CN111868882A - 液处理装置和液处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中的液处理装置。装置构成为，包括：将从处理液供给源(23)供给的用于处理基片的处理液释放到该基片的喷嘴(22)；将上述处理液供给源(23)和上述喷嘴(22)连接的主流路；设置于上述主流路的过滤器(26)；从上述主流路分支的分支管路(41A)；设置于上述分支管路(41A)的端部的泵(42)；和控制部(10)，其输出控制信号以进行第一步骤和接着的第二步骤，其中，上述第一步骤用上述泵(42)进行吸液以使得从上述处理液供给源(23)供给来的上述处理液流入上述分支管路(41A)，上述第二步骤从上述泵(42)向上述分支管路(41A)释放比该分支管路(41A)的容量少的量的该处理液以从上述喷嘴(22)释放上述处理液。

Description

液处理装置和液处理方法
技术领域
本发明涉及对基片供给处理液来进行处理的技术。
背景技术
在半导体装置的制造工艺中，进行对作为基片的半导体晶片(以下记作晶片)供给处理液的液处理，作为该液处理，有对晶片供给例如抗蚀剂等涂敷液来形成涂敷膜的处理。进行这种液处理的液处理装置具有泵。而且，贮存于贮存部中的处理液被该泵吸引，被加压输送到喷嘴。例如专利文献1中给出了这种液处理装置的一例。
泵被驱动以进行处理液的吸引和释放并且具有较大的液接触面积以吸引并贮存处理液，因此有可能在该泵中颗粒作为异物混入到处理液中。上述专利文献1中没有记载应对这种问题的方法。因此，寻求一种技术，防止因像这样混入了异物的处理液而导致对晶片的处理发生异常的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-140001号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的液处理装置的特征在于，包括：将从处理液供给源供给的用于处理基片的处理液释放到该基片的喷嘴；
将上述处理液供给源和上述喷嘴连接的主流路；
设置于上述主流路的过滤器；
从上述主流路的分支点分支的分支管路；
设置于上述分支管路的端部的泵；和
控制部，其输出控制信号以反复进行包括第一步骤和接着的第二步骤的循环，其中，上述第一步骤用上述泵进行吸液以使得上述处理液从上述主流路的上述分支点的上游侧流入上述分支管路，上述第二步骤从上述泵向上述分支管路释放比该分支管路的容量少的量的该处理液以从上述喷嘴释放上述处理液。
发明效果
依照本发明，能够抑制异物混入要供给到基片的处理液中。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的抗蚀剂涂敷装置的结构图。
图2是构成上述抗蚀剂涂敷装置的泵和配管的示意图。
图3是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流的说明图。
图4是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流动的说明图。
图5是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流动的说明图。
图6是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的阀的开闭状态和液流动的说明图。
图7是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂的状态的说明图。
图8是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂的状态的说明图。
图9是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂的状态的说明图。
图10是表示上述抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂的状态的说明图。
