JP6736989B2 - 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 - Google Patents
処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6736989B2 JP6736989B2 JP2016113435A JP2016113435A JP6736989B2 JP 6736989 B2 JP6736989 B2 JP 6736989B2 JP 2016113435 A JP2016113435 A JP 2016113435A JP 2016113435 A JP2016113435 A JP 2016113435A JP 6736989 B2 JP6736989 B2 JP 6736989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pump
- processing liquid
- flow path
- discharge
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 177
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 83
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
- B05B9/03—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material
- B05B9/04—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump
- B05B9/0403—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material
- B05B9/0406—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material with several pumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
前記処理液供給源の下流側に設けられた第1のポンプと、
前記第1のポンプの下流側に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ部と、
前記フィルタ部の下流側に設けられた第2のポンプと、
前記第2のポンプの二次側と、前記第1のポンプの二次側とフィルタ部の一次との間と、を接続する戻り流路と、
前記フィルタ部の二次側から第2のポンプに至るまでの流路から分岐し、前記吐出部に至るまでの吐出流路と、
前記フィルタ部を通過した処理液の流路を前記第2のポンプに至る循環用の流路と前記吐出流路との間で切り替える切り替え部と、
前記処理液供給源から第1のポンプに処理液を導入するステップと、前記切り替え部を循環用の流路側に切り替えた状態で、第1のポンプに導入された処理液を前記フィルタ部を通過させて第2のポンプに供給するステップと、その後前記切り替え部を吐出流路側に切り替えた状態で、前記第2のポンプに吸い込んだ処理液を戻り流路を介して前記フィルタ部の一次側に戻し、前記フィルタ部を通過させて前記吐出流路を介して吐出部に送出するステップと、を実行する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記第1のポンプから押し出された処理液が流路を介して供給される第2のポンプと、
前記流路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ部と、
前記流路における前記フィルタ部と、前記第2のポンプとの間に設けられた処理液を吐出するための吐出ポートと、を備えたことを特徴とする。
前記処理液供給源の下流側に設けられた第1のポンプと、前記第1のポンプの下流側に設けられ処理液中の異物を除去するためのフィルタ部と、前記フィルタ部の下流側に設けられた第2のポンプと、前記第2のポンプの二次側と前記第1のポンプの二次側とフィルタ部の一次との間とを接続する戻り流路と、前記フィルタ部の二次側から第2のポンプに至るまでの流路から分岐し前記吐出部に至るまでの吐出流路と、前記フィルタ部を通過した処理液の流路を、前記第2のポンプに至る循環用の流路と前記吐出流路との間で切り替える切り替え部と、を備え、処理液供給源から処理液を吐出部を介して被処理体に供給する処理液供給装置を用い、
前記処理液供給源から第1のポンプに処理液を導入する工程と、
前記切り替え部を循環用の流路側に切り替えた状態で、第1のポンプに導入された処理液を前記フィルタ部を通過させて第2のポンプに供給する工程と、
その後前記切り替え部を吐出流路側に切り替えた状態で、前記第2のポンプに吸い込んだ処理液を戻り流路を介して前記フィルタ部及び前記吐出流路を介して吐出部に送る工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の処理液供給方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
第1の三方弁36は、処理液が第1のポンプ31からフィルタ部3に流れる流路と、戻り流路26からフィルタ部3に流れる流路と、を切り替える。また第2の三方弁37は、処理液がフィルタ部3から第2のポンプ32に流れる流路と、フィルタ部3から吐出流路に流れる流路と、を切り替える。従って第2の三方弁37は、切り替え部に相当する。
外側部材51の側周面には、レジスト液を一次側から吸引する吸引口54と、レジスト液を二次側に供給する吐出口55と、が互いに対向するように配置されている。そして、これら吸引口54及び吐出口55に接続される流路には、夫々バルブ31A、31B(32A、32B)が設けられている。
