JP2015073007A - 処理液供給装置及び処理液供給方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体を処理するための処理液を供給する処理液供給源60と、前記処理液供給源に供給路を介して接続され、前記処理液を被処理体Wに吐出する吐出部70と、前記供給路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ装置52aと、前記供給路におけるフィルタ装置の一次側及び二次側に夫々設けられた供給ポンプP1及び吐出ポンプP2と、前記処理液供給源から供給された処理液を、前記供給ポンプ及び吐出ポンプの少なくとも一方を用いて減圧して脱気し、次いで脱気された処理液を前記供給ポンプ及び吐出ポンプを用いて前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させるように制御信号を出力する制御部200と、を備える。
【選択図】図3
Description
前記処理液供給源に供給路を介して接続され、前記処理液を被処理体に吐出する吐出部と、
前記供給路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ装置と、
前記供給路におけるフィルタ装置の一次側及び二次側に夫々設けられた供給ポンプ及び吐出ポンプと、
前記処理液供給源から供給された処理液を、前記供給ポンプ及び吐出ポンプの少なくとも一方を用いて減圧して脱気し、次いで脱気された処理液を前記供給ポンプ及び吐出ポンプを用いて前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
被処理体を処理するための処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に供給路を介して接続され、前記処理液を被処理体に吐出する吐出部と、
前記供給路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ装置と、
前記処理液供給源から供給された処理液を脱気する脱気機構と、
前記脱気機構により脱気された処理液を前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させるための送液用のポンプと、を備えたことを特徴とする。
備えた温湿度調節ユニット22が配置されている。
次に、この発明に係る処理液供給装置の第1実施形態について図3を参照しながら説明する。第1の実施形態に係るレジスト液供給装置5は、複数のレジスト液供給系500により構成されている。レジスト液供給系500は、処理液であるレジスト液Lを貯留するレジスト容器60と、当該レジスト容器60とウエハWにレジスト液Lを吐出(供給)するためのノズルとを接続する処理液供給管路51と、を備える。また、レジスト液供給系500は、処理液供給管路51に介設され、レジスト液Lを濾過してパーティクルを除去すると共に、レジスト液L中に混入している気泡やパーティクルなどの異物を除去するフィルタ装置52aを備える。さらに、レジスト液供給系500は、前記フィルタ装置52aの一次側、二次側の処理液供給管路51に夫々介設されるポンプP1、P2と、前記ポンプP2の二次側の処理液供給管路51に介設される供給制御弁57と、前記ポンプP1の一次側の処理液供給管路51に介設されるバッファタンク61と、を具備する。
図5に基づいて、フィルタ装置52aの構成について説明する。フィルタ装置52aは、円筒状に形成されたフィルタ52fと、フィルタ52fを囲むように保持する保持部52iと、外壁部52oとから主に構成されている。また、フィルタ52fの内周側には、濾過されたレジスト液Lが満たされる空間部52sが設けられている。フィルタ装置52aの外壁部52oと保持部52iとの間には、レジスト液通路52pが設けられている。また、レジスト液通路52pの二次側はフィルタ52fを介して空間部52sと連通している。また、空間部52sの一次側及び二次側は第2の処理液供給管路51bと連通し、レジスト液通路52pの二次側は前記ベント用管路51cと連通している。
図27に基づいて、第2実施形態であるレジスト液供給装置511を説明する。なお、第2実施形態及び以降の各実施形態において、第1実施形態と同一の構成については、同一部分に同一符号を付して説明を省略する。レジスト液供給装置511には、レジスト液供給系500の代わりにレジスト液供給系501が設けられる。レジスト液供給系501は、フィルタ装置52aの二次側の処理液供給管路51に介設されるトラップタンク53と、トラップタンク53の二次側の処理液供給管路51に介設されるポンプPと、ポンプPの吐出側とフィルタ装置52aの吸入側とを接続する帰還用管路55と、を具備する。
フィルタ装置52aに供給されるレジスト液Lは、上記のようにステップS41〜S44で脱気された液であり、フィルタ52fの気泡を効率よく溶解させることができる。
図38には、第3実施形態に係るレジスト液供給装置512を示している。当該レジスト液供給装置512は、第2実施形態で説明したレジスト液供給系501に代わりレジスト液供給系502を備えている。当該レジスト液供給系502における、レジスト液供給系501との差異点は、帰還用管路55が、55a、55bに分かれていないことである。帰還用管路55の一端は、弁V38を介してポンプPに接続され、他端は処理液供給管路51bにおいてバッファタンク61と弁58との間に接続されている。この帰還用管路55の構成を除き、レジスト液供給系502はレジスト液供給系501と同様に構成されている。
レジスト液の吐出処理に用いられるポンプP、P1を使用して、レジスト液を脱気することには限られない。図39に示すレジスト液供給装置513のレジスト液供給系503は、レジスト液供給系502と略同様に構成される。差異点としては、処理液供給管路51bにおいてバッファタンク61と帰還用管路55に対する接続点との間に、下流側に向かって、脱気機構80、前記切換弁58がこの順に介設される。
第5実施形態は、図45に示すように、吐出ポンプP2の二次側に、既述のフィルタ装置52aとは別に更に他のフィルタ装置200を設けた例を示している。このフィルタ200と供給制御弁57との間における処理液供給管路51cには、帰還用管路201の一端側が接続されており、この帰還用管路201の他端側は、弁V51を介して、バッファタンク61と供給ポンプP1との間における処理液供給管路51bに接続されている。尚、図45中202はフィルタ装置200から気泡を排出するためのベント管、V52はこのベント管202に設けられた弁である。
500 レジスト液供給系
P1 供給ポンプ
P2 吐出ポンプ
51 処理液供給管路
52a フィルタ装置
52f フィルタ
55 帰還用管路
Claims (33)
- 被処理体を処理するための処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に供給路を介して接続され、前記処理液を被処理体に吐出する吐出部と、