图11是表示抗蚀剂涂敷装置的另一结构例的说明图。
图12是表示另一实施方式的说明图。
具体实施方式
参照图1，对液处理装置的一个实施方式的抗蚀剂涂敷装置1进行说明。抗蚀剂涂敷装置1是通过旋涂来涂敷抗蚀剂的装置，包括晶片载置部11和抗蚀剂供给机构2。晶片载置部11包括旋转卡盘12、旋转机构13和杯状体14。旋转卡盘12是晶片W的载置部，水平地吸附保持晶片W的背面中央部。旋转机构13通过旋转卡盘12使晶片W旋转。杯状体14包围保持于旋转卡盘12的晶片W，防止旋涂导致的抗蚀剂从晶片W的飞散。
接着，对抗蚀剂供给机构2进行说明。抗蚀剂供给机构2包括抗蚀剂供给配管21、与该抗蚀剂供给配管21的下游端连接的喷嘴22以及与抗蚀剂供给配管21的上游端连接的瓶23。喷嘴22对上述晶片W的中心部供给抗蚀剂。在瓶23中贮存有抗蚀剂。虽然省略了图示，但是设置有对瓶23内加压使瓶23内的抗蚀剂流通到抗蚀剂供给配管21的下游侧的加压机构。
在抗蚀剂供给配管21依次设置有供给控制阀V1、流量计24、捕获罐(trap tank)25、过滤器26、阀V2、缓冲罐27。作为第二流量检测部的流量计24，将检测信号发送到后述的控制部10，该检测信号与在抗蚀剂供给配管21中的设置该流量计24的部位流通的抗蚀剂的流量对应。捕获罐25和过滤器26与分别设置有阀V3、V4的配管31、32的一端连接。配管31的另一端连接在配管32的比阀V4靠另一端侧处，配管32的另一端连接到工厂的下水道(排液管路)。通过采用这样的结构，能够在捕获罐25和过滤器26中排出被捕获的气泡。缓冲罐27是临时贮存抗蚀剂的罐，与瓶23一起构成抗蚀剂的供给源。
在抗蚀剂供给配管21中以从捕获罐25与流量计24之间的位置分支的方式形成有配管41。该配管41的端部连接到构成抗蚀剂涂敷装置1的泵42的用于进行吸液和释放的吸放液口。此外，以从配管41分支的方式形成有配管43，配管43的端部经由阀V5连接于阀V2与缓冲罐27之间的位置。配管41是用于使抗蚀剂在抗蚀剂供给配管21中流动的配管，以下记作液驱动用配管41。配管43是用于使流入到液驱动用配管41的抗蚀剂返回缓冲罐27的配管，以下记作返回配管43。
像上述那样连接了各配管，因此由抗蚀剂供给配管21的一部分、液驱动用配管41的一部分和返回配管43形成了抗蚀剂的循环管路51。而且，抗蚀剂供给配管21的下游侧，从循环管路51的第一位置分支而形成与上述喷嘴22连接的第一连接流路52。此外，抗蚀剂供给配管21的上游侧，从循环管路51中抗蚀剂的循环方向上与第一位置不同的第二位置分支而形成与瓶23连接的第二连接流路53。由这些循环管路51、第一连接流路52和第二连接流路53构成抗蚀剂的主流路。此外，液驱动用配管41的靠近泵42的部位，形成从上述循环管路51的抗蚀剂的循环方向上与第一位置和第二位置不同的第三位置分支的分支管路，以下为了便于说明，将该部位称为分支管41A，其内部构成从主流路分支的分支管路。而且，在液驱动用配管41中，将构成循环管路51的部位作为循环管路形成管41B。
在上述分支管41A中设置有作为第一流量检测部的流量计44，将检测信号发送到后述的控制部10，该检测信号与在该分支管41A中设置该流量计44的部位流通的抗蚀剂的流量对应。该流量计44是为了判断从泵42释放的抗蚀剂是否有异常而设置的，如后文详述的那样，为了使从泵42释放到液驱动用配管41的抗蚀剂不会到达循环管路形成管41B，以这样的方式将该流量计44设置于分支管41A。更具体而言，流量计44设置于泵42的吸放液口的跟前。释放口的跟前是指释放口的附近，因此设置于比返回配管43连接的位置靠近泵42的位置。
另外，在泵42设置有用于从该泵42进行排液的排液口，该排液口与作为配管的排液管46的一端连接。排液管46的另一端与工厂的下水道连接，在该排液管46设置有阀V6。泵42能够将抽吸的抗蚀剂释放到吸放液口、排液口中的任一者。即，能够将抗蚀剂的供给目的地在液驱动用配管41和排液管46之间切换。
