JP3576835B2 - 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイスやLCD基板等の製造プロセスにおいて、現像液等の薬液を各処理ユニットに供給する薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布し、回路パターンを縮小してフォトレジスト膜を露光し、これを現像処理することによって回路パターンに対応したレジストパターンを形成する、いわゆるフォトリソグラフィ技術が採用されている。
【0003】
このような処理工程においては、半導体ウエハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにアドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットにてフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱してベーキング処理を施した後、露光ユニットにて所定のパターンを露光し、そして、露光後の半導体ウエハを現像ユニットにて現像液を塗布して所定のレジストパターンを形成した後に、ベーキング処理を施して高分子化のための熱変成、半導体ウエハとレジストパターンとの密着性を強化している。
【0004】
このような塗布・現像処理システムにおいて、現像液、シンナー等の薬液を各処理ユニットに供給する際には、例えば、薬液を貯留したタンク内に高圧のN2ガスを供給し、そのガスの圧力で薬液を各処理ユニットに圧送する圧送方式が採用されている。
【0005】
しかし、このようなN2ガス圧送により薬液を各処理ユニットに送る場合、薬液に高圧のN2ガスを供給することから、薬液にN2ガスが混入し、薬液が各処理ユニットに到達して圧力が下がった時、N2ガスが薬液内で発泡するといったことがある。その結果、例えば、現像処理ユニットでは、圧送後に圧力が下がった現像液内でN2ガスが発泡し、このN2ガスの気泡により現像ムラが生じるおそれがある。また、その他の薬液でもこのような気泡により処理に悪影響を及ぼすおそれがある。
【0006】
このようなことから、現像液、シンナー等の薬液を各処理ユニットに供給する際には、ポンプにより薬液を各処理ユニットに供給している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ポンプにより薬液を各処理ユニットに供給する場合には、現像液等の薬液がポンプにより繰り返し加圧されるため、処理ユニットに到達した薬液が脈動する。その結果、例えば、現像処理ユニットでは、現像液吐出ノズルから現像液が脈動しながら吐出されることにより、現像ムラが生じるおそれがあり、プロセス的に悪影響があるといった問題がある。
【0008】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、ポンプによる脈動を生じることなく、常時所定の一定圧力により現像液等の薬液を各処理ユニットに圧送することができる薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点によれば、薬液供給源から各処理ユニットに薬液を供給するための薬液供給システムであって、
前記薬液供給源から薬液流路を介して供給された薬液を貯留するためのバッファタンクと、
加圧気体供給源から前記バッファタンクに加圧気体を案内するための気体流路および前記気体流路に介装された気体流路切換弁を有し、前記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定量ごとに吐出するための吐出手段と、
前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉する薬液流路開閉弁と、
前記加圧気体供給源から前記気体流路を介して加圧気体を前記バッファタンクに導入し薬液を加圧して薬液を所定量ごとに吐出するように、前記気体流路切換弁をバッファタンク側に開になるように切り換えるとともに、前記バッファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開にする制御手段と
を具備することを特徴とする薬液供給システムが提供される。
【0010】
本発明の第2の観点によれば、薬液供給源から薬液を供給する薬液供給システムから供給された薬液を用いて、各処理ユニットにより基板の処理を行う基板処理システムであって、
前記薬液供給システムは、
前記薬液供給源から薬液流路を介して供給された薬液を貯留するためのバッファタンクと、
加圧気体供給源から前記バッファタンクに加圧気体を案内するための気体流路および前記気体流路に介装された気体流路切換弁を有し、前記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定量ごとに吐出するための吐出手段と、
前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉する薬液流路開閉弁と、
前記加圧気体供給源から前記気体流路を介して加圧気体を前記バッファタンクに導入し薬液を加圧して薬液を所定量ごとに吐出するように、前記気体流路切換弁をバッファタンク側に開になるように切り換えるとともに、前記バッファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開にする制御手段と
を具備することを特徴とする基板処理システムが提供される。
【0011】
本発明の第3の観点によれば、薬液供給源から薬液をタンク内に収容させる工程と、