前記供給路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ装置と、
前記供給路におけるフィルタ装置の一次側及び二次側に夫々設けられた供給ポンプ及び吐出ポンプと、
前記処理液供給源から供給された処理液を、前記供給ポンプ及び吐出ポンプの少なくとも一方を用いて減圧して脱気し、次いで脱気された処理液を前記供給ポンプ及び吐出ポンプを用いて前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする処理液供給装置。 - 前記制御部は、前記供給ポンプ、フィルタ装置及び吐出ポンプに処理液を満たした後、処理液を減圧して脱気するために、前記供給ポンプから吐出ポンプに至るまでの空間を閉じた減圧空間として確立し、前記供給ポンプ及び吐出ポンプの一方のポンプの駆動部の移動を停止させ、他方のポンプに吸引動作を行わせるように制御信号を出力することを特徴とする請求項1記載の処理液供給装置。
- 前記吐出ポンプの吐出側と供給ポンプの吸入側との間に循環路を設け、
前記制御部は、減圧して脱気された処理液を、吐出ポンプから前記循環路を介して供給ポンプに戻すように制御信号を出力することを特徴とする請求項1または2記載の処理液供給装置。 - 前記制御部は、処理液を減圧して脱気し、次いで脱気した処理液を吐出ポンプから前記循環路を介して供給ポンプに戻し、次にフィルタ装置の一次側から二次側へ通過させる一連のステップを複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記制御部は、減圧して脱気された処理液を、吐出ポンプから前記フィルタ装置を介して供給ポンプに戻すように制御信号を出力することを特徴とする請求項2記載の処理液供給装置。
- 被処理体を処理するための処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に供給路を介して接続され、前記処理液を被処理体に吐出する吐出部と、
前記供給路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ装置と、
前記処理液供給源から供給された処理液を脱気する脱気機構と、
前記脱気機構により脱気された処理液を前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させるための送液用のポンプと、を備えたことを特徴とする処理液供給装置。 - 前記脱気機構は、処理液を減圧する減圧機構を備えていることを特徴とする請求項6記載の処理液供給装置。
- 前記減圧機構は、処理液を吸引して減圧空間を形成するための減圧用のポンプを含み、
前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うように制御信号を出力する制御部を設けたことを特徴とする請求項7記載の処理液供給装置。 - 前記減圧用のポンプの吸入側には、気泡をトラップして排出するためのトラップ貯液部が接続され、
前記制御部は、前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うと共に、前記減圧用のポンプから前記トラップ貯液部に至るまでの空間が減圧空間となるように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項8記載の処理液供給装置。 - 前記トラップ貯液部には、前記フィルタ装置が接続され、
前記制御部は、前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うと共に、前記減圧用のポンプから前記トラップ貯液部を介して前記フィルタ装置に至るまでの空間が減圧空間となるように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項9記載の処理液供給装置。 - 前記減圧用のポンプの吸入側には、前記フィルタ装置が接続され、
前記制御部は、前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うと共に、前記減圧用のポンプから前記フィルタ装置に至るまでの空間が減圧空間となるように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項8記載の処理液供給装置。 - 前記フィルタ装置の二次側の処理液を一次側に戻して循環させるための循環路と、
前記脱気機構にて脱気された処理液を前記循環路を循環させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項6ないし11のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 前記脱気機構は、前記循環路中に設けられていることを特徴とする請求項12記載の処理液供給装置。
- 前記送液用のポンプは、フィルタ装置の二次側に設けられ、
前記循環路は、前記送液用のポンプの吐出側と前記フィルタ装置の一次側との間に接続され、
前記送液用のポンプを前記減圧用のポンプとして兼用させたことを特徴とする請求項12または13に記載の処理液供給装置。 - 前記制御部は、脱気された処理液を循環路を複数回循環させるように制御信号を出力することを特徴とする12ないし14のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記脱気機構にて脱気された処理液を前記フィルタ装置の二次側から当該フィルタ装置を介して一次側に通過させ、当該一次側に送られた処理液をフィルタ装置を介して二次側に通過させるように制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項6ないし11のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記処理液を吐出部から吐出した後、予め設定した時間が経過した時に、前記脱気機構による処理液の脱気と前記フィルタ装置の一次側から二次側への処理液の通過とを行うように制御信号を出力する制御部を設けたことを特徴とする請求項6ないし16のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 被処理体を処理するための処理液を、異物を除去するためのフィルタ装置を通過させた後、被処理体に供給する処理液供給方法において、
処理液供給源から供給された処理液を、フィルタ装置の一次側及び二次側に夫々設けられた供給ポンプ及び吐出ポンプの少なくとも一方を用いて、減圧して脱気する工程と、
次いで脱気された処理液を前記供給ポンプ及び吐出ポンプを用いて前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させる工程と、