对该抗蚀剂涂敷装置1的动作进行概要地说明，通过泵42的驱动使抗蚀剂在液驱动用配管41与泵42之间移动，由此从抗蚀剂供给配管21向液驱动用配管41吸入抗蚀剂时，被吸入的抗蚀剂经由抗蚀剂供给配管21被加压输送到喷嘴22。参照图2，对该泵42进一步详细地进行说明。该泵42是隔膜泵(diaphragm pump)，但也可以是管膜泵(tubephragm pump)等其他种类的泵。图2中示出了泵42的概要，图中33是隔膜，图中34是通过隔膜33的驱动而容量发生变化的泵室。图中V7、V8例如为分别设置于泵42的吸放液口、排液口的阀。即，本例中上述液驱动用配管41、排液管46分别经由阀V7、V8与泵室34连接。基于后述的来自控制部10的控制信号，控制阀V7、V8的开闭和隔膜33的驱动，进行后述的泵42的各动作。
在处理一片晶片W时，泵42进行吸液动作和接着的释放动作。因此，在处理多片晶片W时，反复进行多次包括吸液动作和释放动作的循环。而且，该泵42的释放动作包括对配管41的释放动作和对排液管46的抗蚀剂的排液用的释放动作。而且，作为该对配管41的释放动作，包括向喷嘴22供给配管41的抗蚀剂的处理用的释放动作和经由返回配管43使抗蚀剂暂时返回到缓冲罐27的回流用的释放动作。对于进行排液用的释放动作和回流用的释放动作的理由，在后文说明。
将在上述吸液动作中泵42从液驱动用配管41抽吸的抗蚀剂的量记作A1mL。并且，将处理用的释放动作中从泵42释放到液驱动用配管41的抗蚀剂的量记作A2mL，将排液用的释放动作中从泵42释放到排液管46的抗蚀剂的量记作A3mL，将回流用的释放动作中从泵42释放到配管41的抗蚀剂的量记作A4mL，则设定为A1mL＝A2mL+A3mL+A4mL。例如A2＞A4＞A3，更具体而言例如A1＝1.55、A2＝1.2、A3＝0.05、A4＝0.3。
如在背景技术的部分所说明的那样，由于作为驱动机构的泵42产生尘埃，流入到该泵42的抗蚀剂有可能含有颗粒。于是在该抗蚀剂涂敷装置1中，在被泵42吸引而贮存的抗蚀剂从该泵42被释放到液驱动用配管41时，不会超过分支管41A流入到循环管路形成管41B和返回配管43。将液驱动用配管41的连接返回配管43的位置记作P1，换言之，贮存于泵42的抗蚀剂不会移动到比该位置P1更靠近抗蚀剂供给配管21。对上述位置P1详细地进行说明，其是连接返回配管43的区域C中、最靠近泵42的位置。此外，贮存于泵42是指，通过了设置于泵42的构成抗蚀剂的流路的驱动部。
因此，关于由分支管41A构成的流路(分支管路)，将从上述位置P1至构成泵42的驱动部中位于最靠近抗蚀剂供给配管21的位置的阀V7为止的容量记作B1，则容量B1mL＞处理用的释放动作的释放量A2mL+回流用的释放动作的释放量A4mL，通过采用这样的结构，能够防止可能含有颗粒的抗蚀剂流入到循环管路形成管41B和返回配管43。进一步补充说明，容量B1是从上述位置P1至构成泵42的靠近该位置P1的驱动部为止的流路的容量，因此在没有设置阀V7的情况下，是从位置P1至作为驱动部的隔膜33为止的流路的容量。
另外，设B1－(A2+A4)＝αmL，则该α的量越大，越能够可靠地抑制已流入到泵42的抗蚀剂，流入循环管路形成管41B和返回配管43。出于该观点，优选例如αmL为10mL以上。而且，为了如上所述使B1mL＞A2mL+A4mL，分支管41A的长度L1越大越好，例如为1m以上。图2中，将液驱动用配管41与抗蚀剂供给配管21的连接位置表示为P2。
如图1所示，在抗蚀剂涂敷装置1设置有作为计算机的控制部10。控制部10中安装有保存在例如光盘、硬盘、MO(磁光盘)、存储卡、DVD等存储介质中的程序。所安装的程序编入有指令(各步骤)，以能够对抗蚀剂涂敷装置1的各部分发送控制信号来控制其动作，进行后述的处理。具体而言，通过程序控制用旋转机构13实现的晶片W的转速的变更、配管的各阀V1～V6的开闭动作和泵42的各部分的动作。此外，控制部10还具有包括监视器、扬声器的警报发生机构，其能够基于从流量计24、44输出的检测信号，如后所述输出警报。上述的警报，例如为规定的画面显示、声音。
