CN104517814A - 处理液供给装置和处理液供给方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种处理液供给装置和处理液供给方法,使得不浪费地消耗处理液,有效地抑制处理液中的颗粒的增加。该处理液供给装置包括:供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;经由供给路径与上述处理液供给源连接,向被处理体排出上述处理液的排出部;设置于上述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;分别设置于上述供给路径中的过滤器装置的初级侧和次级侧的供给泵和排出泵;和控制部,其输出控制信号,使得使用上述供给泵和排出泵中的至少一个对从上述处理液供给源供给的处理液进行减压而使其脱气,接着使用上述供给泵和排出泵使脱气后的处理液从上述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧。
Description
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片或LCD用玻璃基板等的被处理体供给处理液进行处理的处理液供给装置和处理液供给方法。
背景技术
一般而言,在半导体器件的制造的光刻技术中,对半导体晶片或FPD基板等(以下,称为晶片等)涂敷光致抗蚀剂,对于由此形成的抗蚀剂膜按照规定的电路图案进行曝光,对该曝光图案进行显影处理,由此在抗蚀剂膜上形成电路图案。
在这样的光刻工序中,具有在供给至晶片等的抗蚀剂液和显影液等处理液中由于各种原因而混入氮气等的气泡、颗粒(异物)的问题,当混合存在有气泡、颗粒的处理液被供给至晶片等时,还存在发生涂敷不均、缺陷的问题。为此,在处理液的管路中设置有用于将混合存在于处理液中的气泡、颗粒除去的装置。
在现有技术中,作为这种装置,已知一种处理液供给装置,其在连接供给喷嘴和处理液存积容器的供给管路中设置临时存积容器、过滤器和泵,具有:与处理液存积容器和临时存积容器之间的供给管路以及过滤器连接的循环管路;和设置于循环管路的可变节流阀(例如,参照专利文献1)。该处理液供给装置为了实现在光刻工序中进行的处理的效率和多样化,具备多个供给喷嘴,按照目的选择使用供给喷嘴。
在该处理液供给装置中,被过滤器除去气泡后的处理液的液压因可变节流阀而下降,由此使得溶解于处理液中的气体被气泡化,该气泡从循环路径经由供给管路再次通过过滤器而被除去。因此,能够高效地除去溶解于处理液中的气体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-135535号公报(权利要求书、图3、图4)
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而,在具备多个供给管路的处理液供给装置中,在设置于与未被使用的供给喷嘴连接的供给管路中的过滤器中发生处理液的滞留。此处,如果在过滤器等容量大的场所使处理液长时间滞留,则发现如下倾向:特别是滞留在过滤器中的气泡、凝胶在过滤器与处理液的界面作为颗粒生长、增加。因此,作为防止混合存在于处理液中的颗粒的增加的方法,考虑如下方法:在晶片等以外的场所定期地进行处理液的排出,由此使得在过滤器等容量大的场所处理液不会长时间滞留(伪排出)。但是,将在伪排出中排出的处理液废弃,因此存在处理液的消耗量增大的问题。另外,在上述专利文献1的处理液供给装置中,由于利用过滤器除去气泡,因此存在气泡残留在过滤器装置中、使过滤器装置的性能下降的可能性。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于不浪费地消耗处理液,有效地抑制处理液中的颗粒的增加。
用于解决技术课题的技术方案
本发明的处理液供给装置的特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与上述处理液供给源连接,向被处理体排出上述处理液的排出部;
设置于上述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
分别设置于上述供给路径中的过滤器装置的初级侧和次级侧的供给泵和排出泵;和
控制部,其输出控制信号,使得使用上述供给泵和排出泵中的至少一个对从上述处理液供给源供给的处理液进行减压而使其脱气,接着使用上述供给泵和排出泵使脱气后的处理液从上述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧。
本发明的另一处理液供给装置的特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与上述处理液供给源连接,向被处理体排出上述处理液的排出部;
设置于上述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
对从上述处理液供给源供给的处理液进行脱气的脱气机构;和
送液用的泵,其使由上述脱气机构脱气后的处理液从上述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧。
发明效果
根据本发明,使由脱气机构脱气后的处理液从过滤器装置的初级侧流通至次级侧。过滤器装置中所包含的气泡高效地溶解于上述处理液,在该过滤器装置的次级侧中被高效地除去。因此,能够抑制通过过滤器装置而废弃的处理液的量。另外,能够有效地抑制残留在过滤器装置的气泡成为颗粒而混入至被排出到被处理体的处理液中的情况。
附图说明
图1是表示在应用本发明的液处理装置的涂敷、显影处理装置上连接曝光处理装置而得到的处理系统整体的概略平面图。
图2是上述处理系统的概略立体图。
图3是本发明的液处理装置的第一实施方式的结构图。
图4是构成上述液处理装置的泵的概略动作图。
图5是构成上述液处理装置的过滤器装置的纵截侧视图。
图6是构成上述液处理装置的抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图7是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图8是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图9是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图10是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图11是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图12是表示泵和过滤器装置的状态的说明图。
图13是表示泵和过滤器装置的状态的说明图。
图14是表示泵和过滤器装置的状态的说明图。
图15是表示泵和过滤器装置的状态的说明图。
图16是表示泵和过滤器装置的状态的说明图。
图17是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图18是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图19是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图20是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图21是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图22是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图23是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图24是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图25是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图26是用于使上述抗蚀剂液供给系统动作的控制器的判断的流程图。
图27是另一液处理装置的抗蚀剂液供给系统的结构图。
图28是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图29是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图30是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图31是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图32是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图33是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图34是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图35是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图36是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图37是上述抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图38是另一液处理装置的抗蚀剂液供给系统的结构图。
图39是另一液处理装置的抗蚀剂液供给系统的结构图。
图40是构成上述液处理装置的脱气装置的结构图。
图41是上述液处理装置的抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图42是表示上述脱气机构的配置例的说明图。
图43是另一液处理装置的抗蚀剂液供给系统的结构图。
图44是抗蚀剂液供给系统的动作的说明图。
图45是另一液处理装置的抗蚀剂液供给系统的结构图。
图46是上述抗蚀剂液供给系统的结构图。
附图标记说明
5 抗蚀剂液供给装置
500 抗蚀剂液供给系统
P1 供给泵
P2 排出泵
51 处理液供给管路
52a 过滤器装置
52f 过滤器
55 返回用管路