その後、前記フィルタ装置の二次側の処理液を前記吐出ポンプにより吐出部を介して被処理体に吐出する工程と、を備えたことを特徴とする処理液供給方法。 - 前記減圧して脱気する工程は、前記供給ポンプ、フィルタ装置及び吐出ポンプに処理液を満たした後、前記供給ポンプから吐出ポンプに至るまでの空間を閉じた減圧空間として確立し、前記供給ポンプ及び吐出ポンプの一方のポンプの駆動部の移動を停止させ、他方のポンプに吸引動作を行わせる工程であることを特徴とする請求項18記載の処理液供給方法。
- 前記吐出ポンプの吐出側と供給ポンプの吸入側との間に循環路を設け、
減圧して脱気された処理液を、吐出ポンプから前記循環路を介して供給ポンプに戻す工程を備えたことを特徴とする請求項18または19記載の処理液供給方法。 - 前記処理液を減圧して脱気し、次いで脱気した処理液を吐出ポンプから前記循環路を介して供給ポンプに戻し、次にフィルタ装置を一次側から二次側へ通過させる一連のステップを複数回繰り返すことを特徴とする請求項20記載の処理液供給方法。
- 減圧して脱気された処理液を、吐出ポンプから前記フィルタ装置を介して供給ポンプに戻す工程を備えたことを特徴とする請求項18または19記載の処理液供給方法。
- 被処理体を処理するための処理液を、異物を除去するためのフィルタ装置を通過させた後、被処理体に供給する処理液供給方法において、
処理液供給源から送り出された処理液を脱気機構により脱気する工程と、
次いで脱気された処理液を、前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させる工程と、
前記フィルタ装置の一次側から二次側へ通過した処理液を吐出部を介して被処理体に吐出する工程と、を含むことを特徴とする処理液供給方法。 - 前記処理液を脱気機構により脱気する工程は、処理液を減圧機構により減圧する工程であることを特徴とする請求項23記載の処理液供給方法。
- 前記処理液を減圧機構により減圧する工程は、処理液を吸引して減圧空間を形成するための減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて当該ポンプにより吸入動作を行う工程であることを特徴とする請求項24記載の処理液供給方法。
- 前記減圧用のポンプの吸入側には、気泡をトラップして排出するためのトラップ貯液部が接続され、
前記処理液を減圧機構により減圧する工程は、前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うと共に、前記減圧用のポンプから前記トラップ貯液部に至るまでの空間を閉じた減圧空間として確立する工程であることを特徴とする請求項24記載の処理液供給方法。 - 前記トラップ貯液部には、前記フィルタ装置が接続され、
前記処理液を減圧機構により減圧する工程は、前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うと共に、前記減圧用のポンプから前記トラップ貯液部を介して前記フィルタ装置に至るまでの空間を閉じた減圧空間として確立する工程であることを特徴とする請求項26記載の処理液供給方法。 - 前記減圧用のポンプの吸入側には、前記フィルタ装置が接続され、
前記処理液を減圧機構により減圧する工程は、前記減圧用のポンプの吐出側を閉じ、吸入側を開いて吸入動作を行うと共に、前記減圧用のポンプから前記フィルタ装置に至るまでの空間を閉じた減圧空間として確立する工程であることを特徴とする請求項25記載の処理液供給方法。 - 前記フィルタ装置の二次側の処理液を一次側に戻して循環させるための循環路を用い、
前記脱気機構にて脱気された処理液を前記循環路を循環させることを特徴とする請求項23ないし28のいずれか一項に記載の処理液供給方法。 - 前記脱気機構は、前記循環路中に設けられていることを特徴とする請求項29記載の処理液供給装置。
- 前記送液用のポンプの吐出側と前記フィルタ装置の一次側との間に循環路を接続し、この循環路を用いて前記フィルタ装置の二次側の処理液を一次側に戻して循環させ、
前記送液用のポンプを前記減圧用のポンプとして兼用させたことを特徴とする請求項24ないし28のいずれか一項に記載の処理液供給方法。 - 前記脱気機構にて脱気された処理液を前記フィルタ装置の二次側から当該フィルタ装置を介して一次側に通過させ、当該一次側に送られた処理液をフィルタ装置を介して二次側に通過させることを特徴とする請求項23ないし28のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
- 前記処理液を吐出部から吐出した後、予め設定した時間が経過した時に、前記脱気機構による処理液の脱気と前記フィルタ装置の一次側から二次側への処理液の通過とを行うことを特徴とする請求項23ないし28のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017144372A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
JP2017147369A (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2017220547A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 |
KR20180090841A (ko) * | 2015-12-09 | 2018-08-13 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 고온 화학물 및 초음파 장치를 이용한 기판 세정 방법 및 장치 |
JP2020037086A (ja) * | 2018-09-05 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ装置及び送液システム |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170045042A1 (en) * | 2014-04-30 | 2017-02-16 | Anthony HURTER | Supercritical water used fuel oil purification apparatus and process |
TWI585539B (zh) * | 2014-05-15 | 2017-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 用以在光阻分配系統中增進再循環及過濾的方法及設備 |
CN110520965B (zh) * | 2017-04-06 | 2023-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | 供液装置和供液方法 |
JP6920133B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置 |
