JP2022187235A - 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 109
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01D—SEPARATION
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- B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1026—Valves
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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Abstract
【課題】基板に対する処理液の吐出部に供給する処理液であってフィルタで濾過した処理液の清浄度を保つ。【解決手段】基板に処理液を吐出する吐出部に前記処理液を供給する処理液供給装置であって、前記吐出部に接続された供給管路と、前記供給管路に介設され、前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、前記供給管路における前記ポンプの下流側に介設された第1開閉弁と、前記供給管路における前記ポンプと前記第1開閉弁との間に介設され、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給管路における前記フィルタと前記第1開閉弁との間から分岐され、前記供給管路から前記処理液を排出する排出管路と、前記排出管路に接続され、前記供給管路から排出された前記処理液を貯留する貯留部と、前記排出管路に介設された第2開閉弁と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記供給管路における前記第1開閉弁より上流側の部分に、前記フィルタにより濾過された前記処理液が、所定時間以上留まることがないよう、前記第1開閉弁及び前記第2開閉弁を制御する。【選択図】図1
Description
本開示は、処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体に関する。
特許文献1には、基板の表面に液供給ノズルから処理液を供給して処理を施すための液処理装置に設けられ、液供給ノズルと処理液の液供給部との間に構成される処理液供給配管回路が開示されている。この処理液供給配管回路は、液供給部から供給配管を通じて供給される処理液を一旦貯留する中間タンクと、中間タンクの上方に接続され内部の処理液を減圧して脱気させるための排気配管と、中間タンクの出口側から処理液を吸液して吐出動作を連続させる送液ポンプと、を備える。さらに、処理液供給配管回路は、送液ポンプの吐出側となる送液ポンプ二次側配管と液供給ノズルとの間の配管に設けられ、液供給ノズル側に向かう処理液の流れの開閉を行なう開閉バルブと、開閉バルブの一次側の配管から分岐されて中間タンクに連通して処理液を循環する循環配管と、循環配管の処理液の流れを開閉する循環バルブと、を備えている。
本開示にかかる技術は、基板に対する処理液の吐出部に供給する処理液であってフィルタで濾過した処理液の清浄度を保つ。
本開示の一態様は、基板に処理液を吐出する吐出部に前記処理液を供給する処理液供給装置であって、前記吐出部に接続された供給管路と、前記供給管路に介設され、前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、前記供給管路における前記ポンプの下流側に介設された第1開閉弁と、前記供給管路における前記ポンプと前記第1開閉弁との間に介設され、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給管路における前記フィルタと前記第1開閉弁との間から分岐され、前記供給管路から前記処理液を排出する排出管路と、前記排出管路に接続され、前記供給管路から排出された前記処理液を貯留する貯留部と、前記排出管路に介設された第2開閉弁と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記供給管路における前記第1開閉弁より上流側の部分に、前記フィルタにより濾過された前記処理液が、所定時間以上留まることがないよう、前記第1開閉弁及び前記第2開閉弁を制御する。
本開示によれば、基板に対する処理液の吐出部に供給する処理液であってフィルタで濾過した処理液の清浄度を保つことができる。
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)等の基板上に所定のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、基板上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が含まれる。
上述の塗布処理時や現像処理時にレジスト液や現像液等の処理液を吐出ノズルに供給する装置には、吐出ノズルに接続された供給管路に、処理液中の微細な異物(パーティクル)を除去するフィルタが介設されている。
しかし、本発明者らが鋭意調査をしたところ、上述のようにフィルタを設けたとしても、供給管路内に処理液が長時間留まると、基板に吐出する処理液には異物が含まれ欠陥として検出される場合があることが判明した。
