を吐
出するためのポンプが、薬液内混入気体（例えば、Ｎ_２
ガス）を脱気するための脱気手段を備えたバッファタン
クの下流側に設けられているので、薬液がポンプに吸引
される前に、脱気手段により薬液内混入気体（例えば、
Ｎ_２ガス）が既に十分に脱気されており、その後、薬液
がポンプに吸引された時に、薬液内混入気体（例えば、
Ｎ_２ガス）の気泡の増幅がほとんど生じない。したがっ
て、薬液内に気泡が存在することによる悪影響、例え
ば、例えば、塗布処理ユニットにおいて、レジスト液内
の気泡によって生じる塗布ムラを有効に防止することが
できる。

【００１１】この場合に、前記薬液流路に介装された薬
液流路開閉弁をさらに具備し、前記制御手段が、薬液の
所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液タンク
から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するよう
に、前記薬液流路開閉弁を開に切り換えるようにするこ
とにより、バッファタンク内には常に一定量の薬液を保
持するようにすることができる。

【００１２】また、前記脱気手段は、前記バッファタン
クに分岐管を介して接続された配管と、この配管に介装
された配管開閉弁と、この配管を介してバッファタンク
内を吸引する吸引手段とを有し、前記制御手段は、前記
バッファタンク内に所定量の薬液が貯留されている際
に、前記配管開閉弁を開にして前記吸引手段により前記
バッファタンク内を吸引させ、薬液内混入気体を前記分
岐管を介して前記配管に排出させるようにすることによ
り、配管開閉弁の切換によって容易に薬液の脱気を行う
ことができる。

【００１３】さらに、前記吸引手段を、前記配管にガス
を通流させ、前記分岐管に吸引力を及ぼす構成にするこ
とにより、簡易に薬液内混入気体（例えば、Ｎ_２ガス）
を排出することができる。

【００１４】さらにまた、前記薬液の前記バッファタン
クへの導入を、薬液流路開閉弁を開にし、前記脱気手段
により前記バッファタンク内を減圧させることにより行
うことにより、特別な供給系を用いることなく、バッフ
ァタンクに薬液を供給することができる。

【００１５】さらにまた、前記バッファタンク内の薬液
の液位を検出して、検出信号を前記制御手段に入力する
液位検出器をさらに具備することにより、処理ユニット
に所定量の薬液の吐出が行われる度ごとに、その減少量
を容易に把握ことができ、バッファタンクに、吐出され
た量に応じた薬液を補充することができる。

【００１６】さらにまた、前記制御手段が、前記吐出手
段による薬液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液
位検出器が薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬
液流路開閉弁を開にし、薬液を導入して補填するように
することにより、常に必要量の薬液をバッファタンクに
保持させておくことができる。

【００１７】さらにまた、前記バッファタンク内の薬液
が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローした場合
に、これを検出するためのオーバーフロー検出器をさら
に具備し、前記制御手段は、前記薬液流路開閉弁を閉に
するとともに、前記ポンプを駆動して、オーバーフロー
した薬液を前記処理ユニットのダミーディスペンサに排
出するようにしたので、バッファタンクに必要量以上の
薬液が供給されるトラブルが生じても、余分な薬液がダ
ミーディスペンサに排出され、処理に対する悪影響が生
じない。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について説明する。図１ないし図３は、本発
明の実施に用いられる半導体ウエハ（以下、「ウエハ」
という）の塗布・現像処理システム１の全体構成を示す
図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面をそ
れぞれ示している。

【００１９】この塗布現像処理システム１は、図１に示
すように、被処理基板としてウエハＷをウエハカセット
ＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中
で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン１１と、この処理ステーション１１に隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡
しするためのインターフェイス部１２とを一体に接続し
た構成を有している。

【００２０】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２
０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセット
ＣＲが、それぞれのウエハ出入口を処理ステーション１
１側に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配
列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納さ
れたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移
動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選
択的にアクセスするようになっている。

【００２１】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアラ
イメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンション
ユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになってい
る。

【００２２】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが１組または複数の組に亘って多段に配置されてい
る。

【００２３】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転
される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成し
てもよい。

【００２４】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２５】また、図１に示すように、この例では、５
つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配
置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群
Ｇ１、Ｇ２は、システム正面（図１において手前）側に
配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステー
ション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群
Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置される。
また、第５の処理ユニット群Ｇ５は背面側に配置される
ことが可能である。