下面，参照图3～图6，对由抗蚀剂涂敷装置1进行的晶片W的处理进行说明。图3～图6中，用粗线表示在各配管中发生了抗蚀剂的流动的部位的该抗蚀剂，由此与没有发生抗蚀剂的流动的部位区分表示。图3中对于该抗蚀剂添加了不同的式样，关于该式样在后文说明。
首先，将晶片W载置在旋转卡盘12。然后，从阀V1～V6关闭的状态至阀V2被打开时，进行泵42的吸液动作，抗蚀剂从缓冲罐27经由液驱动用配管41向泵42流通(图3、步骤S1)。然后，将阀V2关闭，并且泵42的吸液动作停止。接着，打开阀V1，从泵42向液驱动用配管41加压输送抗蚀剂。即，进行上述的泵42的处理用的释放动作(图4、步骤S2)。借助该被加压输送来的抗蚀剂，抗蚀剂供给配管21中位于比连接液驱动用配管41的位置P2靠下游侧的抗蚀剂向喷嘴22被推出。然后，该抗蚀剂从喷嘴22被释放到由旋转卡盘12保持并使之旋转的晶片W的中心部以进行旋涂，在该晶片W形成抗蚀剂膜。
在步骤S2的从泵42向液驱动用配管41加压输送抗蚀剂的期间，控制部10基于分别从流量计24、44发送的检测信号，检测在分别设置了流量计24、44的部位分别流通的抗蚀剂的流量。然后，对这些流量的检测值计算差值，判断该差值是否包含在允许范围内。然后，当不在允许范围时，例如判断为发生了从喷嘴22释放的抗蚀剂中包含气泡的异常，输出警报。在处于允许范围内时判断为没有发生该异常，不进行警报的输出。
然后，关闭阀V1并且打开阀V6，来自泵42的抗蚀剂的释放目的地从液驱动用配管41被切换到排液管46，从该排液管46进行排液。即，进行上述的排液用的释放动作(图5、步骤S3)。之后，关闭阀V6并且打开阀V5，来自泵42的抗蚀剂的释放目的地被切换到液驱动用配管41，抗蚀剂向缓冲罐27流通。即，进行上述的回流用的释放动作(图6、步骤S4)。之后，利用未图示的输送机构，在旋转卡盘12上代替已形成抗蚀剂膜的晶片W而载置未处理的晶片W。然后，实施包括步骤S1～S4的循环，对该晶片W形成抗蚀剂膜。以下，每次将新的晶片W载置到旋转卡盘12，就实施上述的循环进行处理。
另外，在上述步骤S4中，使抗蚀剂返回到位于过滤器26的上游侧(一次侧)的缓冲罐27。通过像这样使抗蚀剂返回，泵42的吸液动作的吸液量A1被设定得比较大，通过过滤器26的抗蚀剂的量变得较大。由此，能够抑制因抗蚀剂长时间滞留在过滤器26内而导致构成该过滤器26的材料的成分溶出到该抗蚀剂中。即，能够防止抗蚀剂的变质。此外，通过像这样使抗蚀剂返回过滤器26的一次侧，该抗蚀剂在去往喷嘴22之前反复通过过滤器26，因此能够提高该过滤器26对抗蚀剂中的异物的捕获效果。
另外，图3示出了上述的步骤S1中的泵42的吸液动作即将停止之前的状态。该图3中，在泵42的吸液动作的开始之前，对位于比抗蚀剂供给配管21和液驱动用配管41连接的位置P2靠上游侧处的抗蚀剂添加了点，对位于液驱动用配管41的抗蚀剂添加了阴影。在该抗蚀剂涂敷装置1中，如上所述通过泵42的动作，使抗蚀剂在形成液驱动用配管41的分支管41A与泵42之间流动，但在该分支管41A和泵42中同一抗蚀剂长时间地滞留时，该抗蚀剂会逐渐变质，有可能影响晶片W的处理。上述的步骤S3的排液用的释放动作是为了防止这样的抗蚀剂的滞留而进行的。
更详细地进行说明，由于该液驱动用配管41的容量形成得较大以使得从泵42释放的抗蚀剂不会流到循环管路形成管41B，因此如图3所示通过一次吸液动作从抗蚀剂供给配管21的位置P2流入液驱动用配管41的抗蚀剂不会到达泵42。但是，通过进行上述的排液用的释放动作，在一次循环中泵42从液驱动用配管41抽吸的吸液量比释放到该液驱动用配管41的释放量大。因此，后面用图详细地进行说明，如上所述流入液驱动用配管41的抗蚀剂，之后每次重复循环时会向靠近泵42的位置移动而流入该泵42。因此，能够防止上述的分支管41A和泵42中的抗蚀剂的滞留。
