KR20200078457A - 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법 - Google Patents

수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제어 방법에 관한 것이고, 구체적으로 수증기 및 산소를 공급하여 포토 공정 후 포토레지스트를 제거하는 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법에 관한 것이다. 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법은 포토레지스트 스트립 모듈(14)로 온도 조절이 된 수증기를 공급하는 수증기 공급 모듈(11); 수증기 공급 모듈(11)과 독립적으로 또는 연동되어 산소(O2)를 공급하는 기체 공급 모듈(12); 및 포토레지스트 스트립 모듈(14)에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 모듈(13)을 포함한다.

Description

수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법{A Vapor Supplying Type of a Photoresist Striper and a Method for Cleaning a Photoresist by the Same}
본 발명은 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제어 방법에 관한 것이고, 구체적으로 수증기 및 산소를 공급하여 포토 공정 후 포토레지스트를 제거하는 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법에 관한 것이다.
웨이퍼에 회로패턴을 형성시키는 포토 공정(photo lithography)이 진행된 이후 포토레지스트(PR)가 제거되어야 하고, 이와 같은 제거 공정에서 다양한 종류의 유해물질이 발생될 수 있다. 포토레지스트는 고분자 수지, 유기 용제 또는 자외선 감광성 물질을 포함할 수 있고, 노광 과정에서 포토레지스터의 열분해로 인하여 미량의 유해성 분산물이 발생될 수 있다, 이와 같은 포토레지스트의 제거를 위하여 플라즈마에 의한 스트립(strip) 공정이 진행될 수 있다. 특허공개번호 제10-2002-0048610호는 식각 후 잔류하는 감광막 및 식각 부산물을 제거하기 위한 감광막의 제거 방법에 대하여 개시한다. 또한 특허공개번호 제10-2005-0032978호는 챔버 내부를 진공으로 유기시키기 위해 챔버와 진공 펌프 사이에 구비되어 개폐되는 차단 밸브를 작동시키기 위해 유입되는 압축 건조 공기의 압력을 미세하게 조절하기 위한 레귤레이터를 구비하는 스트리퍼에 대하여 개시한다. 스트립 공정은 독립된(stand-alone) 장치에서 진행될 수 있고, 예를 들어 질소 또는 산소를 이용하여 진행될 수 있다. 이로 인하여 질소 화합물이 발생될 수 있고, 대기 오염 문제를 발생시킬 수 있다. 이를 방지하기 위하여 질소가 사용되지 않는 경우 제거 효율(strap rate)이 감소되어 생산성이 4 내지 50 %의 수준으로 감소될 수 있다. 그러므로 질소가 사용되지 않으면서 생산성이 유지될 수 있도록 하는 포토레지스트 제거 방법이 개발될 필요가 있다. 그러나 선행기술은 이와 같은 방법 또는 장치에 대하여 개시하지 않는다.
본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
특허문헌 1: 특허공개번호 제10-2002-0048610호(주식회사 하이닉스반도체, 2002년06월24일 공개) 반도체소자의 감광막 제거 방법 특허문헌 2: 특허공개번호 제10-2005-0032978호(동부아남반도체 주식회사, 2005년04월08일 공개) 웨이퍼 감광막 제거용 스트리퍼
본 발명의 목적은 포토레지스트의 스트립 과정에서 수증기와 산소를 공급하면서 질소가 사용되지 않는 것에 의하여 질소계 화합물의 발생을 방지하면서 이와 동시에 제거 공정 효율이 감소되지 않도록 하는 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법은 포토레지스트 스트립 모듈로 온도 조절이 된 수증기를 공급하는 수증기 공급 모듈; 수증기 공급 모듈과 독립적으로 또는 연동되어 산소(O2)를 공급하는 기체 공급 모듈; 및 포토레지스트 스트립 모듈에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 모듈을 포함한다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 수증기 공급 모듈은 수증기의 온도를 조절하는 공급 제어 유닛을 포함한다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 수증기 및 산소는 하나의 유입 도관에 의하여 플라즈마 발생 모듈로 유도된다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 포토 공정이 된 웨이퍼를 진공 척에 고정시키고, 진공 펌프로 진공을 형성하는 단계; 웨이퍼를 가열시키면서 산소(O2) 및 수증기(H2O)를 공급하는 단계; 산소 및 수증기가 공급된 상태에서 웨이퍼가 고정된 스트립 공간의 온도 및 압력을 정해진 수준으로 유지시키는 단계; 스트립 공간의 내부에 플라즈마를 발생시켜 스트립 공정을 진행하는 단계; 및 스트립 공정 후 진공 펌프가 작동되어 스트립 공간으로부터 플라즈마 및 잔여 수증기가 제거되는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼는 질소계 화합물의 발생이 방지되도록 하는 것에 의하여 대기 오염과 같은 환경오염이 방지되도록 한다. 