薬液が収容された前記タンク内を減圧してタンク内の薬液を脱気する工程と、 その後気体により前記薬液の液面を押圧して一回処理分の前記薬液を被処理体に供給して処理する工程と、
前記薬液供給後、一回処理分の薬液を前記タンク内に供給する工程と
を具備することを特徴とする液処理方法が提供される。
【0012】
本発明によれば、薬液が薬液供給源から薬液流路を介してバッファタンクに供給され、加圧気体供給源から気体流路切換弁にて開閉される気体流路を介して加圧気体をバッファタンクに導入し薬液を加圧することで、このバッファタンクから各処理ユニットに薬液が所定量ごとに吐出され、この薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、薬液供給源からバッファタンクに薬液が補填されるようになっている。したがって、薬液が薬液供給源からポンプにより供給されて、バッファタンクに到達した時点で脈動していたとしても、薬液は、バッファタンクに一旦貯留された後に処理ユニットに供給されているため、処理ユニットには、常時所定の一定圧力により薬液が供給され、処理ユニットでは薬液の脈動が生じない。したがって、処理ユニットにおいて薬液が脈動することによって生じる不都合、例えば現像処理ユニットにおいて現像液の脈動による現像ムラが生じることを防止することができる。
【0013】
この場合に、前記吐出手段が、加圧気体供給源から前記バッファタンクに加圧気体を案内するための気体流路と、この気体流路に介装された気体流路切換弁とを有し、前記制御手段は、前記加圧気体供給源から前記気体流路を介して加圧気体を前記バッファタンクに導入し薬液を加圧して薬液を所定量ごとに吐出するように、前記気体流路切換弁をバッファタンク側に開になるように切り換えるようにすることにより、加圧気体(例えばN2ガス)の量は少量でよく、加圧気体が薬液に混入するおそれが小さい。
【0014】
また、バッファタンク内の薬液を脱気する脱気手段と、前記バッファタンクから薬液内混入ガスを脱気手段に案内するための薬液内混入ガス流路と、この薬液内混入ガス流路に介装された薬液内混入ガス流路切換弁とをさらに具備し、前記制御手段は、前記バッファタンク内の薬液内混入ガスが前記薬液内混入ガス流路を介して脱気されるように、前記薬液内混入ガス流路切換弁を排気手段側に開になるように切り換えるようにすることにより、たとえバッファタンク内の薬液に気体が混入しても、脱気手段により薬液内混入ガス(例えばN2ガス)が放出され、脱気が十分に行われているため、例えば、現像処理ユニットでN2ガスの気泡による現像ムラが生じることを確実に防止することができる。
【0015】
さらに、前記脱気手段が、ガスが通流される配管を有し、前記薬液内混入ガス流路は前記配管に接続され、配管を流れるガスによって前記バッファタンク内の薬液内混入ガスが薬液内混入ガス流路を介して吸引されるものとすることにより、簡易な構造でバッファタンク内の薬液を脱気することができる。
【0016】
さらにまた、前記バッファタンク内の薬液の液位を検出して、検出信号を前記制御手段に入力するための液位検出器をさらに具備することにより、処理ユニットに所定量の薬液の吐出が行われる度ごとに、その減少量を容易に把握ことができ、バッファタンクに、吐出された量に応じた薬液を補充することができる。
【0017】
さらにまた、前記制御手段は、前記吐出手段による薬液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液位検出器が薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬液流路開閉弁を開にし、薬液を導入して補填するようにすることにより、常に必要量の薬液をバッファタンクに保持させておくことができる。
【0018】
さらにまた、前記バッファタンク内の薬液が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローした場合に、これを検出するためのオーバーフロー検出器と、前記薬液内混入ガス流路に介装されたオーバーフロー用切換弁とをさらに具備し、前記制御手段は、オーバーフローした薬液を前記薬液内混入ガス流路を介してドレン管に排出するように、前記オーバーフロー用切換弁をドレン管に開になるように切り換えるようにすることにより、バッファタンクに必要量以上の薬液が供給されるトラブルが生じても、余分な薬液がドレン管に排出され、処理に対する悪影響が生じない。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1ないし図3は、本発明の実施に用いられる半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の塗布・現像処理システム1の全体構成を示す図であって、図1は平面、図2は正面、図3は背面をそれぞれ示している。
【0020】
この塗布現像処理システム1は、図1に示すように、被処理基板としてウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション11と、この処理ステーション11に隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡しするためのインターフェイス部12とを一体に接続した構成を有している。
【0021】
前記カセットステーション10では、図1に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、それぞれのウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向に一列に載置され、このカセット配列方向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。