これは、処理液をフィルタにより複数回濾過するための循環路を用い、上記複数回濾過された処理液を基板に吐出する場合でも同様である。
これは、処理液をフィルタにより複数回濾過するための循環路を用い、上記複数回濾過された処理液を基板に吐出する場合でも同様である。
そこで、本開示にかかる技術は、フィルタで濾過し基板に対する処理液の吐出部に供給する、処理液の清浄度を保つ。
以下、本実施形態にかかる処理液供給装置及び処理液供給方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態にかかる処理液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
図1の処理液供給装置100は、吐出部としての吐出ノズル1に処理液を供給する。吐出ノズル1は、保持部であるスピンチャック2に保持された基板としてのウェハWに処理液を吐出する。処理液供給装置100が供給し吐出ノズル1が吐出する処理液は例えばレジスト液である。
図1は、第1実施形態にかかる処理液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
図1の処理液供給装置100は、吐出部としての吐出ノズル1に処理液を供給する。吐出ノズル1は、保持部であるスピンチャック2に保持された基板としてのウェハWに処理液を吐出する。処理液供給装置100が供給し吐出ノズル1が吐出する処理液は例えばレジスト液である。
処理液供給装置100は、吐出ノズル1に接続された供給管路150を備えている。供給管路150は、例えば、一端が吐出ノズル1に接続され、他端がレジスト液ボトル101に接続されている。
レジスト液ボトル101は、内部にレジスト液を貯留する供給源であり、取り換え可能なものである。レジスト液ボトル101には、開閉弁V1が介設された気体供給管路151も接続されている。気体供給管路151は、窒素ガス等の不活性ガスの供給源であるガス供給源110とレジスト液ボトル101とを接続するものであり、開閉弁V1の上流側に圧力調整用の電空レギュレータ111が設けられている。
供給管路150には、バッファタンク102、ポンプ103、フィルタ104が、上流側からこの順に介設されている。
供給管路150は、レジスト液ボトル101とバッファタンク102とを接続する第1供給管路150aと、バッファタンク102とポンプ103とを接続する第2供給管路150bと、ポンプ103と吐出ノズル1とを接続しフィルタ104が介設された第3供給管路150cと、を有する。
供給管路150は、レジスト液ボトル101とバッファタンク102とを接続する第1供給管路150aと、バッファタンク102とポンプ103とを接続する第2供給管路150bと、ポンプ103と吐出ノズル1とを接続しフィルタ104が介設された第3供給管路150cと、を有する。
第1供給管路150aには開閉弁V2が介設されている。
第2供給管路150bには開閉弁V3が介設されている。
第2供給管路150bには開閉弁V3が介設されている。
第3供給管路150cにおけるポンプ103とフィルタ104との間には開閉弁V4が介設されている。また、第3供給管路150cにおけるフィルタ104と吐出ノズル1との間に開閉弁V5と供給制御弁V6とが上流側からこの順に介設されている。
言い換えると、第3供給管路150cにおけるポンプ103の二次側且つ下流側に、開閉弁V5が介設され、第3供給管路150cにおけるポンプ103と開閉弁V5との間に、フィルタ104が介設されている。
言い換えると、第3供給管路150cにおけるポンプ103の二次側且つ下流側に、開閉弁V5が介設され、第3供給管路150cにおけるポンプ103と開閉弁V5との間に、フィルタ104が介設されている。
バッファタンク102は、レジスト液ボトル101から移送されポンプ103へ送出されるレジスト液を貯留する貯留部である。バッファタンク102には、貯留残量を検出する液面センサ(図示せず)が設けられており、当該液面センサによる検出結果に応じて開閉弁V1、V2が開閉され、レジスト液ボトル101からバッファタンク102へのレジスト液の供給すなわち補充が開始、停止される。
ポンプ103は、レジスト液を吸入、送出するものであり、例えば磁気浮上型遠心ポンプである。ポンプ103は、バッファタンク102からレジスト液を吸入し、そのレジスト液を吐出ノズル1等に圧送する。
フィルタ104は、レジスト液を濾過してパーティクルを除去する。具体的には、フィルタ104は、ポンプ103から送出されたレジスト液を濾過して当該レジスト液内のパーティクルを除去する。
フィルタ104は、レジスト液を濾過してパーティクルを除去する。具体的には、フィルタ104は、ポンプ103から送出されたレジスト液を濾過して当該レジスト液内のパーティクルを除去する。
また、処理液供給装置100は、排出管路152を備えている。排出管路152は、第3供給管路150cにおけるフィルタ104と開閉弁V5との間から分岐され、供給管路150からレジスト液を排出する。
排出管路152における下流側端には、供給管路150から排出されたレジスト液を貯留する貯留部としてのタンク105が接続されている。また、排出管路152には、開閉弁V7が介設されている。タンク105には、例えば、フィルタ104より容量が大きいものが用いられる。
さらに、処理液供給装置100は、パージ用管路153を備えている。パージ用管路153は、上流側端がタンク105に接続され、且つ、下流側端が第3供給管路150cにおける開閉弁V5と吐出ノズル1との間(具体的には開閉弁V5と供給制御弁V6との間)に接続されている。パージ用管路153には、ポンプ106が介設され、ポンプ106より下流側に開閉弁V8が介設されている。
ポンプ106は、レジスト液を吸入、送出するものであり、例えば磁気浮上型遠心ポンプである。ポンプ103は、タンク105からレジスト液を吸入し、そのレジスト液を吐出ノズル1に圧送する。
また、処理液供給装置100は、戻り管路154を備えている。戻り管路154は、その一端が、排出管路152と同様、第3供給管路150cにおけるフィルタ104と開閉弁V5との間から分岐されている。本例において、戻り管路154は、排出管路152と共に第3供給管路150cから分岐されており、言い換えると、戻り管路154と排出管路152は、第3供給管路150c側の一部を共有している。また、戻り管路154は、その他端が、供給管路150におけるポンプ103の下流側に接続されている。本例では、戻り管路154は、上記他端が、バッファタンク102に接続されている。さらに、戻り管路154には開閉弁V9が介設されている。
この戻り管路154は、供給管路150の一部と共にレジスト液の循環路155を構成する。
「供給管路150の一部」とは、供給管路150におけるポンプ103及びフィルタ104を含む部分であり、より具体的には、供給管路150におけるバッファタンク102、ポンプ103及びフィルタ104を含む部分である。
「供給管路150の一部」とは、供給管路150におけるポンプ103及びフィルタ104を含む部分であり、より具体的には、供給管路150におけるバッファタンク102、ポンプ103及びフィルタ104を含む部分である。
さらに、処理液供給装置100は、制御部Mを備える。制御部Mは、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、処理液供給装置100における処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御部Mにインストールされたものであってもよい。記憶媒体Hは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア(回路基板)で実現してもよい。
処理液供給装置100に設けられた各弁には、制御部Mにより制御可能な電磁弁や空気作動弁が用いられ、各弁と制御部Mは電気的に接続されている。また、制御部Mは、ポンプ103、106と電気的に接続されている。この構成により、処理液供給装置100における一連の処理は制御部Mの制御の下、自動で行うことが可能となっている。
<処理液供給装置100の動作>
次に、図2~図6に基づいて、処理液供給装置100の動作について説明する。図2~図4、図6はそれぞれ、通常吐出動作時、循環動作時、排出動作時及びノズル洗浄動作時の処理液供給装置100の状態を示す図である。図5は、排出動作を行う理由を説明するための図である。図2~図4及び図6では、開状態の弁を白塗りで、閉状態の弁を黒塗りで、処理液が流通している管を太線で示すことで、その他の弁の開閉状態については説明を省略する。なお、各動作の前において、供給管路150、排出管路152、パージ用管路153及び戻り管路154は予めレジスト液が充填されているものとする。また、以下の各動作は、制御部Mの制御の下、行われる。
次に、図2~図6に基づいて、処理液供給装置100の動作について説明する。図2~図4、図6はそれぞれ、通常吐出動作時、循環動作時、排出動作時及びノズル洗浄動作時の処理液供給装置100の状態を示す図である。図5は、排出動作を行う理由を説明するための図である。図2~図4及び図6では、開状態の弁を白塗りで、閉状態の弁を黒塗りで、処理液が流通している管を太線で示すことで、その他の弁の開閉状態については説明を省略する。なお、各動作の前において、供給管路150、排出管路152、パージ用管路153及び戻り管路154は予めレジスト液が充填されているものとする。また、以下の各動作は、制御部Mの制御の下、行われる。
<通常吐出>
製品ウェハWに対し吐出ノズル1から吐出する通常吐出の際は、図2に示すように、開閉弁V7、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V5及び供給制御弁V6が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。これにより、第3供給管路150cに充填されていたレジスト液(及びポンプ103から送出されたレジスト液)が、吐出ノズル1へ向けて所定流量供給され、当該吐出ノズル1を介して、製品ウェハW上に吐出される。
製品ウェハWに対し吐出ノズル1から吐出する通常吐出の際は、図2に示すように、開閉弁V7、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V5及び供給制御弁V6が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。これにより、第3供給管路150cに充填されていたレジスト液(及びポンプ103から送出されたレジスト液)が、吐出ノズル1へ向けて所定流量供給され、当該吐出ノズル1を介して、製品ウェハW上に吐出される。
<循環>
上述の通常吐出が行われていない間は、戻り管路154等により構成される循環路155内をレジスト液が循環し滞留することがないよう、処理液供給装置100は動作する。具体的には、図3に示すように、開閉弁V5、V7等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V9が開状態とされる。そして、ポンプ103が駆動される。これにより、戻り管路154、バッファタンク102等を含む循環路155内のレジスト液が、フィルタ104に濾過されながら循環する。
なお、この循環は、処理液供給装置100の立ち上げ時やバッファタンク102へのレジスト液の補充直後にも行われる。この際は、レジスト液がフィルタ104により複数回濾過されるように、上記循環が行われる。
このようにレジスト液の循環を行うことで、フィルタやバッファタンク102に付着していたパーティクルが、滞留によりレジスト液に溶出することを抑制することができる。
上述の通常吐出が行われていない間は、戻り管路154等により構成される循環路155内をレジスト液が循環し滞留することがないよう、処理液供給装置100は動作する。具体的には、図3に示すように、開閉弁V5、V7等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V9が開状態とされる。そして、ポンプ103が駆動される。これにより、戻り管路154、バッファタンク102等を含む循環路155内のレジスト液が、フィルタ104に濾過されながら循環する。
なお、この循環は、処理液供給装置100の立ち上げ時やバッファタンク102へのレジスト液の補充直後にも行われる。この際は、レジスト液がフィルタ104により複数回濾過されるように、上記循環が行われる。
このようにレジスト液の循環を行うことで、フィルタやバッファタンク102に付着していたパーティクルが、滞留によりレジスト液に溶出することを抑制することができる。
<定期ダミー吐出>
製品ウェハWに対する吐出ノズル1からの吐出が、ある一定の時間以上行われていない場合、吐出ノズル1からウェハWとは異なる場所に向けて定期的に吐出する定期ダミー吐出が行われる。定期ダミー吐出の際は、上述の通常吐出と同様に、開閉弁V7、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V4、V5及び供給制御弁V6が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。これにより、第3供給管路150cにおける開閉弁V5より下流側の部分に滞留していたレジスト液が、上記循環路内の処理液により押し出され、少なくともその一部が吐出ノズル1から吐出される。
ダミー吐出は、例えば5分毎に行われ、一回の吐出量は例えば3mlである。
製品ウェハWに対する吐出ノズル1からの吐出が、ある一定の時間以上行われていない場合、吐出ノズル1からウェハWとは異なる場所に向けて定期的に吐出する定期ダミー吐出が行われる。定期ダミー吐出の際は、上述の通常吐出と同様に、開閉弁V7、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V4、V5及び供給制御弁V6が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。これにより、第3供給管路150cにおける開閉弁V5より下流側の部分に滞留していたレジスト液が、上記循環路内の処理液により押し出され、少なくともその一部が吐出ノズル1から吐出される。
ダミー吐出は、例えば5分毎に行われ、一回の吐出量は例えば3mlである。
<排出>
また、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には循環路155)に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないように、処理液供給装置100は、排出動作を行う。排出動作では、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には戻り管路154を含む循環路155)内の所定量のレジスト液が、例えば、所定間隔毎に、排出管路152に排出される。排出動作では、具体的には、図4に示すように、開閉弁V5、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V7が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。これによって排出管路152に排出されたレジスト液は、最終的にタンク105に貯留される。
また、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には循環路155)に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないように、処理液供給装置100は、排出動作を行う。排出動作では、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には戻り管路154を含む循環路155)内の所定量のレジスト液が、例えば、所定間隔毎に、排出管路152に排出される。排出動作では、具体的には、図4に示すように、開閉弁V5、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V7が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。これによって排出管路152に排出されたレジスト液は、最終的にタンク105に貯留される。
ここで、このような排出動作を行う理由について図5を用いて説明する。図5には、処理液供給装置100と同様な循環路を有する装置において、循環路を循環させたレジスト液をウェハW上に吐出したときに観測された、レジスト液内の欠陥(ウェットパーティクル)の数(縦軸)と、循環させた時間(横軸)との関係が示されている。図5の結果は、レジスト液内の1nmの異物を除去可能なフィルタ104を用い、ウェハW上に吐出されたレジスト液内の15nm以上の物を欠陥として検出したときの結果である。
循環させた時間(以下、循環時間)を長くするほど、レジスト液がフィルタ104により濾過される回数は増えるため、欠陥の数が少なくすることが期待される。また、そもそも循環の目的は、レジスト液が滞留することを防ぐこと、具体的には、フィルタやバッファタンク102に付着していたパーティクルがレジスト液に溶出し、欠陥の原因になることを防ぐことにある。しかし、実際には、図5に示すように循環時間が60分を超えると、循環時の流量によらず、欠陥数が増加していた。
そこで、処理液供給装置100は、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には戻り管路154を含む循環路155)に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないように、上述の排出動作を行っている。上記所定時間は、図5に示した結果を踏まえれば、例えば60分である。
例えば、循環路155の容積が130ml程度であり、定期ダミー吐出で5分毎に3mlのレジスト液が吐出される場合、フィルタ104により濾過されたレジスト液が60分以上留まることがないようにするためには、排出動作では、2分毎に3mlのレジスト液が吐出される。
例えば、循環路155の容積が130ml程度であり、定期ダミー吐出で5分毎に3mlのレジスト液が吐出される場合、フィルタ104により濾過されたレジスト液が60分以上留まることがないようにするためには、排出動作では、2分毎に3mlのレジスト液が吐出される。
なお、循環時間が60分を超えると欠陥の数が増加する理由としては、以下が考えられる。すなわち、フィルタ104が有するメンブレンには、当該フィルタ104では除去することができない微細なパーティクルが付着していることがあり、この微細なパーティクルはフィルタ104のメンブレンから剥離されレジスト液内に混入しうる。つまり、上記微細なパーティクルがレジスト液内に溶出される。そして、循環時間が長くなるほど、レジスト液内に混入する上記微細なパーティクルの数が多くなり、ウェハW上に吐出したときに欠陥として検出される部分も多くなる。これが理由として考えられる。
また、上述のように循環中にレジスト液内に混入するパーティクルは、フィルタ104のメンブレン等の構成部材に付着していたものであるため、循環時間とレジスト液内に溶出する欠陥の数との関係は、フィルタ104の構成部材の清浄度に異存する。したがって、フィルタ104の構成部材の清浄度が高ければ、例えば60分以上の循環を行ったとしてもフィルタ104からレジスト液に溶出するパーティクルの数は少なくなり、上記清浄度が低ければ、60分未満の循環でもフィルタ104からレジスト液へのパーティクルの溶出の影響が大きくなる。
<排出の他の例>
以上の例の排出動作では、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には戻り管路154を含む循環路155)から、一定間隔毎に所定量のレジスト液が排出されていた。これに代えて、または、これに加えて、処理液供給装置100のメンテナンス時等、開閉弁V5が上記所定時間以上に亘って開状態とならない場合(すなわち連続して閉状態のままの場合)に、フィルタ104内の全てのレジスト液が当該フィルタ104から排出管路152に設けて排出され、その分のレジスト液がタンク105にされてもよい。この場合も、図4に示すように、開閉弁V5、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V7が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。
本例の排出動作が行われる場合、タンク105は、フィルタ104より容量が大きいものとされる。これにより、タンク105は、少なくとも、フィルタ104内の全てのレジスト液と同量のレジスト液を貯留することができる。
以上の例の排出動作では、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には戻り管路154を含む循環路155)から、一定間隔毎に所定量のレジスト液が排出されていた。これに代えて、または、これに加えて、処理液供給装置100のメンテナンス時等、開閉弁V5が上記所定時間以上に亘って開状態とならない場合(すなわち連続して閉状態のままの場合)に、フィルタ104内の全てのレジスト液が当該フィルタ104から排出管路152に設けて排出され、その分のレジスト液がタンク105にされてもよい。この場合も、図4に示すように、開閉弁V5、V9等が閉状態とされたまま、開閉弁V3、V4、V7が開状態とされ、ポンプ103が駆動される。
本例の排出動作が行われる場合、タンク105は、フィルタ104より容量が大きいものとされる。これにより、タンク105は、少なくとも、フィルタ104内の全てのレジスト液と同量のレジスト液を貯留することができる。
<ノズル洗浄>
タンク105に貯留されたレジスト液は例えば以下のようにして用いられる。
所定の条件(例えば、一定の時間経過毎という条件やロット毎という条件、製品ウェハWに対する吐出の開始直前または再開始直前という条件)が満たされると、タンク105に貯留されたレジスト液は、パージ用管路153を介して吐出ノズル1に向けて大量(例えば30ml)に供給され、その結果、当該吐出ノズル1内等のレジスト液が押し出され、製品ウェハWとは異なる場所に吐出される。これにより、吐出ノズル1からウェハWに吐出されるレジスト液の清浄度を高く維持することができる。
タンク105に貯留されたレジスト液を、パージ用管路153を介して吐出ノズル1に向けて供給するには、図6に示すように、開閉弁V5、V7、V9等を閉状態としたまま、開閉弁V8及び供給制御弁V6を開状態とし、ポンプ103を駆動させればよい。
タンク105に貯留されたレジスト液は例えば以下のようにして用いられる。
所定の条件(例えば、一定の時間経過毎という条件やロット毎という条件、製品ウェハWに対する吐出の開始直前または再開始直前という条件)が満たされると、タンク105に貯留されたレジスト液は、パージ用管路153を介して吐出ノズル1に向けて大量(例えば30ml)に供給され、その結果、当該吐出ノズル1内等のレジスト液が押し出され、製品ウェハWとは異なる場所に吐出される。これにより、吐出ノズル1からウェハWに吐出されるレジスト液の清浄度を高く維持することができる。
タンク105に貯留されたレジスト液を、パージ用管路153を介して吐出ノズル1に向けて供給するには、図6に示すように、開閉弁V5、V7、V9等を閉状態としたまま、開閉弁V8及び供給制御弁V6を開状態とし、ポンプ103を駆動させればよい。
<主な効果>
以上のように、本実施形態では、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には循環路155)に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないよう、開閉弁V5、V7等を制御している。したがって、吐出ノズル1に供給するレジスト液内の、フィルタ104から溶出した微細なパーティクルの数を抑制することができ、レジスト液の清浄度を保つことができる。
以上のように、本実施形態では、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分(具体的には循環路155)に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないよう、開閉弁V5、V7等を制御している。したがって、吐出ノズル1に供給するレジスト液内の、フィルタ104から溶出した微細なパーティクルの数を抑制することができ、レジスト液の清浄度を保つことができる。
また、本実施形態では、供給管路150から排出動作により吐出ノズル1を経ずに排出された、濾過済みのレジスト液を、タンク105に貯留している。このようにタンク105に濾過済みのレジスト液を貯留することで、当該レジスト液を再利用することができる。例えば、タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液は、上述のノズル洗浄等に用いることができる。
本実施形態において、タンク105に貯留されているのは、複数回濾過済みのレジスト液である。複数回濾過済みのレジスト液をノズル洗浄時に大量に供給することで、少量の定期ダミー吐出を行うよりも、供給管路150における循環路155より吐出ノズル1側のレジスト液の清浄度を高くすることができる。このようにして供給管路150における循環路155より吐出ノズル1側のレジスト液の清浄度を高くし、且つ、循環路155から上述のように排出動作を行えば、処理液供給装置100の配管系統全体の清浄度を高くすることができる。
本実施形態において、タンク105に貯留されているのは、複数回濾過済みのレジスト液である。複数回濾過済みのレジスト液をノズル洗浄時に大量に供給することで、少量の定期ダミー吐出を行うよりも、供給管路150における循環路155より吐出ノズル1側のレジスト液の清浄度を高くすることができる。このようにして供給管路150における循環路155より吐出ノズル1側のレジスト液の清浄度を高くし、且つ、循環路155から上述のように排出動作を行えば、処理液供給装置100の配管系統全体の清浄度を高くすることができる。
<タンクに貯留された濾過済みのレジスト液の利用方法の他の例>
タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液は、他の処理液供給装置の立ち上げ時等に用いることもできる。さらに、タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液は、以下の系を有する処理液供給装置の処理液の供給源や一時貯留部に補充するようにしてもよい。すなわち、本実施形態に係る処理液供給装置100のようには循環路155を有さずフィルタ104により1回濾過したレジスト液を供給する形態の処理液供給装置に対して用いてもよい。また、タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液を製品ウェハWに吐出され利用されるようにしてもよい。
タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液は、他の処理液供給装置の立ち上げ時等に用いることもできる。さらに、タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液は、以下の系を有する処理液供給装置の処理液の供給源や一時貯留部に補充するようにしてもよい。すなわち、本実施形態に係る処理液供給装置100のようには循環路155を有さずフィルタ104により1回濾過したレジスト液を供給する形態の処理液供給装置に対して用いてもよい。また、タンク105に貯留された濾過済みのレジスト液を製品ウェハWに吐出され利用されるようにしてもよい。
(第1実施形態の変形例)
以上の例では、バッファタンク102が設けられていたが、バッファタンク102は省略してもよい。バッファタンク102を省略する場合、吐出ノズル1へのレジスト液の供給の際に、循環路155内がレジスト液で未充填の状態となり循環路155内に気泡が生じないように、上記供給と同時に、循環路155内へのレジスト液の補充が行われる。また、バッファタンク102を省略する場合、循環路155からのレジスト液の排出の際も同様に、排出と同時に、循環路155内へのレジスト液の補充が行われる。
以上の例では、バッファタンク102が設けられていたが、バッファタンク102は省略してもよい。バッファタンク102を省略する場合、吐出ノズル1へのレジスト液の供給の際に、循環路155内がレジスト液で未充填の状態となり循環路155内に気泡が生じないように、上記供給と同時に、循環路155内へのレジスト液の補充が行われる。また、バッファタンク102を省略する場合、循環路155からのレジスト液の排出の際も同様に、排出と同時に、循環路155内へのレジスト液の補充が行われる。
(第2実施形態)
図7は、第2実施形態にかかる処理液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
図7の処理液供給装置100aは、図1の処理液供給装置100から、戻り管路154を省略したものである。
この処理液供給装置100aの場合も、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないよう、開閉弁V5、V7等を制御する。これにより、吐出ノズル1に供給するレジスト液内の、フィルタ104から溶出した微細なパーティクルの数を抑制することができ、レジスト液の清浄度を保つことができる。
図7は、第2実施形態にかかる処理液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
図7の処理液供給装置100aは、図1の処理液供給装置100から、戻り管路154を省略したものである。
この処理液供給装置100aの場合も、フィルタ104を含む、供給管路150における開閉弁V5より上流側の部分に、フィルタ104により濾過されたレジスト液が、所定時間以上留まることがないよう、開閉弁V5、V7等を制御する。これにより、吐出ノズル1に供給するレジスト液内の、フィルタ104から溶出した微細なパーティクルの数を抑制することができ、レジスト液の清浄度を保つことができる。
(その他の変形例)
以上の例では、処理液供給装置100、100a毎に、排出管路152やタンク105、パージ用管路153、ポンプ106等が設けられていた。これに代えて、複数の処理液供給装置100、100a間で、排出管路152やタンク105、パージ用管路153、ポンプ106等を共有するようにしてもよい。
以上の例では、処理液供給装置100、100a毎に、排出管路152やタンク105、パージ用管路153、ポンプ106等が設けられていた。これに代えて、複数の処理液供給装置100、100a間で、排出管路152やタンク105、パージ用管路153、ポンプ106等を共有するようにしてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
1 吐出ノズル
100 処理液供給装置
100a 処理液供給装置
103 ポンプ
104 フィルタ
105 タンク
110 ガス供給源
111 電空レギュレータ
150 供給管路
152 排出管路
M 制御部
V5 開閉弁
V7 開閉弁
W ウェハ
100 処理液供給装置
100a 処理液供給装置
103 ポンプ
104 フィルタ
105 タンク
110 ガス供給源
111 電空レギュレータ
150 供給管路
152 排出管路
M 制御部
V5 開閉弁
V7 開閉弁
W ウェハ
Claims (10)
- 基板に処理液を吐出する吐出部に前記処理液を供給する処理液供給装置であって、
前記吐出部に接続された供給管路と、
前記供給管路に介設され、前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、
前記供給管路における前記ポンプの下流側に介設された第1開閉弁と、
前記供給管路における前記ポンプと前記第1開閉弁との間に介設され、前記処理液を濾過するフィルタと、
前記供給管路における前記フィルタと前記第1開閉弁との間から分岐され、前記供給管路から前記処理液を排出する排出管路と、
前記排出管路に接続され、前記供給管路から排出された前記処理液を貯留する貯留部と、
前記排出管路に介設された第2開閉弁と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記供給管路における前記第1開閉弁より上流側の部分に、前記フィルタにより濾過された前記処理液が、所定時間以上留まることがないよう、前記第1開閉弁及び前記第2開閉弁を制御する、処理液供給装置。 - 上流側端が前記貯留部に接続され、且つ、下流側端が前記供給管路における前記第1開閉弁と前記吐出部との間に接続されたパージ用管路と、
前記パージ用管路に介設された第3開閉弁と、を備える、請求項1に記載の処理液供給装置。 - 前記制御部は、所定の条件を満たすときに、前記貯留部に貯留されていた前記処理液が前記吐出部に向けて供給されるよう、前記第1~第3開閉弁を制御する、請求項2に記載の処理液供給装置。
- 前記貯留部は、前記フィルタより容量が大きい、請求項1~3のいずれか1項に記載の処理液供給装置。
- 前記制御部は、前記第1開閉弁が前記所定時間に亘って開状態とならないとき、前記フィルタ内の全ての処理液が前記排出管路に向けて排出されるよう、前記第1開閉弁及び前記第1開閉弁を制御する、請求項1~4のいずれか1項に記載の処理液供給装置。
- 一端が前記供給管路における前記フィルタと前記第1開閉弁との間から分岐され、他端が前記供給管路における前記ポンプの下流側に接続された戻り管路を備え、
前記戻り管路は、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタを含む部分と共に前記処理液の循環路を構成する、請求項1~5のいずれか1項に記載の処理液供給装置。 - 前記供給管路に介設され、前記ポンプへ送出される処理液を貯留する別の貯留部を備え、
前記戻り管路は、前記他端が前記別の貯留部に接続されている、請求項6に記載の処理液供給装置。 - 前記戻り管路に介設された第4開閉弁を備える、請求項6または7に記載の処理液供給装置。
- 基板に処理液を吐出する吐出部に処理液供給装置を用いて前記処理液を供給する処理液供給方法であって、
前記処理液供給装置は、
前記吐出部に接続された供給管路と、
前記供給管路に介設され、前記吐出部に前記処理液を圧送するポンプと、
前記供給管路における前記ポンプの下流側に介設された第1開閉弁と、
前記供給管路における前記ポンプと前記第1開閉弁との間に介設され、前記処理液を濾過するフィルタと、
前記供給管路における前記フィルタと前記第1開閉弁との間から分岐され、前記供給管路から前記処理液を排出する排出管路と、
前記排出管路に接続され、前記供給管路から排出された前記処理液を貯留する貯留部と、
前記排出管路に介設された第2開閉弁と、を備え、
前記供給管路における前記第1開閉弁より上流側の部分に、前記フィルタにより濾過された前記処理液が、所定時間以上留まることがないよう、前記第1開閉弁及び前記第2開閉弁を制御する工程を含む、処理液供給方法。 - 請求項9に記載の処理液供給方法を前記処理液供給装置によって実行させるように、前記処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021095147A JP2022187235A (ja) | 2021-06-07 | 2021-06-07 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
KR1020220066050A KR20220165196A (ko) | 2021-06-07 | 2022-05-30 | 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체 |
CN202210610418.9A CN115513089A (zh) | 2021-06-07 | 2022-05-31 | 处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021095147A JP2022187235A (ja) | 2021-06-07 | 2021-06-07 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022187235A true JP2022187235A (ja) | 2022-12-19 |
Family
ID=84438248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021095147A Pending JP2022187235A (ja) | 2021-06-07 | 2021-06-07 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022187235A (ja) |
KR (1) | KR20220165196A (ja) |
CN (1) | CN115513089A (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3189821U (ja) | 2014-01-20 | 2014-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給配管回路 |
-
2021
- 2021-06-07 JP JP2021095147A patent/JP2022187235A/ja active Pending
-
2022
- 2022-05-30 KR KR1020220066050A patent/KR20220165196A/ko unknown
- 2022-05-31 CN CN202210610418.9A patent/CN115513089A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220165196A (ko) | 2022-12-14 |
CN115513089A (zh) | 2022-12-23 |
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