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。此处,对将本发明的处理液供给装置(抗蚀剂液处理装置)应用到涂敷显影装置中的情况进行说明。
如图1和图2所示,上述涂敷显影装置包括:用于搬入搬出载体10的载体站1,该载体10密闭收纳多个例如25个作为基板的晶片W;对从该载体站1取出的晶片W实施抗蚀剂涂敷、显影处理等的处理部2;和在该处理部2与曝光部4之间进行晶片W的交接的接口部3,该曝光部4在晶片W的表面形成有使光透过的液体层的状态下对晶片W的表面进行浸液曝光。
在载体站1设置有:能够排列载置多个载体10的载置部11;从该载置部11看时设置于前方的壁面的开闭部12;和交接机构A1,该交接机构A1用于经由开闭部12从载体10取出晶片W。
接口部3由在处理部2与曝光部4之间前后设置的第一输送室3A和第二输送室3B构成,在第一输送室3A设置有第一晶片输送部30A,在第二输送室3B设置有第二晶片输送部30B。
另外,在载体站1的里侧(进深侧)连接有由壳体20包围周围的处理部2,在该处理部2交替地排列设置有主输送机构A2、A3,该主输送机构A2、A3在从跟前侧起依次将加热冷却系统形成为多层的棚架单元U1、U2、U3和液处理单元U4、U5的各个单元之间进行晶片W的交接。另外,主输送机构A2、A3配置在由划分壁21包围的空间内,该划分壁21由从载体站1看时在前后方向上配置的棚架单元U1、U2、U3侧的一面部、后述的例如右侧的液处理单元U4、U5侧的一面部、和成为左侧的一面的背面部构成。另外,在载体站1与处理部2之间、处理部2与接口部3之间,配置有在各个单元中使用的处理液的温度调节装置、具备温湿度调节用的管道等的温湿度调节单元22。
棚架单元U1、U2、U3为将用于进行在液处理单元U4、U5中进行的处理的前处理和后处理的各种单元叠层为多层例如10层而成的结构,其组合包括加热(烘培(bake))晶片W的加热单元(未图示)、和冷却晶片W的冷却单元(未图示)等。另外,向晶片W供给规定的处理液进行处理的液处理单元U4、U5,例如图2所示,构成为将防反射膜涂敷单元(BCT)23、涂敷单元(COT)24和显影单元(DEV)25等叠层多层例如5层,其中,防反射膜涂敷单元(BCT)23在抗蚀剂和显影液等的药液收纳部14之上涂敷防反射膜,涂敷单元(COT)24对晶片W涂敷抗蚀剂液,显影单元(DEV)25对晶片W供给显影液进行显影处理。涂敷单元(COT)24是抗蚀剂液供给装置。
参照图1和图2,对如上所述构成的涂敷显影处理装置中的晶片的流程的一个例子简单地进行说明。在涂敷显影处理装置中,在每一批次中连续地输送晶片W。即,相同批次的晶片W被连续地输送。首先,当收纳有例如25个晶片W的载体10被载置在载置部11时,载体10的盖体与开闭部12一起被卸下,利用交接单元A1取出晶片W。而且,晶片W经由成为棚架单元U1的一层的交接单元(未图示)被交接到主输送单元A2,作为涂敷处理的前处理进行例如防反射膜形成处理、冷却处理后,在涂敷单元(COT)24中被涂敷抗蚀剂液。接着,利用主输送单元A2,晶片W在成为棚架单元U1或U2的一层的加热单元被加热(烘焙处理),进而经由被冷却后的棚架单元U3的交接单元被搬入到接口部3。在该接口部3中,由第一输送室3A和第二输送室3B的第一晶片输送部30A和第二晶片输送部30B输送到曝光部4,以与晶片W的表面相对的方式配置有曝光单元(未图示),进行曝光。在曝光后,晶片W以相反的路径被输送到主输送单元A2,在显影单元(DEV)25中进行显影,由此被形成图案。之后,晶片W被送回载置在载置部11上的原来的载体10。
(第一实施方式)
接着,参照图3,对本发明的处理液供给装置的第一实施方式进行说明。第一实施方式的抗蚀剂液供给装置5由多个抗蚀剂液供给系统500构成。抗蚀剂液供给系统500包括:存积作为处理液的抗蚀剂液L的抗蚀剂容器60;和处理液供给管路51,其连接该抗蚀剂容器60和用于向晶片W排出(供给)抗蚀剂液L的喷嘴。此外,抗蚀剂液供给系统500具备过滤器装置52a,该过滤器装置52a设置于处理液供给管路51中,对抗蚀剂液L进行过滤来除去颗粒,并且除去混入于抗蚀剂液L中的气泡、颗粒等异物。并且,抗蚀剂液供给系统500包括:分别设置于上述滤器装置52a的初级侧和次级侧的处理液供给管路51的泵P1、P2;设置于上述泵P2的次级侧的处理液供给管路51的供给控制阀57;和设置于上述泵P1的初级侧的处理液供给管路51的缓冲容器(缓冲罐)61。
上述处理液供给管路51包括第一处理液供给管路51a和第二处理液供给管路51b,其中,上述第一处理液供给管路51a连接作为处理液供给源的上述抗蚀剂容器60和临时存积从该抗蚀剂容器60引导来的处理液的上述缓冲容器61,上述第二处理液供给管路51b连接该缓冲容器61和喷嘴。即,上述过滤器装置52a、泵P1、P2和供给控制阀57设置于第二处理液供给管路51b。另外,泵P1、P2除了通过第二该处理液供给管路51b相互连接之外,还通过返回用管路(循环路径)55相互连接。
上述泵P1是用于向过滤器装置52a供给抗蚀剂液L的泵,为了便于说明,存在记载为供给泵P1的情况。泵P2是在晶片W的液处理时、向喷嘴输送抗蚀剂液L的部件,该喷嘴向晶片W排出抗蚀剂液L,因此为了便于说明,存在记载为排出泵P2的情况。图4表示上述供给泵P1的概略纵截面图。供给泵P1包括:下侧开口的壳体101;和以封闭该壳体101的方式形成的隔膜(隔板)102。在该例子中,隔膜102的上侧被封闭的筒的外缘部被向上方折回,与上述壳体101的缘部连接。
利用该壳体101和隔膜102形成存积抗蚀剂液L的泵室103。图中104是驱动机构,通过该驱动机构,如图4上部、下部所示,隔膜102变形,泵室103的容积发生变化。由此,能够进行从泵室103排出抗蚀剂液L的排出动作和将抗蚀剂液L吸入到泵室103中的吸液动作。
在供给泵P1的吸入侧(初级侧)设置有电磁式的开闭阀V31,该开闭阀V31使得抗蚀剂液L能够从第二处理液供给管路51b流入该供给泵P1。在供给泵P1的排出侧(次级侧)设置有电磁式的开闭阀V32。另外,上述返回用管路55的下游端与上述泵室103连接。
排出泵P2与供给泵P1大致同样地构成。作为不同之处在于,如图3所示设置有开闭阀V33,经由该开闭阀V33与上述返回用管路55的上游端连接。此外,在排出泵P2设置有对该排出泵P2的泵室103的压力进行检测的传感器105。基于由传感器105检测出的压力,通过控制器200,经由上述驱动机构104控制泵P1、P2的动作。此外,在没有被开闭阀相互划分时,泵P1、P2的各个泵室103的压力同样地变化,所以,上述传感器105也是用于检测供给泵P1的泵室103的压力的部件。其中,也可以在泵P1设置传感器105,根据各个传感器105的检测结果控制泵室103的压力。在图3中,将与供给泵P1的开闭阀V31、V32对应的排出泵P2的开闭阀表示为开闭阀V34、V35。
作为上述供给控制阀57,例如能够使用具备分配器阀(dispenservalve)的流量控制阀。另外,图中70是包括上述喷嘴的喷嘴单元。在该喷嘴单元70,设置有分别与各个抗蚀剂液供给系统500连接的多个(在图面中图示4个)喷嘴。设图中的各个喷嘴为7(7a~7d),在与这些喷嘴7a~7d连接的各个抗蚀剂液供给系统500的上述抗蚀剂容器60中,存积有种类相互不同的抗蚀剂液L。因此,能够从各个喷嘴7a~7d向晶片W排出相互不同的抗蚀剂液L。由控制器200选择在晶片W的每个批次排出的抗蚀剂液L、即被使用的抗蚀剂液供给系统500。
在抗蚀剂容器60的上部连接有第一气体供给管路8a,该第一气体供给管路8a与不活泼气体例如氮气(N2)的气体供给源62连接。另外,在该第一气体供给管路8a设置有作为能够进行可变调整的压力调整单元的电-气调压阀R。该电-气调压阀R包括:根据来自控制器200的控制信号进行动作的操作部例如比例电磁线圈;和通过该电磁线圈的动作来进行开闭的阀机构,通过阀机构的开闭调整压力。
在上述第一气体供给管路8a中,在电-气调压阀R与抗蚀剂容器60之间设置有电磁式切换阀V1。另外,在第一处理液供给管路51a的抗蚀剂容器60与缓冲容器61之间设置有电磁式切换阀V2。切换阀V1将抗蚀剂容器60内切换为打开至大气气氛的状态、与气体供给源62连接的状态、与上述大气气氛和气体供给源62断开的状态中的任一状态。这些切换阀V1、V2和电-气调压阀R也构成各个抗蚀剂液供给系统500。例如,气体供给源62也在各个抗蚀剂液供给系统500中共用。
在缓冲容器61设置有对其内部的抗蚀剂液L的上限液面和下限液面进行检测的上限液面传感器61a和下限液面传感器61b,由这些上限液面传感器61a和下限液面传感器61b检测到的信号被传送给控制器200。基于该检测信号,从抗蚀剂容器60供给抗蚀剂液L,控制缓冲容器61内的液面。另外,在缓冲容器61的上部设置有用于除去缓冲容器61内的气层和缓冲容器61内的抗蚀剂液的排液管路61c,在该排液管路61c设置有电磁式切换阀V6a。
在过滤器装置52a的上部设置有用于除去(通气,Vent)过滤器装置52a内的气相气氛的通气用管路51c,在该通气用管路51c设置有电磁式切换阀V4a。
基于图5对过滤器装置52a的结构进行说明。过滤器装置52a主要包括形成为圆筒状的过滤器52f、以包围过滤器52f的方式进行保持的保持部52i和外壁部52o。另外,在过滤器52f的内周侧设置有充满被过滤了的抗蚀剂液L的空间部52s。在过滤器装置52a的外壁部52o与保持部52i之间设置有抗蚀剂液通路52p。另外,抗蚀剂液通路52p的次级侧经由过滤器52f与空间部52s连通。此外,空间部52s的初级侧和次级侧与第二处理液供给管路51b连通,抗蚀剂液通路52p的次级侧与上述通气用管路51c连通。
该过滤器装置52a构成为能够从第二处理液供给管路51b和通气用管路51c卸下,能够自由交换。此外,上述过滤器52f包括由例如无纺布构成的膜部件,具备大量细微的孔。该过滤器52f在将过滤器装置52a安装在抗蚀剂液供给系统500时处于干燥状态,但在安装后浸入抗蚀剂液L中,抗蚀剂液在各个孔中流通,该过滤器52f被用于除去包含在各个孔的气泡和颗粒。由此,能够利用包含在过滤器52f自身的异物(气泡和颗粒)防止供给到晶片W的抗蚀剂液被污染。此外,抗蚀剂液填充至上述孔的填充率越高、即上述气泡的除去率越高,在向晶片W供给抗蚀剂液L时,过滤器52f的初级侧的抗蚀剂液L在向过滤器52f的次级侧移动期间通过更多的孔,包含在上述抗蚀剂液L中的异物难以通过到过滤器52f的次级侧。即,过滤器52f的异物的除去性能提高。