【0022】
さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション11側の第3の処理ユニット群G3に属するアライメントユニット(ALIM)およびイクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0023】
前記処理ステーション11には、図1に示すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の組に亘って多段に配置されている。
【0024】
主ウエハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成してもよい。
【0025】
ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハWの受け渡しを実現している。
【0026】
また、図1に示すように、この例では、5つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群G1、G2は、システム正面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニット群G3はカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4はインターフェイス部12に隣接して配置される。また、第5の処理ユニット群G5は背面側に配置されることが可能である。
【0027】
第1の処理ユニット群G1は、図2に示すように、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2も、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジスト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置することももちろん可能である。
【0028】
第3の処理ユニット群G3は、図3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、イクステンションユニット(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、下から順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニット群G4も、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット(COL)、イクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、イクステンションユニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、プリベーキングユニット(PREBAKE)およびポストベーキングユニット(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられている。
【0029】
このように処理温度の低いクーリングユニット(COL)、イクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキングユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、これ以外の多段配置としてもよい。
【0030】
前記インターフェイス部12は、図1に示すように、奥行方向(X方向)については、前記処理ステーション11と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置23にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、前記処理ステーション11側の第4の処理ユニット群G4の多段ユニットに属するイクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。
【0030】
また前記塗布現像処理システム1では、図1に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5を配置することができるようになっているが、この第5の処理ユニット群G5は、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構22からみて、側方へシフトできるように構成されている。したがって、この第5の処理ユニット群G5を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお、第5の処理ユニット群G5は第4または第3の処理ユニット群G3,G4と同様に、オープン型のユニットが多段に積層されて構成されている。また、第5の処理ユニット群G5は、上述のように案内レール25に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送機構22に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【0032】
次に、本実施形態における現像処理ユニット(DEV)について説明する。図4および図5は、現像処理ユニット(DEV)の全体構成を示す概略断面図および概略平面図である。
【0033】