以下，对反复进行上述循环时的各配管的抗蚀剂的流动详细地进行说明。图7的(a)示出了任意循环(为了便于说明，设为第N次循环。N为正整数)的步骤S1的吸液动作结束，抗蚀剂涂敷装置1待机的状态，对已流入到泵42的抗蚀剂，即位于泵42和排液管46的抗蚀剂添加了网纹式样并记作R1。此外，对抗蚀剂供给配管21的位置P2的上游侧的抗蚀剂添加点并表示为R2。此外，对抗蚀剂R1、R2以外的液驱动用配管41和返回配管43中的抗蚀剂添加阴影并表示为R3，下面，对抗蚀剂R2、R3的动作进行说明。其中，在执行循环的期间，抗蚀剂R2、R3中流入到泵42的抗蚀剂变为抗蚀剂R1。
从图7的(a)所示的状态起进行步骤S2的处理用的释放动作，向液驱动用配管41供给抗蚀剂R1。如上所述，该抗蚀剂R1不到达与返回配管43连接的位置P1而留在分支管41A。然后，借助该抗蚀剂R1，液驱动用配管41的抗蚀剂R3向抗蚀剂供给配管21的位置P2的下游侧被推出(图7的(b))。接着，进行步骤S3(第三步骤)的排液用的释放动作，抗蚀剂R1从泵42被排出(图7的(c))。之后，进行步骤S4(第四步骤)的回流用的释放动作，进一步向液驱动用配管41供给抗蚀剂R1，从形成该液驱动用配管41的分支管41A将抗蚀剂R3供给到返回配管43。如上所述，即使进行该步骤S4也不会使抗蚀剂R1到达位置P1而留在分支管41A(图7的(d))。
接着，执行第N+1次循环。即，进行步骤S1的吸液动作，泵42抽吸液驱动用配管41的抗蚀剂R1、R3，抗蚀剂供给配管21中的抗蚀剂R2被吸入液驱动用配管41(图8的(a))。然后，进行步骤S2的处理用的释放动作，向分支管41A供给抗蚀剂R1，由此被吸入液驱动用配管41的抗蚀剂R2的一部分向抗蚀剂供给配管21的位置P2的下游侧被推出。然后，位于该位置P2的下游侧的抗蚀剂R3向喷嘴22被推出(图8的(b))。由于该步骤S2的来自泵42的释放量比步骤S1的泵42的吸液量小，因此在该释放结束时成为在液驱动用配管41中流入了抗蚀剂R2的状态。
然后，进行步骤S3的排液用的释放动作，抗蚀剂R1从泵42被排出(图8的(c))。之后，进行步骤S4的回流用的释放动作，进一步向液驱动用配管41供给抗蚀剂R1，将抗蚀剂R3供给到返回配管43。与上一个循环的步骤S4同样，该循环的步骤S4中抗蚀剂R1也不到达位置P1(图8的(d))。
接着，执行第N+2次循环。即，进行步骤S1的吸液动作，泵42抽吸液驱动用配管41的抗蚀剂R1～R3，抗蚀剂供给配管21中的抗蚀剂R2被吸入液驱动用配管41(图9)。在步骤S1开始之前进入到液驱动用配管41的抗蚀剂R2，在该液驱动用配管41中移动到更靠近泵42的位置。
像这样每次重复循环时抗蚀剂R2在液驱动用配管41中向靠近泵42的位置移动而不流入该泵42，因此液驱动用配管41内的抗蚀剂逐渐从R3替换为R2。而且，通过像这样对液驱动用配管41代替抗蚀剂R3地供给抗蚀剂R2，从液驱动用配管41供给到返回配管43的抗蚀剂也成为R2。图10的(a)表示在像这样液驱动用配管41和返回配管43中的抗蚀剂成为R2的状态下，进行了第N+M次循环的步骤S1的状态。其中，M为正整数。
接着，进行步骤S2的处理用的释放动作，对液驱动用配管41供给抗蚀剂R1(图10的(b))。然后，进行步骤S3的排液用的释放动作(图10的(c))，进而进行步骤S4的回流用的释放动作(图10的(d))。在该步骤S4结束时，与其他循环的步骤S4同样，抗蚀剂R1停留在分支管41A。以后也反复进行循环，但该循环中抗蚀剂R1、R2成为图10的(a)～图10的(d)所示的状态。
依照该抗蚀剂涂敷装置1，在从设置于喷嘴22与贮存有抗蚀剂的瓶23之间的循环管路51分支的分支管41A，设置有泵42。而且，通过泵42与分支管41A之间的抗蚀剂的移动，使形成循环管路51的抗蚀剂供给配管21中的抗蚀剂移动，但在从喷嘴22进行释放时从泵42到分支管41A的释放量A2＜由分支管41A构成的流路的容积B1。通过采用这样的结构，从瓶23供给并通过了过滤器26的抗蚀剂，以不流入到泵42的方式被供给到喷嘴22。因此，能够进一步将装置的构成部件与从喷嘴22释放的抗蚀剂接触的面积抑制得较小。另外，该抗蚀剂在通过过滤器26之后，不通过阀V1以外的驱动部。因此，能够抑制异物混入该抗蚀剂。其结果是，能够抑制从晶片W制造的半导体装置的成品率降低。