于是,在抗蚀剂液供给系统500中进行如下所述的脱气液供给处理:即,在该供给系统中形成减压气氛,对该供给系统中的抗蚀剂液L进行脱气,使如上述方式脱气后的抗蚀剂液L从过滤器52f的初级侧流通至次级侧,除去过滤器52f的上述气泡。在该处理中,通过供给脱气后的抗蚀剂液,过滤器52f的上述孔内的气泡能够高效地溶入该抗蚀剂液中,抗蚀剂液在该孔内流通。而且,溶入的气泡与抗蚀剂液一起被排出至过滤器52f的次级侧。此外,在抗蚀剂液供给系统500中,除了进行该脱气液供给处理之外,还进行循环过滤处理。该循环过滤处理是如下所述的处理:即,用于使未在减压气氛下进行脱气的抗蚀剂液L在从喷嘴7a~7d排出至晶片W之前,在包括过滤器装置52a的循环路径中反复循环,利用该过滤器装置52a可靠地除去异物的处理。
对作为控制部的控制器200进行说明。控制器200是计算机,具备程序、存储器和包含CPU的数据处理部等。上述程序通过将控制信号发送至各个抗蚀剂液供给系统500,控制各个阀的开闭、电-气调压阀R的动作和各个泵P1、P2的动作等,能够对各个管路中的抗蚀剂液和气体的流通、流通的停止以及这些抗蚀剂液和气体的流量进行控制。由此,构成为能够进行上述的脱气液供给处理、循环过滤处理和向晶片W排出抗蚀剂液的排出处理。
控制器200独立地控制抗蚀剂液供给系统500,进行控制使得在一个抗蚀剂液供给系统500中进行上述排出处理,另一方面,在其它3个抗蚀剂液供给系统500中进行脱气液供给处理或循环过滤处理。上述程序存储在计算机的存储介质例如软盘、光盘(Compact Disc)、MO(光磁盘)和存储器卡等存储介质,被安装在控制器200。
接着,参照作为抗蚀剂液供给系统500的概略图的图6~图11,对在将过滤器装置52a安装在一个抗蚀剂液供给系统500后,在利用该抗蚀剂液供给系统500对晶片W进行处理之前,进行上述脱气液供给处理的步骤进行说明。在图6~图11中,关于抗蚀剂液L由于泵P1、P2的动作、各个阀的开闭和抗蚀剂液供给系统500内的压力的变化而流动或能够流动的管路,与不会发生这样的流动的管路相比,被较粗地表示。另外,为了避免图的复杂化,省略了与抗蚀剂容器60连接的气体供给管路8a等在图3中所图示的一部分的结构。另外,图12~图16是表示进行上述脱气液供给处理的各个步骤中的泵P1、P2和过滤器装置52a的状态的说明图,也适当地参照这些图12~图16。
在使缓冲容器61的排液管路61c的切换阀V6a打开的状态下,利用来自N2气体的气体供给源62(参照图3)的N2气体对抗蚀剂容器60内进行加压,抗蚀剂液L被从抗蚀剂容器60供给至缓冲容器61内。之后,关闭切换阀V6a,缓冲容器61内也被加压,抗蚀剂液L被供给至供给泵P1。之后,停止上述N2气体的供给,通过供给泵P1的动作,缓冲容器61的抗蚀剂液L被供给至过滤器装置52a和排出泵P2。通过排出泵P2的动作,抗蚀剂液L被供给至从该泵P2至喷嘴7a为止的第二处理液供给管路51b和返回用管路55,抗蚀剂液供给系统500形成为待机状态(图6,步骤S1)。
在上述待机状态中,泵P1、P2的各个开闭阀V31~V35、供给控制阀57、过滤器装置52a的通气用管路51c的切换阀V4a、缓冲容器61的排液管路61c的切换阀V6a被关闭。此外,在该待机状态中,供给泵P1的泵室103如图4上部所示为扩张的状态,排出泵P2的泵室103如图4下部所示为收缩的状态。
接着,如图7所示,阀V4a、供给泵P1的次级侧(排出侧)的阀V32被打开,并且进行供给泵P1进行抗蚀剂液L的排出动作,其泵室103被收缩若干,使过滤器装置52a通气(步骤S2)。之后,停止排出动作,上述阀V32关闭,通气结束。图12表示该通气结束时的泵P1、P2和过滤器装置52a。
接着,如图8所示,在供给泵P1的动作停止的状态下,排出泵P2的初级侧(吸入侧)的阀V34和供给泵P1的次级侧的阀V32被打开,并且该排出泵P2开始吸液动作。即,在供给泵P1的泵室103的容器固定的状态下,排出泵P2的泵室103被扩张。这时,图8中由虚线包围的区域、即泵P1、P2的泵室103、过滤器装置52a内、从第二处理液供给管路51b的泵P1至P2的区域和返回用管路55,形成密闭空间,由于上述排出泵P2的泵室103的扩张,该密闭空间被减压(步骤S3)。通过这样被减压,如图13所示,溶入该密闭空间内的抗蚀剂液L中的气泡L1析出,进行上述抗蚀剂液L的脱气。
接着,如图9所示,在持续进行排出泵P2的吸液动作的状态下,进行供给泵P1的排出动作,该供给泵P1的抗蚀剂液L通过过滤器装置52a而被过滤,被输送至排出泵P2(步骤S4)。供给泵P1的泵室103进行收缩,由此上述密闭空间的减压状态被解除。此处,在过滤器52f的上游侧,被脱气后的抗蚀剂液L被供给至过滤器52f,由此,如已经所说明的那样,在过滤器52f中所包含的气泡L1溶解在该抗蚀剂液L中,该抗蚀剂液L通过过滤器52f的孔,被供给至次级侧(排出泵P2侧)。附着在上述过滤器52f上的颗粒也被上述抗蚀剂液L冲到过滤器52f的次级侧。如图14所示,过滤器52f不使从其初级侧与抗蚀剂液L一起流来的上述气泡L1通过,该气泡L1存积在过滤器52f的初级侧的抗蚀剂液通路52p,在抗蚀剂液通路52p的上方形成气层。
例如,当供给泵P1完全排出完抗蚀剂液L并且排出泵P2将抗蚀剂液L完全吸取完时,将供给泵P1的次级侧的阀V32和排出泵P2的初级侧的阀V34关闭。接着,将与排出泵P2的返回用管路55连接的阀V33和供给泵P1的初级侧的阀V31打开,如图10所示,开始排出泵P2的排出动作。由此,排出泵P2内的抗蚀剂液L,如图15所示,与上述气泡L1、从过滤器52f流出的上述颗粒一起经由返回用管路55被净化(purge)至过滤器52f的上游侧,具体而言、供给泵P1的泵室103和供给泵P1的上游侧的第二处理液供给管路51b(步骤S5)。
例如当排出泵P2完全排出完抗蚀剂液L时,将上述阀V33关闭,如图11所示,开始供给泵P1的吸液动作,从初级侧供给的抗蚀剂液L再次填充在供给泵P1内(步骤S6)。当供给泵P1将抗蚀剂液L完全吸取时,将泵P1的初级侧的阀V31关闭,抗蚀剂液供给系统500成为步骤S1的待机状态。
在该步骤S1之后,同样地进行步骤S2~S6。对第二次的步骤S2进行说明,在已经说明过的第一次的步骤S3、S4中,通过进行减压和过滤,由此,如图14所说明的那样,在过滤器装置52a中蓄积气泡L1形成气层。关于该气层,通过进行该第二次的步骤S2,经由通气用管路51c被从过滤器装置52a除去(图16)。此外,如在图15中所说明的那样,在第一次的步骤S5中,包含颗粒的抗蚀剂液L被供向供给泵P1,在第二次的步骤S2中进行通气时,该抗蚀剂液L被供给至过滤器装置52a,与上述气层一起被从通气用管路51c除去。
在第二次的步骤S3中,与第一次的步骤S3同样,形成的封闭空间被减压,气泡L1析出到抗蚀剂液L中。而且,在第二次的步骤S4中,与第一次的步骤S4同样地进行过滤。在进行该过滤时,如已经说明的那样,气泡L1不能通过过滤器52f,在过滤器装置52a的流路内形成气层而积存。该气层在第三次的步骤S2的通气中被从过滤器装置52a除去。此外,在第二次的步骤S4中,在上述第二次的步骤S2中未从供给泵P1转移到过滤器装置52a的抗蚀剂液L,转移到该过滤器装置52a,该抗蚀剂液L中的颗粒不能通过过滤器52f,被该过滤器52f捕集。而且,通过该第二次的步骤S4的过滤,与第一次的步骤S4同样,过滤器52f的气泡L1溶入脱气后的抗蚀剂液L中,抗蚀剂液L向过滤器52f的孔内流通。
进行第二次的步骤S5、S6之后,进一步进行步骤S1~S6。这样反复进行步骤S1~S6,从过滤器52f除去异物。当反复进行预先设定次数的步骤S1~S6时,该脱气液供给处理结束,抗蚀剂液供给系统500例如被维持在后述的步骤S11的待机状态。而且,步骤S2的通气不限于每次进行。每次进行步骤S3时,在该步骤S3中析出的气泡L1的量变少。于是,为了提高处理速度,也可以随着该脱气液供给处理的进行,减少进行上述通气的次数。具体而言,例如也可以采用如下方式:当反复进行20次的步骤S1、S3~S6、即进行20循环时,在第1~10次的循环中每次执行步骤S2,在第11~20次循环中,仅在第偶数次的循环中进行步骤S2。
接着,参照图17~图21,对在脱气液供给处理后进行的向晶片W排出抗蚀剂液L的排出处理进行说明。在图17~图21中,也与图6~图11同样,发生抗蚀剂液L的流通的管路与不发生流通的管路相比,较粗地表示。在该排出处理的说明中,列举以由与喷嘴7a连接的抗蚀剂液供给系统500进行处理的方式设定的晶片W被输送至抗蚀剂液供给装置5的情况下的、该抗蚀剂液供给系统500的动作为例,进行说明。
图17表示上述脱气液供给处理后处于待机状态的上述抗蚀剂液供给系统500(步骤S11)。关于各个开闭阀的开闭状态,该排出处理时的待机状态S11与上述脱气液供给处理时的待机状态S1同样。在已经说明过的待机状态S1中,说明了排出泵P2为完全排出抗蚀剂液的状态,但是在该待机状态S11中成为如下状态:例如从S1的待机状态起通过泵P1、P2的动作和各个阀的开闭,供给泵P1供给的规定量的抗蚀剂液L经由过滤器装置52a被移送到排出泵P2,使得能够在接着的步骤S12中能够向晶片W排出抗蚀剂液。
当上述晶片W被搬入抗蚀剂液供给装置5时,如图18所示,抗蚀剂液供给系统500的排出泵P2开始排出动作,并且该排出泵P2的次级侧的阀V35和供给控制阀57被打开,抗蚀剂液L被向晶片W排出。喷向晶片W的抗蚀剂液L的排出量例如被设定为1mL。当对1个晶片W的排出结束时,阀V35和供给控制阀57被关闭。与该完成处理的晶片W为相同批次的晶片W被逐一连续地搬送到抗蚀剂液供给装置5,每次阀V35和供给控制阀57被开闭并且进行排出泵P2的排出动作,向这些晶片W进行抗蚀剂液的排出。与对这些晶片W的抗蚀剂液的排出并行地,将供给泵P1的初级侧的阀V31打开而使得该供给泵P1进行吸液动作,将抗蚀剂液L从抗蚀剂容器60供给到该供给泵P1(步骤S12)。
当对上述批次的晶片W全部处理完成、或排出泵P2全部排出抗蚀剂液L时,与已经说明的脱气液供给处理的步骤S4同样地进行各个阀的开闭和泵P1、P2的动作,供给泵P1的抗蚀剂液L被过滤器装置52a过滤后供给至排出泵P2(图19,步骤S13)。在对上述批次的晶片W全部处理结束,进行了该步骤S13后,与上述脱气液供给处理的步骤S2同样地进行各个阀的开闭和供给泵P1的排出动作,进行过滤器装置52a的通气(图20,步骤S14)。