또한 온도 조절이 된 수증기의 사용에 따라 가열 과정(Heat Up)에서 열전달 효율이 향상되어 포토레지스터 수축 효율이 향상되도록 한다. 추가로 본 발명에 따른 포토레지스트 제거 방법은 수증기의 사용에 따라 웨이퍼에 잔류하는 흄이 효율적으로 제거되도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼의 작동 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 포토레지스터 스트리퍼의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 포토레지스터 스트리퍼에 적용되는 수증기 공급 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 포트레지스터의 제거 방법의 실시 예를 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼의 작동 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 반도체 공정의 포토레지스트 스트립을 위한 포토레지스트 스트리퍼는 포토레지스트 스트립 모듈(14)로 온도 조절이 된 수증기를 공급하는 수증기 공급 모듈(11); 수증기 공급 모듈(11)과 독립적으로 또는 연동되어 산소(O2)를 공급하는 기체 공급 모듈(12); 및 포토레지스트 스트립 모듈(14)에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 모듈(13)을 포함한다.
포토레지스트의 스트립(strip) 공정은 식각 공정(etching) 후 식각 마스크로 사용된 감광막을 제거하는 공정을 포함하고, 플라즈마 방전 의한 건식 공정이 될 수 있다. 스트립 공정은 독립 장비(stand alone) 또는 전용 장비에서 진행될 수 있고, 다양한 크기 또는 용도를 가진 회로 패턴이 형성된 웨이퍼에 대하여 스트립 공정이 진행될 수 있다. 수증기 공급 모듈(Vapor on Demand Module)(11)에 의하여 스트립 공정의 진행 단계에서 미리 결정된 온도를 가지는 수증기가 공급될 수 있다. 예를 들어 스트립 공정은 진공 형성 단계, 가열 단계, 안정 단계, 플라즈마 발생 단계 및 플라즈마 배출 단계로 이루어질 수 있고, 가열 단계에서 수증기가 산소와 함께 공급될 수 있다. 수증기 공급 모듈(11)은 독립 모듈로 만들어져 포토레지스트 스트리퍼에 결합될 수 있고, 스트립 공정 과정에서 미리 결정된 온도를 가지는 수증기를 공급할 수 있다. 기체 공급 모듈(12)에 의하여 산소(O2)와 같은 기체가 공급될 수 있고, 기체는 수증기가 공급되는 단계에서 포토레지스트 스트립 모듈(14)로 공급될 수 있다. 산소와 같은 기체는 수증기와 함께 공급되거나, 수증기의 공급 경로와 독립된 경로를 통하여 포토레지스트 스트립 모듈(14)로 공급될 수 있다.
포토레지스트 스트립 모듈(14)에서 스트립 공정이 진행될 수 있고, 포토레지스트 스트립 모듈(14)은 진공 형성이 가능한 챔버 구조를 가질 수 있다. 포토레지스트 스트립 모듈(14)에 웨이퍼의 고정을 위한 웨이퍼 척, 가열 수단, 기체 주입 경로, 기체 배출 경로 또는 플라즈마 유입 수단이 배치될 수 있다. 플라즈마 발생 모듈(13)에 의하여 스트립 공정을 위한 플라즈마가 발생될 수 있고, 예를 들어 플라즈마 발생 모듈(13)은 플라즈마 발생 전극을 포함할 수 있고, RF 발생 전극은 RF 전력의 공급에 의하여 플라즈마 발생 기체로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. RF 전력은 예를 들어 1 내지 100 MHz의 고주파 전력이 될 수 있고, 플라즈마 발생 기체는 수증기 공급 모듈(11) 또는 기체 공급 모듈(12)로부터 공급되는 수증기 또는 산소가 될 수 있다. 선택적으로 플라즈마 발생 모듈(13)은 원격 플라즈마 발생 수단이 될 수 있고, 이와 같은 경우 수증기 또는 산소는 원격 플라즈마 발생 수단으로 공급될 수 있다. 포토레지스트 스트립 모듈(14)에 웨이퍼가 로딩이 되면 진공 펌프에 의하여 스트립 공정이 진행되는 스트립 챔버가 진공 상태로 만들어질 수 있다. 이후 수증기 및 산소가 공급되면서 플라즈마 발생 모듈이 작동되어 플라즈마가 발생되고, 발생된 플라즈마에 의하여 스트립 공정이 진행될 수 있다. 수증기 또는 산소는 공급 수준 또는 온도 조절이 되어 스트립 챔버로 공급될 수 있다.