【００２６】第１の処理ユニット群Ｇ１は、図２に示す
ように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載
せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、
例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニ
ット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第
２の処理ユニット群Ｇ２も、２台のスピンナ型処理ユニ
ット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現
像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられてい
る。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジス
ト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であ
ることから、このように下段に配置するのが好ましい。
しかし、必要に応じて上段に配置することももちろん可
能である。

【００２７】第３の処理ユニット群Ｇ３は、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高め
るためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、
露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行う
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から
順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニット
群Ｇ４も、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリン
グユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング
ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット
（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベー
キングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８
段に重ねられている。

【００２８】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキン
グユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、こ
れ以外の多段配置としてもよい。

【００２９】前記インターフェイス部１２は、図１に示
すように、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置２３が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体２４が設け
られている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向
に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２
３にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット
群Ｇ４の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっ
ている。

【００３０】また前記塗布現像処理システム１では、図
１に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構２２の背
面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を配置
することができるようになっているが、この第５の処理
ユニット群Ｇ５は、案内レール２５に沿って主ウエハ搬
送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。したがって、この第５の処理ユニット群Ｇ５
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿
ってスライドすることにより、空間部が確保されるの
で、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナン
ス作業が容易に行えるようになっている。なお、第５の
処理ユニット群Ｇ５は第４または第３の処理ユニット群
Ｇ３，Ｇ４と同様に、オープン型のユニットが多段に積
層されて構成されている。また、第５の処理ユニット群
Ｇ５は、上述のように案内レール２５に沿った直線状の
スライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動
矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせ
るように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対するメ
ンテナンス作業のスペース確保が容易である。

【００３１】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）について説明する。図４および図５は、レジスト塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示す概略断面図
および概略平面図である。

【００３２】このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）
の中央部には、環状のカップＣＰが配置され、カップＣ
Ｐの内側には、スピンチャック５１が配置されている。
スピンチャック５１は、真空吸着によってウエハＷを保
持しながら駆動モータ５２によって回転され、この駆動
モータ５２は、エアシリンダ５４によって昇降されるフ
ランジ５３に固定されている。

【００３３】ウエハＷの表面にレジスト液を供給するた
めのレジスト液吐出ノズル５５は、レジスト供給管５６
を介してレジスト供給部（図示略）に接続されている。
このレジスト液吐出ノズル５４は、レジスト液吐出ノズ
ルスキャンアーム５７の先端部にノズル保持体５８を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジスト液吐
出ノズルスキャンアーム５７は、一方向（Ｙ方向）に敷
設されたガイドレール５９上で水平移動可能な垂直支持
部材６０の上端部に取り付けられており、図示しないＹ
方向駆動機構によって垂直支持部材６０と一体にＹ方向
に移動されるようになっている。

【００３４】また、レジスト液吐出ノズルスキャンアー
ム５７は、レジスト液吐出ノズル待機部６１でレジスト
液吐出ノズル５５を選択的に取り付けるため、Ｙ方向と
直角なＸ方向にも移動されるようになっている。

【００３５】さらに、ノズル保持体５８には、ウエハＷ
表面へのレジスト液の供給に先立ってウエハＷ表面を濡
らすための液剤例えばシンナーを供給するシンナーノズ
ル６２が取り付けられている。

【００３６】さらにまた、ガイドレール５９上には、リ
ンスノズルスキャンアーム６３を支持しＹ方向に移動可
能な垂直支持部材６４も設けられている。このリンスノ
ズルスキャンアーム６３の先端部には、サイドリンス用
のリンスノズル６５が取り付けられている。

【００３７】このように構成されたレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）においては、まず、スピンチャック５
１によりウエハＷが回転され、シンナーノズル６２がウ
エハＷの中心に到達すると、回転するウエハＷの表面に
シンナーが供給され、遠心力によってウエハＷの中心か
らその周囲全域にむらなく広げられる。続いて、レジス
ト液吐出ノズル５５がスピンチャック５１の中心（ウエ
ハＷの中心）に到達し、回転するウエハＷの中心にレジ
スト液が滴下されてウエハＷに塗布され、遠心力によっ
てウエハＷの中心からその周囲全域にむらなく広げられ
る。これにより、ウエハＷ上にレジスト膜が均一に形成
される。