図4に示すように、この現像処理ユニット(DEV)の中央部には環状のカップCPが配置され、カップCPの内側にはスピンチャック51が配置されている。スピンチャック51は真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で駆動モータ52によって回転駆動される。駆動モータ52は、ユニット底板53の開口に昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材54を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段55および昇降ガイド手段56と結合されている。駆動モータ52の側面にはたとえばSUSからなる筒状の冷却ジャケット57が取り付けられ、フランジ部材54は、この冷却ジャケット57の上半部を覆うように取り付けられている。
【0034】
現像液塗布時、フランジ部材54の下端は、ユニット底板53の開口の外周付近でユニット底板53に密着し、これによりユニット内部が密閉される。スピンチャック51と主ウエハ搬送機構22との間でウエハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段55が駆動モータ52ないしスピンチャック51を上方へ持ち上げることでフランジ部材54の下端がユニット底板53から浮くようになっている。
【0035】
ウエハWの表面に現像液を供給するための現像液供給ノズル61は、現像液供給管62を介して図示しない現像液供給部に接続されている。この現像液供給ノズル61はノズルスキャンアーム63の先端部に着脱可能に取り付けられている。このスキャンアーム63は、ユニット底板53の上に一方向(Y方向)に敷設されたガイドレール65上で水平移動可能な垂直支持部材66の上端部に取り付けられており、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持部材66と一体にY方向に移動するようになっている。
【0036】
図4に示すように、現像液供給ノズル61は、ウエハWの径方向に直線状に延ばされており、その下面に設けられた吐出口から全体として帯状に現像液を吐出するようになっている。そして、現像液の塗布の際には、ウエハWの上方に位置する現像液供給ノズル61から現像液が帯状に吐出されながら、ウエハWが例えば1回転されることにより、現像液がウエハW全面に塗布される。この現像液供給ノズル61は、複数のノズルが並列されたものであってもよく、スリットノズルのようなものであってもよい。また、現像液吐出の際には、ウエハWを回転させずに現像液供給ノズル61をガイドレール65に沿ってスキャンさせてもよい。なお、現像液供給ノズル61は、このようなタイプに限定されるものではなく、他のタイプのものであってもよい。
【0037】
また、洗浄液を吐出するためのリンスノズル67が設けられ、このリンスノズル67は、ガイドレール65上をY方向に移動自在に設けられたノズルスキャンアーム68の先端に取り付けられている。これにより、現像液による現像処理の終了後、ウエハW上に移動して、洗浄液をウエハWに吐出するようになっている。
【0038】
さらに、現像液供給ノズル61は、ノズル待機部69において、このノズル61の吐出口が現像液雰囲気室の挿入口に挿入され、現像液雰囲気に晒されることで、ノズル先端のレジスト液が固化または劣化しないようになっている。
【0039】
このように構成される現像処理ユニット(DEV)においては、まず、所定のパターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハWが、主ウエハ搬送機構22によってカップCPの真上まで搬送され、昇降駆動手段55によって上昇されたスピンチャック51に真空吸着される。
【0040】
次いで、現像液供給ノズル61がウエハWの上方に移動し、この現像液供給ノズル61から現像液が帯状に噴霧されながら、ウエハWが例えば1回転されることにより、現像液がウエハW全面に例えば1mmの厚みになるように塗布される。
【0041】
その後、ウエハWがスピンチャック51により比較的低速で回転され、現像液が攪拌され、現像処理される。現像処理が終了すると、現像液供給ノズル61が退避位置に移動される。
【0042】
そして、ウエハWがスピンチャック51により回転されて現像液が振り切られ、続いてリンスノズル67がウエハWの上方に移動され、リンスノズル67から洗浄液が吐出されてウエハW上に残存する現像液が洗い流される。その後、スピンチャック51が高速で回転され、ウエハW上に残存する現像液および洗浄液が吹き飛ばされてウエハWが乾燥される。これにより、一連の現像処理が終了する。
【0043】
次に、図6を参照しつつ、上記現像処理ユニット(DEV)に現像液を供給するための現像液供給システムを説明する。図6は、本発明の実施の形態に係る現像液供給システムのブロック図である。
【0044】
現像液供給源(図示略)からポンプ(図示略)により現像液を現像液処理ユニット(DEV)に供給するため現像液流路71,72が設けられており、これら現像液流路71,72の間に、現像液を一旦貯留して吐出するためのバッファタンク73が設けられている。また、現像液流路71には、開閉制御弁74が介装されている。
【0045】