아래에서 이와 같이 공급 수준 또는 온도 조절이 가능한 산소 또는 수증기의 공급 구조에 대하여 설명된다.
도 2는 본 발명에 따른 포토레지스터 스트리퍼의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 수증기 공급 모듈(11)은 수증기의 온도를 조절하는 공급 제어 유닛(22)을 포함한다. 수증기 공급 모듈(11)에 의하여 스트립 챔버(SC)에 배치된 플라즈마 발생 모듈(13)로 수증기가 공급될 수 있다. 또한 기체 발생 모듈(12)로부터 플라즈마 발생 모듈(13)로 산소와 같은 기체가 공급될 수 있다. 스트립 챔버(SC)에 웨이퍼 척(24)이 설치될 수 있고, 웨이퍼 척(24)은 회전 유닛(241)에 의하여 회전될 수 있다. 스트립 챔버(SC)는 배출 조절 수단(242)에 배출 도관에 의하여 기체의 이송이 가능하도록 연결된 진공 펌프(25)에 의하여 내부 압력이 조절될 수 있고, 예를 들어 진공 상태로 만들어질 수 있다. 플라즈마 발생 모듈(13)은 이동 가능한 구조로 만들어질 수 있고, 플라즈마 발생 모듈(13)에 의하여 생성된 플라즈마가 플라즈마 노즐(131)을 통하여 웨이퍼(W)의 위쪽 면에 분산될 수 있다. 수증기 발생 모듈(11)은 물 공급 수단(212), 물 공급 수단(212)으로부터 공급된 물을 기체 상태로 만드는 수증기 생성 유닛(21); 수증기 생성 유닛(21)으로부터 공급된 기체의 온도 및 공급 압력을 결정하는 공급 제어 유닛(22); 공급 제어 유닛(22)으로부터 공급을 제어하는 제어 밸브(214); 및 플라즈마 발생 모듈(13)로 수증기를 분무시키는 주입 노즐(215)을 포함할 수 있다. 또한 기체 공급 모듈(12)로부터 산소와 같은 기체가 유도 도관(121)을 통하여 플라즈마 발생 모듈(13)로 공급될 수 있다. 온도 및 압력이 조절되면서 수증기 및 산소가 각각 플라즈마 발생 모듈(13)로 공급될 수 있고, 플라즈마 발생 모듈(13)의 전극에 고주파 전력이 인가되어 플라즈마 발생될 수 있고, 이에 의하여 웨이퍼에 형성된 포토레지스트가 제거될 수 있다. 스트립 챔버(SC)의 내부 온도 및 압력이 탐지 유닛(23)에 의하여 탐지되어 공급 제어 유닛(22)으로 전송될 수 있고, 공급 제어 유닛(22)은 전송된 온도 및 압력 정보에 기초하여 스트립 챔버(SC)의 내부로 공급되는 수증기의 온도 및 압력을 조절할 수 있다.
