KR20000003673U

KR20000003673U - 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치

Info

Publication number: KR20000003673U
Application number: KR2019980013941U
Authority: KR
Inventors: 장종환
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1998-07-28
Filing date: 1998-07-28
Publication date: 2000-02-25

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치에 관한 것으로, 웨이퍼(14)와 프로젝션 렌즈(11) 사이의 일측에 배기라인(21)을 설치하고, 그 배기라인(21) 상에 흄을 펌핑하기 위한 펌프(22), 배기압을 조절하기 위한 밸브(24), 배기량을 조절하기 위한 유량조절기(23)를 설치하여서 구성하여, 노광작업시 포토레지스트에서 발생되는 흄을 제거함으로써, 프로젝션 렌즈의 오염을 방지하게 된다.

Description

반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치

본 고안은 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치에 관한 것으로, 특히 가열된 포토레지스트에서 발생되는 흄을 제거하여 렌즈의 오염을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중 노광공정에서는 레티클의 회로를 포토레지스트가 도포된 웨이퍼의 상면에 전사하게 되는데, 이와 같은 일련의 노광공정을 진행하기 위한 노광장비의 주요부 구성이 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 노광장비의 주요부 구성을 보인 계통도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 노광장비는 프로젝션 렌즈(1)의 상측에 레티클(2)이 설치되어 있고, 하측에는 포토레지스트(3)가 도포된 웨이퍼(4)가 설치되어 있으며, 상기 레티클(2)의 상측에서 광축을 따라 광발생기에서 발생된 빛(5)이 비춰지도록 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 노광장비를 이용하여 노광작업을 진행하는 순서는, 노광공정의 전단계인 코팅공정에서 상면에 포토레지스트(3)가 도포된 웨이퍼(4)를 노광장비의 웨이퍼 척 상면에 위치시키고, 레티클(2)을 프로젝션 렌즈(1)의 상측에 장착한 다음, 광발생기에서 발생된 빛(5)을 이용하여 레티클(2)에 형성된 패턴을 웨이퍼(4)의 상면에 1샷씩 전사하게된다.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 노광장비에서는 노광작업을 진행하기 위하여 빛(5)을 웨이퍼(4)의 상면에 전사하는 경우에 웨이퍼(4)의 상면에 도포된 포토레지스트(3)가 가열되어 흄이 발생되고, 이와 같이 발생된 흄은 프로젝션 렌즈(1)의 하면에 부착되어 프로젝션 렌즈(1)의 잦은 세정 또는 교체를 필요로 하여 생산성의 저하를 초래하는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 노광작업 진행시 포토레지스트의 가열에 의하여 발생되는 흄을 제거하여 생산성을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 노광장비의 주요부 구성을 보인 계통도.

도 2는 본 고안 렌즈오염장지장치가 설치된 노광장비의 구성을 보인 계통도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

11 : 프로젝션 렌즈 12 : 레티클

14 : 웨이퍼 21 : 배기라인

22 : 펌프 23 : 유량조절기

24 : 밸브

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 프로젝션 렌즈의 상측에 레티클이 설치되고, 하측에 웨이퍼가 위치된 상태에서 노광작업이 진행되도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 노광장비에 있어서, 상기 웨이퍼와 프로젝션 렌즈 사이의 일측에 흄을 배출할 수 있도록 배기라인을 설치하고, 그 배기라인 상에 흄을 펌핑하기 위한 펌프, 배기압을 조절하기 위한 밸브, 배기량을 조절하기 위한 유량조절기를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 고안 렌즈오염장지장치가 설치된 노광장비의 구성을 보인 계통도로서, 도시된 바와 같이, 프로젝션 렌즈(11)의 상측에 패턴이 형성되어 있는 레티클(12)이 설치되어 있고, 하측에는 포토레지스트(13)가 도포되어 있는 웨이퍼(14)가 설치되어 있으며, 레티클(12)의 상측에서 빛(15)이 주사되어 레티클(12)의 패턴을 웨이퍼(14)의 상면에 전사시키도록 구성되어 있는 노광장비의 일반적인 구성은 종래와 동일하다.

여기서, 본 고안의 렌즈오염방지장치(20)로서 상기 웨이퍼(14)와 프로젝션 렌즈(11) 사이의 일측에 입구부가 위치되도록 배기라인(21)이 설치되어 있고, 그 배기라인(21)의 후단부에는 배기라인(21)을 통하여 포토레지스트(13)에서 발생되는 흄을 펌핑하기 위한 펌프(22)가 설치되어 있으며, 상기 배기라인(21) 상에는 배기라인(21)을 통하여 펌핑되는 흄의 유량을 조절하기 위한 유량조절기(23)가 설치되어 있고, 그 유량조절기(22)와 펌프(22)의 사이에는 배기라인(21)으로 흐르는 흄의 배기압을 조절하기 위한 밸브(24)가 설치되어서 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 렌즈오염방지장치가 설치된 노광장비에서는 포토레지스트(13)가 도포된 웨이퍼(14)를 노광장비의 웨이퍼 척 상면에 위치시키고, 레티클(12)을 프로젝션 렌즈(11)의 상측에 장착한 다음, 광발생기에서 발생된 빛(15)을 이용하여 레티클(12)에 형성된 패턴을 웨이퍼(14)의 상면에 1샷씩 전사하는 일반적인 노광작업은 종래와 동일하다.

여기서, 상기 노광작업이 진행되는 동안 렌즈오염방지장치(20)의 펌프(22)가 펌핑을 하여 포토레지스트(13)에서 발생되는 흄을 배기라인(21)을 통하여 배출하고, 그와 같이 펌핑되는 흄은 유량조절기(23)에 의하여 배출되는 양이 조절되며, 그 배기압을 밸브(24)로 조절하게 된다.

즉, 포토레지스트(13)에 주사되는 빛(15)에 의하여 포토레지스트(13)가 열화되어 흄이 발생되는데, 이와 같이 발생된 흄이 프로젝션 렌즈(11)의 하면에 부착되기 전에 렌즈오염방지장치(20)에 의하여 제거된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치는 웨이퍼와 프로젝션 렌즈 사이의 일측에 배기라인을 설치하고, 그 배기라인 상에 흄을 펌핑하기 위한 펌프, 배기압을 조절하기 위한 밸브, 배기량을 조절하기 위한 유량조절기를 설치하여서 구성되어, 노광작업시 포토레지스트에서 발생되는 흄을 제거함으로써, 프로젝션 렌즈의 오염에 의한 세정 및 교체를 방지하게 되어 생산성 향상의 효과가 있다.

Claims

프로젝션 렌즈의 상측에 레티클이 설치되고, 하측에 웨이퍼가 위치된 상태에서 노광작업이 진행되도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 노광장비에 있어서, 상기 웨이퍼와 프로젝션 렌즈 사이의 일측에 흄을 배출할 수 있도록 배기라인을 설치하고, 그 배기라인 상에 흄을 펌핑하기 위한 펌프, 배기압을 조절하기 위한 밸브, 배기량을 조절하기 위한 유량조절기를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 노광장비의 렌즈오염방지장치.