JP6966265B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-11-10 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置、処理液供給装置、基板処理装置、液抜き方法および液置換方法 |
JP6905902B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2021-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
CN111433888B (zh) * | 2017-12-12 | 2023-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 液供给装置和液供给方法 |
JP6987649B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置及びその脱気方法 |
TWI800623B (zh) * | 2018-03-23 | 2023-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 液處理裝置及液處理方法 |
US10663865B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist recycling apparatus |
US11273396B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Liquid supply system with improved bubble venting capacity |
KR20200126552A (ko) | 2019-04-30 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 다중 필터들을 가진 레지스트 필터링 시스템 및 레지스트 코팅 설비 |
KR102444840B1 (ko) * | 2019-11-07 | 2022-09-16 | 세메스 주식회사 | 약액공급장치 |
CN112786479B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-12-02 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 管理液体供应的系统与方法 |
CN115210934A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-10-18 | 株式会社Lg新能源 | 电极绝缘液供应设备及电极绝缘液供应方法 |
JP2022163822A (ja) * | 2021-04-15 | 2022-10-27 | 株式会社コガネイ | 液体供給装置 |
CN114446841B (zh) * | 2022-04-12 | 2022-07-29 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 供酸装置及湿刻系统 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945615A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体素子の製造装置及びこれを利用した製造方法 |
JP2000114154A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給システムおよび基板処理システム |
JP2003190860A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 塗布装置 |
JP2008305980A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体 |
JP2010135535A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
JP2011238666A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム |
JP2013058655A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2013191843A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及びフィルタ内の気体の除去装置 |
JP2013211525A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-10-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2014078562A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3461725B2 (ja) | 1998-06-26 | 2003-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP4011210B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2007-11-21 | 株式会社コガネイ | 薬液供給方法および薬液供給装置 |
JP3890229B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-03-07 | 株式会社コガネイ | 薬液供給装置および薬液供給装置の脱気方法 |
JP3947398B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-07-18 | 株式会社コガネイ | 薬液供給装置および薬液供給方法 |
US6848458B1 (en) * | 2002-02-05 | 2005-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and methods for processing semiconductor substrates using supercritical fluids |
JP4541069B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システム |
KR100643494B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 포토레지스트의 디스펜싱장치 |
US20070272327A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical dispense system |