도 2에 도시된 실시 예에서 산소와 수증기는 독립적으로 공급되지만 하나의 공급 노즐을 통하여 플라즈마 발생 모듈(13)로 공급될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 포토레지스터 스트리퍼에 적용되는 수증기 공급 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 수증기 생성 유닛(21)으로부터 생성된 수증기와 기체 공급 유닛(31)에 의하여 공급되는 산소는 유입 도관(35)을 통하여 플라즈마 발생 모듈(13)로 공급될 수 있다. 수증기 생성 유닛(21) 및 기체 공급 유닛(31)에서 생성된 수증기 및 산소는 각각 제1 공급 제어 유닛(22) 및 제2 공급 제어 유닛(32)을 통하여 온도와 압력이 조절되어 투입 조절 유닛(33)으로 이송될 수 있다. 투입 조절 유닛(33)은 플라즈마 발생 모듈(13)로 주입되어야 할 수증기와 산소의 양을 결정하여 경로 설정 유닛(34)으로 이송할 수 있고, 경로 설정 유닛(34)에서 수증기와 산소의 이송 경로가 설정될 수 있다. 예를 들어 수증기와 산소는 이중 관 구조로 이루어진 유입 도관(35)을 통하여 이송될 수 있고, 유입 도관(35)의 끝 부분에 플라즈마 발생 모듈(13)에 설치된 플라즈마 전극으로 수증기와 산소를 유도하는 혼합 노즐이 결합될 수 있다. 이중 관은 수증기가 유도되는 제1 경로(35a)를 형성하는 내부 관과 산소가 유도되는 제2 경로(35b)를 형성하는 외부 관으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 이중 관을 통하여 유입된 산소와 수증기는 플라즈마 전극에서 산소가 플라즈마 상태로 만들어지면서 이후 수증기의 일부를 해리시키는 것에 의하여 효율적으로 플라즈마가 생성되도록 한다. 산소와 수증기는 다양한 방법으로 플라즈마 생성 모듈(13)로 유도될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명에 따른 포트레지스터의 제거 방법의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 반도체 공정에 적용되는 포토 공정 후 웨이퍼로부터 포토레지스트를 제거하는 방법은 포토 공정이 된 웨이퍼를 진공 척에 고정시키고, 진공 펌프로 진공을 형성하는 단계; 웨이퍼를 가열시키면서 산소(O2) 및 수증기(H2O)를 공급하는 단계; 산소 및 수증기가 공급된 상태에서 웨이퍼가 고정된 스트립 공간의 온도 및 압력을 정해진 수준으로 유지시키는 단계; 스트립 공간의 내부에 플라즈마를 발생시켜 스트립 공정을 진행하는 단계; 및 스트립 공정 후 진공 펌프가 작동되어 스트립 공간으로부터 플라즈마 및 잔여 수증기가 제거되는 단계를 포함한다.
제어 모듈(41)에 의하여 스트립 챔버(43)에서 스트립이 진행되는 과정이 진행될 수 있고, 예를 들어 진공 형성 과정, 가열 과정, 안정화 과정, 플라즈마 발생 과정 및 배출 과정이 진행될 수 있다. 스트립 챔버(43)의 내부에 배치된 진공 척에 회로 패턴이 형성된 웨이퍼가 고정되면, 진공 펌프(25)가 작동되어 스트립 챔버(43)의 내부가 진공 상태로 만들어질 수 있다. 예를 들어 스트립 챔버(43)의 내부 압력은 0.1 내지 1000 mTorr의 압력 상태로 만들어질 수 있다. 이와 같이 스트립 챔버(43)가 진공 상태로 만들어지면 진공 펌프(25)의 작동이 중단되고, 0.1 내지 50 wt%의 산소 및 전체를 100 wt%로 만드는 수증기를 각각 수증기 공급 모듈(11) 및 기체 공급 모듈(12)을 통하여 플라즈마 발생 모듈(13)로 공급하면서 200 내지 20,000 mTorr, 바람직하게 500 내지 5,000 mTorr의 압력이 되도록 할 수 있다. 탐지 모듈(44)에 의하여 스트립 챔버(43)의 내부 압력 및 온도가 탐지될 수 있고, 탐지 모듈(44)에서 탐지된 정보는 지연 설정 모듈(45)로 전송될 수 있다. 지연 설정 모듈(45)은 스트립 챔버(43)의 구조에 대한 정보를 저장하고, 주기적으로 전송되는 탐지 모듈(44)의 정보로부터 공급이 개시 또는 중단되어야 하는 시각을 결정하는 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 탐지 모듈(44)은 스트립 챔버(43) 내부에서 적어도 두 개의 서로 다른 위치에서 온도 및 압력을 탐지하여 지연 설정 모듈(45)로 전송할 수 있다. 지연 설정 모듈(45)은 서로 다른 위치의 온도 및 압력의 기울기 곡선을 생성하여 수증기 및 산소의 주입 양이 조절되어야 하는 시각, 중단 또는 개시되어야 하는 시각을 결정할 수 있다. 지연 설정 모듈(45)에 의하여 이와 같은 지연 시각이 결정되면 제거 공정 데이터 모듈(42)로 전송될 수 있고, 그에 따라 플라즈마 발생 모듈(13)의 작동, 수증기 공급 모듈(11) 및 기체 공급 모듈(12)의 작동이 조절될 수 있다. 수증기 및 기체의 공급이 되어 스트립 챔버 내부가 정해진 압력 상태로 되면 스트립 챔버(43) 또는 웨이퍼의 온도가 상승될 수 있고, 예를 들어 200 내지 300 ℃의 온도로 상승될 수 있다. 이와 같이 스트립 챔버(43)의 온도가 상승되면 온도 및 압력이 일정한 상태로 유지되도록 하는 안정화 단계가 진행될 수 있다. 예를 들어 스트립 챔버(43)는 3,000 mTorr 압력 및 250 ℃의 온도로 5 내지 20초 동안 유지될 수 있다. 이후 플라즈마 발생 모듈(13)이 500 내지 2,500 W의 전력 공급에 의하여 작동되면서 플라즈마가 발생되어 약 100 내지 400초 동안 포토레지스터 제거 과정이 진행될 수 있다. 이와 같은 과정에서 웨이퍼로부터 포토레지스터가 제거되면 진공 펌프(25)가 작동되어 발생된 플라즈마가 배출되어 스트립 제거 공정이 완료될 수 있다.