また第2のポンプ32からレジスト液を押し出し、戻り流路26、フィルタ部3、吐出流路23の経路を経てノズル5からレジスト液を吐出するときに、圧力測定部7によりレジスト液の圧力を測定する。そして圧力測定値をフィードバックして、制御部9から制御信号を発信し、第2のポンプ32の進退部材52の前進速度を調整する。これによりレジスト液の吐出量を調整し、フィルタ部3の下流側のレジスト液の圧力が一定になるように調整する。
さらに吐出流路23を流れるレジスト液の圧力を測定し、第2のポンプ32の吐出量を調整することで、フィルタ部3の二次側におけるレジスト液の圧力が安定するため、ノズル5から吐出されるレジスト液の流量を安定させることができる。
さらに圧力測定部7にて圧力測定値を測定し、後続のウエハWに対してレジスト液の吐出を行うときに第2のポンプ32から吐出する処理液の流量を調整して、ノズル5から吐出するレジストの流量を調整するようにしてもよい。
処理液供給路を介して供給される処理液に含まれるパーティクルの発生源を調べるため、以下の試験を行った。まずシンナー供給源とノズルとを配管で接続し、ポンプを駆動させずにシンナーを通過させ、シンナーに含まれるパーティクル(直径20nm以上)を計数し実験例1とした。また実験例1の配管にポンプを介設し、ポンプを駆動してノズルからシンナーを吐出し、当該シンナーに含まれるパーティクル(直径20nm以上)を計数し実験例2とした。
図8はこの結果を示し実験例1及び実験例2の各々において計数されたパーティクルの個数を示す。実験例1では、パーティクルは50個であったが、実験例2では、パーティクルは、256.5個であった。この結果によればポンプの駆動が、多くのパーティクルが発生する要因となっていることが分かる。
また実験例3として、ノズルとシンナー供給源とを接続する処理液供給路にシンナー供給源側から図2に示すポンプ、フィルタ部、供給制御弁の順に介設したシンナー供給装置を用い、シンナーをパターンが形成された検査用ウエハに供給したときに検査用ウエハにおけるパーティクル(直径20nm以上)及びパーティクルを計数した。またフィルタ部を設けないことを除いて、実験例3と同様に操作した例を比較例とした。実験例3及び比較例について各々2回操作を行いパーティクルを計数した。
図9はこの結果を示し実験例3及び比較例において計数されたパーティクル数を示す。比較例では、250〜300個のパーティクルが計数されていたが実験例3では、パーティクルの数は、50個程度であった。この結果によれば、ポンプから吐出する処理液をフィルタ部に通過させることにより、処理液中のパーティクルが抑制されることが分かる。
2 処理液供給路
3 フィルタ部
4 レジスト液供給源
5 ノズル
6 供給制御弁
7 圧力測定部
9 制御部
22 導入流路
23 吐出流路
26 戻り流路
27 分岐路
31 第1のポンプ
32 第2のポンプ
36 第1の三方弁
37 第2の三方弁
Claims (9)
- 処理液供給源から処理液を吐出部を介して被処理体に供給する処理液供給装置において、
前記処理液供給源の下流側に設けられた第1のポンプと、
前記第1のポンプの二次側に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ部と、
前記フィルタ部の二次側に設けられた第2のポンプと、
前記第2のポンプの二次側と、前記第1のポンプの二次側とフィルタ部の一次との間と、を接続する戻り流路と、
前記フィルタ部の二次側から第2のポンプに至るまでの流路から分岐し、前記吐出部に至るまでの吐出流路と、
前記フィルタ部を通過した処理液の流路を、前記第2のポンプに至る循環用の流路と前記吐出流路との間で切り替える切り替え部と、
前記処理液供給源から第1のポンプに処理液を導入するステップと、前記切り替え部を循環用の流路側に切り替えた状態で、第1のポンプに導入された処理液を前記フィルタ部を通過させて第2のポンプに供給するステップと、その後前記切り替え部を吐出流路側に切り替えた状態で、前記第2のポンプに吸い込んだ処理液を戻り流路、前記フィルタ部及び前記吐出流路を介して吐出部に送るステップと、を実行する制御部と、を備えたことを特徴とする処理液供給装置。 - 前記フィルタ部と吐出部との間に処理液の圧力を測定する圧力センサを設け、
前記制御部は、前記圧力センサの圧力測定値に基づいて前記第2のポンプから供給される処理液の吐出流量を調整するための制御信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の処理液供給装置。 - 前記圧力センサと前記吐出部との間に処理液の給断を行うためのバルブを備えたことを特徴とする請求項2に記載の処理液供給装置。
- 前記戻り流路から分岐して第1のポンプの一次側に接続された分岐路を備え、
前記制御部は、前記第2のポンプに処理液を供給した後、前記第2のポンプに吸い込んだ処理液を前記戻り流路及び分岐路を介して第1のポンプに戻すステップと、前記切り替え部を循環用の流路側に切り替えた状態で、第1のポンプに導入された処理液を前記フィルタ部を通過させて第2のポンプに供給するステップと、を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 前記制御部は、前記第2のポンプに吸い込んだ処理液を前記戻り流路及び分岐路を介して第1のポンプに戻すステップと、前記切り替え部を循環用の流路側に切り替えた状態で、第1のポンプに導入された処理液を前記フィルタ部を通過させて第2のポンプに供給するステップと、を繰り返すことを特徴とする請求項4に記載の処理液供給装置。
- 処理液を導入する導入ポートを備えた第1のポンプと、
前記第1のポンプから押し出された処理液が流路を介して供給される第2のポンプと、
前記流路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ部と、
前記流路における前記フィルタ部と、前記第2のポンプとの間に設けられた処理液を吐出するための吐出ポートと、を備えたことを特徴とする機器ユニット。 - 前記フィルタ部を通過した処理液の流路を前記第2のポンプに至る循環用の流路側と吐出ポート側との間で切り替える切り替え部を備えたことを特徴とする請求項6記載の機器ユニット。
- 処理液供給源から処理液を吐出部を介して被処理体に供給する処理液供給方法において、