N2ガス供給源(図示略)から加圧されたN2ガスを導入するためのN2ガス流路75が設けられており、このN2ガス流路75には、フィルター76および逆止弁77が介装されている。このN2ガス流路75は、流路75aと流路75bとに分岐されており、流路75aには、切換制御弁78が介装され、この流路75aは、バッファタンク73の上部に接続されている。流路75bには、開閉制御弁79およびレギュレータ80が介装され、この流路75bは、分岐管81によりバッファタンク73の上部に接続されている。また、開閉制御弁79は、空気圧により切り換えられる空気圧駆動切換弁82により開閉制御されるようになっている。
【0046】
切換制御弁78からN2ガス放出路83が延びており、このN2ガス放出路83には切換制御弁85が介装されている。このガス放出管83は切換制御弁85を介して配管84に接続されている。また、切換制御弁85の他方の側には、ドレン管86が接続されている。
【0047】
配管84には図示しない駆動系により空気が通流されており、切換制御弁85がガス放出管83側に開になっている際に、配管84を通流する空気によりガス放出管83内が負圧になり、吸引力が作用する。したがって、この吸引力により、バッファタンク73内の現像液を脱気することができる。
【0048】
一方、上述した各種の制御弁に制御信号を送ってこれら制御弁を制御するためのコントロールユニット90が設けられている。なお、このコントロールユニット90は、現像処理ユニット(DEV)を制御するためのコントローラと兼用されていてもよい。
【0049】
バッファタンク73の側壁外側には、バッファタンク73内の現像液の高液位レベルを検出するための高液位検出センサー91と、現像液の低液位レベルを検出するための低液位検出センサー92とが設けられいてる。これら液位検出センサー91,92の検出信号は、上記コントローラユニット90に入力されるようになっている。
【0050】
このように構成された現像液供給システムにおいて、バッファタンク73に現像液を充填する際には、コントロールユニット90から現像液流路71の開閉制御弁74に制御信号が送られて、この開閉制御弁74が開かれ、現像液供給源(図示略)からポンプ(図示略)により現像液がバッファタンク73に充填される。そして、高液位検出センサー91が現像液の高液位を検出し、検出信号がコントロールユニット90に送られた場合には、現像液が所定の高液位まで充填されたとして、コントロールユニット90から開閉制御弁74に制御信号が送られて、この開閉制御弁74が閉じられ、バッファタンク73内への現像液の充填が完了する。
【0051】
次いで、バッファタンク73から現像処理ユニット(DEV)に現像液を供給する際には、コントロールユニット90からN2ガスの流路75aの切換制御弁78に制御信号が送られて、加圧気体のN2ガスがバッファタンク73内に導入されるように切換制御弁78が流路75a側に切り換えられる。これにより、バッファタンク73の上部からN2ガスが所定時間導入されて、現像液が上方から加圧され、バッファタンク73の下部から所定量の現像液が吐出され、現像液流路72を介して現像処理ユニット(DEV)に供給される。所定量の現像液の吐出が完了すると、コントロールユニット90から切換制御弁78に制御信号が送られて、この切換制御弁78が、後述するようにN2ガスを放出するように切り換えられる。
【0052】
この現像液の所定量ごとの吐出が完了する度毎に、現像液供給源(図示略)からバッファタンク73に現像液が補填されるようになっている。すなわち、所定量の現像液の吐出が完了すると、コントロールユニット90から開閉制御弁74に制御信号が送られて、この開閉制御弁74が開かれ、高液位検出センサー91が現像液の高液位を検出するまで現像液がバッファタンク73に補填される。
【0053】
このように、現像液は、バッファタンク73に一旦貯留された後に現像処理ユニット(DEV)に供給されているため、現像液が現像液供給源(図示略)からポンプ(図示略)により供給され、バッファタンク73に到達した時点で脈動していたとしても、現像処理ユニット(DEV)には、常時所定の一定圧力により現像液が供給されるので、現像液の脈動が生じず、したがって脈動による現像ムラが生じない。
【0054】
このように、現像液の所定量ごとの吐出が完了し、吐出した量に対応する現像液がバッファタンク73に補填されると、バッファタンク73内のN2ガス脱気が行われる。すなわち、現像液がバッファタンク73に補填されると、コントロールユニット90から切換制御弁78に制御信号が送られて、この切換制御弁78がN2ガス放出路83側に開になるように切り換えられると共に、コントロールユニット90から切換制御弁85に制御信号が送られて、この切換制御弁85がN2ガス放出路83と配管84とが連通するように切り換えられる。これにより、バッファタンク73の上部がガス放出路83を介して排気管84に連通されるため、配管84の空気の流れによって放出路83に生じる負圧により、バッファタンク73内が減圧されて、バッファタンク73内の現像液が脱気され、現像液に混入されたN2ガスが配管84を介して放出される。
【0055】
このように、本実施形態では、バッファタンク73から現像処理ユニット(DEV)に現像液を吐出するためにN2ガスが用いられるが、その量は少量でよいため、N2ガスが混入するおそれが小さい。また、たとえN2ガスが混入したとしても、バッファタンク73内が減圧されて、N2ガスの脱気が十分に行われているため、N2ガスの気泡による現像ムラが生じることを一層確実に防止することができる。
【0056】