【００３８】次に、図６を参照しつつ、上記塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）にレジスト液を供給するためのレジス
ト液供給システムを説明する。図６は、本発明の実施の
形態に係るレジスト液供給システムのブロック図であ
る。

【００３９】レジスト液タンク７１から塗布処理ユニッ
ト（ＣＯＴ）に向けてレジスト液流路７２が設けられて
いる。このレジスト液流路７２において、レジスト液タ
ンク７１の下流側には、リキッドエンドタンク７３が設
けられ、その下流側に、レジスト液流路７２を開閉する
ための開閉制御弁７４が設けられ、さらにその下流側
に、レジスト液を一旦貯留して吐出するためのバッファ
タンク７５が設けられている。

【００４０】このバッファタンク７５の下流側に、レジ
スト液を吸引して圧送するためのポンプ７６が設けら
れ、その下流側に、フィルター７７および開閉制御弁７
８が設けられている。なお、レジスト液を圧送するため
の上記ポンプ７６としては、ピストン式のシリンジポン
プ、ベローズポンプ、ダイアフラムポンプなどを用いる
ことができる。

【００４１】また、バッファタンク７５の上部には、上
方に向かう分岐管７９が設けられており、この分岐管７
９は配管８０に接続されている。この配管８０には、開
閉制御弁８１が介装されている。

【００４２】配管８０には図示しない駆動系により空気
が通流されており、開閉制御弁８１が開になっている際
に、配管８０を通流する空気により分岐管７９内が負圧
になり、吸引力が作用する。したがって、この吸引力に
より、バッファタンク７５内のレジスト液を脱気するこ
とができる。

【００４３】一方、上述した開閉制御弁７４，７８，８
１およびポンプ７６に制御信号を送ってこれら切換制御
弁およびポンプを制御するためのコントロールユニット
９０が設けられている。なお、このコントロールユニッ
ト９０は、塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を制御するため
のコントローラと兼用されていてもよい。

【００４４】バッファタンク７５の側壁外側には、バッ
ファタンク７５内のレジスト液の高液位レベルを検出す
るための高液位検出センサー９１と、レジスト液の低液
位レベルを検出するための低液位検出センサー９２とが
設けられいてる。これら液位検出センサー９１，９２の
検出信号は、上記コントロールユニット９０に入力され
るようになっている。さらに、これら液位検出センサー
９１，９２以外に、バッファタンク７５内のレジスト液
が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローすると、
これを検出するためのオーバーフロー用センサー９３が
設けられている。

【００４５】このように構成されたレジスト液供給シス
テムにおいて、バッファタンク７５にレジスト液を充填
する際には、コントロールユニット９０からレジスト液
流路７２の開閉制御弁７４，８１に制御信号が送られ
て、これら開閉制御弁７４，８１が開かれ、分岐管７９
を介して及ぼされる吸引力により、レジスト液タンク７
１からバッファタンク７５にレジスト液が充填される。
そして、高液位検出センサー９１がレジスト液の高液位
を検出し、検出信号がコントロールユニット９０に送ら
れた場合には、レジスト液が所定の高液位まで充填され
たとして、コントロールユニット９０から開閉制御弁７
４，８１に制御信号が送られ、これら開閉制御弁７４，
８１が閉じられ、バッファタンク７５内へのレジスト液
の充填が完了する。

【００４６】次いで、バッファタンク７５から塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）にレジスト液を供給する際には、コ
ントロールユニット９０からポンプ７６に制御信号が送
られて、ポンプ７６が所定時間駆動されると共に、コン
トロールユニット９０から開閉制御弁７８に制御信号が
送られて、所定時間開かれる。これにより、バッファタ
ンク７５から塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に所定量のレ
ジスト液が供給される。所定量のレジスト液の供給が完
了すると、コントロールユニット９０からポンプ７６に
制御信号が送られてポンプ７６が停止されると共に、コ
ントロールユニット９０から開閉制御弁７８に制御信号
が送られて閉じられる。

【００４７】このレジスト液の所定量ごとの吐出が完了
する度ごとに、レジスト液タンク７１からバッファタン
ク７５に、上述したように開閉制御弁７４，８１の開閉
によりレジスト液が補填される。