而且，依照抗蚀剂涂敷装置1，由于要供给到晶片W的抗蚀剂不通过分支管41A和泵42，在装置启动时和维护时在配管中供给清洗液进行清洗时，能够抑制需要进行该清洗的区域变大。其结果是，能够实现该清洗时间的缩短和清洗液的使用量的降低。
另外，依照上述的抗蚀剂涂敷装置1，基于流量计24、44进行了异常的检测，但也可以设置流量计24、44的任一者来进行异常检测。即，也可以为，在由流量计24或流量计44检测出的流量超过允许范围的情况下，能够输出表示异常的意思的警报。此处，如上所述在处理用的释放动作中，从泵42释放的抗蚀剂停留在液驱动用配管41中的分支管41A。因此，在仅设置流量计24、44中的流量计44的情况下，具有即使颗粒从该流量计44混入到抗蚀剂中，也能够抑制该颗粒被供给到晶片W的优点。
优选进行上述的步骤S3的排液用的释放动作，但也可以不进行该排液用的释放动作。在不进行该排液用的释放动作的情况下，步骤S1中的吸液量A1＝步骤S2中的来自泵42的释放量A2+步骤S4中的来自泵42的释放量A4。在进行排液用的释放动作的情况下如上所述吸液量A1＝释放量A2+释放量A3+释放量A4，因此吸液量A1＞释放量A2+释放量A4，所以吸液量A1设定为释放量A2和A4的合计量以上的量。而且，该步骤S3的排液用的释放动作并不限定于一个循环中进行一次，例如也可以在多个循环中进行一次。
另外如图11所示，也可以以不设置返回配管43，不进行上述的步骤S4的回流用的释放动作的方式构成抗蚀剂涂敷装置1。在这种情况下，只要设定液驱动用配管41的容量以使得在进行上述的处理用的释放动作时从泵42释放的抗蚀剂不流入到抗蚀剂供给配管21即可。即，以如下方式构成该液驱动用配管41：设液驱动用配管41中的从泵42至位置P2(参照图2)为止的容量为B2，则步骤S2中的来自泵42的释放量A2+步骤S3中的泵42的释放量A3＜容量B2。而且，像这样在不进行步骤S4的情况下，例如设定为步骤S1中的泵42的吸液量A1＝步骤S2中的来自泵42的释放量A2+步骤S3中的来自泵42的释放量A3。
在设置有返回配管43进行步骤S4的回流用的释放动作的情况下，如上所述吸液量A1＝释放量A2+释放量A3+释放量A4，因此吸液量A1＞释放量A2+释放量A3。因此，吸液量A1被设定为释放量A2、A3的合计量以上。此外，该步骤的S4也并不限定于一个循环中进行一次，例如也可以在多个循环中进行一次。
另外，如图12所示，也可以不使返回配管43从配管41分支地设置，而与连接了配管41的不同的泵42的吸放液口连接。即，在循环管路51中，在被上述的第一位置和第二位置二分得到的各区域分开设置过滤器26和泵42。在这种情况下，与图1所述的例子相比，从泵42侧向过滤器26的一次侧输送抗蚀剂时，不使抗蚀剂在图1所示那样的从配管41分支的配管流通，而使抗蚀剂在与配管41不同的返回配管43流通。换言之，在进行上述的步骤4的回流动作的情况下，从贮存于泵42的抗蚀剂移动，在与上述的处理用的释放动作时不同的配管流路流动。即，能够消除颗粒进入用于处理的液的风险，并且使贮存于泵42的抗蚀剂再次通过过滤器26来提高清洁度。通过在每个处理期间等一定期间进行上述回流动作，也能够保持包括泵42内在内的配管流路整体中的抗蚀剂的清洁度。
将从过滤器26的出口至上述的第一位置为止的配管的容量设为C1，将从上述的第一位置至构成泵42的驱动部中位于最靠近抗蚀剂供给配管21的位置的阀V7为止的容量即配管41的容量设为C2。同样，将返回配管43的容量设为C3，将从上述的第二位置至过滤器26的入口为止的配管的容量设为C4。其中，上述的过滤器26的入口和出口是在过滤器26连接配管的连接用口。