次に、バッファタンク73内の現像液がオーバーフローした場合について説明する。この場合には、液位検出センサー91,92以外に、バッファタンク内の現像液が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローした際に、これを検出するためのオーバーフロー検出器(図示略)が設けられている。このオーバーフロー検出器により現像液のオーバーフローが検出されると、コントロールユニット90から空気圧駆動切換弁82に制御信号が送られて、開閉制御弁79がこの空気圧駆動切換弁82によって流路75b側に開になるように切り換えられるとともに、コントロールユニット90から切換制御弁85に制御信号が送られて、この切換制御弁85がN2ガス放出路83とドレン管86とが連通するように切り換えられる。これにより、加圧気体のN2ガスがバッファタンク73内に導入されて、オーバーフローしている現像液が加圧され、N2ガス放出路83を介してドレン管86に排出される。また、このようなオーバーフローの際には、警報が作動されるように構成されていてもよい。
【0057】
このように、オーバーフローした現像液はドレン管86に排出されるようになっており、バッファタンク73に必要量以上の薬液が供給されるトラブルが生じても、余分な薬液がドレン管86に排出されるので処理に対する悪影響が生じない。
【0058】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、種々変形が可能である。例えば、現像液を供給する場合について説明したが、これに限定されることなく、その他の薬液、例えばシンナー、レジスト液等を供給する場合にも適用することができる。さらに、被塗布体として半導体ウエハを用いたが、これに限らず、例えばLCD用ガラス基板であってもよい。
【0059】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薬液が薬液供給源から薬液流路を介してバッファタンクに供給され、このバッファタンクから各処理ユニットに薬液が所定量ごとに吐出され、この薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、薬液供給源からバッファタンクに薬液が補填されるようになっているので、薬液が薬液供給源からポンプにより供給されて、バッファタンクに到達した時点で脈動していたとしても、薬液は、バッファタンクに一旦貯留された後に処理ユニットに供給され、処理ユニットには、常時所定の一定圧力により薬液が供給され、処理ユニットで薬液の脈動が生じることを防止することができる。したがって、処理液が脈動することによって生じる不都合、例えば現像処理ユニットにおいて現像液の脈動による現像ムラが生じることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る現像液供給システムが適用される半導体ウエハの塗布・現像処理システムの全体構成を示す平面図。
【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図。
【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図。
【図4】図1に示した塗布現像処理システムに装着した現像処理ユニットの全体構成の断面図。
【図5】図4に示した現像処理ユニットの平面図。
【図6】本発明の実施の形態に係る現像液供給システムのブロック図。
【符号の説明】
71;現像液流路(薬液流路)
72;現像液流路(薬液流路)
73;バッファタンク
74;開閉制御弁(薬液流路開閉弁)
75;N2ガス流路(気体流路)
78;切換制御弁(気体流路切換弁)
79;開閉制御弁(オーバーフロー用開閉弁)
83;N2ガス放出路(薬液混入ガス流路)
84;排気管
85;切換制御弁(薬液混入ガス流路切換弁)
86;ドレン管
90;コントロールユニット(制御手段)
91;高液位検出センサー
92;低液位検出センサー
DEV;現像液処理ユニット
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (8)
- 薬液供給源から各処理ユニットに薬液を供給するための薬液供給システムであって、
前記薬液供給源から薬液流路を介して供給された薬液を貯留するためのバッファタンクと、
加圧気体供給源から前記バッファタンクに加圧気体を案内するための気体流路および前記気体流路に介装された気体流路切換弁を有し、前記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定量ごとに吐出するための吐出手段と、
前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉する薬液流路開閉弁と、
前記加圧気体供給源から前記気体流路を介して加圧気体を前記バッファタンクに導入し薬液を加圧して薬液を所定量ごとに吐出するように、前記気体流路切換弁をバッファタンク側に開になるように切り換えるとともに、前記バッファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開にする制御手段と
を具備することを特徴とする薬液供給システム。 - 前記バッファタンク内を脱気する脱気手段と、
前記バッファタンクから薬液内混入ガスを脱気手段に案内するための薬液内混入ガス流路と、
この薬液内混入ガス流路に介装された薬液内混入ガス流路切換弁とをさらに具備し、
前記制御手段は、前記バッファタンク内の薬液内混入ガスが前記薬液内混入ガス流路を介して脱気されるように、前記薬液内混入ガス流路切換弁を排気手段側に開になるように切り換えることを特徴とする請求項1に記載の薬液供給システム。 - 前記脱気手段は、ガスが通流される配管を有し、前記薬液内混入ガス流路は前記配管に接続され、配管を流れるガスによって前記バッファタンク内の薬液内混入ガスが薬液内混入ガス流路を介して吸引されることを特徴とする請求項2に記載の薬液供給システム。