US8580117B2 (en) | 2007-03-20 | 2013-11-12 | Taiwan Semiconductor Manufactuing Company, Ltd. | System and method for replacing resist filter to reduce resist filter-induced wafer defects |
JP5571056B2 (ja) | 2011-11-04 | 2014-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 |
JP5453561B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
US9446331B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for dispensing photoresist |
-
2013
- 2013-10-02 JP JP2013207748A patent/JP5967045B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-15 US US14/485,914 patent/US10074546B2/en active Active
- 2014-09-29 KR KR1020140130245A patent/KR101872056B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-29 CN CN201410514563.2A patent/CN104517814B/zh active Active
- 2014-09-30 TW TW103133983A patent/TWI621472B/zh active
-
2018
- 2018-08-02 US US16/052,875 patent/US11342198B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945615A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体素子の製造装置及びこれを利用した製造方法 |
JP2000114154A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給システムおよび基板処理システム |
JP2003190860A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 塗布装置 |
JP2008305980A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体 |
JP2010135535A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
JP2011238666A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム |
JP2013058655A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2013191843A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及びフィルタ内の気体の除去装置 |
JP2013211525A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-10-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2014078562A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180090841A (ko) * | 2015-12-09 | 2018-08-13 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 고온 화학물 및 초음파 장치를 이용한 기판 세정 방법 및 장치 |
JP2019504483A (ja) * | 2015-12-09 | 2019-02-14 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 高温化学薬品及び超音波装置を用いた基板の洗浄方法及び装置 |
US11000782B2 (en) | 2015-12-09 | 2021-05-11 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates using high temperature chemicals and ultrasonic device |
KR102509747B1 (ko) * | 2015-12-09 | 2023-03-15 | 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 | 고온 화학물 및 초음파 장치를 이용한 기판 세정 방법 및 장치 |
US11925881B2 (en) | 2015-12-09 | 2024-03-12 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates using high temperature chemicals and ultrasonic device |
JP2017144372A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
US10507484B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-12-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Pump apparatus and substrate treating apparatus |
JP2017147369A (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2017220547A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 |
CN107470051A (zh) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置、设备单元、处理液供给方法和存储介质 |
JP2020037086A (ja) * | 2018-09-05 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ装置及び送液システム |
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