从过滤器26的出口至第一位置为止的配管，以C1＜A1的方式设置。此外，配管容量由配管的长度和直径决定。由此，通过过滤器26后被抽吸的抗蚀剂液可靠地在从第一位置去往泵42的配管41中流动，因此能够通过处理用的释放动作将通过了过滤器的清洁的抗蚀剂送入喷嘴22一侧。
另外，配管41被设置成A2＜C2＜泵42可补充的容量(以下为Cp)。此处所谓的Cp，是指通过泵42的吸液动作能够被吸入并贮存在内部的容量。由于A2＜C2，因此与图1所示例子同样，在处理用的释放时，不使贮存于泵42内的抗蚀剂液流入抗蚀剂供给配管21，由此能够防止用于处理的抗蚀剂中产生颗粒。由于C2＜Cp，因此容易通过泵42的吸液动作等置换从抗蚀剂供给配管21向泵42分支的配管41内的抗蚀剂，不限于泵42内，配管41内的滞留导致的颗粒产生的风险也受到抑制。此外，当C3＜Cp时，控制回流用的释放的量的返回配管43内的抗蚀剂的置换性也变得良好，故而优选。此外，当C2+A2＜Cp且C3+A2＜Cp时，进行了处理用的释放之后也能够置换配管41和返回配管43内的抗蚀剂，故而更优选。即，从泵42向返回配管43供给液，将返回配管43内的液全部置换。在这样的情况下，如上所述C3＜Cp、C3+A2＜Cp时，在泵42中还有残留有液，泵42不进行吸液动作而继续进行从喷嘴22释放液的释放动作，故而优选。此外，在从喷嘴42释放了液之后，当C2+A2＜Cp时能够释放液以使得泵42不进行吸液动作地将配管41的液全部置换，故而优选。
从上述的第二位置至过滤器26的入口为止的配管，被设置成C4＜A4。因此，在回流用的释放时，能够高效地使抗蚀剂通过过滤器26来捕获颗粒。上述的C1～C4、Cp的单位与A1～A4的单位相同。
如上所述在图12所示的例子中，与其他图中所示的例子相比，回流用的释放动作时抗蚀剂流通的配管流路不同，处理、排出等其他释放动作能够同样地进行。对此进行补充说明，在该图12所示的例子中，在泵42进行吸液动作时，不从返回配管43吸液而从配管41吸液。然后，将泵42内的液供给到返回配管43。例如泵42的吸液量A1能够自由设定，该吸液量A1的最大设定值为上述的Cp。而且如图1等中所示的结构例，可以按如下顺序反复进行泵42的吸液、对喷嘴22的液供给、从泵42的排液、对返回配管43的液供给，也可以不按该顺序进行。具体而言，也可以不进行从泵42的排液，可以在每进行多次泵42的吸液和对喷嘴22的液供给时，进行一次对返回配管43的液供给。
另外，过滤器26并不限定于设置在上述的位置，也可以设置在例如返回配管43。即，也可以为，使抗蚀剂在由返回配管43构成的循环管路51中循环之后，进行上述的步骤S1～S4的循环，将抗蚀剂释放到晶片W。此外，并不限定于像这样在循环管路51设置过滤器26，也可以在第一连接流路52或第二连接流路53设置过滤器。
处理液并不限定于抗蚀剂，也可以是通过泵对基片供给的其他处理液。作为抗蚀剂以外的处理液，可以例举出例如防反射膜形成用的药液、绝缘膜形成用的药液、显影液和将基片彼此贴合的粘合剂。作为其的处理液，可以例举出稀释剂，其用于在抗蚀剂之前供给到晶片W以提高对于该抗蚀剂的湿润性。另外，上述的各实施方式能够适当变更或适当组合。
附图标记说明
W 晶片W
1 抗蚀剂涂敷装置
10 控制部
12 旋转卡盘
21 主配管
22 喷嘴
23 瓶
26 过滤器
27 缓冲罐
42 泵
44 流量计。

Claims (13)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：
将从处理液供给源供给的用于处理基片的处理液释放到该基片的喷嘴；
将所述处理液供给源和所述喷嘴连接的主流路；
设置于所述主流路的过滤器；
从所述主流路分支的分支管路；
设置于所述分支管路的端部的泵；以及
控制部，其输出控制信号以进行第一步骤和接着的第二步骤，其中，所述第一步骤用所述泵进行吸液以使得从所述处理液供给源供给来的所述处理液流入所述分支管路，所述第二步骤从所述泵向所述分支管路释放比该分支管路的容量少的量的该处理液以从所述喷嘴释放所述处理液。