- 前記バッファタンク内の薬液の液位を検出して、検出信号を前記制御手段に入力するための液位検出器をさらに具備することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の薬液供給システム。
- 前記制御手段は、前記吐出手段による薬液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液位検出器が薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬液流路開閉弁を開にし、薬液を導入して補填することを特徴とする請求項4に記載の薬液供給システム。
- 前記バッファタンク内の薬液が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローした場合に、これを検出するためのオーバーフロー検出器と、
前記薬液内混入ガス流路に介装されたオーバーフロー用切換弁とをさらに具備し、
前記制御手段は、オーバーフローした薬液を前記薬液内混入ガス流路を介してドレン管に排出するように、前記オーバーフロー用切換弁をドレン管に開になるように切り換えることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の薬液供給システム。 - 薬液供給源から薬液を供給する薬液供給システムから供給された薬液を用いて、各処理ユニットにより基板の処理を行う基板処理システムであって、
前記薬液供給システムは、
前記薬液供給源から薬液流路を介して供給された薬液を貯留するためのバッファタンクと、
加圧気体供給源から前記バッファタンクに加圧気体を案内するための気体流路および前記気体流路に介装された気体流路切換弁を有し、前記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定量ごとに吐出するための吐出手段と、
前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉する薬液流路開閉弁と、
前記加圧気体供給源から前記気体流路を介して加圧気体を前記バッファタンクに導入し薬液を加圧して薬液を所定量ごとに吐出するように、前記気体流路切換弁をバッファタンク側に開になるように切り換えるとともに、前記バッファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開にする制御手段と
を具備することを特徴とする基板処理システム。 - 薬液供給源から薬液をタンク内に収容させる工程と、
薬液が収容された前記タンク内を減圧してタンク内の薬液を脱気する工程と、
その後気体により前記薬液の液面を押圧して一回処理分の前記薬液を被処理体に供給して処理する工程と、
前記薬液供給後、一回処理分の薬液を前記タンク内に供給する工程と
を具備することを特徴とする液処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28646798A JP3576835B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28646798A JP3576835B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000114153A JP2000114153A (ja) | 2000-04-21 |
JP3576835B2 true JP3576835B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=17704778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28646798A Expired - Lifetime JP3576835B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3576835B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001032081A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-06 | Electroplating Eng Of Japan Co | 添加剤供給装置 |
KR100835018B1 (ko) | 2005-07-19 | 2008-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 맥동 경감 장치 및 검사 장치 |
JP2006332700A (ja) * | 2006-08-07 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 |
JP5999073B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2016-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP28646798A patent/JP3576835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000114153A (ja) | 2000-04-21 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
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