之后,与脱气液供给处理的步骤S5同样地进行各个阀的开闭和供给泵P2的排出动作,进行从排出泵P2流向供给泵P1的抗蚀剂液L的净化(图21,步骤S15)。该净化是为了更可靠地防止异物混入到排出至晶片W的抗蚀剂液中而进行的。在步骤S15结束后,抗蚀剂液供给系统500形成为步骤S11的待机状态。之后,以由该喷嘴7a的抗蚀剂液供给系统500进行处理的方式设定的后续的批次的晶片W被搬入到抗蚀剂液供给装置5时,同样地进行步骤S12~S15的处理。
但是,在该抗蚀剂液的排出处理中,上述步骤S14的通气也不限于在每次执行步骤S11~S13时执行。即,通常设定为在步骤S11~S13之后进行步骤S15,也可以设定为在进行一次或多次该循环后,在下一次循环中在步骤S13与步骤S15之间进行该步骤S14。通过这样进行处理,能够抑制处理速度的下降。
接着,参照图22~图25对循环过滤处理进行说明。关于成为上述步骤S11(参照图17)的待机状态的抗蚀剂液供给系统500,如图22所示,供给泵P1的初级侧的阀V31被打开,并且进行该供给泵P1的吸液动作(步骤S21)。之后,与已经说明的步骤S4、S13同样,供给泵P1的抗蚀剂液L在过滤器装置52a中被过滤,被供给至排出泵P2(图23,步骤S22)。
之后,与步骤S2、S14同样地进行过滤器装置52a的通气(图24,步骤S23)。之后,与已经说明的步骤S5同样地进行从排出泵P2流通至供给泵P1的抗蚀剂液L的净化(图25,步骤S24)。在各个步骤S22~S24中,与已经说明的脱气液供给处理和排出处理的对应的各个步骤S同样地控制各个阀的开闭和泵P1、P2的动作。在上述步骤S24之后,反复进行步骤S21~S24。例如当设步骤S21~S24为一个循环时,在一个循环结束后,隔开规定间隔例如15分钟左右的间隔进行下一个循环。
通过这样进行步骤S21~S24,如发明所要解决的技术问题的部分所说明的那样,能够防止抗蚀剂液滞留在过滤器52f中。因此,能够防止滞留在该过滤器52f中的气泡、凝胶在过滤器52f与抗蚀剂液L的界面作为颗粒生长、增加。进一步,由于反复进行上述步骤S21~S24,抗蚀剂液L反复通过过滤器装置52a,因此能够利用过滤器装置52a更可靠除去抗蚀剂液L中的异物。
另外,在上述步骤S24中,控制排出泵P2的动作,以使得从排出泵P2排出的被净化的抗蚀剂液L的量(净化量),与上述排出处理中向一个晶片W排出的抗蚀剂液的排出量相同或比其更多。这样控制净化量的目的是:为了可靠地获得抑制上述的颗粒的增加的效果,使在过滤器52f中流通的抗蚀剂液的量较多。另外,在该循环过滤处理中,上述步骤S23的通气并不限于在每次进行步骤S21、S22时执行,也可以在进行多次的步骤S21、S22、S24后,在进行该步骤S22、S24之间进行一次上述步骤S23的通气。
参照图26的流程图,对进行上述循环过滤处理的时刻的一个例子进行说明。控制器200判定在一个抗蚀剂液供给系统500中从向最近的晶片W排出抗蚀剂起是否已经过预先设定的时间。即,判定在最近的上述步骤S12(参照图18)中从最后为了使排出泵P2排出抗蚀剂液L而发送控制信号起,是否已经过设定时间(步骤S31)。在判定为未经过设定时间的情况下,反复进行该步骤S31的判定。
在判定为已经过上述设定时间的情况下,在该抗蚀剂液供给系统500中开始循环过滤处理。即,进行在步骤S21~S24(图22~图25)中说明了的动作(步骤S32)。而且,判定被设定为由执行该循环过滤处理中的抗蚀剂液供给系统500进行处理的晶片W,是否已被输送至抗蚀剂液供给装置5(步骤S33)。在判定为上述晶片W未被输送的情况下,反复进行该步骤S33的判定,另一方面,继续进行循环过滤处理。例如在该循环过滤处理中,步骤S24的净化结束后(参照图24),即使成为向下一步骤S21的供给泵P1进行液填充(参照图22)的时刻,在判定为上述晶片W未被输送到抗蚀剂液供给装置5的情况下,也进行该步骤S21。即,反复进行步骤S21~S24。
在判定为在上述步骤S33中晶片W被输送到抗蚀剂液供给装置5的情况下,停止该循环过滤处理,判定是否为能够转移至排出处理的转移允许期间(步骤S34)。转移允许期间例如是在上述步骤S24的净化结束后,至下一个步骤S21开始为止的期间,如果判定为该期间,则使循环过滤处理结束。而且,根据已经说明的步骤S11~S15(图17~图21),进行向输送的晶片W排出抗蚀剂液L的排出处理(步骤S35)。
在上述步骤S34例如判定为上述转移允许期间外的情况下,继续进行循环过滤处理,另一方面,反复执行该步骤S34的判定。当循环过滤处理推进,上述的步骤S24的净化结束时,在上述步骤S34中判定为转移允许期间,开始上述步骤S35的抗蚀剂液的排出处理。
上述转移允许期间并不限定于上述的例子,例如在一个循环的从步骤S21至S24的期间中,上述转移允许期间也可以是从一个步骤向下一个步骤转移的期间、即各个步骤S的执行中以外的期间。
但是,当持续使用过滤器装置52a时,存在气泡L1蓄积在过滤器52f中的情况。为了除去该气泡L1,也可以根据上述流程图的步骤S31~S35,进行上述的脱气液供给处理来代替循环过滤处理。即,脱气液供给处理并不限定于在将过滤器装置52a安装到抗蚀剂液供给系统500时进行。在这样进行上述的脱气液供给处理来代替循环过滤处理的情况下,使向上述抗蚀剂液的排出处理的转移允许期间例如为成为步骤S1(图6)的待机状态时。
此外,对在排出处理后的经过设定时间后进行循环过滤处理的例子进行了说明,但是进行循环过滤处理的时间并不限定于该例子。例如,也可以:在实施判定从脱气液供给处理结束起是否已经过预先设定的时间的步骤,在该步骤中判定已经过设定时间的情况下,也实施图26的流程的步骤S32之后的步骤,执行循环过滤处理。
根据该抗蚀剂液供给装置5,利用阀封闭由泵P1、P2、过滤器装置52a和处理液供给管路51构成的空间,形成密闭空间,通过排出泵P2的吸液动作对该密闭空间进行减压。由此,使抗蚀剂液中存在的细微的气泡明显,对该抗蚀剂液进行脱气。使脱气后的该抗蚀剂液从过滤器装置52a的初级侧流通至次级侧,使包含在过滤器52f中的气泡溶解在该抗蚀剂液中。由此,能够有效地除去上述气泡,能够抑制该气泡成为颗粒混入于排出至晶片W的抗蚀剂液中的情况以及由于该气泡而使得过滤器装置52a的异物的捕获性能降低的情况。此外,与进行从抗蚀剂容器60经由过滤器装置52a向喷嘴单元70持续流通抗蚀剂液的伪排出而除去上述气泡的方式相比,能够抑制抗蚀剂液的浪费,降低装置的运用成本。
此外,在该抗蚀剂液供给装置5中,反复进行已经说明的步骤S1~S6,由此反复多次进行基于上述减压的抗蚀剂液的脱气、和上述抗蚀剂液经由由返回用管路55和处理液供给管路51构成的循环流路向过滤器装置52a的流通。因此,能够更加可靠地除去上述过滤器52f中的气泡。
另外,在不进行抗蚀剂液的排出处理和脱气液供给处理时,进行上述循环过滤处理。通过该循环过滤处理,如已经说明的那样,能够更加可靠地除去过滤器装置52a的气泡,抑制颗粒混入于排出至晶片W的抗蚀剂液中的情况。另外,能够更加可靠地抑制用于通过该处理除去该气泡的上述伪排出的量。
作为进行上述循环过滤处理的时刻,并不限定于上述的例子。例如,也可以采用如下方式:当晶片W被输送至抗蚀剂液供给装置5时,进行该过滤循环处理,在进行例如一次的步骤S21~S24之后,进行步骤S11~S15的抗蚀剂液的排出处理。另外,如在图26的流程中说明的那样,在向晶片W排出抗蚀剂液后,在经过设定时间后进行该过滤循环处理的方式,更能够减少至开始抗蚀剂液的排出处理为止的时间的损失,能够提高处理能力。
另外,在利用一个抗蚀剂液供给系统500进行循环过滤处理或脱气液供给处理的情况下,能够并行地在其它抗蚀剂液供给系统500中进行向晶片W排出抗蚀剂液的排出处理。通过这样控制各个抗蚀剂液供给系统500,通过循环过滤处理和脱气液供给处理,能够防止抗蚀剂液的排出处理的开始时刻延迟的情况,并能够防止抗蚀剂液供给装置5的生产率下降。
此外,在抗蚀剂液供给装置5中,在过滤器装置52a的初级侧和次级侧分别配置有泵P1、P2,因此能够容易地调整过滤器装置52a的内压。更具体地进行说明,在脱气液供给处理时如已经说明的那样能够形成减压空间,在抗蚀剂液的排出处理中进行过滤时,供给泵P1在过滤器装置52a的初级侧进行排出动作,并且,排出泵P2在过滤器装置52a的次级侧进行吸液动作,因此能够防止因过滤器装置52a的内压下降导致抗蚀剂液在该过滤器装置52a内产生气泡。即,在向晶片W排出抗蚀剂液时,能够抑制气泡混入该抗蚀剂液中。
(第二实施方式)
基于图27对作为第二实施方式的抗蚀剂液供给装置511进行说明。另外,在第二实施方式以及之后的各个实施方式中,对于与第一实施方式相同的结构,对于相同部分标注相同附图标记,省略说明。在抗蚀剂液供给装置511中,设置有抗蚀剂液供给系统501来代替抗蚀剂液供给系统500。抗蚀剂液供给系统501包括:设置在过滤器装置52a的次级侧的处理液供给管路51的捕获罐53;设置在捕获罐53的次级侧的处理液供给管路51的泵P;和将泵P的排出侧与过滤器装置52a的吸入侧连接的返回用管路55。
上述返回用管路55包括:连接捕获罐53与泵P的第一返回用管路55a;和将捕获罐53与过滤器装置52a的初级侧的第二处理液供给管路51b连接的第二返回用管路55b。另外,在第二返回用管路55b设置有切换阀56。在处理液供给管路51中,在第二返回用管路55b的连接部与过滤器装置52a之间设置有切换阀58。
在作为捕获存液部的捕获罐53,与缓冲容器61同样存积抗蚀剂液,在其内部的上方蓄积所捕获的气体。在捕获罐53的上部设置有用于除去容器内的上述气体的通气用管路51d,在该通气用管路51d中设置有切换阀V5a。此外,图中8b是经由电-气调压阀R连接气体供给源62与缓冲容器61的第二气体供给管路,在该第二气体供给管路8b中设置切换阀V3。图中61d是用于防止缓冲容器61内被过剩地加压的管路,虽然在该管路中设置有阀,但是由于在后述的各个步骤中处于平常打开的状态,因此省略该阀的图示。
作为泵P能够使用对第二处理液供给管路51b内的处理液进行吸入、排出的隔膜泵。该泵P由作为挠性部件的隔膜71划分成与泵部分相当的泵室72和与驱动部分相当的动作室73。在该泵P的初级侧形成有用于吸入第二处理液供给管路51b内的处理液的吸入口,在该泵P的初级侧(吸入口侧)设置有电磁式的开闭阀V36。
为了便于说明,在附图中泵P的排出口表示为形成于2处,实际上排出口是一处,与该排出口连接的管路分支,构成处理液供给管路51b和返回用管路55。而且,在这样分支的管路中,在分支点附近分别设置有电磁式的开闭阀V37、V38,控制从泵P向各个管路51b、55的抗蚀剂液的供给。动作室73与驱动机构74连接,该驱动机构74具备基于来自控制器200的信号对动作室73内的气体的减压和加压进行控制的电-气调压阀。该泵P兼用作使抗蚀剂液从过滤器装置52a的初级侧流通至次级侧的送液用的泵和用于形成减压空间的减压用的泵。