前記処理液供給源の下流側に設けられた第1のポンプと、前記第1のポンプの下流側に設けられ処理液中の異物を除去するためのフィルタ部と、前記フィルタ部の下流側に設けられた第2のポンプと、前記第2のポンプの二次側と前記第1のポンプの二次側とフィルタ部の一次との間とを接続する戻り流路と、前記フィルタ部の二次側から第2のポンプに至るまでの流路から分岐し前記吐出部に至るまでの吐出流路と、前記フィルタ部を通過した処理液の流路を、前記第2のポンプに至る循環用の流路と前記吐出流路との間で切り替える切り替え部と、を備え、処理液供給源から処理液を吐出部を介して被処理体に供給する処理液供給装置を用い、
前記処理液供給源から第1のポンプに処理液を導入する工程と、
前記切り替え部を循環用の流路側に切り替えた状態で、第1のポンプに導入された処理液を前記フィルタ部を通過させて第2のポンプに供給する工程と、
その後前記切り替え部を吐出流路側に切り替えた状態で、前記第2のポンプに吸い込んだ処理液を戻り流路を介して前記フィルタ部及び前記吐出流路を介して吐出部に送る工程と、を含むことを特徴とする処理液供給方法。 - 処理液供給源から処理液を吐出部を介して被処理体に供給する処理液供給装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項8に記載の処理液供給方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113435A JP6736989B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 |
KR1020170066837A KR102281631B1 (ko) | 2016-06-07 | 2017-05-30 | 처리액 공급 장치, 기기 유닛, 처리액 공급 방법 및 기억 매체 |
CN201710417763.XA CN107470051B (zh) | 2016-06-07 | 2017-06-06 | 处理液供给装置、设备单元、处理液供给方法和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016113435A JP6736989B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017220547A JP2017220547A (ja) | 2017-12-14 |
JP6736989B2 true JP6736989B2 (ja) | 2020-08-05 |
Family
ID=60593621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016113435A Active JP6736989B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6736989B2 (ja) |
KR (1) | KR102281631B1 (ja) |
CN (1) | CN107470051B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI800623B (zh) * | 2018-03-23 | 2023-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 液處理裝置及液處理方法 |
CN108816678B (zh) * | 2018-08-09 | 2020-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 涂布液供给装置及操作方法、涂布机、隔垫物的制作方法 |
KR20210010355A (ko) * | 2019-07-19 | 2021-01-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
JP7526590B2 (ja) | 2019-07-19 | 2024-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、制御方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
CN112934513B (zh) * | 2021-01-29 | 2022-08-05 | 重庆重交再生资源开发股份有限公司 | 一种可拆卸式喷涂设备及其方法 |
JP2022163822A (ja) * | 2021-04-15 | 2022-10-27 | 株式会社コガネイ | 液体供給装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129109A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-06-01 | Tsuneaki Takahashi | エンジンの動弁機構 |
JPH0614831Y2 (ja) * | 1988-09-30 | 1994-04-20 | ホーヤ株式会社 | 滴下装置 |
TWI234796B (en) * | 2002-03-04 | 2005-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Solution treatment method and solution treatment unit |
JP4832945B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2011-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | シリンジポンプおよび基板処理装置 |
KR101810719B1 (ko) * | 2010-06-28 | 2017-12-19 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 스마트 제어기를 갖는 커스터마이즈 가능한 분배 시스템 |