【００４８】レジスト液の所定量ごとの吐出が完了し、
吐出した量に対応するレジスト液がバッファタンク７５
に補填されると、バッファタンク７５内の脱気が行われ
るようになっている。すなわち、レジスト液がバッファ
タンク７５に補填されると、コントロールユニット９０
から開閉制御弁８１に制御信号が送られて開かれる。こ
れにより、バッファタンク７５の上部が分岐管７９を介
して配管８０に連通されるため、配管８０を通流する空
気により分岐管７９に生じる負圧により、バッファタン
ク７５内が減圧されて、レジスト液内に混入されたＮ_２
ガスが配管８０に放出される。

【００４９】このように、本実施の形態では、ポンプ７
６の上流側に、Ｎ_２ガスを脱気するための機能を備えた
バッファタンク７５が設けられ、上記のように、レジス
ト液がポンプ７６に吸引される前に、開閉制御弁８１の
切り換えによりレジスト液内のＮ_２ガスが既に十分に脱
気されてしまっているため、その後、レジスト液がポン
プ７６に吸引された時に、レジスト液内のＮ_２ガスの気
泡の増幅がほとんど生じない。したがって、塗布処理ユ
ニット（ＣＯＴ）において、レジスト内のＮ_２ガスの気
泡による塗布ムラが生じることが防止される。

【００５０】次に、バッファタンク７５内のレジスト液
がオーバーフローした場合について説明する。上述した
オーバーフロー用センサー９３によりレジスト液のオー
バーフローが検出されると、コントロールユニット９０
からポンプ７６および開閉制御弁７８に制御信号が送ら
れて、ポンプ７６が駆動されるとともに、開閉制御弁７
８が開かれる。これにより、オーバーフローしたレジス
ト液がバッファタンク７５から吐出され、塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）のダミーディスペンサに排出される。ま
た、このようなオーバーフローの際には、警報が作動す
るように構成されていてもよい。

【００５１】このように、オーバーフローしたレジスト
液は排出されるようになっており、バッファタンク７５
に必要量以上のレジスト液が供給されるトラブルが生じ
ても、余分なレジスト液が排出されるので処理に対する
悪影響が生じない。

【００５２】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施
形態ではレジスト液を供給する場合について説明した
が、これに限定されることなく、その他の薬液、例えば
シンナー、現像液等を供給する場合にも適用することが
できる。さらに、被塗布体として半導体ウエハを用いた
が、これに限らず、例えばＬＣＤ用ガラス基板であって
もよい。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理ユニットに薬液を吐出するためのポンプが、薬液内
混入気体（例えば、Ｎ_２ガス）を脱気するための脱気手
段を備えたバッファタンクの下流側に設けられているの
で、薬液がポンプに吸引される前に、脱気手段により薬
液内混入気体（例えば、Ｎ_２ガス）が既に十分に脱気さ
れており、その後、薬液がポンプに吸引された時に、薬
液内混入気体（例えば、Ｎ_２ガス）の気泡の増幅がほと
んど生じない。したがって、薬液内に気泡が存在するこ
とによる悪影響、例えば、例えば、塗布処理ユニットに
おいて、レジスト液内の気泡によって生じる塗布ムラを
有効に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるレジスト液供給シ
ステムが適用される半導体ウエハの塗布・現像処理シス
テムの全体構成の平面図。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。

【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布処理ユニットの全体構成の断面図。

【図５】図４に示したレジスト塗布処理ユニットの平面
図。

【図６】本発明の実施の形態に係るレジスト液供給シス
テムを示すブロック図。

【符号の説明】

７１；レジスト液タンク（薬液タンク） ７２；レジスト液流路（薬液流路） ７４；開閉制御弁（薬液流路開閉弁） ７５；バッファタンク ７６；ポンプ ７９；分岐管 ８０；配管 ８１；開閉制御弁（配管開閉弁） ９０；コントロールユニット（制御手段） ９１；高液位検出センサー ９２；低液位検出センサー ９３；オーバーフロー用センサー ＣＯＴ；レジスト塗布処理ユニット Ｗ；半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ ５Ｆ０４６ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA05 FA15 2H096 AA25 CA01 CA14 GA30 4D075 AC07 AC84 AC95 BB56Z BB93Z CA47 DA08 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 BA06 BA09 CA01 CA07 CA09 CB08 CB18 CC03 EB29 5F043 CC11 CC12 CC14 EE08 EE27 EE28 EE29 EE35 EE36 EE40 5F046 CD01 CD05 CD06 JA03 JA15 JA22 LA03