对于该抗蚀剂液供给装置511的各个抗蚀剂液供给系统501,也与第一实施方式同样地进行脱气液供给处理、抗蚀剂液的排出处理和循环过滤处理。基于已经说明的图27和图28~图34对上述脱气液供给处理进行说明。图27表示抗蚀剂液供给系统501的待机状态,在该待机状态下附图所示的各个阀被关闭。抗蚀剂液L被从抗蚀剂容器60供给至喷嘴单元70,泵P成为对抗蚀剂液L进行吸液的状态(步骤S41)。
从上述待机状态起,泵P的次级侧的阀V38和捕获罐53的通气用管路51d的阀V5a被打开,并且进行泵P的排出动作(图28)。由此,被捕获罐53捕获的气体被从通气用管路51d除去(步骤S42)。
接着,将上述阀V5a关闭,将泵P的初级侧的阀V36打开,进一步进行泵P的吸液动作。这时,由在返回用管路55b中从捕获罐53至阀56的区域、返回用管路55a、捕获罐53、过滤器装置52a和切换阀58构成密闭空间。在图29中,用虚线包围表示形成有该密闭空间的范围。通过泵P的吸液动作,使该密闭空间扩张,如在第一实施方式所说明的那样,密闭空间中的抗蚀剂液L的气泡显著(步骤S43)。
之后,在持续进行泵P的吸液动作的状态下,将过滤器装置52a的初级侧的阀58打开,抗蚀剂液L以被从缓冲容器61引入减压气氛的方式流动,使得上述减压状态解除。过滤器装置52a内的过滤器52f的颗粒被上述抗蚀剂液冲到泵P,被从过滤器52f除去。在上述密闭空间中在捕获罐53的初级侧产生的气泡被该捕获罐53捕集。在捕获罐53的次级侧产生的气泡与上述抗蚀剂液一起流入泵P(图30,步骤S44)。
之后,进行上述的图28所示的步骤S42,包含泵P的气泡的抗蚀剂液被供给至捕获罐53,该气泡通过通气用管路51d被从捕获罐53除去。此外,包含在上述抗蚀剂液中的颗粒也通过该捕获罐53的通气,与该抗蚀剂液一起被除去。在该第二次的步骤S42之后,进行步骤S43、S44,之后进一步进行步骤S42~S44。这样反复进行步骤S42~S44。当反复进行规定次数的步骤S42~S44时,从步骤S44的状态将过滤器装置52a的初级侧的阀58和泵P的初级侧的阀V36关闭,抗蚀剂液供给系统501成为步骤S41的待机状态。
接着,如图31所示,与泵P的返回用管路连接的V38以及返回用管路55中的阀56被打开并进行泵P的排出动作,泵P的抗蚀剂液L经由返回用管路55返回缓冲容器61(步骤S45)。返回缓冲容器61的抗蚀剂液L是通过反复进行上述的步骤S42~S44而被脱气了的液体。而且,上述阀V38、56被关闭,如图32所示,泵P的初级侧的阀V36被打开,并且进行泵P的吸液动作。由此,与步骤S43同样地形成减压空间,在该空间内进一步进行抗蚀剂液的脱气(步骤S46)。
而且,如图33所示,在进行上述吸液动作后的状态下,将过滤器装置52a的初级侧的阀58打开,与步骤S44同样,抗蚀剂液从缓冲容器61经由过滤器装置52a流入泵P(步骤S47)。供给至过滤器装置52a的抗蚀剂液L是如上述方式在步骤S41~S44中被脱气了的液体,能够使过滤器52f的气泡高效率地溶解。
之后,反复进行步骤S45~S47的步骤。在上述步骤S46中被脱气了的抗蚀剂液L在接着进行的步骤S45中返回缓冲容器61,在步骤S47中流通至过滤器装置52a,过滤器装置52a的气泡溶解在该抗蚀剂液L中。当步骤S45~S47被反复进行规定的次数时,抗蚀剂液供给系统501返回至步骤S41(图27)的待机状态。
之后,使过滤器装置52a的初级侧的阀58和过滤器装置52a的通气用管路51c的阀V4a打开。进一步,使气体供给管路8b的阀V3打开,利用从气体供给源62供给的气体将缓冲容器61内加压,将该缓冲容器61内的抗蚀剂液L供给至过滤器装置52a,使得过滤器装置52a通气(图34,步骤S48)。之后,将上述阀58、V4a、V3关闭,抗蚀剂液供给系统501返回至上述待机状态。
接着,对由抗蚀剂液供给系统501进行的抗蚀剂液的排出处理进行说明,从图27的待机状态的抗蚀剂液供给系统501将泵P的次级侧的阀V37、57打开,进行泵P的排出动作,从喷嘴单元70排出抗蚀剂液。当泵P完全排出抗蚀剂液L时,在上述阀V37、57关闭的状态下,将泵P的初级侧的阀V36、过滤器装置52a的阀58打开,使得泵P进行吸液动作,抗蚀剂液从缓冲容器61经由过滤器装置52a和捕获罐53被供给至泵P。
接着,对抗蚀剂液供给系统501中的循环过滤处理进行说明。从各个阀被关闭的上述待机状态,与上述的脱气液供给处理的步骤S45(图31)同样地进行阀的开闭并进行泵P的排出动作,泵P的抗蚀剂液L经由返回用管路55返回缓冲容器61(图35,步骤S51)。该步骤S51中的泵P的排出量,为了在接着的步骤S52中对较多的量的抗蚀剂液进行过滤,被设定为与排出处理时对一个晶片W的排出量相同或比其更大。接着,将返回用管路55的阀56关闭,将过滤器装置52a的初级侧的阀58和泵P的初级侧的阀V36打开。这样控制阀的开闭,并且进行泵P的吸液动作,缓冲容器61的抗蚀剂液在过滤器装置52a中被过滤,通过捕获罐53,返回泵P(图36,步骤S52)。
反复进行该步骤S51、S52。如果设该步骤S51、S52为一个循环,则例如在连续进行的多次循环中的一次的循环中,进行使捕获罐53通气的步骤S53来代替步骤S52。在该步骤S53中,与脱气液供给处理的步骤S42同样地控制各个阀的开闭,并且进行泵P的排出动作(图37)。由此,泵P的抗蚀剂液L经由捕获罐53流向通气用管路51d,捕获罐53的气层被除去。
在该第二实施方式的抗蚀剂液供给装置511中,也与第一实施方式的抗蚀剂液供给装置5同样,能够通过脱气液供给处理高效地除去过滤器装置52a中的气泡。此外,能够通过循环过滤处理抑制过滤器装置52a中的颗粒的生长。
(第三实施方式)
图38表示第三实施方式的抗蚀剂液供给装置512。该抗蚀剂液供给装置512具备抗蚀剂液供给系统502来代替在第二实施方式中说明过的抗蚀剂液供给系统501。该抗蚀剂液供给系统502的与抗蚀剂液供给系统501的不同之处在于:返回用管路55不分支为55a、55b。返回用管路55的一端经由阀V38与泵P连接,另一端在第二处理液供给管路51b中连接到缓冲容器61与阀58之间。除了该返回用管路55的结构之外,抗蚀剂液供给系统502构成为与抗蚀剂液供给系统501相同。
在第三实施方式的抗蚀剂液供给系统502中,也进行脱气液供给处理、向晶片W排出抗蚀剂液的排出处理以及循环过滤处理。各个阀的开闭和泵P的动作,被与抗蚀剂液供给系统501同样地控制,实施在第二实施方式中说明的各个步骤S。但是,在步骤S51(图35)等中,在使泵P的抗蚀剂液返回缓冲容器61时,由于在抗蚀剂液供给系统502中在返回用管路55不设置阀56,因此不进行该阀56的打开。在该第三实施方式中,能够获得与第二实施方式同样的效果。
(第四实施方式)
并不限定于使用在抗蚀剂液的排出处理中使用的泵P、P1对抗蚀剂液进行脱气。图39所示的抗蚀剂液供给装置513的抗蚀剂液供给系统503与抗蚀剂液供给系统502大致同样地构成。不同之处在于:在处理液供给管路51b上在缓冲容器61和对返回用管路55的连接点之间,朝向下游侧依次设置脱气机构80和上述切换阀58。
如图40(a)所示,上述脱气机构80构成为具有容器81和半透膜管82,将存在于抗蚀剂液L中的气体除去。此外,容器81具有与处理液供给管路51连接的流入用端口83和流出用端口84。此外,容器81具有用于将存在于抗蚀剂液L中的气体排出到外部的排出管86所连接的排气用端口85。此外,排出管86与未图示的排气泵或排气喷射器连接。
另一方面,半透膜管82配置在容器81内,并且与两端口83、84连接。而且,整体由例如四氟乙烯类或聚烯类的中空类膜形成。因此,在驱动泵P时,使抗蚀剂液L流入至半透膜管82内,驱动未图示的排气泵对容器81内的半透膜管82周边的空气进行排气,由此,半透膜管82周边的空气被减压。抗蚀剂液L中的气体因上述排气泵的驱动被排出至半透膜管82的外侧,经由排出管86被排出至脱气机构80的外部。
通过设置这样的脱气机构80,能够向该脱气机构80的下游侧供给脱气后的抗蚀剂液L。利用泵P,对这样脱气后的抗蚀剂液进行吸液,并将其导入至由处理液供给管路51和返回用管路55形成的环状路,控制各个阀的开闭,使得从泵P排出的上述抗蚀剂液能够在该环状路中循环。而且,反复多次地进行泵P的排出动作和吸液动作,使脱气后的抗蚀剂液在该环状路内多次反复循环(图41)。即,与第二实施方式同样,通过泵P的排出动作使抗蚀剂液L从泵P返回缓冲容器61,接着通过泵P的吸液动作将该返回的抗蚀剂液L引入泵P。反复进行该动作。在图41中,较粗地表示通过该排出动作和吸液动作使得抗蚀剂液流动的管路。
因为在上述环状路设置过滤器装置52a,所以能够反复从该过滤器装置52a的初级侧向次级侧供给脱气后的抗蚀剂液。由此,与已经说明的各个实施方式的脱气液供给处理相同,能够使过滤器装置52a的气泡溶解在抗蚀剂液中,有效地从过滤器装置52a除去该气泡。
作为设置脱气机构80的场所,在图39的例子中为环状路的外侧,但是如图42所示,也可以设置在该环状路中。在图42的装置514的抗蚀剂液供给系统504中,在过滤器装置52a的初级侧、和第二处理液供给管路51b中的与返回用管路55连接的连接点之间设置有脱气机构80。而且,与图41所示的例子相同,在上述环状路中进行抗蚀剂液的循环。
但是,为了通过泵的动作进行抗蚀剂液的脱气,在第一实施方式中,在泵P1、P2和过滤器装置52a形成减压空间。在第二、第三实施方式中,在过滤器装置52a、捕获罐53和泵P形成减压空间。但是作为形成减压空间的区域,不限定于这些例子。
图43的抗蚀剂液供给装置515是第三实施例的变形例。抗蚀剂液供给装置515的抗蚀剂液供给系统505与第三实施方式的抗蚀剂液供给系统502不同,在过滤器装置52a与捕获罐53之间的管路中设置有切换阀87。在对抗蚀剂液进行脱气时,将泵P的初级侧的阀V36打开,并且将泵P的次级侧的阀V37、V38、切换阀87、捕获罐53的阀V5a、和过滤器装置52a的阀V4a关闭。由此,从泵P、捕获罐53和处理液供给管路51的该泵P至切换阀87的区域成为密闭空间,通过泵P进行吸引动作,使该密闭空间减压。之后,与其它实施方式同样,使在密闭空间被脱气了的抗蚀剂液经由返回用管路55从过滤器装置52a的初级侧流通至次级侧,除去过滤器装置52a的气泡。