2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述主流路包括：循环管路；从该循环管路的第一位置分支而连接到所述喷嘴的第一连接流路；和第二连接流路，其在所述循环管路中从在处理液的循环方向上与所述第一位置不同的第二位置分支而连接到所述处理液供给源，
所述过滤器设置于所述循环管路，
所述分支管路在该循环管路中从在所述循环方向上与第一位置、第二位置不同的第三位置分支。
3.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述主流路包括：循环管路；从该循环管路的第一位置分支而连接到所述喷嘴的第一连接流路；和第二连接流路，其在所述循环管路中从在处理液的循环方向上与所述第一位置不同的第二位置分支而连接到所述处理液供给源，
所述过滤器和所述泵分别设置于所述循环管路中被所述第一位置和所述第二位置分开的区域中。
4.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
在所述泵连接有与所述分支管路不同的能够释放所述处理液的排液管路，
所述控制部输出控制信号以进行从所述泵对所述排液管路释放处理液的第三步骤，
所述第一步骤中的所述泵的吸液量，是第二步骤和第三步骤中的来自所述泵的释放量的合计量以上的量。
5.如权利要求2所述的液处理装置，其特征在于：
所述控制部输出控制信号以进行第四步骤，所述第四步骤从所述泵释放处理液以经由所述循环管路向所述过滤器的一次侧供给所述处理液，
所述第一步骤中的所述泵的吸液量，是所述第二步骤和所述第四步骤中的来自所述泵的释放量的合计量以上的量。
6.如权利要求5所述的液处理装置，其特征在于：
所述控制部输出控制信号以进行所述第三步骤和第四步骤，
所述第一步骤中的所述泵的吸液量，与第二～第四步骤中的来自所述泵的释放量的合计量相同。
7.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
在所述分支管路设置有检测所述分支管路中的所述处理液的流量的第一流量检测部，
所述控制部基于由该第一流量检测部检测出的流量来判断是否有异常。
8.如权利要求7所述的液处理装置，其特征在于：
所述第一流量检测部设置于所述分支管路中比连接所述主流路的位置靠近所述泵的位置。
9.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
在所述主流路设置有检测所述分支管路中的所述处理液的流量的第二流量检测部，
所述控制部基于由该第一流量检测部和第二流量检测部分别检测出的流量来判断是否有异常。
10.如权利要求3所述的液处理装置，其特征在于：
从所述过滤器设置至所述第一位置为止的配管的容量，小于所述第一步骤中的所述泵的吸液量。
11.如权利要求3所述的液处理装置，其特征在于：
从所述第一位置设置至所述泵为止的配管的容量，小于所述泵能够补充的容量。
12.如权利要求3所述的液处理装置，其特征在于：
所述控制部输出控制信号以进行第四步骤，所述第四步骤从所述泵释放处理液以经由所述循环管路向所述过滤器的一次侧供给所述处理液，
从所述第二位置设置至所述过滤器为止的配管的容量，小于所述第四步骤中的来自所述泵的释放量。
13.一种液处理方法，其特征在于，包括：
将用于处理基片的处理液从喷嘴释放到该基片的步骤；
使所述处理液在主流路中流通的步骤，其中所述主流路将所述处理液供给源和所述喷嘴连接并且设置有过滤器；
使处理液在分支管路中流通的步骤，其中所述分支管路从所述主流路分支而形成，在其端部设置有泵；
进行所述泵的吸液以使得从所述处理液供给源供给来的所述处理液流入分支管路的第一步骤；以及接着的第二步骤，所述第二步骤从所述泵向所述分支管路释放比该分支管路的容量少的量的处理液以从所述喷嘴释放处理液。
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