KR20000003658A - 초순수 온도 제어 장치 - Google Patents

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KR20000003658A
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김점곤
변기헌
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윤종용
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Abstract

포토리소그라피 공정 중에서 현상에 의해 용해된 포토레지스트막을 세정하는데 사용되는 초순수를 공급하는 배관의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 초순수 온도 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치가 개시되어 있다. 초순수가 토출되는 배관의 끝단에 초순수 온도 제어부를 설치함으로써 초순수의 온도를 일정하게 유지시켜 현상 공정 후의 패턴 불량을 방지할 수 있다.

Description

초순수 온도 제어 장치
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토리소그라피 공정 중 현상액을 세정하는 단계에서 초순수(Deionized water)의 온도 변화로 인해 야기되는 패턴 불량을 방지할 수 있는 현상 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 각종 패턴은 포토리소그라피 공정에 의하여 형성된다는 것이널리 알려져 있다. 포토리소그라피 공정은 반도체 기판 상의 절연막이나 도전막 등, 패턴을 형성하여야 할 막 위에 X선이나 자외선 등과 같은 광선의 조사에 의해 용해도(Solubility)가 변하는 포토레지스트막을 도포하는 단계, 상기 포토레지스트막의 소정 부분을 광선에 노출시킨 후 현상에 의해서 용해도가 큰 부분을 제거하여 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 패턴을 형성하여야 할 막의 노출된 부분을 식각 공정에 의해 제거함으로써 배선이나 전극 등의 각종 패턴을 형성하는 단계로 구성된다.
또한, 통상적인 포토리소그라피 공정은 포토레지스트막을 현상액으로 현상한 후 초순수를 이용하여 웨이퍼 상에 존재하는 현상액을 제거하는 세정 단계를 더 구비한다.
도 1은 포토레지스트막을 현상하기 위한 종래의 현상 장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 현상 장치는 초순수 메인 공급부 및 초순수를 웨이퍼 상에 분사하기 위한 분사 노즐(nozzle)을 구비한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 상기 현상 장치는 현상용 화학제를 공급하기 위한 현상액 공급부 및 상기 현상액을 웨이퍼 상에 분사하기 위한 분사 노즐을 구비한다.
도 1에 도시한 바와 같이 종래의 현상 장치는 초순수 메인 공급부로부터 토출구까지("A" 구간) 단순히 배관으로만 연결되어 있으므로, 초순수가 상기 배관을 따라 토출구까지 도달하는 동안 온도 변화가 발생하게 된다. 이러한 초순수의 온도 변화로 인하여 포토레지스트가 물방울 모양으로 웨이퍼의 중심부에 모이게 됨으로써, 현상 공정이 완료된 후 패턴이 제대로 형성되지 않는 부위가 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 포토리소그라피 공정 중 현상액을 세정하는 단계에서 초순수의 온도 변화로 인한 패턴 불량을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공한다.
도 1은 종래의 현상 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명에 의한 현상 장치의 구성도이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토리소그라피 공정 중에서 현상에 의해 용해된 포토레지스트막을 세정하는데 사용되는 초순수를 공급하는 배관의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 초순수 온도 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치를 제공한다.
바람직하게는, 상기 온도 제어부는 상기 초순수가 토출되는 배관의 끝단에 설치된다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토리소그라피 공정 중에서 포토레지스트막을 현상하기 위한 현상 장치에 있어서, 현상된 포토레지스트막을 세정하기 위한 초순수를 공급하기 위한 초순수 메인 공급부; 상기 초순수 메인 공급부로부터 배관으로 연결된 토출구; 상기 토출구로부터 토출된 초순수를 웨이퍼 상에 분사하기 위한 분사 노즐; 및 상기 토출구의 끝단에 설치된 초순수 온도 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 장치를 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 의한 현상 장치의 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 현상 장치는 초순수 메인 공급부, 초순수를 웨이퍼 상에 분사하기 위한 분사 노즐 및 초순수 온도 제어부를 구비한다. 또한, 도시하지는 않았으나, 상기 현상 장치는 현상용 화학제를 공급하기 위한 현상액 공급부 및 상기 현상액을 웨이퍼 상에 분사하기 위한 분사 노즐을 구비한다.
본 발명의 현상 장치는 종래의 것과 마찬가지로 초순수 메인 공급부로부터 토출구까지(즉, "B" 구간) 단순히 배관으로만 연결되어 있으므로, 상기 B 구간에서는 초순수의 온도를 제어하지 못한다. 그러나, 본 발명의 현상 장치는 상기 토출구의 끝단에 초순수 온도 제어부를 설치함으로써, 초순수 온도 제어부에서 분사 노즐까지(즉, "C" 구간) 초순수의 온도를 예컨대 23.5℃ 내지 24℃로 일정하게 유지시킬 수 있다. 따라서, 상기 C 구간에서 일정한 온도로 제어된 초순수를 웨이퍼 상에 분사하므로 현상 공정이 완료된 후 야기되는 패턴 불량을 방지할 수 있다.
통상적으로, 초순수의 분사 노즐은 웨이퍼의 중심부에 분사하기 위한 제1 분사 노즐과 웨이퍼의 엣지부에 분사하기 위한 제2 분사 노즐로 나뉘어진다. 따라서, 상기와 같이 분사 노즐이 병렬로 나뉘어지는 지점의 앞단에 초순수 온도 제어부를 설치하는 것이 가장 바람직하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 초순수가 토출되는 배관의 끝단에 초순수 온도 제어부를 설치함으로써 초순수의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 따라서, 현상 공정 후의 패턴 불량을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. 포토리소그라피 공정 중에서 현상에 의해 용해된 포토레지스트막을 세정하는데 사용되는 초순수를 공급하는 배관의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 초순수 온도 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도 제어부는 상기 초순수가 토출되는 배관의 끝단에 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 포토리소그라피 공정 중에서 포토레지스트막을 현상하기 위한 현상 장치에 있어서,
    현상된 포토레지스트막을 세정하기 위한 초순수를 공급하기 위한 초순수 메인 공급부;
    상기 초순수 메인 공급부로부터 배관으로 연결된 토출구;
    상기 토출구로부터 토출된 초순수를 웨이퍼 상에 분사하기 위한 분사 노즐; 및
    상기 토출구의 끝단에 설치된 초순수 온도 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
KR1019980024920A 1998-06-29 1998-06-29 초순수 온도 제어 장치 KR20000003658A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010097702A (ko) * 2000-04-25 2001-11-08 박종섭 웨이퍼 현상 장치
KR100802269B1 (ko) * 2001-12-29 2008-02-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 세정장치 및 이를 이용한 세정방법

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