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 薬液タンクから処理ユニットに薬液を圧
   送して供給するための薬液供給システムであって、 前記薬液タンクから薬液流路を介して供給された薬液を
   貯留するためのバッファタンクと、 このバッファタンクの下流側に配置され、このバッファ
   タンクから薬液を吸引して前記処理ユニットに薬液を吐
   出するためのポンプと、 前記バッファタンク内を減圧して、薬液内に混入した気
   体を排出するための脱気手段と、 前記ポンプを所定時間駆動して所定量の薬液を前記バッ
   ファタンクから前記処理ユニットに薬液を吐出させると
   ともに、前記バッファタンク内に所定量の薬液が貯留さ
   れている際に、前記脱気手段により前記バッファタンク
   内を減圧させて薬液内混入気体を脱気させる制御手段と
   を具備することを特徴とする薬液供給システム。
2. 【請求項２】 前記薬液流路に介装された薬液流路開閉
   弁をさらに具備し、 前記制御手段は、薬液の所定量ごとの吐出が終了する度
   ごとに、前記薬液タンクから前記バッファタンクに薬液
   を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開に
   切り換えることを特徴とする請求項１に記載の薬液供給
   システム。
3. 【請求項３】 前記脱気手段は、 前記バッファタンクに分岐管を介して接続された配管
   と、 この配管に介装された配管開閉弁と、 この配管を介してバッファタンク内を吸引する吸引手段
   とを有し、 前記制御手段は、前記バッファタンク内に所定量の薬液
   が貯留されている際に、前記配管開閉弁を開にして前記
   吸引手段により前記バッファタンク内を吸引させ、薬液
   内混入気体を前記分岐管を介して前記配管に排出させる
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薬液
   供給システム。
4. 【請求項４】 前記吸引手段は、前記配管にガスを通流
   させ、前記分岐管に吸引力を及ぼすことを特徴とする請
   求項３に記載の薬液供給システム。
5. 【請求項５】 前記薬液の前記バッファタンクへの導入
   は、薬液流路開閉弁を開にし、前記脱気手段により前記
   バッファタンク内を減圧させることにより行われること
   を特徴とする請求項２に記載の薬液供給システム。
6. 【請求項６】 前記バッファタンク内の薬液の液位を検
   出して、検出信号を前記制御手段に入力する液位検出器
   をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし請求
   項５のいずれか１項に記載の薬液供給システム。
7. 【請求項７】 前記制御手段は、前記吐出手段による薬
   液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液位検出器が
   薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬液流路開閉
   弁を開にし、薬液を導入して補填することを特徴とする
   請求項６に記載の薬液供給システム。
8. 【請求項８】 前記バッファタンク内の薬液が所定の高
   液位レベルを超えてオーバーフローした場合に、これを
   検出するためのオーバーフロー検出器をさらに具備し、 前記制御手段は、前記薬液流路開閉弁を閉にするととも
   に、前記ポンプを駆動して、オーバーフローした薬液を
   前記処理ユニットのダミーディスペンサに排出すること
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に
   記載の薬液供給システム。
9. 【請求項９】 薬液タンクから薬液を圧送する薬液供給
   システムから供給された薬液を用いて、各処理ユニット
   が基板の処理を行う基板処理システムであって、 前記薬液供給システムは、 前記薬液タンクから薬液流路を介して供給された薬液を
   貯留するためのバッファタンクと、 このバッファタンクの下流側に配置され、このバッファ
   タンクから薬液を吸引して前記処理ユニットに薬液を吐
   出するためのポンプと、 前記バッファタンク内を減圧して、薬液内に混入した気
   体を排出するための脱気手段と、 前記ポンプを所定時間駆動して所定量の薬液を前記バッ
   ファタンクから前記処理ユニットに薬液を吐出させると
   ともに、前記バッファタンク内に所定量の薬液が貯留さ
   れている際に、前記脱気手段により前記バッファタンク
   内を減圧させて薬液内混入気体を脱気させる制御手段と
   を具備することを特徴とする基板処理システム。