此外,也可以仅使泵P内为密闭空间进行抗蚀剂液的脱气。例如,在上述抗蚀剂液供给系统505中,在泵P未完全排出内部的抗蚀剂液的状态下,关闭阀V36、V37、V38,进行泵P的吸液动作。由此,能够将泵P作为减压空间,对抗蚀剂液进行脱气。但是,减压空间构成得越大,通过一次的泵的动作能够脱气的抗蚀剂液的量越多,由此能够在短的时间向过滤器装置52a供给更多的被脱气了的抗蚀剂液,迅速地进行气泡的除去。因此,优选如上述的各个实施方式那样构成抗蚀剂液供给系统,使得不仅在泵P形成减压空间,而且在过滤器装置52a和捕获罐53也形成减压空间。
但是,在已经说明的各个实施方式的脱气液供给处理中,使用与处理液供给管路51分别设置的返回用管路55,将过滤器装置52a的次级侧的被脱气了的抗蚀剂液送回过滤器装置52a的初级侧,从该初级侧流向过滤器装置52a的次级侧,但是并不限定于这样使用返回用管路55使上述抗蚀剂液返回过滤器装置52a的初级侧。
图44表示第一实施方式的抗蚀剂液供给系统500的泵P1、P2和过滤器装置52a。在抗蚀剂液存积在排出泵P2中的状态下,关闭排出泵P2的阀V33~V35,将该排出泵P2内作为密闭空间进行排出泵P2的吸液动作(图44上部)。由此,对排出泵P2内的抗蚀剂液进行脱气。接着,打开阀V34和供给泵的阀V32。于是,进行供给泵P1的吸液动作,并进行排出泵P2的排出动作,使被脱气了的抗蚀剂液从排出泵P2经由过滤器装置52a流通至供给泵P1(图44中部)。然后,进行供给泵P1的排出动作,并进行排出泵P2的吸液动作,使被脱气了的抗蚀剂液从过滤器装置52a的初级侧向次级侧流通。但是,由于根据该流通方法,使抗蚀剂液从过滤器装置52a的次级侧流向初级侧,因此从防止来自过滤器装置52a的颗粒的流出的观点出发,优选如已经说明的那样使用返回用管路55。
抗蚀剂液供给系统的结构并不限定于上述的各个例子。例如在图3的第一实施方式中,也可以在抗蚀剂容器60与供给泵P1之间设置捕获罐53。该捕获罐53既可以设置在各个泵P1、P2与过滤器装置52a之间,也可以设置在泵P2与供给控制阀57之间。此外,在图27的第二实施方式中,也可以采用在图中所示的位置没有捕获罐53、将抗蚀剂液从泵P直接供给至过滤器装置52a的初级侧的结构,也可以在泵P与供给控制阀57之间进一步设置捕获罐53。这样,捕获罐53能够在各个抗蚀剂液供给系统中配置于任意的场所。此外,在图27中,将过滤器装置52a配置在泵P的上游侧,但是也可以将过滤器装置52a配置在泵P的下游侧。
另外,作为对抗蚀剂液进行脱气的方式,例如在第一实施方式(参照图3)中,为了在供给泵P1和缓冲容器61形成密闭空间,形成阀V31打开、阀V32、V33、V6a、V2关闭的状态。而且,进行供给泵P1的吸液动作,将上述密闭空间减压,对抗蚀剂液进行脱气。即,在第一实施方式中,也可以使用泵P1、P2中的任一泵进行抗蚀剂液的脱气。此外,在第一实施方式中,在形成密闭空间时使用排出泵P2附近的阀V35,但是也可以不设置该阀V35,而使用供给控制阀57形成密闭空间。但是,在从泵P2至供给控制阀57的管路中由于减压而产生气泡,为了防止该气泡被供给至晶片W,优选使用更接近排出泵P2的阀、即上述阀V35形成密闭空间。
另外,在上述实施方式中,对将本发明的处理液供给装置应用到抗蚀剂涂覆处理装置中的情况进行了说明,但是也能够应用到抗蚀剂液以外的处理液例如显影液等的供给装置、洗净处理的供给装置。
(第五实施方式)
如图45所示,第五实施方式表示在排出泵P2的次级侧设置有与已经说明过的过滤器装置52a不同的另一过滤器装置300的例子。在该过滤器装置300与供给控制阀57之间的第二处理液供给管路51b与返回用管路201的一端侧连接,该返回用管路201的另一端侧经由阀V51与缓冲容器61与供给泵P1之间的第二处理液供给管路51b连接。另外,在图45中,202表示用于从过滤器装置300排出气泡的通气管,V52是设置在该通气管202的阀。
图45表示在第五实施方式中从喷嘴7a排出抗蚀剂液L、并从缓冲容器61向供给泵P1补充抗蚀剂液L的情况。这时,阀V51、V52各自关闭。另外,关于在抗蚀剂液L的排出动作后接着进行的抗蚀剂液L流向过滤器装置52a的通液动作、以及各个动作中的阀V31~V34和供给控制阀57的开闭的说明,由于与已经说明过的第一实施方式重复,因此省略。另外,在该例子中,不设置排出泵P2的阀V35,代替阀V35,利用供给控制阀57形成密闭空间。
而且,在使抗蚀剂液L返回供给泵P1的初级侧时,如图46所示,打开返回用管路201的阀V51,并关闭其它的阀V31~V33和供给控制阀57。在该状态下进行排出泵P2的排出动作,该排出泵P1内的抗蚀剂液L,通过过滤器装置300,经由返回用管路201,到达缓冲容器61的次级侧。
在第五实施方式中,在使抗蚀剂液L流通至喷嘴7a时,抗蚀剂液L通过过滤器装置300,因此例如即使在排出泵P2中产生颗粒的情况下,也能够捕获该颗粒,将清洁的抗蚀剂液L供给至晶片。此外,在使排出泵P2内的抗蚀剂液L返回供给泵P1的初级侧时,抗蚀剂液L也通过过滤器装置300,所以,即使同样在排出泵P2产生颗粒,也能够捕获该颗粒。
Claims (33)
1.一种处理液供给装置,其特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与所述处理液供给源连接,向被处理体排出所述处理液的排出部;
设置于所述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
分别设置于所述供给路径中的过滤器装置的初级侧和次级侧的供给泵和排出泵;和
控制部,其输出控制信号,使得使用所述供给泵和排出泵中的至少一个对从所述处理液供给源供给的处理液进行减压而使其脱气,接着使用所述供给泵和排出泵使脱气后的处理液从所述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧。
2.如权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得在所述供给泵、过滤器装置和排出泵中充满处理液之后,为了对处理液进行减压而使其脱气,使从所述供给泵至排出泵为止的空间成为封闭的减压空间,使所述供给泵和排出泵中的一个泵的驱动部的工作停止,使另一个泵进行吸引动作。
3.如权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于:
在所述排出泵的排出侧与供给泵的吸入侧之间设置循环路径,
所述控制部输出控制信号,使得将被减压而脱气后的处理液从排出泵经由所述循环路径返回供给泵。
4.如权利要求1~3中任一项所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得多次反复进行如下一系列的步骤:将处理液减压而使其脱气,接着使脱气后的处理液从排出泵经由所述循环路径返回供给泵,接着使所述处理液从过滤器装置的初级侧流通至次级侧。
5.如权利要求2所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得使被减压而脱气后的处理液从排出泵经由所述过滤器装置返回供给泵。
6.一种处理液供给装置,其特征在于,包括:
供给用于对被处理体进行处理的处理液的处理液供给源;
经由供给路径与所述处理液供给源连接,向被处理体排出所述处理液的排出部;
设置于所述供给路径,用于除去处理液中的异物的过滤器装置;
对从所述处理液供给源供给的处理液进行脱气的脱气机构;和
送液用的泵,其使由所述脱气机构脱气后的处理液从所述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧。
7.如权利要求6所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述脱气机构包括对处理液进行减压的减压机构。
8.如权利要求7所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述减压机构包括用于对处理液进行吸引而形成减压空间的减压用的泵,
设置有控制部,该控制部输出控制信号,使得关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作。
9.如权利要求8所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述减压用的泵的吸入侧与用于捕获气泡而将其排出的捕获存液部连接,
所述控制部输出控制信号,使得关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使得从所述减压用的泵至所述捕获存液部为止的空间成为减压空间。
10.如权利要求9所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述捕获存液部与所述过滤器装置连接,
所述控制部输出控制信号,使得关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使得从所述减压用的泵经由所述捕获存液部至所述过滤器装置为止的空间成为减压空间。
11.如权利要求8所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述减压用的泵的吸入侧与所述过滤器装置连接,
所述控制部输出控制信号,使得关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使得从所述减压用的泵至所述过滤器装置为止的空间成为减压空间。
12.如权利要求6~11中任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,包括:
用于使所述过滤器装置的次级侧的处理液返回初级侧而进行循环的循环路径;和
控制部,其输出控制信号,使得由所述脱气机构脱气后的处理液在所述循环路径中循环。
13.如权利要求12所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述脱气机构设置在所述循环路径中。
14.如权利要求12或13所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述送液用的泵设置在过滤器装置的次级侧,
所述循环路径连接在所述送液用的泵的排出侧与所述过滤器装置的初级侧之间,
所述送液用的泵兼用作所述减压用的泵。
15.如权利要求12~14中任一项所述的处理液供给装置,其特征在于:
所述控制部输出控制信号,使得被脱气后的处理液在循环路径中循环多次。