수증기 및 기체의 공급 또는 플라즈마의 발생은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼는 질소계 화합물의 발생이 방지되도록 하는 것에 의하여 대기 오염과 같은 환경오염이 방지되도록 한다. 또한 온도 조절이 된 수증기의 사용에 따라 가열 과정(Heat Up)에서 열전달 효율이 향상되어 포토레지스터 수축 효율이 향상되도록 한다. 추가로 본 발명에 따른 포토레지스트 제거 방법은 수증기의 사용에 따라 웨이퍼에 잔류하는 흄이 효율적으로 제거되도록 한다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11: 수증기 공급 모듈 12: 기체 공급 모듈
13: 플라즈마 발생 모듈 14: 포토레지스트 스트립 모듈
21: 수증기 생성 유닛 22, 32: 제1, 2 공급 제어 유닛
23: 탐지 유닛 24: 웨이퍼 척
25: 진공 펌프 31: 기체 공급 유닛
33: 투입 조절 유닛 34: 경로 설정 유닛
35: 유입 도관 35a, 35b: 제1, 2 경로
41: 제어 모듈 42: 제거 공정 데이터 모듈
43: 스트립 챔버 44: 탐지 모듈
45: 지연 설정 모듈 121: 유도 도관
131: 플라즈마 노즐 212: 물 공급 수단
214: 제어 밸브 215: 주입 노즐
241: 회전 유닛 242: 배출 조절 수단
SC: 스트립 챔버 W: 웨이퍼

Claims (2)

  1. 반도체 공정의 포토레지스트 스트립을 위한 포토레지스트 스트리퍼에 있어서,
    포토레지스트 스트립 모듈(14)로 온도 조절이 된 수증기를 공급하는 수증기 공급 모듈(11);
    수증기 공급 모듈(11)과 독립적으로 또는 연동되어 산소(O2)를 공급하는 기체 공급 모듈(12); 및
    포토레지스트 스트립 모듈(14)에서 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 모듈(13)을 포함하고,
    수증기 및 산소는 하나의 유입 도관(35)에 의하여 플라즈마 발생 모듈(13)로 유도되는 것을 특징으로 하는 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼.
  2. 반도체 공정에 적용되는 포토 공정 후 웨이퍼로부터 포토레지스트를 제거하는 방법에 있어서,
    포토 공정이 된 웨이퍼를 진공 척에 고정시키고, 진공 펌프로 진공을 형성하는 단계;
    웨이퍼를 가열시키면서 각각 온도와 압력이 조절된 산소(O2) 및 수증기(H2O)를 공급하는 단계;
    산소 및 수증기가 공급된 상태에서 웨이퍼가 고정된 스트립 공간의 온도 및 압력을 정해진 수준으로 유지시키는 단계;
    스트립 공간의 내부에 플라즈마를 발생시켜 스트립 공정을 진행하는 단계; 및
    스트립 공정 후 진공 펌프가 작동되어 스트립 공간으로부터 플라즈마 및 잔여 수증기가 제거되는 단계를 포함하는 포토레지스트의 제거 방법.
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