TWI563351B (en) | 2010-10-20 | 2016-12-21 | Entegris Inc | Method and system for pump priming |
TWI826650B (zh) * | 2012-11-26 | 2023-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理 |
JP6020405B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP5967045B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2016-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP6032190B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
-
2016
- 2016-06-07 JP JP2016113435A patent/JP6736989B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-30 KR KR1020170066837A patent/KR102281631B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-06 CN CN201710417763.XA patent/CN107470051B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017220547A (ja) | 2017-12-14 |
KR102281631B1 (ko) | 2021-07-26 |
KR20170138346A (ko) | 2017-12-15 |
CN107470051A (zh) | 2017-12-15 |
CN107470051B (zh) | 2021-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6736989B2 (ja) | 処理液供給装置、機器ユニット、処理液供給方法及び記憶媒体 | |
KR101838373B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US10268116B2 (en) | Processing liquid supplying apparatus and method of supplying processing liquid | |
KR101906675B1 (ko) | 노즐 대기 장치 및 기판 처리 장치 | |
KR101987590B1 (ko) | 탈산소 장치 및 기판 처리 장치 | |
US11133176B2 (en) | Substrate processing method, recording medium and substrate processing system | |
WO2015064657A1 (ja) | 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法 | |
US9799539B2 (en) | Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles | |
JP2015072985A (ja) | 処理液供給装置及び処理液供給方法 | |
JP6624599B2 (ja) | 基板処理装置および処理液吐出方法 | |
JP2001170539A (ja) | 成膜装置 | |
US10920764B2 (en) | Pumping apparatus, treatment solution supplying device, substrate treating apparatus, liquid draining method, and liquid replacing method | |
US11465168B2 (en) | Liquid processing device and liquid processing method | |
US20190060789A1 (en) | Pumping apparatus, treatment solution supplying device, and substrate treating apparatus | |
JP4518721B2 (ja) | ウェハ製作システムへの流体供給の安定化 | |
US7562663B2 (en) | High-pressure processing apparatus and high-pressure processing method | |
US10203606B1 (en) | Apparatus and method for dispensing developer onto semiconductor substrate | |
JP2018181963A (ja) | 塗布膜除去装置、塗布膜除去方法及び記憶媒体 | |
JP7318296B2 (ja) | 液処理装置の運転方法及び液処理装置 | |
JP2023091939A (ja) | 基板処理装置、処理液供給方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2022185240A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR20050112359A (ko) | 케미컬 공급 방법과 이를 수행하기 위한 장치 및 케미컬공급 장치를 갖는 웨이퍼 처리 장치 | |
KR20050102883A (ko) | 반도체 제조설비 | |
JP2007105694A (ja) | 薬液塗布装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6736989 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |