KR100211642B1 - 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템 - Google Patents
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Abstract
현상설비에서 현상 후 웨이퍼를 린스(Rinse)하기 위하여 분사노즐에서 분사되는 순수의 압력을 제어하여 웨이퍼 린스시 발생하는 웨이퍼의 세정불량을 방지하는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 순수가 공급라인 중에 설치된 제1레귤레이터에 의해 조절되면서 분사노즐을 통하여 분사되는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템에 있어서, 상기 분사노즐에 일정한 분사압력이 유지되도록 상기 분사노즐에 공기를 공급해주는 공기 공급라인이 더 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서 웨이퍼 세정을 위해서 분사노즐을 통해서 공급되는 순수의 압력을 효과적으로 제어하여 웨이퍼 세정불량을 방지할 수 있다는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래의 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템를 나타내는 개략적인 블럭도이다.
제2도는 본 발명에 따른 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템의 일 실시예를 나타내는 블럭도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 순수공급원 12, 32 : 레귤레이터
14 : 필터 16 : 유량계
18, 34 : 밸브 20 : 분사노즐
30 : 공기공급원
본 발명은 순수(Deionized Water)를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 현상설비에서 현상 후 웨이퍼를 린스(Rinse)하기 위하여 분사노즐에서 분사되는 순수의 압력을 제어하여 웨이퍼 린스시 발생하는 웨이퍼의 세정불량을 방지하는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템에 관한 것이다.
반도체기판 상에 특정한 패턴을 형성하는 방법의 하나는 사진석판공정(Photolithography)이다. 통상 사진석판공정은 반도체기판 상에 감광액인 포토레지스트(Photoresist)를 도포하고 마스크(Mask)를 반도체기판 상에 정렬하고 빛을 투사하여 감광시키는 작업을 수행한다. 그리고 감광된 반도체기판을 현상액에 담구거나 혹은 현상액을 반도체기판 상에 분사하여 현상한다. 현상 단계에서는 감광막의 끝부분이 예리하도록 해야하며 현상액을 바른 후에는 린스로 잔류물질을 제거하는 것이 일반적인 반도체 사진석판공정이다.
제1도는 종래의 반도체 현상공정 후 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템을 나타내는 개략적인 블럭도이다.
제1도를 참조하면, 순수공급원(10)에서 공급되는 순수가 레귤레이터(Regulator : 12)에 의해서 압력이 상승하여 필터(Filter : 14)에 의해서 필터링되도록 구성되어 있다. 그리고 필터링된 순수는 유량계(16)에 의해서 순수의 양이 측정되고 밸브(18)의 개폐동작에 의해서 순수의 흐름이 단속되어 분사노즐(20)로 공급되어 분사노즐(20)의 분사에 의해서 현상액이 잔존하는 웨이퍼를 세정하도록 구성되어 있다.
전술한 구성에 의해서 반도체 현상공정 후 종래의 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템은, 순수공급원(10)에서 공급되는 순수가 웨이퍼에 대한 세정효과를 높이기 위하여 레귤레이터(12)에 의해서 조정가능한 최대압력으로 상승된다. 순수는 레귤레이터(12)에 의해서 상승된 압력으로 필터(14)를 통과한다. 필터(14)는 웨이퍼 세정용으로 이용되는 순수에 불순물이 포함되면 필연적으로 웨이퍼의 불량을 유발하기 때문에 순수에 포함된 불순물을 제거한다. 필터링된 순수는 유량계(16)를 통과하면서 순수의 양이 측정된다. 유량계(16)에서는 세정의 효과를 높이기 위한 순수의 양이 일정양에 도달됨을 확인한다. 유량계(16)에 의해서 순수의 양이 측정되면 밸브(18)의 개폐동작에 의해서 제어되면서 분사노즐(20)로 유입된다. 분사노즐(20)에 유입된 순수는 레귤레이터(12)에 의해서 상승된 압력으로 웨이퍼 상에 분사되어 웨이퍼 상에 잔존하는 현상액을 제거한다.
그런데 종래의 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템은, 레귤레이터의 불량으로 순수의 압력이 하강하거나 혹은 순수의 압력이 일정하지 않을 경우 또는 유량계에서 측정되는 순수의 양이 일정하지 않을 경우, 레귤레이터가 조정가능한 최대값으로 순수의 압력을 제어하고 있어서 레귤레이터의 조정이 불가능하였다. 그래서 웨이퍼에 잔존하는 현상액에 대한 세정이 충분하지 못하여 웨이퍼의 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
이에 본 발명의 목적은, 순수가 공급되는 라인과 독립되는 공급라인으로 공기를 분사노즐로 공급하여 공기의 압력에 의해서 분사노즐에서 웨이퍼 상으로 분사되는 순수의 압력을 제어하여 웨이퍼 세정효과를 높이는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템은, 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 순수가 공급라인 중에 설치된 제1레귤레이터에 의해 조절되면서 분사노즐을 통하여 분사되는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템에 있어서, 상기 분사노즐에 일정한 분사압력이 유지되도록 상기 분사노즐에 공기를 공급해주는 공기 공급 라인이 더 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 현상공정 후 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템의 일 실시예를 나타내는 블럭도이다.
제2도를 참조하면, 순수공급원(10)에서 공급되는 순수가 레귤레이터(12)에 의해서 허용가능한 일정범위 내에서 상승하여 필터(14)에 의해서 필터링되도록 구성되어 있다. 그리고 필터링된 순수는 유량계(16)에 의해서 순수의 양이 측정되고 밸브(18)의 개폐동작에 의해서 순수의 흐름이 단속되어 분사노즐(20)로 공급되도록 구성되어 있다.
그리고 공기공급원(30)에서 공급되는 공기는 레귤레이터(32)에 의해서 허용가능한 일정범위 내에서 압력이 상승하여 밸브(34)의 단속을 받으면서 분사노즐(20)로 공급되도록 구성되어 있다.
분사노즐(20)에서는 순수공급원(10)에서 공급된 순수가 공기공급원(30)에서 공급된 공기의 압력에 의해서 압력이 상승하여 현상액이 흡착되어 있는 웨이퍼 상에 분사되도록 구성되어 있다.
전술한 구성에 의해서 본 발명에 따른 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템은 순수공급원(10)에서 공급되는 순수의 압력이 레귤레이터(12)에 의해서 일정한 수준으로 압력이 상승하여 필터(14)에 의해서 순수에 포함된 불순물을 제거한다. 불순물이 제거된 순수는 유량계(16)에 의해서 유량계(16)를 통과하는 순수의 양이 측정된다. 유량계(16)에 의해서 측정된 일정양의 순수는 밸브(18)에 의해서 순수의 흐름이 제어되어 분사노즐(20)로 공급된다.
한편 공기공급원(30)에서 공급되는 공기는 레귤레이터(32)에 의해서 순수공급원(10)에서 공급되는 순수의 압력보다는 압력이 상승하여 밸브(34)의 단속에 의해서 공기의 흐름이 제어되면서 분사노즐(20)로 공급된다.
분사노즐(20)에 공급된 순수의 압력은 공기의 압력에 의해서 압력이 상승하여 분사노즐을 통해서 웨이퍼 상에 분사되어 웨이퍼 상에 흡착하고 있는 현상액을 세정한다. 만일 레귤레이터(12)의 이상이 발생하여 순수의 압력이 하강하거나 혹은 압력이 일정하지 못하거나 또는 유량계(16)에 측정되는 순수의 양이 웨이퍼를 세정하기에 충분하지 못하면 공기공급원(30)에서 공급되는 공기의 압력을 레귤레이터(32)에 의해서 조정하여 순수공급원(10)에 의해서 공급되는 순수의 압력을 조정한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 세정을 위해서 분사노즐을 통해서 공급되는 순수의 압력을 효과적으로 제어하여 웨이퍼 세정불량을 방지할 수 있다는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 시술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 이하의 특허청구의 범위에 속함은 당연하다.
Claims (3)
- 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 순수가 공급라인 중에 설치된 제1레귤레이터에 의해 압력이 조절되면서 분사노즐을 통하여 분사되는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템에 있어서, 상기 분사노즐에 일정한 분사압력이 유지되도록 상기 분사노즐에 공기를 공급해주는 공기 공급라인이 더 설치되고, 상기 공급라인 중에 제2레귤레이터가 설치되어 공기의 공급량을 조절하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제1레귤레이터와 분사노즐 사이 및 상기 제2레귤레이터와 분사노즐 사이에 각기 밸브가 설치되어 분사압력을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 상기 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제1레귤레이터와 분사노즐 사이에 필터와 유량계가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템.
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| KR1019960000826A KR100211642B1 (ko) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
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