16.如权利要求6~11中任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,包括:
控制部,其输出控制信号,以使由所述脱气机构脱气后的处理液从所述过滤器装置的次级侧经由该过滤器装置流通至初级侧,并且使该被送到初级侧的处理液经由过滤器装置流通至次级侧。
17.如权利要求6~16中任一项所述的处理液供给装置,其特征在于:
设置有控制部,其输出控制信号,使得从排出部排出所述处理液后,在经过了预先设定的时间时利用所述脱气机构进行处理液的脱气并使处理液从所述过滤器装置的初级侧流通至次级侧。
18.一种处理液供给方法,其在使用于对被处理体进行处理的处理液通过用于除去异物的过滤器装置后,将该处理液供给到被处理体,所述处理液供给方法的特征在于,包括:
使用分别设置于过滤器装置的初级侧和次级侧的供给泵和排出泵中的至少一个,对从处理液供给源供给的处理液进行减压而使其脱气的步骤;
接着,使用所述供给泵和排出泵,使脱气后的处理液从所述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧的步骤;和
之后,利用所述排出泵,将所述过滤器装置的次级侧的处理液经由排出部向被处理体排出的步骤。
19.如权利要求18所述的处理液供给方法,其特征在于:
所述进行减压而使其脱气的步骤,在将处理液充满所述供给泵、过滤器装置和排出泵后,使从所述供给泵至排出泵为止的空间成为封闭的减压空间,使所述供给泵和排出泵中的一个泵的驱动部的工作停止,使另一个泵进行吸引动作。
20.如权利要求18或19所述的处理液供给方法,其特征在于:
在所述排出泵的排出侧与供给泵的吸入侧之间设置循环路径,
包括使被减压而脱气后的处理液从排出泵经由所述循环路径返回供给泵的步骤。
21.如权利要求20所述的处理液供给方法,其特征在于:
多次反复进行如下一系列的步骤:将处理液减压而使其脱气,接着使脱气后的处理液从排出泵经由所述循环路径返回供给泵,接着使所述处理液从过滤器装置的初级侧流通至次级侧。
22.如权利要求18或19所述的处理液供给方法,其特征在于,包括:
使被减压而脱气后的处理液从排出泵经由所述过滤器装置返回供给泵的步骤。
23.一种处理液供给方法,其在使用于对被处理体进行处理的处理液通过用于除去异物的过滤器装置后,将该处理液供向被处理体,所述处理液供给方法的特征在于,包括:
利用脱气机构对从处理液供给源送出的处理液进行脱气的步骤;
接着,使脱气后的处理液从所述过滤器装置的初级侧经由该过滤器装置流通至次级侧的步骤;和
将从所述过滤器装置的初级侧流通至次级侧的处理液经由排出部向被处理体排出的步骤。
24.如权利要求23所述的处理液供给方法,其特征在于:
利用脱气机构对所述处理液进行脱气的步骤是利用减压机构对处理液进行减压的步骤。
25.如权利要求24所述的处理液供给方法,其特征在于:
利用减压机构对所述处理液进行减压的步骤是,关闭用于对处理液进行吸引而形成减压空间的减压用的泵的排出侧,打开吸入侧利用该泵进行吸入动作的步骤。
26.如权利要求24所述的处理液供给方法,其特征在于:
所述减压用的泵的吸入侧与用于捕获气泡而将其排出的捕获存液部连接,
利用减压机构对所述处理液进行减压的步骤是,关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使从所述减压用的泵至所述捕获存液部为止的空间成为封闭的减压空间的步骤。
27.如权利要求26所述的处理液供给方法,其特征在于:
所述捕获存液部与所述过滤器装置连接,
利用减压机构对所述处理液进行减压的步骤是,关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使从所述减压用的泵经由所述捕获存液部至所述过滤器装置为止的空间成为封闭的减压空间的步骤。
28.如权利要求25所述的处理液供给方法,其特征在于:
所述减压用的泵的吸入侧与所述过滤器装置连接,
利用减压机构对所述处理液进行减压的步骤是,关闭所述减压用的泵的排出侧,打开吸入侧进行吸入动作,并且使从所述减压用的泵至所述过滤器装置为止的空间成为封闭的减压空间的步骤。
29.如权利要求23~28中任一项所述的处理液供给方法,其特征在于:
使用用于使所述过滤器装置的次级侧的处理液返回初级侧的循环路径,
使由所述脱气机构脱气后的处理液在所述循环路径中循环。
30.如权利要求29所述的处理液供给方法,其特征在于:
所述脱气机构设置在所述循环路径中。
31.如权利要求24~28中任一项所述的处理液供给方法,其特征在于:
在所述送液用的泵的排出侧与所述过滤器装置的初级侧之间连接循环路径,使用该循环路径使所述过滤器装置的次级侧的处理液返回初级侧使该处理液进行循环,
所述送液用的泵兼用作所述减压用的泵。
32.如权利要求23~28中任一项所述的处理液供给方法,其特征在于:
使由所述脱气机构脱气后的处理液从所述过滤器装置的次级侧经由该过滤器装置流通至初级侧,并且使该被输送到初级侧的处理液经由过滤器装置流通至次级侧。
33.如权利要求23~28中任一项所述的处理液供给方法,其特征在于:
从排出部排出所述处理液后,在经过了预先设定的时间时利用所述脱气机构进行处理液的脱气并使处理液从所述过滤器装置的初级侧流通至次级侧。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109482381A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置以及基板处理系统 |
CN111433888A (zh) * | 2017-12-12 | 2020-07-17 | 东京毅力科创株式会社 | 液供给装置和液供给方法 |
CN111868882A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-10-30 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2843559T3 (es) * | 2014-04-30 | 2021-07-19 | Anthony George Hurter | Aparato y proceso de purificación de aceite combustible utilizado con agua supercrítica |
TWI585539B (zh) * | 2014-05-15 | 2017-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 用以在光阻分配系統中增進再循環及過濾的方法及設備 |
US11000782B2 (en) | 2015-12-09 | 2021-05-11 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates using high temperature chemicals and ultrasonic device |
JP6685754B2 (ja) | 2016-02-16 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
JP6685759B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6736989B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2020-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 |
KR102478777B1 (ko) * | 2017-04-06 | 2022-12-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 공급 장치 및 액 공급 방법 |
JP6920133B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置 |
JP6966265B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-11-10 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置、処理液供給装置、基板処理装置、液抜き方法および液置換方法 |
JP6987649B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置及びその脱気方法 |
US10663865B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist recycling apparatus |
US11273396B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Liquid supply system with improved bubble venting capacity |
JP7202817B2 (ja) * | 2018-09-05 | 2023-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 送液システム |
KR20200126552A (ko) | 2019-04-30 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 다중 필터들을 가진 레지스트 필터링 시스템 및 레지스트 코팅 설비 |
KR102444840B1 (ko) * | 2019-11-07 | 2022-09-16 | 세메스 주식회사 | 약액공급장치 |
CN112786479B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-12-02 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 管理液体供应的系统与方法 |
JP2022163822A (ja) * | 2021-04-15 | 2022-10-27 | 株式会社コガネイ | 液体供給装置 |
CN114446841B (zh) * | 2022-04-12 | 2022-07-29 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 供酸装置及湿刻系统 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003190860A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 塗布装置 |
CN1509199A (zh) * | 2001-12-28 | 2004-06-30 | 株式会社小金井 | 药液供给装置以及药液供给方法 |
CN1607975A (zh) * | 2001-12-27 | 2005-04-20 | 株式会社小金井 | 化学液体供应设备及其脱气方法 |
CN1766734A (zh) * | 2004-10-13 | 2006-05-03 | 三星电子株式会社 | 用于在制造半导体器件等中分配光刻胶的方法和设备 |
CN101271276A (zh) * | 2007-03-20 | 2008-09-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 更换光阻过滤器的系统与方法 |
US20130068324A1 (en) * | 2010-05-06 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Limited | Chemical supply system, substrate treatment apparatus incorporating the same, and coating and developing system incorporating the same apparatus |
JP2013191843A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及びフィルタ内の気体の除去装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970008315A (ko) * | 1995-07-26 | 1997-02-24 | 김광호 | 반도체장치 |
JP3461725B2 (ja) | 1998-06-26 | 2003-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP3340394B2 (ja) * | 1998-10-08 | 2002-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システムおよび基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP4011210B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2007-11-21 | 株式会社コガネイ | 薬液供給方法および薬液供給装置 |
US6848458B1 (en) * | 2002-02-05 | 2005-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and methods for processing semiconductor substrates using supercritical fluids |
JP4541069B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システム |
US20070272327A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical dispense system |
JP5018255B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体 |
JP4879253B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置 |
JP5524154B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5571056B2 (ja) | 2011-11-04 | 2014-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 |
JP5439579B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2014-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5741549B2 (ja) * | 2012-10-09 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
JP5453561B1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
US9446331B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for dispensing photoresist |
-
2013
- 2013-10-02 JP JP2013207748A patent/JP5967045B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-15 US US14/485,914 patent/US10074546B2/en active Active
- 2014-09-29 CN CN201410514563.2A patent/CN104517814B/zh active Active
- 2014-09-29 KR KR1020140130245A patent/KR101872056B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-30 TW TW103133983A patent/TWI621472B/zh active
-
2018
- 2018-08-02 US US16/052,875 patent/US11342198B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003190860A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 塗布装置 |
CN1607975A (zh) * | 2001-12-27 | 2005-04-20 | 株式会社小金井 | 化学液体供应设备及其脱气方法 |
CN1509199A (zh) * | 2001-12-28 | 2004-06-30 | 株式会社小金井 | 药液供给装置以及药液供给方法 |
CN1766734A (zh) * | 2004-10-13 | 2006-05-03 | 三星电子株式会社 | 用于在制造半导体器件等中分配光刻胶的方法和设备 |
CN101271276A (zh) * | 2007-03-20 | 2008-09-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 更换光阻过滤器的系统与方法 |
US20130068324A1 (en) * | 2010-05-06 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Limited | Chemical supply system, substrate treatment apparatus incorporating the same, and coating and developing system incorporating the same apparatus |
JP2013191843A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及びフィルタ内の気体の除去装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109482381A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-03-19 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置以及基板处理系统 |
CN109482381B (zh) * | 2017-09-11 | 2022-06-14 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置以及基板处理系统 |
CN111433888A (zh) * | 2017-12-12 | 2020-07-17 | 东京毅力科创株式会社 | 液供给装置和液供给方法 |
CN111433888B (zh) * | 2017-12-12 | 2023-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 液供给装置和液供给方法 |
CN111868882A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-10-30 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10074546B2 (en) | 2018-09-11 |
US20150092167A1 (en) | 2015-04-02 |
JP5967045B2 (ja) | 2016-08-10 |
US11342198B2 (en) | 2022-05-24 |
KR20150039569A (ko) | 2015-04-10 |
CN104517814B (zh) | 2019-05-10 |
KR101872056B1 (ko) | 2018-06-27 |
TWI621472B (zh) | 2018-04-21 |
US20200227286A1 (en) | 2020-07-16 |
JP2015073007A (ja) | 2015-04-16 |
TW201529142A (zh) | 2015-08-01 |
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